JPH0338711A - メモリバックアップ方式 - Google Patents
メモリバックアップ方式Info
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- JPH0338711A JPH0338711A JP1175371A JP17537189A JPH0338711A JP H0338711 A JPH0338711 A JP H0338711A JP 1175371 A JP1175371 A JP 1175371A JP 17537189 A JP17537189 A JP 17537189A JP H0338711 A JPH0338711 A JP H0338711A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、メモリバックアップ方式に関し、特に、電源
遮断時、停電時において、メモリ(揮発性メモリ)のバ
ックアップ時間の延伸およびバッテリーの過放電防止に
好適なメモリバックアップ− 方式に関するものである。
遮断時、停電時において、メモリ(揮発性メモリ)のバ
ックアップ時間の延伸およびバッテリーの過放電防止に
好適なメモリバックアップ− 方式に関するものである。
従来、揮発性メモリにおいて、電源遮断時、停電時に対
する電源バックアップを行うバックアップ方式は、種々
のものが提案されている。代表的なものは、例えば、特
開昭6F−3221号公報の記載にみられるように、直
流電源の電圧低下を検出し所定の電圧値を下回った場合
、バッテリ電源側に切替える方式となっている。また、
バッテリーの過放電を防止するために、タイマーを設け
、一定時間経過後バッテリーからの給電を停止するよう
な方式としたものがある。
する電源バックアップを行うバックアップ方式は、種々
のものが提案されている。代表的なものは、例えば、特
開昭6F−3221号公報の記載にみられるように、直
流電源の電圧低下を検出し所定の電圧値を下回った場合
、バッテリ電源側に切替える方式となっている。また、
バッテリーの過放電を防止するために、タイマーを設け
、一定時間経過後バッテリーからの給電を停止するよう
な方式としたものがある。
ところで、上述したメモリの電源バックアップ方式は、
バックアップ用のバッテリーが常に良好に充電されてい
る状態を前提としており、主電源の直流電源の電圧低下
を検出し、所定の電圧値を下回った場合に、バッテリー
電源側に切替える方式となっている。このため、バッテ
リーが良好に充電されていない場合、また、間欠に電源
遮断が起こり、バッテリーが放電されている状態では、
十分な電源バックアップ機能が行えない場合があるとい
う問題がある。
バックアップ用のバッテリーが常に良好に充電されてい
る状態を前提としており、主電源の直流電源の電圧低下
を検出し、所定の電圧値を下回った場合に、バッテリー
電源側に切替える方式となっている。このため、バッテ
リーが良好に充電されていない場合、また、間欠に電源
遮断が起こり、バッテリーが放電されている状態では、
十分な電源バックアップ機能が行えない場合があるとい
う問題がある。
また、このようなメモリバックアップ方式は、メモリヘ
の給電を一律に行なっており、バッテリーの消耗を最少
銀に押え、バックアップ時間を最大限に延ばすことへの
配慮がなされていないという問題がある。すなわち、バ
ッテリーの電圧を検出し、その電圧が所定の電圧を下回
った場合にメモリヘの給電を停止し、過放電を防止する
という配慮がなされていない。
の給電を一律に行なっており、バッテリーの消耗を最少
銀に押え、バックアップ時間を最大限に延ばすことへの
配慮がなされていないという問題がある。すなわち、バ
ッテリーの電圧を検出し、その電圧が所定の電圧を下回
った場合にメモリヘの給電を停止し、過放電を防止する
という配慮がなされていない。
本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので
ある。
ある。
本発明の目的は、バッテリーの電圧を検出し、その結果
によりメモリヘの給電を停止し、過放電を防止すると共
に、バックアップ時間を延伸するメモリバック方式を提
供することにある。
によりメモリヘの給電を停止し、過放電を防止すると共
に、バックアップ時間を延伸するメモリバック方式を提
供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
上記目的を達成するため、本発明においては、商用電源
より直流出力を得る電源装置と、電源装置の直流出力が
充電回路を介して接続されたバッテリーと、バッテリー
の電圧を検出し、所定の電圧値以上であるときに検出信
号を発生する電圧検出回路と、メモリの給電を電源装置
の直流出力またはバッテリーに切り換えるスイッチ回路
と、電源装置の直流出力が正常電圧の場合、メモリヘの
給電を該直流出力により行ない、直流出力が低下した場
合に、電圧検出回路の検出信号が発生している間は、メ
モリヘの給電をバッテリーにより行う給電制御手段とを
備えることを特徴とする。
より直流出力を得る電源装置と、電源装置の直流出力が
充電回路を介して接続されたバッテリーと、バッテリー
の電圧を検出し、所定の電圧値以上であるときに検出信
号を発生する電圧検出回路と、メモリの給電を電源装置
の直流出力またはバッテリーに切り換えるスイッチ回路
と、電源装置の直流出力が正常電圧の場合、メモリヘの
給電を該直流出力により行ない、直流出力が低下した場
合に、電圧検出回路の検出信号が発生している間は、メ
モリヘの給電をバッテリーにより行う給電制御手段とを
備えることを特徴とする。
前記手段によれば、商用電源より直流出力を得る電源装
置と、電源装置の直流出力が充電回路を介して接続され
たバッテリーと、バッテリーの電圧を検出する電源検出
回路が設けられる。電圧検出回路は、バッテリーの電圧
を検出し、所定の電圧値以上であるときに検出信号を発
生する。そして、給電制御手段が、電源装置の直流出力
が正常電圧の場合、メモリヘの給電を該直流出力により
行ない、直流出力が低下した場合に、電圧検出回路の検
出信号が発生している間は、メモリヘの給電をバッテリ
ーにより行う。すなわち、電源装置からの直流出力が低
下した場合、メモリヘの電源供給をバッテリー側にスイ
ッチ回路により切換えて行うが、この際のバッテリー電
源の供給の条件を、バッテリー電圧を検出する電圧検出
回路からの検出信号が出されているときとする。
置と、電源装置の直流出力が充電回路を介して接続され
たバッテリーと、バッテリーの電圧を検出する電源検出
回路が設けられる。電圧検出回路は、バッテリーの電圧
を検出し、所定の電圧値以上であるときに検出信号を発
生する。そして、給電制御手段が、電源装置の直流出力
が正常電圧の場合、メモリヘの給電を該直流出力により
行ない、直流出力が低下した場合に、電圧検出回路の検
出信号が発生している間は、メモリヘの給電をバッテリ
ーにより行う。すなわち、電源装置からの直流出力が低
下した場合、メモリヘの電源供給をバッテリー側にスイ
ッチ回路により切換えて行うが、この際のバッテリー電
源の供給の条件を、バッテリー電圧を検出する電圧検出
回路からの検出信号が出されているときとする。
このため、電圧検出回路からの検出信号が出されなくな
ると、バッテリーからメモリヘの給電が停止させられ、
バッテリーからの無駄な放電をなくす。これは、メモリ
の給電を複数のメモリブロックに分割して、それぞれに
行っている場合に効果が大きい。一部のメモリヘのバッ
テリー電源の供給を停止することにより、他のメモリヘ
の電源供給に余力が生ずることになり、他のメモリに対
するバッテリー電源のバックアップを長時間に渡って継
続して行うことができる。
ると、バッテリーからメモリヘの給電が停止させられ、
バッテリーからの無駄な放電をなくす。これは、メモリ
の給電を複数のメモリブロックに分割して、それぞれに
行っている場合に効果が大きい。一部のメモリヘのバッ
テリー電源の供給を停止することにより、他のメモリヘ
の電源供給に余力が生ずることになり、他のメモリに対
するバッテリー電源のバックアップを長時間に渡って継
続して行うことができる。
7
すなわち、メモリを複数のブロックに分割し、その各々
のブロックに給電順位を設定し、複数のブロックに対応
して複数の電圧検出回路が設けられる。この複数の電圧
検出回路は、バッテリーの電圧が低下して行く過程にお
いて、それぞれに検出信号を出し、順時に各々のメモリ
ヘの給電を停止させる。
のブロックに給電順位を設定し、複数のブロックに対応
して複数の電圧検出回路が設けられる。この複数の電圧
検出回路は、バッテリーの電圧が低下して行く過程にお
いて、それぞれに検出信号を出し、順時に各々のメモリ
ヘの給電を停止させる。
メモリに記憶されるデータはその内容により重要度が異
なるため、データの重要度に応じて、メモリを複数ブロ
ックに分割して記憶する。分割して記憶したメモリに対
して(データの重要度に応じて)、バッテリー電源の給
電制御を行う電圧レベルが設定された電圧検出回路は、
バッテリーの電圧を検出し、電圧検出回路の検出出力に
より。
なるため、データの重要度に応じて、メモリを複数ブロ
ックに分割して記憶する。分割して記憶したメモリに対
して(データの重要度に応じて)、バッテリー電源の給
電制御を行う電圧レベルが設定された電圧検出回路は、
バッテリーの電圧を検出し、電圧検出回路の検出出力に
より。
バッテリー電源のメモリヘの給電を停止させる。
これにより、バッテリーの電圧が低下して行く過程にお
いて、重要度の低いデータの記憶されているメモリから
順次に給電を停止させ、無駄な放電を停止し、消費電力
を削減する。このため、重要度の高いデータの記憶され
ているメモリブロック8− のバックアップ時間を長くすることができ、更にバッテ
リーの電圧が低下し、メモリデータの揮発防止のために
、必要な電圧以下になった場合はすべてのメモリヘの給
電が停止され、無駄な過放電を防止することができる。
いて、重要度の低いデータの記憶されているメモリから
順次に給電を停止させ、無駄な放電を停止し、消費電力
を削減する。このため、重要度の高いデータの記憶され
ているメモリブロック8− のバックアップ時間を長くすることができ、更にバッテ
リーの電圧が低下し、メモリデータの揮発防止のために
、必要な電圧以下になった場合はすべてのメモリヘの給
電が停止され、無駄な過放電を防止することができる。
(実施例〕
以下、本発明の一実施例を図面を用いて具体的に説明す
る。
る。
第1図は、本発明の一実施例にかかるメモリバックアッ
プ方式を行う電源制御回路の要部の回路構成を示すブロ
ック図である。第1図において、11は電源装置、12
はバッテリー充電回路である。
プ方式を行う電源制御回路の要部の回路構成を示すブロ
ック図である。第1図において、11は電源装置、12
はバッテリー充電回路である。
13はメモリであり、メモリ13は、第1のメモリブロ
ック(メモリA)13aおよび第2のメモリブロック(
メモリB)13bは分割されて、それぞれに電源供給ラ
インを別にして電源が供給される。また、14aおよび
14bはバッテリー給電制御回路、15はバッテリーで
ある。
ック(メモリA)13aおよび第2のメモリブロック(
メモリB)13bは分割されて、それぞれに電源供給ラ
インを別にして電源が供給される。また、14aおよび
14bはバッテリー給電制御回路、15はバッテリーで
ある。
電源装置11は、商用電源からの交流電源入力を直流に
変換し、直流出力Vmを得る。電源装置11の直流出力
Vmは、ダイオードD1を介し、バッテリー充電回路1
2に供給される。また同時に、直流出力Vmは、ダイオ
ードD2を介して、第1のメモリ13aに供給され、ダ
イオードD3を介して、第2のメモリ13bに供給され
る。バッテリー充電回路12の出力は、接地との間に接
続されているバッテリー15に供給され、バッテリー1
5を充電する。
変換し、直流出力Vmを得る。電源装置11の直流出力
Vmは、ダイオードD1を介し、バッテリー充電回路1
2に供給される。また同時に、直流出力Vmは、ダイオ
ードD2を介して、第1のメモリ13aに供給され、ダ
イオードD3を介して、第2のメモリ13bに供給され
る。バッテリー充電回路12の出力は、接地との間に接
続されているバッテリー15に供給され、バッテリー1
5を充電する。
バッテリー15は、バッテリー給電制御回路14aおよ
び14bに接続されて、メモリヘのバッテリー給電が行
われる。
び14bに接続されて、メモリヘのバッテリー給電が行
われる。
バッテリー給電御回路14aにおいて、バッテリー15
の+側が、スイッチ回路機能を果すPNPトランジスタ
Q1のエミッタに接続され、トランジスタQlのコレク
タは第1のメモリブロック13aに接続される。トラン
ジスタQ1のスイッチ動作を制御するために、トランジ
スタQ1のベースに、抵抗R1を介してNPNトランジ
スタQ2が接続され、トランジスタQ2のベースには、
抵抗R2を介して電圧検出回路4の出力信号が接続され
る。
の+側が、スイッチ回路機能を果すPNPトランジスタ
Q1のエミッタに接続され、トランジスタQlのコレク
タは第1のメモリブロック13aに接続される。トラン
ジスタQ1のスイッチ動作を制御するために、トランジ
スタQ1のベースに、抵抗R1を介してNPNトランジ
スタQ2が接続され、トランジスタQ2のベースには、
抵抗R2を介して電圧検出回路4の出力信号が接続され
る。
電圧検出回路4としては、例えば、電圧精度が高く、検
出電圧のヒステリシス特性を持った市販の電圧監視用I
Cが用いられる。この電圧検出回路4はバッテリー15
の+側と接地の間に接続され、検出する電圧値は、バッ
テリー15の+側と接地の間に接続した可変抵抗器VR
Iにより、所定値に設定される。
出電圧のヒステリシス特性を持った市販の電圧監視用I
Cが用いられる。この電圧検出回路4はバッテリー15
の+側と接地の間に接続され、検出する電圧値は、バッ
テリー15の+側と接地の間に接続した可変抵抗器VR
Iにより、所定値に設定される。
バッテリー給電御回路14bにおいても、同様な回路構
成により、バッテリー15の+側が、スイッチ回路機能
を果すPNPトランジスタQ3のエミッタに接続され、
トランジスタQ3のコレクタは第2のメモリブロック1
3bに接続される。トランジスタQ3のスイッチ動作を
制御するために、1〜ランジスタQ3のベースに、抵抗
R3を介してNPN)−ランジスタQ4が接続され、ト
ランジスタQ4のベースには、抵抗R4を介して電圧検
出回路6の出力信号が接続される。電圧検出回路6はバ
ッテリー15の+側と接地の間に接続され、検出する電
圧値は、バッテリー15の+側と接地の間に接続した可
変抵抗器VH2により、所定値に設定される。また、こ
のバッテリー給電制御回路14b11 においては、更に、トランジスタQ4のベースには、P
NPhランジスタQ5のエミッタが接続されており、ト
ランジスタQ5のコレクタは接地に接続されている。ト
ランジスタQ5のベースは抵抗R5を介して、図示して
いないが、パワーオフ操作を行なった場合にローレベル
となるPOFF信号に接続されている。
成により、バッテリー15の+側が、スイッチ回路機能
を果すPNPトランジスタQ3のエミッタに接続され、
トランジスタQ3のコレクタは第2のメモリブロック1
3bに接続される。トランジスタQ3のスイッチ動作を
制御するために、1〜ランジスタQ3のベースに、抵抗
R3を介してNPN)−ランジスタQ4が接続され、ト
ランジスタQ4のベースには、抵抗R4を介して電圧検
出回路6の出力信号が接続される。電圧検出回路6はバ
ッテリー15の+側と接地の間に接続され、検出する電
圧値は、バッテリー15の+側と接地の間に接続した可
変抵抗器VH2により、所定値に設定される。また、こ
のバッテリー給電制御回路14b11 においては、更に、トランジスタQ4のベースには、P
NPhランジスタQ5のエミッタが接続されており、ト
ランジスタQ5のコレクタは接地に接続されている。ト
ランジスタQ5のベースは抵抗R5を介して、図示して
いないが、パワーオフ操作を行なった場合にローレベル
となるPOFF信号に接続されている。
メモリ13は、前述したように、第1のメモリブロック
13aおよび第2のメモリブロック13bに分割されて
、それぞれに電源供給ラインを別にして電源が供給され
る構成となっており、第1のメモリブロック13aおよ
び第2のメモリブロック13bの消費電力の比率は1:
5から1:10程度となるように、メモリが各メモリブ
ロックが分割されて、電源供給が行われる。電圧検出回
路4および6の検出電圧は、バッテリー15が良好に充
電された場合の電圧を■。、電圧検出回路4の検出電圧
を■1、電圧検出回路6の検出電圧をv2、また、メモ
リのバックアップ限界電圧を■、とすれば、次の関係に
設定される。
13aおよび第2のメモリブロック13bに分割されて
、それぞれに電源供給ラインを別にして電源が供給され
る構成となっており、第1のメモリブロック13aおよ
び第2のメモリブロック13bの消費電力の比率は1:
5から1:10程度となるように、メモリが各メモリブ
ロックが分割されて、電源供給が行われる。電圧検出回
路4および6の検出電圧は、バッテリー15が良好に充
電された場合の電圧を■。、電圧検出回路4の検出電圧
を■1、電圧検出回路6の検出電圧をv2、また、メモ
リのバックアップ限界電圧を■、とすれば、次の関係に
設定される。
12−
v、>v2>v、= vL
次に、第1図の電源制御回路の回路動作について説明す
る。
る。
第2図は、電源制御回路の回路動作を説明する各部のタ
イミングチャートである。第2図には、バッテリー電圧
、バックアップ時間、および、制御信号のタイミング関
係が示されている。
イミングチャートである。第2図には、バッテリー電圧
、バックアップ時間、および、制御信号のタイミング関
係が示されている。
第2図を参照すると、パワーオン中は電源装置11によ
り直流出力Vmが出力され、第1のメモリブロック13
aにはダイオードD2を介して電力が供給され、また、
第2のメモリブロック13bにはダイオードD3を介し
て電力が供給される。一般にメモリは、動作時に比ベス
タンバイ時は、低電圧でよいため、バッテリー15の電
圧は電源装置11の出力電圧Vmより低く設定されてい
る。
り直流出力Vmが出力され、第1のメモリブロック13
aにはダイオードD2を介して電力が供給され、また、
第2のメモリブロック13bにはダイオードD3を介し
て電力が供給される。一般にメモリは、動作時に比ベス
タンバイ時は、低電圧でよいため、バッテリー15の電
圧は電源装置11の出力電圧Vmより低く設定されてい
る。
したがって、電源装置11から直流出力が供給されてい
る間は、トランジスタQlおよびトランジスタQ3には
逆方向電圧が加わり(逆バイアスとなっており)、バッ
テリー15から第1のメモリブロック13aおよび第2
のメモリブロック13bに給電されることはない。また
、この間には、電源装置11の直流出力Vmはダイオー
ドD1を介し、充電回路12に加わり、充電回路12の
出力電圧によりバッテリー15に充電が行なわれる。
る間は、トランジスタQlおよびトランジスタQ3には
逆方向電圧が加わり(逆バイアスとなっており)、バッ
テリー15から第1のメモリブロック13aおよび第2
のメモリブロック13bに給電されることはない。また
、この間には、電源装置11の直流出力Vmはダイオー
ドD1を介し、充電回路12に加わり、充電回路12の
出力電圧によりバッテリー15に充電が行なわれる。
この状態において、停電等により商用の交流電源がオフ
となると、電源装置11の直流出力Vmが低下するので
、バッテリー15からの電源供給に切換わる。第1のメ
モリブロック13aの供給電源に対しては、ダイオード
D2およびトランジスタQ1のスイッチ作用により切換
わる。すなわち、この場合、バッテリー15の電圧■。
となると、電源装置11の直流出力Vmが低下するので
、バッテリー15からの電源供給に切換わる。第1のメ
モリブロック13aの供給電源に対しては、ダイオード
D2およびトランジスタQ1のスイッチ作用により切換
わる。すなわち、この場合、バッテリー15の電圧■。
が電圧検出回路4の検出電圧Vlより高く、電圧検出回
路4の検出信号Daがハイレベルになっているため、ト
ランジスタQ2はオンになり、トランジスタQ1がオン
となって、バッテリー15の電力がメモリブロック13
aに供給される。同様に、電圧検出回路6の検出信号D
bも上述の条件からハイレベルとなっており、トランジ
スタQ4はオンになり、トランジスタQ3がオンとなっ
て、バッテリー15の電力がメモリブロック13bに供
給される。なお、この場合は、電源装置11の直流出力
Vmが低下した状態であるが、パワーオン中の動作であ
るため、パワーオフ信号POFFはハイレベルとなって
おり、トランジスタQ5はオフとなっている。このため
、トランジスタQ4およびトランジスタQ3はオンとな
って、バッテリー15の電力がメモリブロック13bに
供給される。
路4の検出信号Daがハイレベルになっているため、ト
ランジスタQ2はオンになり、トランジスタQ1がオン
となって、バッテリー15の電力がメモリブロック13
aに供給される。同様に、電圧検出回路6の検出信号D
bも上述の条件からハイレベルとなっており、トランジ
スタQ4はオンになり、トランジスタQ3がオンとなっ
て、バッテリー15の電力がメモリブロック13bに供
給される。なお、この場合は、電源装置11の直流出力
Vmが低下した状態であるが、パワーオン中の動作であ
るため、パワーオフ信号POFFはハイレベルとなって
おり、トランジスタQ5はオフとなっている。このため
、トランジスタQ4およびトランジスタQ3はオンとな
って、バッテリー15の電力がメモリブロック13bに
供給される。
このようにして、停電等により商用の交流電源がオフと
なると、電源装置11の直流出力Vmが低下するので、
バッテリー15からの電源供給に切換ねるが、更に、停
電状態が続き、バッテリー給電を継続して、第2図に示
すように、t1時間後にバッテリー15の電圧が■。か
ら電圧検出回路6の検出電圧V2まで低下して来ると、
電圧検出回路6の検出信号Dbがローレベルとなる。こ
れにより、トランジスタQ4がオフになり、トランジス
タQ3がオフになって、メモリブロック13bの給電が
停止する。この時、バッテリー15の負荷が軽くなるた
め、バッテリー15の電圧は僅かに上昇するが、電圧検
出回路6はヒステリシス特性を持つ5− ているため検出信号Daが再びハイレベルに変化するこ
とはない。
なると、電源装置11の直流出力Vmが低下するので、
バッテリー15からの電源供給に切換ねるが、更に、停
電状態が続き、バッテリー給電を継続して、第2図に示
すように、t1時間後にバッテリー15の電圧が■。か
ら電圧検出回路6の検出電圧V2まで低下して来ると、
電圧検出回路6の検出信号Dbがローレベルとなる。こ
れにより、トランジスタQ4がオフになり、トランジス
タQ3がオフになって、メモリブロック13bの給電が
停止する。この時、バッテリー15の負荷が軽くなるた
め、バッテリー15の電圧は僅かに上昇するが、電圧検
出回路6はヒステリシス特性を持つ5− ているため検出信号Daが再びハイレベルに変化するこ
とはない。
更に停電が続き、バッテリー給電が継続すると、t2時
間後には、バッテリー15の電圧が電圧検出回路4の検
出電圧Vlに達する。この時点で電圧検出回路4の検出
信号Daがローレベルとなり、トランジスタQ2および
トランジスタQlがオフとなり、第1のメモリブロック
13aに対するバッテリー給電も停止される。
間後には、バッテリー15の電圧が電圧検出回路4の検
出電圧Vlに達する。この時点で電圧検出回路4の検出
信号Daがローレベルとなり、トランジスタQ2および
トランジスタQlがオフとなり、第1のメモリブロック
13aに対するバッテリー給電も停止される。
次に、正常な動作によりパワーオフした場合について説
明する。この場合には、パワーオフ信号POFFがロー
レベルとなる。このため、トランジスタQ5がオンにな
り、トランジスタQ4のベース電圧はローレベルに引き
込まれて、トランジスタQ4はオフとなり、トランジス
タQ3もオフとなる。したがって、この場合、第2のメ
モリブロック13bにはバッテリー15からの電力は供
給されない。但し、第1のメモリブロック13aには、
前述の停電の場合と同様にして、バッテリー給電が同様
な動作により行われる。
明する。この場合には、パワーオフ信号POFFがロー
レベルとなる。このため、トランジスタQ5がオンにな
り、トランジスタQ4のベース電圧はローレベルに引き
込まれて、トランジスタQ4はオフとなり、トランジス
タQ3もオフとなる。したがって、この場合、第2のメ
モリブロック13bにはバッテリー15からの電力は供
給されない。但し、第1のメモリブロック13aには、
前述の停電の場合と同様にして、バッテリー給電が同様
な動作により行われる。
=16
以上、説明したように、本実施例のメモリバックアップ
の動作が行なわれるので、例えば、メモリ13の第1の
メモリブロック13aは、システムの再起動時に必要な
システム管理データを記憶するメモリとして使用し、ま
た、第2のメモリブロック13bは、パワーオフ時にフ
ロッピーディスク等位の外部記憶装置に転送するユーザ
データを記憶するメモリとして使用すれば、データを外
部記憶装置に退避する時間のないパワーオン中の停電時
にはシステム管理データと、ユーザデータをバックアッ
プすることができる。なお、ユーザデータは、第2のメ
モリブロック13bに記憶するのでバックアップ保証さ
れる時間は、短時間ではあるが、この分だけ、重要度の
高いデータのシステム管理データのバックアップ時間を
長くすることができる。また、データを外部記憶装置に
退避した後でのパワーオフ操作を行なった場合には、第
2のメモリブロック13bはバッテリー給電を行わない
ので、システム管理データのみを長時間に渡って、バッ
クアップすることが可能となり、限られたバソテリーの
電力を有効に利用することができる。
の動作が行なわれるので、例えば、メモリ13の第1の
メモリブロック13aは、システムの再起動時に必要な
システム管理データを記憶するメモリとして使用し、ま
た、第2のメモリブロック13bは、パワーオフ時にフ
ロッピーディスク等位の外部記憶装置に転送するユーザ
データを記憶するメモリとして使用すれば、データを外
部記憶装置に退避する時間のないパワーオン中の停電時
にはシステム管理データと、ユーザデータをバックアッ
プすることができる。なお、ユーザデータは、第2のメ
モリブロック13bに記憶するのでバックアップ保証さ
れる時間は、短時間ではあるが、この分だけ、重要度の
高いデータのシステム管理データのバックアップ時間を
長くすることができる。また、データを外部記憶装置に
退避した後でのパワーオフ操作を行なった場合には、第
2のメモリブロック13bはバッテリー給電を行わない
ので、システム管理データのみを長時間に渡って、バッ
クアップすることが可能となり、限られたバソテリーの
電力を有効に利用することができる。
また、更に、本実施例の電源制御回路によるメモリバッ
クアップにおいては、複数のブロックに分割した各メモ
リブロックに対して、メモリバックを行う場合、各々の
メモリブロックに記憶されてるデータの重要性に応じて
、バックアップ時間を変化させるようにしても良い。こ
の場合、例えば、パワーオフ操作により、パワーオフ前
に使用中のメモリブロックをシステムの中央処理装置に
より判定し、パワーオフ時は使用中のメモリブロックの
みバックアップで給電を行うようにする。
クアップにおいては、複数のブロックに分割した各メモ
リブロックに対して、メモリバックを行う場合、各々の
メモリブロックに記憶されてるデータの重要性に応じて
、バックアップ時間を変化させるようにしても良い。こ
の場合、例えば、パワーオフ操作により、パワーオフ前
に使用中のメモリブロックをシステムの中央処理装置に
より判定し、パワーオフ時は使用中のメモリブロックの
みバックアップで給電を行うようにする。
次に1本発明の他の実施例および変形例について説明す
る。
る。
第3図は、本発明の他の実施例にかかる電源制御回路を
用いるデータ処理システムの要部を構成を示すブロック
図である。第3図において、30は電源部、31aおよ
び31bはバッテリー、32はバッテリー給電制御部、
33はメモリ素子、34は中央処理装置、35は電源制
御処理部、36は表示部、37はキーボードである。電
源部30は商用電源からの交流電源入力を直流に変換し
、直流出力の電源を供給する。バッテリー給電制御部3
2はメモリ素子33に対して、通常動作時には電源部3
0からの直流出力の電源を供給し、停電時などにはバッ
テリー3・1aおよび31bからのバッテリー電源供給
を行う。
用いるデータ処理システムの要部を構成を示すブロック
図である。第3図において、30は電源部、31aおよ
び31bはバッテリー、32はバッテリー給電制御部、
33はメモリ素子、34は中央処理装置、35は電源制
御処理部、36は表示部、37はキーボードである。電
源部30は商用電源からの交流電源入力を直流に変換し
、直流出力の電源を供給する。バッテリー給電制御部3
2はメモリ素子33に対して、通常動作時には電源部3
0からの直流出力の電源を供給し、停電時などにはバッ
テリー3・1aおよび31bからのバッテリー電源供給
を行う。
バッテリー電源供給のためのバッテリー31aおよび3
1bは複数系統が設けられており、それぞれが単独して
使用され、また双方が相互に切換えられて使用される。
1bは複数系統が設けられており、それぞれが単独して
使用され、また双方が相互に切換えられて使用される。
一方を主系統として、また他方を予備系統して用いるよ
うにしても良い。メモリ素子33は、複数のメモリブロ
ックに分割されており、それぞれに電源供給ラインが設
けられている。バッテリー給電制御部32に、各々のメ
モリブロックへの電源供給を#御する。中央処理装置3
4における電源制御処理部35は、キーボード37から
のパワオン操作またはパワーオフ操作の指示により、バ
ッテリー給電制御部32に対する制御処理を行い、また
、表示部36に対して電源制御処理のメツセージ表示、
オペレータの対する警告表示などを行う。
うにしても良い。メモリ素子33は、複数のメモリブロ
ックに分割されており、それぞれに電源供給ラインが設
けられている。バッテリー給電制御部32に、各々のメ
モリブロックへの電源供給を#御する。中央処理装置3
4における電源制御処理部35は、キーボード37から
のパワオン操作またはパワーオフ操作の指示により、バ
ッテリー給電制御部32に対する制御処理を行い、また
、表示部36に対して電源制御処理のメツセージ表示、
オペレータの対する警告表示などを行う。
すなわち、停電時でバッテリー給電を行い、バッ9−
テリーの電圧低下により特定のメモリヘの給電を停止し
た場合、その旨のメモリ給電情報を、バックアップを行
っているメモリなどに記憶しておき、再起動時に、当該
メモリ給電情報を中央処理装置34の電源制御処理部3
5が読み出し、表示部36にメツセージ出力する。
た場合、その旨のメモリ給電情報を、バックアップを行
っているメモリなどに記憶しておき、再起動時に、当該
メモリ給電情報を中央処理装置34の電源制御処理部3
5が読み出し、表示部36にメツセージ出力する。
また、電源制御処理部35は、キーボード37により正
常なパワーオフ操作が行なわれた場合、中央処理装置側
からの制御によるパワーオフ制御を行なう前に、バッテ
リーの電圧検出を行ない、バッテリーの電圧が低下して
いた場合には、その旨のメツセージを表示部36に表示
し、オペレータに警告する。
常なパワーオフ操作が行なわれた場合、中央処理装置側
からの制御によるパワーオフ制御を行なう前に、バッテ
リーの電圧検出を行ない、バッテリーの電圧が低下して
いた場合には、その旨のメツセージを表示部36に表示
し、オペレータに警告する。
第4図は、第3図におけるメモリ素子の構造を詳細に説
明するブロック図である。メモリ素子33は、第4図に
示すように、複数のメモリブロックA ” nに分割さ
れて構成されており、各々のメモリブロックに対して個
別に給電制御が可能な電源ラインA−nが設けられてい
る。このような各メモリブロックに対する個別の電源ラ
インにより、20− 各々のメモリのブロックは、分割された各メモリのブロ
ックに対して、個別にメモリバックアップ可能となり、
また、各メモリブロックに対応して個別に使用可能なメ
モリ素子となっている。
明するブロック図である。メモリ素子33は、第4図に
示すように、複数のメモリブロックA ” nに分割さ
れて構成されており、各々のメモリブロックに対して個
別に給電制御が可能な電源ラインA−nが設けられてい
る。このような各メモリブロックに対する個別の電源ラ
インにより、20− 各々のメモリのブロックは、分割された各メモリのブロ
ックに対して、個別にメモリバックアップ可能となり、
また、各メモリブロックに対応して個別に使用可能なメ
モリ素子となっている。
第5図は、バッテリー給電制御を行う電源制御処理部の
電源制御処理の一例を示すフローチャートである。第5
図を参照して説明する。この電源制御処理では、例えば
、ステップ51において、キーボードによりオペレータ
がパワーオフ操作を行うと、次のステップ52において
、使用中のメモリブロックの判定処理を行い、使用中の
メモリブロックに対してのみ、バッテリーの接続指示を
、バッテリ給電制御部に送出する。そして、ステップ5
4において、中央処理装置からの指示によるパワーオフ
動作を行う。これにより、バッテリー給電によりメモリ
バックアップを行うのは、使用中のメモリブロックのみ
となり、バックアップ用のバッテリー電源を有効に利用
でき、過放電を防止できる。
電源制御処理の一例を示すフローチャートである。第5
図を参照して説明する。この電源制御処理では、例えば
、ステップ51において、キーボードによりオペレータ
がパワーオフ操作を行うと、次のステップ52において
、使用中のメモリブロックの判定処理を行い、使用中の
メモリブロックに対してのみ、バッテリーの接続指示を
、バッテリ給電制御部に送出する。そして、ステップ5
4において、中央処理装置からの指示によるパワーオフ
動作を行う。これにより、バッテリー給電によりメモリ
バックアップを行うのは、使用中のメモリブロックのみ
となり、バックアップ用のバッテリー電源を有効に利用
でき、過放電を防止できる。
第6図は、バッテリー給電制御を行う電源制御処理部の
電源制御処理の他の一例を示すフローチャートである。
電源制御処理の他の一例を示すフローチャートである。
第6図を参照して説明する。この例の電源制御処理では
、まず、ステップ61において、キーボードによりオペ
レータがパワーオフ操作を行うと、次のステップ62に
おいて、バッテリー電圧の検出を行う。そして、ステッ
プ63の判断ステップにより、検出したバッテリー電圧
はOKであるか否かを判定する。バッテリー電圧が十分
な充電電位を示していない場合には、ステップ64に進
み、充電のためパワーオフしない旨のメツセージ表示を
行い、再びステップ62に戻り、ステップ62のバッテ
リー電圧検出を繰り返す。また、ステップ63において
、検出したバッテリー電圧が十分な充電電位を示してお
り、バッテリー電圧はOKである場合には、ステップ6
5に進み、パワーオフ動作を含む一連の終了処理を行っ
て、次のステップ66で電源断とする。
、まず、ステップ61において、キーボードによりオペ
レータがパワーオフ操作を行うと、次のステップ62に
おいて、バッテリー電圧の検出を行う。そして、ステッ
プ63の判断ステップにより、検出したバッテリー電圧
はOKであるか否かを判定する。バッテリー電圧が十分
な充電電位を示していない場合には、ステップ64に進
み、充電のためパワーオフしない旨のメツセージ表示を
行い、再びステップ62に戻り、ステップ62のバッテ
リー電圧検出を繰り返す。また、ステップ63において
、検出したバッテリー電圧が十分な充電電位を示してお
り、バッテリー電圧はOKである場合には、ステップ6
5に進み、パワーオフ動作を含む一連の終了処理を行っ
て、次のステップ66で電源断とする。
このように、パワーオフ操作を行うと、バッテリー電圧
のチエツクを行い、それに応じて適切な電源制御処理を
行う。
のチエツクを行い、それに応じて適切な電源制御処理を
行う。
以上、本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
以上、説明したように、本発明のメモリバックアップ方
式によれば、バックアップ電源のバッテリーの電圧を検
出し、分割した複数のメモリブロックへの給電を制御す
るため、バックアップ用のバッテリー電源を有効に利用
でき、過放電を防止できる。また、メモリを複数ブロッ
クに分割し、重要度の高いデータの記憶されたメモリブ
ロックを優先的にバックアップするため、メモリ全体を
バックアップする場合に比べ、重要データのバックアッ
プ時間を長くすることができる。
式によれば、バックアップ電源のバッテリーの電圧を検
出し、分割した複数のメモリブロックへの給電を制御す
るため、バックアップ用のバッテリー電源を有効に利用
でき、過放電を防止できる。また、メモリを複数ブロッ
クに分割し、重要度の高いデータの記憶されたメモリブ
ロックを優先的にバックアップするため、メモリ全体を
バックアップする場合に比べ、重要データのバックアッ
プ時間を長くすることができる。
第1図は、本発明の一実施例にかかるメモリバックアッ
プ方式を行う電源制御回路の要部の回路構成を示すブロ
ック図、 第2図は、電源制御回路の回路動作を説明する3 各部のタイミングチャート、 第3図は、本発明の他の実施例にかかる電源制御回路を
用いるデータ処理システムの要部を構成を示すブロック
図、 第4図は、第3図におけるメモリ素子の構造を詳細に説
明するブロック図、 第5図は、バッチ−給電制御を行う電源制御処理部の電
源制御処理の一例を示すフローチャート、第6図は、バ
ッチ−給電制御を行う電源制御処理部の電源制御処理の
他の一例を示すフローチャートである。 図中、4,6・・・電圧検出回路、11・・・電源装置
、12・・・バッテリー充電回路、13・・・メモリ、
13a・第1のメモリブロック、13b・・・第2のメ
モリブロック、 14a 、 14b・・・バッテリー
給電制御回路、15゜31a、31b・・・バッテリー
、30・・・電源部、32・・バッテリ給電制御部、3
3・・・メモリ素子、34・・・中央処理装置、35・
・・電源制御処理部、36・・・表示部、37・・・キ
ーボード。 24− や 悴5圀 策6目
プ方式を行う電源制御回路の要部の回路構成を示すブロ
ック図、 第2図は、電源制御回路の回路動作を説明する3 各部のタイミングチャート、 第3図は、本発明の他の実施例にかかる電源制御回路を
用いるデータ処理システムの要部を構成を示すブロック
図、 第4図は、第3図におけるメモリ素子の構造を詳細に説
明するブロック図、 第5図は、バッチ−給電制御を行う電源制御処理部の電
源制御処理の一例を示すフローチャート、第6図は、バ
ッチ−給電制御を行う電源制御処理部の電源制御処理の
他の一例を示すフローチャートである。 図中、4,6・・・電圧検出回路、11・・・電源装置
、12・・・バッテリー充電回路、13・・・メモリ、
13a・第1のメモリブロック、13b・・・第2のメ
モリブロック、 14a 、 14b・・・バッテリー
給電制御回路、15゜31a、31b・・・バッテリー
、30・・・電源部、32・・バッテリ給電制御部、3
3・・・メモリ素子、34・・・中央処理装置、35・
・・電源制御処理部、36・・・表示部、37・・・キ
ーボード。 24− や 悴5圀 策6目
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、商用電源より直流出力を得る電源装置と、電源装置
の直流出力が充電回路を介して接続されたバッテリーと
、バッテリーの電圧を検出し、所定の電圧値以上である
ときに検出信号を発生する電圧検出回路と、メモリの給
電を電源装置の直流出力またはバッテリーに切り換える
スイッチ回路と、電源装置の直流出力が正常電圧の場合
、メモリへの給電を該直流出力により行ない、直流出力
が低下した場合、電圧検出回路の検出信号が発生してい
る間は、メモリへの給電をバッテリーにより行う給電制
御手段とを備えることを特徴とするメモリバックアップ
方式。 2、請求項1に記載のメモリバックアップ方式において
、メモリを複数のブロックに分割し、各メモリのブロッ
クに対して、給電制御手段が個別に給電制御を行うこと
を特徴とするメモリバックアップ方式。 3、請求項2に記載のメモリバックアップ方式において
、複数のブロックに分割した各メモリブロックに対して
、給電順位を予め定めておき、バッテリーの検出電圧に
応じて、給電順位の低いメモリから順次に給電を停止す
るバッテリー給電制御手段を備えることを特徴とするメ
モリバックアップ方式。 4、請求項1記載のメモリバックアップ方式において、
バッテリーは複数単位を具備し、各々の単位のバッテリ
ーを順次に切り換えて、メモリに対する給電を行うこと
を特徴とするメモリバックアップ方式。 5、請求項3記載のメモリバックアップ方式において、
バッテリーの電圧低下により特定のメモリヘの給電を停
止した場合、その旨のメモリ給電情報を記憶する記憶回
路を設け、再起動時に、当該記憶回路のメモリ給電情報
を中央処理装置に伝達する手段を設けたことを特徴とす
るメモリバックアップ方式。 6、商用電源より直流出力を得る電源装置と、電源装置
の直流出力が充電回路を介して接続されたバッテリーと
、バッテリーの電圧を検出し、所定の電圧値以上である
ときに検出信号を発生する電圧検出回路と、メモリの給
電を電源装置の直流出力またはバッテリーに切り換える
スイッチ回路と、電源装置の直流出力が正常電圧の場合
、メモリへの給電を該直流出力により行ない、直流出力
が低下した場合、電圧検出回路の検出信号が発生してい
る間は、メモリへの給電をバッテリーにより行う給電制
御手段とを備えたメモリバックアップ方式であって、正
常なパワーオフ操作が行なわれた場合、中央処理装置か
らの制御によるパワーオフ制御を行なう前に、バッテリ
ーの電圧検出を行ない、バッテリーの電圧が低下してい
た場合には、その旨のメッセージを表示し、オペレータ
に警告することを特徴とするメモリバックアップ方式。 7、請求項2に記載のメモリバックアップ方式により、
メモリを複数のブロックに分割し、各メモリの各ブロッ
クに対して、メモリバックアップが可能なるメモリ素子
であって、メモリ素子は、内部を複数のブロックに分割
して使用可能であり、各々のブロックに対して個別に給
電制御が可能な電源ラインが設けられているメモリ素子
。 8、請求項2に記載のメモリバックアップ方式において
、複数のブロックに分割した各メモリブロックに対して
、メモリバックを行う場合、パワーオフ操作により、パ
ワーオフ前に使用中のメモリブロックを中央処理装置に
より判定し、パワーオフ時は使用中のメモリブロックの
みバックアップで給電を行うことを特徴とするメモリバ
ックアップ方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1175371A JPH0338711A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | メモリバックアップ方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1175371A JPH0338711A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | メモリバックアップ方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0338711A true JPH0338711A (ja) | 1991-02-19 |
Family
ID=15994928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1175371A Pending JPH0338711A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | メモリバックアップ方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0338711A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04165442A (ja) * | 1990-10-30 | 1992-06-11 | Tokyo Electric Co Ltd | メモリバックアップ装置 |
| JPH07160373A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | 電源バックアップ装置 |
| JP2011524555A (ja) * | 2008-12-04 | 2011-09-01 | 株式会社日立製作所 | 揮発性メモリと不揮発性メモリとを備えたストレージシステム |
-
1989
- 1989-07-05 JP JP1175371A patent/JPH0338711A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04165442A (ja) * | 1990-10-30 | 1992-06-11 | Tokyo Electric Co Ltd | メモリバックアップ装置 |
| JPH07160373A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | 電源バックアップ装置 |
| JP2011524555A (ja) * | 2008-12-04 | 2011-09-01 | 株式会社日立製作所 | 揮発性メモリと不揮発性メモリとを備えたストレージシステム |
| US8275930B2 (en) | 2008-12-04 | 2012-09-25 | Hitachi, Ltd. | Storage system having volatile memory and non-volatile memory |
| US8751766B2 (en) | 2008-12-04 | 2014-06-10 | Hitachi, Ltd. | Storage system having volatile memory and non-volatile memory |
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