JPH0338819A - 半導体装置内の位置検出方法 - Google Patents
半導体装置内の位置検出方法Info
- Publication number
- JPH0338819A JPH0338819A JP1174785A JP17478589A JPH0338819A JP H0338819 A JPH0338819 A JP H0338819A JP 1174785 A JP1174785 A JP 1174785A JP 17478589 A JP17478589 A JP 17478589A JP H0338819 A JPH0338819 A JP H0338819A
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- JP
- Japan
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- mark
- semiconductor device
- shape
- wiring
- pattern
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- Pending
Links
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
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- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、リソグラフィー工程を有する半導体装置の
製造方法に関する。
製造方法に関する。
本発明は、半導体装置製造過程において、曲線部を含む
マークを形状認識により検出することにより、精度の良
い位置検出を可能としたものである。
マークを形状認識により検出することにより、精度の良
い位置検出を可能としたものである。
従来の技術は例えば第２図ｔｉ１１． （ｂ）に示すよ
うに、直線で構成されたマークのいずれかを用いていた
。
うに、直線で構成されたマークのいずれかを用いていた
。
このように、半導体装置内の配線パターン等のパターン
は、直線を基調とした形状をしているため、従来のマー
クでは周囲の配線パターンと形状が似ている場合が生し
得るため、形状認識によるパターン検知時に、誤検知が
起こりやすいという問題があった。
は、直線を基調とした形状をしているため、従来のマー
クでは周囲の配線パターンと形状が似ている場合が生し
得るため、形状認識によるパターン検知時に、誤検知が
起こりやすいという問題があった。
上記問題点を解決するために、本発明では配線パターン
では用いられることの少ない１ＩｉＩ線を基調としたマ
ークを用いることにより、誤検知を防止する位置検出方
法を採用した。
では用いられることの少ない１ＩｉＩ線を基調としたマ
ークを用いることにより、誤検知を防止する位置検出方
法を採用した。
上記の様なマークを用いることにより、マークと他パタ
ーンとの図形認識」二の区別がつきやすくなり、正確に
マークを検知することができる。
ーンとの図形認識」二の区別がつきやすくなり、正確に
マークを検知することができる。
以下にこの発明の実施例を図面に基づいて説明する。半
導体装置の製造過程のリソグラフィー工程において、半
導体基板上に第１図（ａｌ、 （ｂｌ、 （Ｃ１といっ
た曲線を基調とするマークのうち一種を形成する。リソ
グラフィー工程の種類に応して、このマークはシリコン
上の酸化膜１窒化膜あるいは配線用金属膜のパターンな
どとして形成される。ただし、フォトリソグラフィー工
程によりパターニングする時、マスクの作成上の容易性
により全体としては曲線パターンに近い形状をしていて
も拡大してみると、複雑な多角形形状を形成している場
合もあり得る。
導体装置の製造過程のリソグラフィー工程において、半
導体基板上に第１図（ａｌ、 （ｂｌ、 （Ｃ１といっ
た曲線を基調とするマークのうち一種を形成する。リソ
グラフィー工程の種類に応して、このマークはシリコン
上の酸化膜１窒化膜あるいは配線用金属膜のパターンな
どとして形成される。ただし、フォトリソグラフィー工
程によりパターニングする時、マスクの作成上の容易性
により全体としては曲線パターンに近い形状をしていて
も拡大してみると、複雑な多角形形状を形成している場
合もあり得る。
以」−の様に形成されたマークを形状認識技術により検
出する。−船釣な形状認識はパターンを詳細な格子形状
に分割し、光の反射信号を強弱によって２４直化するこ
とにより、マークのパターンを検出する。従って、第３
図（ａｌの様なパターンの部分に対しては、第３図（ｂ
ｌの様な複雑なパターンとして検出されることになる。
出する。−船釣な形状認識はパターンを詳細な格子形状
に分割し、光の反射信号を強弱によって２４直化するこ
とにより、マークのパターンを検出する。従って、第３
図（ａｌの様なパターンの部分に対しては、第３図（ｂ
ｌの様な複雑なパターンとして検出されることになる。
この様に、半導体装置内の配線パターンには存在しない
ような複雑な形状として認識されるため、フメトリソグ
ラフィ工程における下層と上層とアライメンＩ・や測定
機における測定場所検出の為の基準点設定に用いること
ができる。
ような複雑な形状として認識されるため、フメトリソグ
ラフィ工程における下層と上層とアライメンＩ・や測定
機における測定場所検出の為の基準点設定に用いること
ができる。
この発明は以上説明したよ・うに半導体装置配線として
は用いられにくい田１線バクーンを用い形状認識を行う
ことにより、誤検知することなく正確に位置検出を行う
ことができる。
は用いられにくい田１線バクーンを用い形状認識を行う
ことにより、誤検知することなく正確に位置検出を行う
ことができる。
第１図ｆａｔ〜（Ｃ１は本発明の実施例のマーク形状を
示す平面図、第２図ｔａｇ、 （ｂｌは従来のマーク形
状を示す平面図、第３図（ａｌは本発明のマークの形状
の部分の一例を示す平面図、第３図ｆｂ）は第３図（ａ
ｌを形状認識により検出したときの形状を示す平面図で
ある。 以」ニ
示す平面図、第２図ｔａｇ、 （ｂｌは従来のマーク形
状を示す平面図、第３図（ａｌは本発明のマークの形状
の部分の一例を示す平面図、第３図ｆｂ）は第３図（ａ
ｌを形状認識により検出したときの形状を示す平面図で
ある。 以」ニ
Claims (1)
- 半導体装置の製造工程のリソグラフィー工程において、
曲線を基調とするマークを形成する工程と、このマーク
を形状認識技術により検出し、半導体装置の位置情報を
得る工程とを有する位置検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1174785A JPH0338819A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | 半導体装置内の位置検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1174785A JPH0338819A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | 半導体装置内の位置検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0338819A true JPH0338819A (ja) | 1991-02-19 |
Family
ID=15984629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1174785A Pending JPH0338819A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | 半導体装置内の位置検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0338819A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002373844A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Seiko Instruments Inc | 合わせずれ測定方法 |
| US9796536B2 (en) | 2011-04-26 | 2017-10-24 | De Beers Uk Ltd. | Automatic gemstone orientation |
-
1989
- 1989-07-05 JP JP1174785A patent/JPH0338819A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002373844A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Seiko Instruments Inc | 合わせずれ測定方法 |
| US9796536B2 (en) | 2011-04-26 | 2017-10-24 | De Beers Uk Ltd. | Automatic gemstone orientation |
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