JPH0338820A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0338820A JPH0338820A JP1174786A JP17478689A JPH0338820A JP H0338820 A JPH0338820 A JP H0338820A JP 1174786 A JP1174786 A JP 1174786A JP 17478689 A JP17478689 A JP 17478689A JP H0338820 A JPH0338820 A JP H0338820A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment
- lens
- wafer
- points
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、リングラフィ工程を有する半導体装置の製
造方法に関する。
造方法に関する。
この発明はレンズ透過形投影露光装置を用いたフォトリ
ソグラフィ工程における下層と」二層のアライメント技
術において、マスク、レンズを通し、ウェハー上にアラ
イメント光を当て反射光を検出する時、レンズの直径軸
上の中心に対して対称な２点を常にアライメント光が通
過するようにすることにより、露光用光源波長とアライ
メント光波長を厳密にあわせこまなくともより正確にア
ライメントを行えるようにしたものである。
ソグラフィ工程における下層と」二層のアライメント技
術において、マスク、レンズを通し、ウェハー上にアラ
イメント光を当て反射光を検出する時、レンズの直径軸
上の中心に対して対称な２点を常にアライメント光が通
過するようにすることにより、露光用光源波長とアライ
メント光波長を厳密にあわせこまなくともより正確にア
ライメントを行えるようにしたものである。
従来、マスク、露光用レンズを通し、ウェハー上にアラ
イメント光を当て、反射光を検出することによりアライ
メントを行う方法（以後、ＴＴＬアライメント法と略す
）において、マスク上の半導体素子パターンと、ウェハ
ー上の半導体素子パターンとを完全に重ね合わせる位置
関係にマスクとウェハーを移動させ、アライメントを行
いその状態で露光を行っていた。
イメント光を当て、反射光を検出することによりアライ
メントを行う方法（以後、ＴＴＬアライメント法と略す
）において、マスク上の半導体素子パターンと、ウェハ
ー上の半導体素子パターンとを完全に重ね合わせる位置
関係にマスクとウェハーを移動させ、アライメントを行
いその状態で露光を行っていた。
また、ウェハー上のアライメント用マークは、半導体装
置の製造プロセスにより、アライメントマークを、複数
個ウェハー上に設置する場合も多い。このような場合、
全てのアライメントマーク対を直径軸上に配置すること
は困難であるから、第２図のようにレンズの直径軸上か
らは則れた２点をアライメント光が通過し、アライメン
トを行う場合が生ずる。
置の製造プロセスにより、アライメントマークを、複数
個ウェハー上に設置する場合も多い。このような場合、
全てのアライメントマーク対を直径軸上に配置すること
は困難であるから、第２図のようにレンズの直径軸上か
らは則れた２点をアライメント光が通過し、アライメン
トを行う場合が生ずる。
レンズの直径軸上から離れた場所をアライメント光が通
過する場合、露光用光源の波長と、アライメント光波長
とを完全にあわせ込むことは困難であるから、レンズの
屈折率の微妙な差異により、アライメント時のずれ量が
生しる。また、プライメン１−光がレンズ上様々な位置
を通過することにより、アライメント光のレンズ進入角
度の制御性等も要求され、正確なアライメントを行うこ
とは困難であった。
過する場合、露光用光源の波長と、アライメント光波長
とを完全にあわせ込むことは困難であるから、レンズの
屈折率の微妙な差異により、アライメント時のずれ量が
生しる。また、プライメン１−光がレンズ上様々な位置
を通過することにより、アライメント光のレンズ進入角
度の制御性等も要求され、正確なアライメントを行うこ
とは困難であった。
〔課題を解決するための手段〕
上記問題点を解決するために、この発明はマスク」ニア
ライメントマーク位置を、レンズの直径」二に固定し、
ウェハー上のアライメント・マークと重ね合わせ、ＴＴ
Ｌアライメント方でアライメント・を行う。そして、ア
ライメントを行った後、ウェハーを特定の位置だｉｌず
らし、ウェハー上の半導体装置のパターンと、マスク上
の半導体装置のパターンを重ね合わせ露光を行うように
した。
ライメントマーク位置を、レンズの直径」二に固定し、
ウェハー上のアライメント・マークと重ね合わせ、ＴＴ
Ｌアライメント方でアライメント・を行う。そして、ア
ライメントを行った後、ウェハーを特定の位置だｉｌず
らし、ウェハー上の半導体装置のパターンと、マスク上
の半導体装置のパターンを重ね合わせ露光を行うように
した。
上記の様なアライメントを行うことにより、アライメン
ト光は、常にレンズの直径りの２点を通過するため、ア
ライメント光と露光用光源の波長の異なりに起因する２
点のアライメントマークを結線に垂直な方向のアライメ
ント・ずれは生しなくなる。また、平行方向のずれも直
径上の２点をレンズ中心から対称にとることにより、生
しないことになる。従って、いかなる波長の光源を用い
たレンズ透過形の露光装置においても、アライメント光
の波長と露光用光源の波長とを厳密に合わせ込むことな
しに精度の高いアライメントを行うことができる。
ト光は、常にレンズの直径りの２点を通過するため、ア
ライメント光と露光用光源の波長の異なりに起因する２
点のアライメントマークを結線に垂直な方向のアライメ
ント・ずれは生しなくなる。また、平行方向のずれも直
径上の２点をレンズ中心から対称にとることにより、生
しないことになる。従って、いかなる波長の光源を用い
たレンズ透過形の露光装置においても、アライメント光
の波長と露光用光源の波長とを厳密に合わせ込むことな
しに精度の高いアライメントを行うことができる。
以下に、この発明の実施例を第１図に基づいて説明する
。例えば５分の１縮小投影露光装置を用いたフォトリソ
グラフィ工程において、下層レイヤーで形成したウェハ
ー上のパターンと、マスク上の上層レイヤーのパターン
とをアライメントし、露光する場合を考える。マスク上
のアライメントマーク位置を、第１図１ａｌに示したよ
うに、ｙ方向に関してはマスク中心位置に、Ｘ方向に関
してはマスク中心に対して対称な第１図２ａ、２ｂの位
置に計２個設置する。ウェハー上のアライメントマーク
位置は、２個の相対位置がマスク上の各アライメントマ
ーク位置に対応するように、下層レイヤーにおけるリソ
グラフィー工程で第１図１０ａ。
。例えば５分の１縮小投影露光装置を用いたフォトリソ
グラフィ工程において、下層レイヤーで形成したウェハ
ー上のパターンと、マスク上の上層レイヤーのパターン
とをアライメントし、露光する場合を考える。マスク上
のアライメントマーク位置を、第１図１ａｌに示したよ
うに、ｙ方向に関してはマスク中心位置に、Ｘ方向に関
してはマスク中心に対して対称な第１図２ａ、２ｂの位
置に計２個設置する。ウェハー上のアライメントマーク
位置は、２個の相対位置がマスク上の各アライメントマ
ーク位置に対応するように、下層レイヤーにおけるリソ
グラフィー工程で第１図１０ａ。
］Ｏｂの位置に形成しておく。従って、半導体装置パタ
ーンに対し、Ｘ方向又はｙ方向に平行移動した位置に、
ウェハー上アライメントマークがあっても構わないこと
になる。例えば、第１図Ｃのようにｙ方向にｆｆ（ｍｍ
）づれている例について考える。この様な場合、アライ
メント実行時、マスク上のアライメントマーク第１図２
ａ、２ｂを通過したアライメント光が第１図（ｂｌのＸ
軸方向の直径上でかつ、レンズ中心に対して対称の位置
６ａ６ｂを通過する。さらにその光は第１図１０ａにお
けるウェハー上のアライメントマーク位置１０ａ、 １
０ｂに入射するように、ウェハーの位置を合わせる。
ーンに対し、Ｘ方向又はｙ方向に平行移動した位置に、
ウェハー上アライメントマークがあっても構わないこと
になる。例えば、第１図Ｃのようにｙ方向にｆｆ（ｍｍ
）づれている例について考える。この様な場合、アライ
メント実行時、マスク上のアライメントマーク第１図２
ａ、２ｂを通過したアライメント光が第１図（ｂｌのＸ
軸方向の直径上でかつ、レンズ中心に対して対称の位置
６ａ６ｂを通過する。さらにその光は第１図１０ａにお
けるウェハー上のアライメントマーク位置１０ａ、 １
０ｂに入射するように、ウェハーの位置を合わせる。
この状態でＴＴＬアライメント法によるアライメントを
行った後、ウェハーを第１図（Ｃ）に示したＣ〔璽１〕
だけずらして露光を行う。ｙ方向に関しては、アライメ
ント光と露光時の光のレンズ中の光路差を全く気にしな
いでアライメントが可能となっている。Ｘ方向に関して
は第１図（ｂｌのレンズ中心８に対して対称な第１図（
ｂ１６ａ、６ｂの位置をアライメント光が通過している
ため、マスクのＸ方向中心と、ウェハー上の２個のアラ
イメントマク位置の中心を正確に合わせることが可能で
ある。また、このアライメント方法は、各露光ごとに１
回づつアライメントを行う場合にも有効であるが、ウェ
ハー内数か所についてアライメントを行い、その値から
ウェハー内全露光部の位置を計１りし、露光する方法に
おいても有効である。
行った後、ウェハーを第１図（Ｃ）に示したＣ〔璽１〕
だけずらして露光を行う。ｙ方向に関しては、アライメ
ント光と露光時の光のレンズ中の光路差を全く気にしな
いでアライメントが可能となっている。Ｘ方向に関して
は第１図（ｂｌのレンズ中心８に対して対称な第１図（
ｂ１６ａ、６ｂの位置をアライメント光が通過している
ため、マスクのＸ方向中心と、ウェハー上の２個のアラ
イメントマク位置の中心を正確に合わせることが可能で
ある。また、このアライメント方法は、各露光ごとに１
回づつアライメントを行う場合にも有効であるが、ウェ
ハー内数か所についてアライメントを行い、その値から
ウェハー内全露光部の位置を計１りし、露光する方法に
おいても有効である。
この発明は、以上説明したようにアライメント・光を常
にレンズ中心に対して対称なレンズの直径軸上の２点を
透過させ、ＴＴＬアライメント法でアライメントを行う
ため、アライメント光の波長と、露光用光源の波長とを
厳密に合わせ込むことなく、下層レイヤでバターニング
したウェハー上のパターンと、」二層レイヤーでバター
ニングするマスク上のパターンとを正確に合わせ込むこ
とができ、また、下層レイヤーにおいて複数のアライメ
ントマーク対が挿入されている場合でも、その全てのア
ライメントマーク対に対して、上記アライメント法によ
るアライメントを行うことが可能である。
にレンズ中心に対して対称なレンズの直径軸上の２点を
透過させ、ＴＴＬアライメント法でアライメントを行う
ため、アライメント光の波長と、露光用光源の波長とを
厳密に合わせ込むことなく、下層レイヤでバターニング
したウェハー上のパターンと、」二層レイヤーでバター
ニングするマスク上のパターンとを正確に合わせ込むこ
とができ、また、下層レイヤーにおいて複数のアライメ
ントマーク対が挿入されている場合でも、その全てのア
ライメントマーク対に対して、上記アライメント法によ
るアライメントを行うことが可能である。
第１図（ａｌ、 （ｂ）、 （Ｃ１は、それぞれ本発明
にかかるマスク、レンズのアライメント光入射位置を示
す平面図、第２図（ａｌ、 Ｆｂｌ、 ｔｅｌはそれぞ
れ従来の技術におけるマスク、レンズ、ウェハーのアラ
イメント光大別位置を示す平面図である。 ■ ・ ・ ・ ａ ｂ ４ ・ ・ ・ ・ ・ ６ａ、 ６ｂ ８ ・ ・ ・ ・ ・ １０ａ、１０ｂ ・ ・・マスク ・・マスク」−アライメント光 位置 ・マスク中心 ・・アライメント光通過位置 ・・レンズ中心 ・ウェハー上アライメント マーク位置 以
にかかるマスク、レンズのアライメント光入射位置を示
す平面図、第２図（ａｌ、 Ｆｂｌ、 ｔｅｌはそれぞ
れ従来の技術におけるマスク、レンズ、ウェハーのアラ
イメント光大別位置を示す平面図である。 ■ ・ ・ ・ ａ ｂ ４ ・ ・ ・ ・ ・ ６ａ、 ６ｂ ８ ・ ・ ・ ・ ・ １０ａ、１０ｂ ・ ・・マスク ・・マスク」−アライメント光 位置 ・マスク中心 ・・アライメント光通過位置 ・・レンズ中心 ・ウェハー上アライメント マーク位置 以
Claims (1)
- 半導体装置の製造過程における、透過形レンズを用いた
フォトリソグラフィ工程において、レンズ中心に対して
対称な２点を通る位置にアライメントマークを配したマ
スクを用い、アライメント光を、このマスク上のアライ
メントマークと、これに対応するレンズの中心に対称な
２点を通過させ、さらにウェハー上にあらかじめ下層で
形成しておいたアライメントマークにアライメント光を
到達させ、アライメントを行う工程と、アライメントを
行った後特定量ウェハーを移動させる工程と、移動をさ
せた位置で露光を行う工程とを有する半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1174786A JPH0338820A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1174786A JPH0338820A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0338820A true JPH0338820A (ja) | 1991-02-19 |
Family
ID=15984646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1174786A Pending JPH0338820A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0338820A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS502867A (ja) * | 1973-05-09 | 1975-01-13 | ||
| JPS5230384A (en) * | 1975-09-03 | 1977-03-08 | Siemens Ag | Method of automatically adjusting semiconductor plates |
| JPS59159530A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-10 | パ−キン−エルマ−・ツエンゾ−ル・アンシュタルト | 印写方法および該方法に用いられる半導体基板 |
| JPS6021051A (ja) * | 1983-07-14 | 1985-02-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レンズ投影露光方法及び装置 |
-
1989
- 1989-07-05 JP JP1174786A patent/JPH0338820A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS502867A (ja) * | 1973-05-09 | 1975-01-13 | ||
| JPS5230384A (en) * | 1975-09-03 | 1977-03-08 | Siemens Ag | Method of automatically adjusting semiconductor plates |
| JPS59159530A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-10 | パ−キン−エルマ−・ツエンゾ−ル・アンシュタルト | 印写方法および該方法に用いられる半導体基板 |
| JPS6021051A (ja) * | 1983-07-14 | 1985-02-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レンズ投影露光方法及び装置 |
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