JPH0338852A - Verification of integrated-circuit mask pattern - Google Patents

Verification of integrated-circuit mask pattern

Info

Publication number
JPH0338852A
JPH0338852A JP1175000A JP17500089A JPH0338852A JP H0338852 A JPH0338852 A JP H0338852A JP 1175000 A JP1175000 A JP 1175000A JP 17500089 A JP17500089 A JP 17500089A JP H0338852 A JPH0338852 A JP H0338852A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
connection information
node
mask pattern
nodes
resistance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1175000A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuo Jinbo
神保 安男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP1175000A priority Critical patent/JPH0338852A/en
Publication of JPH0338852A publication Critical patent/JPH0338852A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は集積回路マスクパターンの検証方法、特に抵抗
素子に関してのマスクパターンが回路図と不一致を生じ
たときにも対処できる集積回路マスクパターンの検証方
性に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention provides a method for verifying an integrated circuit mask pattern, and in particular a method for verifying an integrated circuit mask pattern that can deal with cases where a mask pattern regarding a resistor element does not match a circuit diagram. Regarding verification method.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

集積回路を設計する場合、回路図から集積回路マスクパ
ターンを設計することになる。このとき、設計されたマ
スクパターンがもともとの回路図と等価な回路接続にな
っているか否かを検証する必要が生じる。ところが、集
積回路の集積度が向上してくると、集積回路マスクパタ
ーンも非常に複雑になり、最近では、このような検証に
は、コンピュータを用いた方峡が用いられている。すな
わち、設計されたマスクパターンをデジタイズしてマス
クパターンデータを得る。そしてこれに図形演算を施し
て素子相互の接続情報を抽出するのである。一方では、
回路図に基づいて素子相互の接続情報を取り込み、両者
を比較照合し、不一致の有無を確認している。
When designing an integrated circuit, an integrated circuit mask pattern is designed from a circuit diagram. At this time, it is necessary to verify whether the designed mask pattern has equivalent circuit connections to the original circuit diagram. However, as the degree of integration of integrated circuits increases, integrated circuit mask patterns have become extremely complex, and recently, computer-based cross-sections have been used for such verification. That is, the designed mask pattern is digitized to obtain mask pattern data. Then, graphical operations are performed on this to extract connection information between the elements. on the one hand,
Based on the circuit diagram, mutual connection information between elements is imported, and the two are compared and verified to check for any discrepancies.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

一般に、抵抗素子に関しては、回路図とマスクパターン
とが1対1に対応しないことがある。これは、回路図上
では1つの抵抗素子であっても、実際のマスクパターン
上では、レイアウトに関する幾何学的要求から、複数の
抵抗素子に置き換える場合があるためである。このよう
な置き換えは、設計技巧上ごく普通に行われることであ
るが、上述したコンピュータによる従来の検証方法では
、回路図とマスクパターンとが1対1に完全対応してい
ないため、不一致という結果が出てしまう。
Generally, with respect to a resistor element, there are cases where a circuit diagram and a mask pattern do not correspond one-to-one. This is because even if there is one resistance element on the circuit diagram, it may be replaced with a plurality of resistance elements on the actual mask pattern due to geometrical requirements regarding layout. Such replacement is a common practice in terms of design technology, but in the conventional computer-based verification method described above, the circuit diagram and mask pattern do not have a complete one-to-one correspondence, resulting in a mismatch. will appear.

そこで従来は、このような不一致の箇所に対しては、実
際のマスクパターンに合わせるように回路図を修正せざ
るを得なかった。
Conventionally, the circuit diagram had to be modified to match the actual mask pattern for such mismatched locations.

そこで本発明は、設計上の要求からマスクパタへ −ンと回路図との間に、抵抗素子に関しての不一致が生
じた場合にも対処することのできる集積回路マスクパタ
ーンの検証方法を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide an integrated circuit mask pattern verification method that can deal with the case where there is a mismatch in resistance elements between the mask pattern and the circuit diagram due to design requirements. purpose.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本願第1の発明は、回路図に基づいて設計された集積回
路マスクパターンが、回路図と等価か否かを検証する集
積回路マスクパターンの検証方法において、 回路図から各素子の接続情報を第1の接続情報として抽
出する段階と、 集積回路マスクパターンから各素子の接続情報を第2の
接続情報として抽出する段階と、第2の接続情報から、
抵抗素子に関する接続情報を抽出し、電気回路としては
単一の抵抗素子と等価な機能を果たす複数の抵抗素子を
認識し、この複数の抵抗素子を等価な単一の抵抗素子に
置換するように第2の接続情報を修正する段階と、この
修正された第2の接続情報を、第1の接続情報と比較照
合する段階と、 を行うようにしたものである。
The first invention of the present application provides an integrated circuit mask pattern verification method for verifying whether an integrated circuit mask pattern designed based on a circuit diagram is equivalent to the circuit diagram, which comprises: extracting connection information of each element from the circuit diagram; a step of extracting the connection information of each element from the integrated circuit mask pattern as the first connection information; a step of extracting the connection information of each element from the integrated circuit mask pattern as the second connection information;
Extracts connection information about resistive elements, recognizes multiple resistive elements that perform the same function as a single resistive element in an electrical circuit, and replaces these multiple resistive elements with an equivalent single resistive element. The second connection information is modified, and the modified second connection information is compared with the first connection information.

本願第2の発明は、回路図に基づいて設計された集積回
路マスクパターンか、回路図と等価か否かを検証する集
積回路マスクパターンの検証方法において、 回路図から各素子の接続情報を第1の接続情報として抽
出する段階と、 集積回路マスクパターンから各素子の接続情報を第2の
接続情報として抽出する段階と、第2の接続情報から、
抵抗素子に関する接続情報を抽出し、各抵抗素子の両節
点のそれぞれについて、抵抗素子にのみ接続されている
場合に第1の指標を、それ以外の場合には第2の指標を
与える段階と、 両節点ともに第1の指標か与えられている抵抗素子を第
1のグループ、一方の節点に第1の指標か他方の節点に
第2の指標が与えられている抵抗素子を第2のクループ
、両節点ともに第2の指標が与えられている抵抗素子を
第3のグループ、にそれぞれ分類する段階と、 第1のクループに属する抵抗素子の節点のそれぞれに所
定の優先順位を与え、各抵抗素子の両節点について一方
を優先節点、他方を被優先節点として認識し、被優先節
点を優先節点で置換する旨の置換情報を得る段階と、 第2の接続情報から、第1のグループに属する抵抗素子
の接続情報を消去する段階と、第2の接続情報のうち、
第2のグループに属する抵抗素子の接続情報を置換情報
に基づいて置換する段階と、 置換後の接続情報に基づいて、第2のグループに属する
抵抗素子のうち、同一の節点を共用し、かつ、その共用
節点は他の抵抗素子には共用されていないという条件を
満足する2つの抵抗素子を探し、この2つの抵抗素子に
関する接続情報を消去し、代わりにこの消去した2つの
抵抗素子の共用節点以外の2節点を両節点とする新たな
抵抗素子に関する接続情報を付加する段階と、上記各段
階によって修正された第2の接続情報を、第1の接続情
報と比較照合する段階と、を行うようにしたものである
The second invention of the present application is a method for verifying an integrated circuit mask pattern for verifying whether the integrated circuit mask pattern is designed based on a circuit diagram or whether it is equivalent to the circuit diagram. a step of extracting the connection information of each element from the integrated circuit mask pattern as the first connection information; a step of extracting the connection information of each element from the integrated circuit mask pattern as the second connection information;
extracting connection information regarding the resistive element, and giving, for each of both nodes of each resistive element, a first index if the node is connected only to the resistive element, and a second index otherwise; Resistance elements for which both nodes are given the first index or the like are in the first group, resistance elements for which one node is given the first index or the other node is given the second index are in the second group. a step of classifying the resistive elements whose nodes are both given the second index into a third group; and a step of assigning a predetermined priority to each of the nodes of the resistive elements belonging to the first group; Recognizing one of the two nodes as a priority node and the other as a prioritized node, and obtaining replacement information indicating that the prioritized node is to be replaced with the priority node; Of the step of erasing the element connection information and the second connection information,
replacing the connection information of the resistance elements belonging to the second group based on the replacement information; , search for two resistance elements that satisfy the condition that the shared node is not shared by any other resistance element, erase the connection information regarding these two resistance elements, and instead use the shared node of the two erased resistance elements. A step of adding connection information regarding a new resistance element having two nodes other than the nodes as both nodes, and a step of comparing and collating the second connection information corrected in each of the above steps with the first connection information. This is what I decided to do.

〔作 用〕[For production]

本発明によれば、集積回路マスクパターン上の複数の抵
抗素子が、等価な単一の抵抗素子に置換された上で、回
路図と比較照合される。したがって、マスクパターンの
設計時に、単一の抵抗素子を複数の抵抗素子に置換して
いたとしても、比較照合作業の前に、この複数の抵抗素
子はもとの単一の抵抗素子に戻される。このため、比較
照合の結果、不一致と判定されることはなくなる。
According to the present invention, a plurality of resistive elements on an integrated circuit mask pattern are replaced with a single equivalent resistive element, and then compared with a circuit diagram. Therefore, even if a single resistor element is replaced with multiple resistor elements when designing a mask pattern, the multiple resistor elements are returned to the original single resistor element before comparison and verification. . Therefore, as a result of comparison and verification, it will no longer be determined that there is a mismatch.

〔実施例〕〔Example〕

以下本発明を図示する実施例に基づいて詳述する。第1
図は本発明の一実施例に係る集積回路マスクパターンの
検証方法の手順を示す図である。
The present invention will be described in detail below based on illustrated embodiments. 1st
The figure is a diagram showing the procedure of a method for verifying an integrated circuit mask pattern according to an embodiment of the present invention.

まず、ステップS1において回路図が作成され、この回
路図に基づいてステップS2においてマスクパターンが
設計される。ここで述べる検証方法は、ステップS1で
作成された回路図とステップS2で設計されたマスクパ
ターンとが、等価であるか否かを照合することを目的と
するものである。
First, a circuit diagram is created in step S1, and a mask pattern is designed in step S2 based on this circuit diagram. The purpose of the verification method described here is to check whether the circuit diagram created in step S1 and the mask pattern designed in step S2 are equivalent.

実際の検証手順を説明する前に、抵抗素子に関して回路
図とマスクパターンとに、設計上の要求から不一致か生
じる具体例を説明しておく。たとえば、ステップS1に
おいて作成された回路図が第2図に示すようなものであ
ったとする。この回路は、トランジスタT1〜T6と、
抵抗素子RおよびR′ とから構成されている。ここで
、図のVDD、 VSSは電源を示し、A−Fは節点を
示す。
Before explaining the actual verification procedure, a specific example in which a mismatch occurs between a circuit diagram and a mask pattern regarding a resistor element due to design requirements will be described. For example, assume that the circuit diagram created in step S1 is as shown in FIG. This circuit includes transistors T1 to T6,
It is composed of resistive elements R and R'. Here, VDD and VSS in the figure indicate power supplies, and A-F indicate nodes.

この回路図に基づいて、ステップS2においてマスクパ
ターンが設計されることになる。いま、抵抗素子Rにつ
いてのマスクパターンを設計する場合について考える。
Based on this circuit diagram, a mask pattern will be designed in step S2. Now, let us consider the case where a mask pattern for the resistive element R is designed.

マスクパターンの設計方法には何通りもあるが、抵抗素
子Rの抵抗値が6Ωであるとすると、たとえば第3図(
a)〜(C)のようなパターンが可能である。抵抗素子
Rは節点BとCとの間に設けられた6Ωの抵抗素子であ
るから、回路図とおりの設計が行われれば、同図(a)
に示すように6Ωの抵抗素子Rを1つたけ設ければよい
。ところか、レイアウトの幾何学的制限から、同図(b
)に示すように、3Ωの抵抗素子R1およびR2を導体
N〕て直列接続するパターンを採用したり、同図(C)
に示すように、1Ωの抵抗素子R1−R6を導体N1〜
N5て直列接続するパタンを採用したりする場合がある
。第3図(a)〜(C)に対応する回路図を、第4図(
a)〜(C)に示す。第2図に示すもともとの回路図の
節点BC間の接続情報は、第4図(a)の接続情報とは
一致するが、同図(b) 、 (C)の接続情報とは不
一致を生じることになる。本発明による検証方法では、
第4図(b)あるいは(C)に示す複数の抵抗素子は、
いずれも同図(a)に示す単一の抵抗素子と電気回路と
しては等価な機能を果たすことを認識し、マスクパター
ンから同図(b)あるいは(C)のような接続情報が得
られた場合には、これを同図(a)に示す接続情報に修
正した後に、もともとの回路図と比較照合するものであ
る。
There are many ways to design a mask pattern, but if the resistance value of the resistive element R is 6Ω, for example, as shown in Figure 3 (
Patterns such as a) to (C) are possible. Since resistance element R is a 6Ω resistance element provided between nodes B and C, if the design is performed according to the circuit diagram, the result will be as shown in Figure (a).
It is sufficient to provide only one 6Ω resistance element R as shown in FIG. However, due to the geometrical limitations of the layout, the same figure (b
), a pattern in which 3Ω resistive elements R1 and R2 are connected in series with a conductor N] is adopted, or
As shown in , 1Ω resistance elements R1-R6 are connected to conductors N1 to
In some cases, a pattern in which N5 is connected in series may be adopted. The circuit diagrams corresponding to FIGS. 3(a) to (C) are shown in FIG.
Shown in a) to (C). The connection information between nodes BC in the original circuit diagram shown in Fig. 2 matches the connection information in Fig. 4(a), but there is a mismatch with the connection information in Fig. 4(b) and (C). It turns out. In the verification method according to the present invention,
The plurality of resistance elements shown in FIG. 4(b) or (C) are
Recognizing that both perform the same function as the single resistive element shown in Figure (a) as an electric circuit, connection information as shown in Figure (B) or (C) was obtained from the mask pattern. In this case, the connection information is corrected to the one shown in FIG. 3A, and then compared and verified with the original circuit diagram.

以下に述べる実施例では、ステップS2において第2図
に示す回路図が作成され、ステップS2において第5図
に示すような接続関係(抵抗素子に関するもののみを示
す)をもったマスクパターン ンか設ΣIされたものとして説明を行うことにする。
In the example described below, the circuit diagram shown in FIG. 2 is created in step S2, and a mask pattern with connection relationships as shown in FIG. The explanation will be given assuming that ΣI has been applied.

すなわち、第2図の抵抗素子Rについては、第5図(a
)に示すように5つの抵抗素子r1〜r5からなるパタ
ーンを用い、第2図の抵抗素子R′については、第5図
(b)に示すように工つの抵抗素子r6からなるパター
ンを用いた設計が行われたことになる。
That is, for the resistance element R in FIG. 2, the resistance element R in FIG.
), a pattern consisting of five resistance elements r1 to r5 was used, and for resistance element R' in Fig. 2, a pattern consisting of one resistance element r6 as shown in Fig. 5(b) was used. The design has been done.

まず、ステップS3において、マスクパターンをデジタ
イズする。これは、第3図に示すようなマスクパターン
をマスクパターンデータとしてコンピュータに取り込む
作業となる。続いて、ステップS4において、このマス
クパターンデータに基づいて、接続情報が抽出される。
First, in step S3, the mask pattern is digitized. This is a task of importing a mask pattern as shown in FIG. 3 into a computer as mask pattern data. Subsequently, in step S4, connection information is extracted based on this mask pattern data.

これはマスクパターンデータ(あるいはベクトルデータ
やビットマツプデータ)で表現された図形情報に対して
、図形演算を施し、各素子の認識および各節点の接続関
係の認識を行うことによりなされる。各素子の認識を行
うためには、たとえば、ある特定の拡散層たけからなる
領域は抵抗素子、ある特定の拡散層にポリシリコン層が
重なっている領域はトラ1 ′2 ンシスタ、などの条件設定が必要であるか、この種の図
形演算は公知であるため、ここては詳しい説明は省略す
る。最終的に得られる接続情報は、各素子と節点との接
続関係を示した情報である。
This is done by performing graphical operations on graphical information expressed as mask pattern data (or vector data or bitmap data) and recognizing each element and the connection relationship between each node. In order to recognize each element, it is necessary to set conditions such as, for example, a region consisting of a certain number of diffusion layers is a resistance element, and a region where a certain diffusion layer and a polysilicon layer overlap is a transistor. Since this type of graphical operation is well known, a detailed explanation will be omitted here. The finally obtained connection information is information indicating the connection relationship between each element and the node.

たとえば、第5図(a)の回路では、節点Bと節点Xと
の間に抵抗素子rlが接続され、節点Xと節点Yとの間
に抵抗素子r2が接続され、・・、という情報が接続情
報になる。
For example, in the circuit of FIG. 5(a), the information that resistance element rl is connected between node B and node X, resistance element r2 is connected between node X and node Y, etc. Connection information.

このようにして抽出されたマスクパターンの接続情報は
、ステップ85〜$8によって修正される。以下、この
修正手順を順に説明する。はじめに、ステップS5にお
いて抵抗素子の抽出か行われる。これは、ステップS4
で抽出されたマスクパターンの接続情報の中から、抵抗
素子に関する接続情報だけを抽出するのである。前述の
ように、接続情報には抵抗素子、トランジスタといった
素子の認識情報が含まれているから、抵抗素子に関する
接続情報だけを抽出する作業は容易に行うことができる
。第2図に示す例ては、抽出される抵抗素子は第5図(
a)および(b)に示す抵抗素子r1〜r6たけである
The connection information of the mask pattern extracted in this way is modified in steps 85 to $8. This modification procedure will be explained in order below. First, in step S5, resistance elements are extracted. This is step S4
From among the connection information of the mask pattern extracted in , only the connection information regarding the resistor element is extracted. As described above, since the connection information includes recognition information of elements such as resistive elements and transistors, it is easy to extract only the connection information regarding the resistive elements. For example, in the example shown in Figure 2, the extracted resistance element is shown in Figure 5 (
There are only resistance elements r1 to r6 shown in a) and (b).

続いて、ステップS6において、各抵抗素子11〜「6
をグループに分類する。この分類を行うために、各抵抗
素子の両節点のそれぞれについて、第1の指標1“、ま
たは第2の指標“0”を与える作業を行う。ここで、あ
る節点が抵抗素子、にのみ接続されている場合にはその
節点に第1の指標パ1“を与え、それ以外の場合にはそ
の節点に第2の指標“0′を与えることにする。たとえ
ば、第5図の節点x、 y、  zはいずれも抵抗素子
にのみ接続されており、この節点には抵抗素子以外のも
のは一切接続されていない。したがって、これらの節点
にはいずれも指標“1″が与えられる。これに対して、
節点B、  C,D、  Eは、一方には抵抗素子が接
続されているが、もう一方にはトランジスタが接続され
ている(第2図参照)。
Subsequently, in step S6, each resistance element 11 to "6"
into groups. In order to perform this classification, a first index of 1" or a second index of "0" is assigned to each of both nodes of each resistance element. Here, a certain node is connected only to a resistance element. If the node Both y and z are connected only to the resistance element, and nothing other than the resistance element is connected to this node. Therefore, the index "1" is given to both of these nodes. for,
Nodes B, C, D, and E are connected to a resistive element on one side and a transistor on the other side (see Figure 2).

したがって、これらの節点にはいずれも指標0”が与え
られる。
Therefore, the index 0'' is given to each of these nodes.

第6図(a)は、ステップS5て抽出された抵抗素子に
ついての接続情報をテーブルにして示した1、d ものである。テーブルの第1欄には抵抗素子名、第2欄
および第3欄にはこの抵抗素子の両端にある節点名を示
し、第4欄には両節点に与える指標を示している。たと
えば、抵抗素子rlの行を見ると、第2欄および第3欄
に、この抵抗素子rlの両部点B、 Xが示されている
。そして、第4欄の“01”は、節点Bには指標“0”
が、節点Xには指標“1”が、それぞれ与えられること
を示している。このように、抽出された抵抗素子のすべ
てについて、その両節点に指標か与えられることになる
。そして、この指標に基づいて、各抵抗素子は3つのグ
ループに分類される。すなわち、両節点ともに第1の指
標゛1″が与えられている抵抗素子を第1のグループ、
一方の節点に第1の指標“1”か他方の節点に第2の指
標“○”が与えられている抵抗素子を第2のグループ、
両節点ともに第2の指標0”が与えられている抵抗素子
を第3のグループ、にそれぞれ分類する。この分類をテ
ーブルの第5欄に示す。
FIG. 6(a) is a table 1, d showing the connection information regarding the resistor elements extracted in step S5. The first column of the table shows the name of the resistance element, the second and third columns show the names of the nodes at both ends of this resistance element, and the fourth column shows the index given to both nodes. For example, looking at the row for resistor element rl, both points B and X of this resistor element rl are shown in the second and third columns. Then, “01” in the fourth column means that node B has an index “0”.
However, the index "1" is given to each node X. In this way, indices are given to both nodes for all of the extracted resistance elements. Then, based on this index, each resistance element is classified into three groups. In other words, the resistance elements to which both nodes are given the first index "1" are grouped into the first group.
A second group includes resistive elements in which one node is given a first index "1" and the other node is given a second index "○".
Resistance elements for which both nodes are given the second index 0'' are classified into the third group. This classification is shown in the fifth column of the table.

さて、続いてステップS7て置換情報の作成が5 行わ、れる。この置換情報とは、ある節点を別な節点に
置換することを示す情報である。まず、ステップS6に
おける分類によって、第1のグループに属することにな
った抵抗素子の節点を取り出し、この節点について置換
情報を作成する。第6図(a)に示すように、この実施
例では、抵抗素子r2.r3.r4の3つが第1のグル
ープに属することになったので、節点x、y、zが取り
出される。そして、この取り出した節点について所定の
優先順位を与える。ここでは、アルファベットの並び順
にしたがって、節点x、y、zの順に優先順位を与える
ことにする。そして、この第1のグループに属する各抵
抗素子の両節点について一方を優先節点、他方を被優先
節点として認識し、被優先節点を優先節点で置換する旨
の置換情報を作成するのである。具体的には次のように
なる。
Next, in step S7, replacement information is created. This replacement information is information indicating that a certain node is replaced with another node. First, the node of the resistance element that has been determined to belong to the first group by the classification in step S6 is extracted, and replacement information is created for this node. As shown in FIG. 6(a), in this embodiment, resistor element r2. r3. Since the three nodes r4 belong to the first group, nodes x, y, and z are extracted. Then, a predetermined priority is given to the extracted nodes. Here, priority is given to the nodes x, y, and z in the alphabetical order. Then, for both nodes of each resistance element belonging to this first group, one is recognized as a priority node and the other is recognized as a priority node, and replacement information is created to replace the priority node with the priority node. Specifically, it is as follows.

(a)抵抗素子r2については、Xが優先節点、Yが被
優先節点という関係が得られ、Y→Xに置換するという
情報が得られる。
(a) Regarding the resistance element r2, a relationship is obtained in which X is a priority node and Y is a priority node, and information that Y→X is replaced is obtained.

(b)抵抗素子r3については、Xが優先節点、6 Zか被優先節点という関係が得られ、Z−Xに置換する
という情報が得られる。
(b) Regarding the resistance element r3, a relationship is obtained in which X is the priority node and 6Z is the priority node, and information that it is replaced with Z-X is obtained.

(C)抵抗素子r4については、Yか優先節点、Zが被
優先節点という関係が得られ、Z−Yに置換するという
情報が得られる。
(C) Regarding the resistance element r4, a relationship is obtained in which Y is the priority node and Z is the priority node, and information is obtained that it will be replaced with Z-Y.

ここで更にまとめると、(C)のZ→Yという置換は、
更に(a)のY−Xという置換があるため、最終的には
Z−4Xという置換((b)の置換と同じ)を行うこと
になることが認識できる。結局、この実施例では、Y→
Xなる置換と、Z−+Xなる置換とが置換情報として作
成されることになる。
To summarize further here, the substitution Z → Y in (C) is
Furthermore, since there is the substitution Y-X in (a), it can be recognized that the final substitution is Z-4X (same as the substitution in (b)). After all, in this example, Y→
A substitution of X and a substitution of Z-+X are created as substitution information.

このように、置換情報が作成されたら、ステップS8に
おいて接続情報の書き換え作業を行う。
Once the replacement information is created in this way, the connection information is rewritten in step S8.

この作業は、(1)第1のグループに属する抵抗素子の
接続情報の消去、(2)第2のグループに属する抵抗素
子の接続情報の置換、(3)第2のグルプに属する抵抗
素子の共用節点の消去、という3つの段階からなる。以
下、これを順に説明する。
This work consists of (1) erasing the connection information of the resistance elements belonging to the first group, (2) replacing the connection information of the resistance elements belonging to the second group, and (3) replacing the connection information of the resistance elements belonging to the second group. It consists of three stages: elimination of shared nodes. This will be explained in order below.

(1)第1のグループに属する抵抗素子の接続情報の消
去 この作業は、ステップS4て抽出した接続情報(これは
、抵抗素子だけでなく、すべての素子についてのもので
ある)から、第1のグループに属する抵抗素子の接続情
報を一切消去する作業である。抵抗素子の接続情報だけ
について見ると、第6図(a)のような情報から、抵抗
素子r2.  r3゜r4の接続情報が消去されること
になる。
(1) Deleting the connection information of the resistance elements belonging to the first group This operation is performed by deleting the connection information of the resistance elements belonging to the first group from the connection information extracted in step S4 (this is for all elements, not just the resistance elements). This is the task of erasing all connection information of the resistance elements belonging to the group. Looking only at the connection information of the resistance elements, from the information shown in FIG. 6(a), it is found that the resistance elements r2. The connection information of r3°r4 will be deleted.

(2)第2のグループに属する抵抗素子の接続情報の置
換 続いて、第2のグループに属する抵抗素子の接続情報r
l、r5について、ステップS7で作成した置換情報を
適用し、節点の置換を行う。すなわち、Y→Xなる置換
と、Z−4Xなる置換とが行われる。この結果、rlに
ついての接続情報は変りないが、r5についての接続情
報は、Z−+Xなる置換か行われることにより、両節点
が今までのZ、CからX、Cに変わることになる。第6
図(b)は、ここまでの状態を抵抗素子の接続情報たけ
について見たテーブルである。
(2) Replacement of connection information of resistance elements belonging to the second group Subsequently, connection information r of resistance elements belonging to the second group
Regarding l and r5, the replacement information created in step S7 is applied to perform node replacement. That is, the substitution Y→X and the substitution Z-4X are performed. As a result, the connection information for rl does not change, but the connection information for r5 is replaced by Z-+X, so that both nodes change from Z and C to X and C. 6th
Figure (b) is a table showing the state up to this point with respect to the connection information of the resistance elements.

(3)第2のグループに属する抵抗素子の共用節点の消
去 ここでは、まず置換後の接続情報に基づいて、第2のグ
ループに属する抵抗素子のうち、同一の節点を共用し、
かつ、その共用節点は他の抵抗素子には共用されていな
いという条件を満足する2つの抵抗素子を探す。具体的
には、第7図(a)に示す2つの抵抗素子rlおよびr
2がこの条件を満足している。すなわち、抵抗素子rl
およびr2は、同一の節点P2を共用しており、この節
点P2は他の抵抗素子には共用されていない。第7図(
b)に示す2つの抵抗素子rlおよびr2は、この条件
を満足しない。なぜなら、両抵抗素子は同一の節点P4
を共用しているが、この節点P4は他の抵抗素子r3に
も共用されているからである。このような条件を満足す
る2つの抵抗素子が見付かったら、この2つの抵抗素子
に関する接続情報を消去し、代わりにこの消去した2つ
の抵抗素子の共用節点以外の2節点を両節点とする新た
な抵抗素子に関する接続情報を付加する。第7図(a)
の例では、抵抗素子rl、r2に関する接続9 情報は消去され、代わりに共用節点以外の2節点PI、
P3を両節点とする新たな抵抗素子に関する情報か付加
されることになる。
(3) Deletion of shared nodes of resistance elements belonging to the second group Here, first, based on the connection information after replacement, the same nodes are shared among the resistance elements belonging to the second group,
In addition, two resistance elements satisfying the condition that the shared node is not shared by any other resistance element are searched for. Specifically, two resistance elements rl and r shown in FIG. 7(a)
2 satisfies this condition. That is, the resistance element rl
and r2 share the same node P2, and this node P2 is not shared by other resistance elements. Figure 7 (
The two resistance elements rl and r2 shown in b) do not satisfy this condition. This is because both resistance elements are located at the same node P4.
This is because the node P4 is also shared by another resistance element r3. When two resistance elements satisfying these conditions are found, the connection information regarding these two resistance elements is deleted, and a new one is created in which both nodes are two nodes other than the shared node of the two deleted resistance elements. Add connection information regarding the resistor element. Figure 7(a)
In the example, the connection 9 information regarding the resistive elements rl and r2 is erased, and the two nodes other than the shared node PI,
Information regarding a new resistance element having P3 as both nodes will be added.

ここで、前述の実施例に話を戻そう。いま、抵抗素子に
関する接続情報は、第6図(b)のテーブルに示すよう
になっている。このテーブルに基づいて、共用節点をも
つ2つの抵抗素子を探すと、抵抗素子rlとr5とが、
共用節点Xをもち上述の条件を満足する。そこで、抵抗
素子rl、r5の接続情報は消去され、代わりに2節点
B、  Cを両節点とする新たな抵抗素子r1′に関す
る情報が付加され、第6図(C)のテーブルに示すよう
な接続情報が得られる。
Let us now return to the above-mentioned embodiment. Now, the connection information regarding the resistor element is as shown in the table of FIG. 6(b). Based on this table, when we search for two resistive elements that have a common node, we find that resistive elements rl and r5 are
It has a shared node X and satisfies the above conditions. Therefore, the connection information of resistive elements rl and r5 is deleted, and instead, information regarding a new resistive element r1' having two nodes B and C as both nodes is added, as shown in the table of FIG. 6(C). You can get connection information.

以上の(1)〜(3)の3つの段階を経ることにより、
抵抗素子に関する接続情報は、第6図(a)に示すもの
から同図(e)に示すものへ修正されることになる。結
局、第5図(a)に示した節点BC間の接続関係は、複
数の抵抗素子r1〜r5からなるものではなく、単一の
抵抗素子rl’のみからなるものに修正されたことにな
る。なお、第3の0 グループに属する抵抗素子r6に対しては何ら変更は加
えられていないのて、第5図(b)に示した節点DE間
の接続関係はそのままである。
By going through the three steps (1) to (3) above,
The connection information regarding the resistance element will be modified from that shown in FIG. 6(a) to that shown in FIG. 6(e). In the end, the connection relationship between the nodes BC shown in FIG. 5(a) has been modified to consist only of a single resistance element rl', rather than one consisting of a plurality of resistance elements r1 to r5. . Note that since no changes have been made to the resistance element r6 belonging to the third 0 group, the connection relationship between the nodes DE shown in FIG. 5(b) remains unchanged.

一方、ステップS9では、回路図から接続情報が抽出さ
れる。そして、ステップS10において、回路図から抽
出された接続情報と、マスクバタンから抽出され修正さ
れた接続情報と、が比較照合される。回路図では、第2
図に示すように、節点BC間に単一の抵抗素子Rが接続
されているだけであるのに対し、マスクパターンでは、
第5図(a)に示すように、節点BC間には5つの抵抗
素子r1〜r5が接続されている。ところが、このマス
クパターンの接続情報は、上述のようにして、節点BC
間に1つの抵抗素子r1/のみが接続された状態に修正
されるので、ステップS10における照合で両者は一致
し問題は生じない。
On the other hand, in step S9, connection information is extracted from the circuit diagram. Then, in step S10, the connection information extracted from the circuit diagram and the corrected connection information extracted from the mask button are compared and verified. In the circuit diagram, the second
As shown in the figure, only a single resistance element R is connected between nodes BC, whereas in the mask pattern,
As shown in FIG. 5(a), five resistance elements r1 to r5 are connected between nodes BC. However, as described above, the connection information of this mask pattern is
Since the state is corrected such that only one resistance element r1/ is connected between them, the two match in the comparison in step S10, and no problem occurs.

以上、本発明による集積回路マスクパターンの検証方法
を、一実施例の回路に基づいて説明したが、要するに本
発明のポイントは、第1図に一点鎖線で囲ったステップ
S5〜S8による接続情報の修正を行う点にあり、種々
の態様による実施が可能である。
The integrated circuit mask pattern verification method according to the present invention has been described above based on the circuit of one embodiment. In short, the point of the present invention is that the connection information in steps S5 to S8 surrounded by the dashed-dotted line in FIG. The point is that modifications can be made, and it can be implemented in various ways.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のとおり本発明によれば、集積回路マスクパターン
上の複数の抵抗素子を、等価な単一の抵抗素子に置換し
た上で回路図と比較照合するようにしたため、マスクパ
ターンの設計時に、単一の抵抗素子を複数の抵抗素子に
置換していたとしても、比較照合の結果不一致と判定さ
れることはなくなる。
As described above, according to the present invention, a plurality of resistive elements on an integrated circuit mask pattern are replaced with a single equivalent resistive element and compared with a circuit diagram. Even if one resistive element is replaced with a plurality of resistive elements, it will no longer be determined that they do not match as a result of comparison and verification.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例に係る集積回路マスクパター
ンの検証方法の手順を示す図、第2図は第1図に示す検
証方法の対象となる回路図、第3図は単一の抵抗素子が
マスクパターン上では複数の抵抗素子に置換される例を
示すパターン図、第4図は第3図のパターンに対応した
回路図、第5図は第2図の回路図に基づいて設計された
実際のマスクパターン上の抵抗素子の接続関係を示す図
、第6図は第1図に示す検証方法における接続情報の書
き換え作業を説明するためのテーブル、第7図は第1図
に示す検証方法における接続情報の書き換え作業を説明
するための抵抗素子の接続関係を示す図である。 A、  B、  C,D、  E、  F・・・節点、
xyz・節点、R,R’ 、R1−R6,r 1−r6
−抵抗素子、N1〜N5・・節点、P1〜P4・・節点
、T1〜T6・・トランジスタ。
FIG. 1 is a diagram showing the steps of a method for verifying an integrated circuit mask pattern according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram targeted by the verification method shown in FIG. 1, and FIG. A pattern diagram showing an example in which a resistive element is replaced with multiple resistive elements on a mask pattern, Figure 4 is a circuit diagram corresponding to the pattern in Figure 3, and Figure 5 is designed based on the circuit diagram in Figure 2. Figure 6 is a table for explaining the rewriting of connection information in the verification method shown in Figure 1, and Figure 7 is shown in Figure 1. FIG. 7 is a diagram showing connection relationships of resistive elements for explaining connection information rewriting work in a verification method. A, B, C, D, E, F...nodes,
xyz/node, R, R', R1-R6, r 1-r6
-Resistance element, N1-N5...node, P1-P4...node, T1-T6...transistor.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)回路図に基づいて設計された集積回路マスクパタ
ーンが、前記回路図と等価か否かを検証する集積回路マ
スクパターンの検証方法において、前記回路図から各素
子の接続情報を第1の接続情報として抽出する段階と、 前記集積回路マスクパターンから各素子の接続情報を第
2の接続情報として抽出する段階と、前記第2の接続情
報から、抵抗素子に関する接続情報を抽出し、電気回路
としては単一の抵抗素子と等価な機能を果たす複数の抵
抗素子を認識し、この複数の抵抗素子を等価な単一の抵
抗素子に置換するように前記第2の接続情報を修正する
段階と、 この修正された第2の接続情報を、前記第1の接続情報
と比較照合する段階と、 を備えることを特徴とする集積回路マスクパターンの検
証方法。
(1) In an integrated circuit mask pattern verification method for verifying whether an integrated circuit mask pattern designed based on a circuit diagram is equivalent to the circuit diagram, connection information of each element from the circuit diagram is first extracting connection information as connection information; extracting connection information of each element from the integrated circuit mask pattern as second connection information; extracting connection information regarding the resistive element from the second connection information; The step includes the step of recognizing a plurality of resistance elements that perform an equivalent function to a single resistance element, and modifying the second connection information so as to replace the plurality of resistance elements with an equivalent single resistance element. A method for verifying an integrated circuit mask pattern, comprising: comparing the modified second connection information with the first connection information.
(2)回路図に基づいて設計された集積回路マスクパタ
ーンが、前記回路図と等価か否かを検証する集積回路マ
スクパターンの検証方法において、前記回路図から各素
子の接続情報を第1の接続情報として抽出する段階と、 前記集積回路マスクパターンから各素子の接続情報を第
2の接続情報として抽出する段階と、前記第2の接続情
報から、抵抗素子に関する接続情報を抽出し、各抵抗素
子の両節点のそれぞれについて、抵抗素子にのみ接続さ
れている場合に第1の指標を、それ以外の場合には第2
の指標を与える段階と、 両節点ともに第1の指標が与えられている抵抗素子を第
1のグループ、一方の節点に第1の指標が他方の節点に
第2の指標が与えられている抵抗素子を第2のグループ
、両節点ともに第2の指標が与えられている抵抗素子を
第3のグループ、にそれぞれ分類する段階と、 前記第1のグループに属する抵抗素子の節点のそれぞれ
に所定の優先順位を与え、各抵抗素子の両節点について
一方を優先節点、他方を被優先節点として認識し、被優
先節点を優先節点で置換する旨の置換情報を得る段階と
、 前記第2の接続情報から、前記第1のグループに属する
抵抗素子の接続情報を消去する段階と、前記第2の接続
情報のうち、前記第2のグループに属する抵抗素子の接
続情報を前記置換情報に基づいて置換する段階と、 前記置換後の接続情報に基づいて、前記第2のグループ
に属する抵抗素子のうち、同一の節点を共用し、かつ、
その共用節点は他の抵抗素子には共用されていないとい
う条件を満足する2つの抵抗素子を探し、この2つの抵
抗素子に関する接続情報を消去し、代わりにこの消去し
た2つの抵抗素子の共用節点以外の2節点を両節点とす
る新たな抵抗素子に関する接続情報を付加する段階と、
前記各段階によって修正された第2の接続情報を、前記
第1の接続情報と比較照合する段階と、を備えることを
特徴とする集積回路マスクパターンの検証方法。
(2) In an integrated circuit mask pattern verification method for verifying whether an integrated circuit mask pattern designed based on a circuit diagram is equivalent to the circuit diagram, connection information of each element from the circuit diagram is first extracting connection information as connection information; extracting connection information for each element from the integrated circuit mask pattern as second connection information; extracting connection information regarding the resistor element from the second connection information; For each of both nodes of the element, the first index is assigned if it is connected only to the resistive element, and the second index otherwise.
A step of providing an index of , and a first group of resistive elements having a first index assigned to both nodes, and a resistor having a first index assigned to one node and a second index assigned to the other node. a step of classifying the elements into a second group, and classifying the resistance elements whose nodes are both given the second index into a third group; giving a priority, recognizing one of both nodes of each resistance element as a priority node and the other as a prioritized node, and obtaining replacement information indicating that the prioritized node is to be replaced with the priority node; and the second connection information. deleting the connection information of the resistance elements belonging to the first group; and replacing the connection information of the resistance elements belonging to the second group in the second connection information based on the replacement information. and based on the replaced connection information, the resistance elements belonging to the second group share the same node, and
Find two resistance elements that satisfy the condition that the shared node is not shared by any other resistance element, erase the connection information regarding these two resistance elements, and replace the shared node of these two erased resistance elements with a step of adding connection information regarding a new resistance element having two nodes other than the node as both nodes;
A method for verifying an integrated circuit mask pattern, comprising the step of comparing and collating the second connection information modified in each of the steps with the first connection information.
JP1175000A 1989-07-05 1989-07-05 Verification of integrated-circuit mask pattern Pending JPH0338852A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1175000A JPH0338852A (en) 1989-07-05 1989-07-05 Verification of integrated-circuit mask pattern

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1175000A JPH0338852A (en) 1989-07-05 1989-07-05 Verification of integrated-circuit mask pattern

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0338852A true JPH0338852A (en) 1991-02-19

Family

ID=15988465

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1175000A Pending JPH0338852A (en) 1989-07-05 1989-07-05 Verification of integrated-circuit mask pattern

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0338852A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6216253B1 (en) 1996-01-27 2001-04-10 Nec Corporation Method and apparatus for verifying and electrical configuaration using a psuedo-element pattern

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6216253B1 (en) 1996-01-27 2001-04-10 Nec Corporation Method and apparatus for verifying and electrical configuaration using a psuedo-element pattern

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US12093618B2 (en) Automated circuit generation
US4831543A (en) Hierarchical net list derivation system
CN107908725A (en) A kind of batch data method of calibration, device and system
CN111753490A (en) Metal wire layout design rule checking method
JP2019021123A (en) Layout method of semiconductor integrated circuit
US20050155006A1 (en) Constraint data management for electronic design automation
US20040003366A1 (en) Method for making layout data in semiconductor integrated circuit
US7257787B2 (en) Method for reducing an equivalent resistance in an IC layout
US6968518B2 (en) Method of resolving missing graphical symbols in computer-aided integrated circuit design
JPH0338852A (en) Verification of integrated-circuit mask pattern
EP3525116A1 (en) Management system of electrical field circuit design
US20140130004A1 (en) Integrated circuit schematics having imbedded scaling information for generating a design instance
WO2005038675A1 (en) Printed circuit board design instruction support method and device
JP2822969B2 (en) Verification method of integrated circuit mask pattern
CN100458798C (en) Method for inspecting circuit
JPH0367372A (en) Verification method for integrated circuit mask pattern
US20180307782A1 (en) Circuit encoding method and circuit structure recognition method
JP2776267B2 (en) Circuit output method
JP3042446B2 (en) Electrostatic breakdown verification tool
CN103310029A (en) System and method for setting electrical rules of circuit board
JP2959606B2 (en) Logical connection data storage method
JP2000181948A (en) Hierarchical drawing design equipment
CN119250009A (en) An automatic layout method for low noise amplifier chip circuit schematics
JP2773668B2 (en) Method of dividing power supply line of semiconductor integrated circuit
JPS6288323A (en) Method for checking mask pattern