JPH0339904A - 光ファイバの端末処理方法 - Google Patents
光ファイバの端末処理方法Info
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- JPH0339904A JPH0339904A JP18651489A JP18651489A JPH0339904A JP H0339904 A JPH0339904 A JP H0339904A JP 18651489 A JP18651489 A JP 18651489A JP 18651489 A JP18651489 A JP 18651489A JP H0339904 A JPH0339904 A JP H0339904A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光ファイバの端末処理方法に関する。
〔従来の技術と発明が解決しようとする課題)一般に、
光ファイバの端面は、鏡面状とせねばならず、そのため
には従来では、破断法と研磨法があった。
光ファイバの端面は、鏡面状とせねばならず、そのため
には従来では、破断法と研磨法があった。
しかして、破断法とは、光ファイバに適当な張力や曲率
を与えた状態で、ガラスより硬度の高い材質の刃によっ
て側面に傷をつけることにより鏡面状の端面を得る方法
であり、また、研磨法とは、−Mの光学材料の平面研磨
法をそのまま利用する方法で、光ファイバを直接ガラス
ブロンクなどのやとい材ではさんだり、金属パイプ中に
挿入したりして固着し、研磨剤と研磨機により平面端面
を得る方法である。
を与えた状態で、ガラスより硬度の高い材質の刃によっ
て側面に傷をつけることにより鏡面状の端面を得る方法
であり、また、研磨法とは、−Mの光学材料の平面研磨
法をそのまま利用する方法で、光ファイバを直接ガラス
ブロンクなどのやとい材ではさんだり、金属パイプ中に
挿入したりして固着し、研磨剤と研磨機により平面端面
を得る方法である。
しかし、上述の方法では、端面ば光学顕微鏡で観察がで
きない微細な傷、汚れ等を有している。
きない微細な傷、汚れ等を有している。
従って、数W〜数KWのレーザー光源から出力される高
エネルギーのレーザー光を、光ファイバに入射させれば
、上記の傷、汚れの部分で発熱2高温化し、入射端面ば
瞬時にして破壊する。
エネルギーのレーザー光を、光ファイバに入射させれば
、上記の傷、汚れの部分で発熱2高温化し、入射端面ば
瞬時にして破壊する。
そこで、本発明では、端面を、極めて高精度にて鏡面状
とすることができる光ファイバの端末処理方法を提供す
ることを目的とする。
とすることができる光ファイバの端末処理方法を提供す
ることを目的とする。
上述の目的を達成するために、本発明に係る光ファイバ
の端末処理方法は、火炎を光ファイバの端面に当て、該
端面を加熱し、該端面を鏡面化するものである。
の端末処理方法は、火炎を光ファイバの端面に当て、該
端面を加熱し、該端面を鏡面化するものである。
光ファイバの端面を、加熱すれば、該端面ば表面張力に
より、均一に整形される。
より、均一に整形される。
以下、実施例を示す図面に基づいて本発明を詳説する。
第1図において、1は光ファイバであって、第3図に示
す様にコアlaとクラッドlbからなり、スリーブ2に
て保持されている。なお、スリーブ2は銅等の金属から
なる。そして、スリーブ2の一方の端面5には凹所3が
形成され、該凹所3内に光フアイバ1の端部が突出して
いる。なお、光フアイバ1の端面4と、スリーブ2の端
面5とは、略同−面とされている。
す様にコアlaとクラッドlbからなり、スリーブ2に
て保持されている。なお、スリーブ2は銅等の金属から
なる。そして、スリーブ2の一方の端面5には凹所3が
形成され、該凹所3内に光フアイバ1の端部が突出して
いる。なお、光フアイバ1の端面4と、スリーブ2の端
面5とは、略同−面とされている。
6は加熱装置であって、細径のノズル7の先端開口部か
ら火炎8が放射される。即ち、この加熱装置6は、酸素
が充填された第1容器9と、ブタンが充填された第2容
器10と、該容器9.lOを収納する収納器11と、該
収納器11から突出される上記ノズル7と、からなり、
ブタンと酸素の混合ガスがノズル7の先端開口部から排
出され、その混合ガスが燃焼して火炎8を形成する。こ
の場合の火炎8は、内炎12が高温となり外炎13が低
温となる。なお、ブタンと酸素の混合比は、1:8程度
とすると共に、ノズル7の内径を1.0閣ぐらいとして
、内炎12の長さ寸法Aを2iwぐらいとし、外炎13
の長さ寸法Bを15叩ぐらいとしている。
ら火炎8が放射される。即ち、この加熱装置6は、酸素
が充填された第1容器9と、ブタンが充填された第2容
器10と、該容器9.lOを収納する収納器11と、該
収納器11から突出される上記ノズル7と、からなり、
ブタンと酸素の混合ガスがノズル7の先端開口部から排
出され、その混合ガスが燃焼して火炎8を形成する。こ
の場合の火炎8は、内炎12が高温となり外炎13が低
温となる。なお、ブタンと酸素の混合比は、1:8程度
とすると共に、ノズル7の内径を1.0閣ぐらいとして
、内炎12の長さ寸法Aを2iwぐらいとし、外炎13
の長さ寸法Bを15叩ぐらいとしている。
しかして、第1図に示す状態からノズル7を矢印の如く
軸心方向に沿って光フアイバ1の端面4に近接させ、第
2図に示す様に、火炎8を光フアイバ1の端面4に当て
る。つまり、内炎12の先端部を該端面4に当てる。こ
の場合、外炎13にて端面近傍は包囲される。
軸心方向に沿って光フアイバ1の端面4に近接させ、第
2図に示す様に、火炎8を光フアイバ1の端面4に当て
る。つまり、内炎12の先端部を該端面4に当てる。こ
の場合、外炎13にて端面近傍は包囲される。
そして、端面4を1300〜1800℃に加熱し、該端
面4の付着物を焼き払い、さらに、端面4をごく薄い厚
さだけ溶融(石英系ファイバでは加熱により液体化はし
ないで軟化するがこの状態もここでは溶融という)させ
る。そして、1500″C以上とすれば処理時間を短縮
することができて好ましい。
面4の付着物を焼き払い、さらに、端面4をごく薄い厚
さだけ溶融(石英系ファイバでは加熱により液体化はし
ないで軟化するがこの状態もここでは溶融という)させ
る。そして、1500″C以上とすれば処理時間を短縮
することができて好ましい。
具体的には、第3図に示す様に、端面4から約1鴫ぐら
いまでの範囲Cが白熱するまで加熱し、白熱してからも
約1秒間〜約3秒間(1500”cの場合)火炎を端面
4に当てる。
いまでの範囲Cが白熱するまで加熱し、白熱してからも
約1秒間〜約3秒間(1500”cの場合)火炎を端面
4に当てる。
従って、溶融により、端面4が鏡面状に形成される。
しかして、光フアイバ1としてはグレーデッドインデッ
クス型、あるいは、ステップインデンクス型の光ファイ
バが用いられ、コアlaは、純石英であっても良いが、
石英にゲルマニウム等のドープ剤が添加されている場合
、その加熱により、端面4近傍のコアla内のゲルマニ
ウムが蒸発し、減少乃至除去される。即ち、コアIaは
純石英に近づき、端面4近傍では、軟化点がアンプし、
高出力のレーザーがその端面に入射した場合も、破壊し
ない、勿論、出射端面を本発明に係る方法にて端末処理
すればその出射端面においても、高出力のレーザーによ
る破壊がない。
クス型、あるいは、ステップインデンクス型の光ファイ
バが用いられ、コアlaは、純石英であっても良いが、
石英にゲルマニウム等のドープ剤が添加されている場合
、その加熱により、端面4近傍のコアla内のゲルマニ
ウムが蒸発し、減少乃至除去される。即ち、コアIaは
純石英に近づき、端面4近傍では、軟化点がアンプし、
高出力のレーザーがその端面に入射した場合も、破壊し
ない、勿論、出射端面を本発明に係る方法にて端末処理
すればその出射端面においても、高出力のレーザーによ
る破壊がない。
また、上述の方法によれば、500倍で観察しても端面
4には傷が見当たらなかった。
4には傷が見当たらなかった。
なお、本発明は上述の実施例に限定されず、本発明の要
旨を逸脱しない範囲で設計変更自由であり、例えば、ス
リーブ2を使用しないで処理することも可能であり、ま
た、スリーブ2の形状としては、光フアイバ1の端部が
固定されて、その端面4に火炎8が当てられるものであ
ればよいので種々の形状とすることができる。さらに端
面4が1300〜1800°Cに加熱されればよいので
、使用ガスの変更及び混合比の変更も自由である。また
、この処理方法を行なう前には、端面4は、研磨機等に
て予め研磨しておくのが好ましい。
旨を逸脱しない範囲で設計変更自由であり、例えば、ス
リーブ2を使用しないで処理することも可能であり、ま
た、スリーブ2の形状としては、光フアイバ1の端部が
固定されて、その端面4に火炎8が当てられるものであ
ればよいので種々の形状とすることができる。さらに端
面4が1300〜1800°Cに加熱されればよいので
、使用ガスの変更及び混合比の変更も自由である。また
、この処理方法を行なう前には、端面4は、研磨機等に
て予め研磨しておくのが好ましい。
本発明は、上述のとおり構成されているので、次に記載
する効果を奏する。
する効果を奏する。
簡単かつ迅速に、光フアイバ1の端面4を高精度に鏡面
化することができる。つまり、この方法にて入射端面及
び出射端面が処理された光フアイバ1は、高エネルギー
のレーザーに好適なものとなる。
化することができる。つまり、この方法にて入射端面及
び出射端面が処理された光フアイバ1は、高エネルギー
のレーザーに好適なものとなる。
第1図と第2図は本発明に係る端末処理方法を示す簡略
図、第3図は処理中の拡大断面図である。 1・・・光ファイバ、4・・・端面、8・・・火炎。
図、第3図は処理中の拡大断面図である。 1・・・光ファイバ、4・・・端面、8・・・火炎。
Claims (1)
- 1、火炎を光ファイバの端面に当て、該端面を加熱し、
該端面を鏡面化することを特徴とする光ファイバの端末
処理方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8431989 | 1989-04-03 | ||
| JP1-84319 | 1989-04-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0339904A true JPH0339904A (ja) | 1991-02-20 |
Family
ID=13827191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18651489A Pending JPH0339904A (ja) | 1989-04-03 | 1989-07-18 | 光ファイバの端末処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0339904A (ja) |
-
1989
- 1989-07-18 JP JP18651489A patent/JPH0339904A/ja active Pending
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