JPH0339917Y2 - - Google Patents
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- JPH0339917Y2 JPH0339917Y2 JP1986201315U JP20131586U JPH0339917Y2 JP H0339917 Y2 JPH0339917 Y2 JP H0339917Y2 JP 1986201315 U JP1986201315 U JP 1986201315U JP 20131586 U JP20131586 U JP 20131586U JP H0339917 Y2 JPH0339917 Y2 JP H0339917Y2
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- 101150105073 SCR1 gene Proteins 0.000 description 13
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Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案はパルス電圧の印加により発光する電場
発光素子(以下、EL素子と記す)の発光駆動回
路に関する。[Detailed Description of the Invention] Industrial Application Field The present invention relates to a light emission drive circuit for an electroluminescent element (hereinafter referred to as an EL element) that emits light by applying a pulse voltage.
従来の技術
従来よりEL素子にパルス電圧を印加して発光
させるEL素子の発光駆動回路は、例えば特公昭
52−45466号公報等、種々知られている。Conventional technology Conventionally, a light emitting drive circuit for an EL element that applies a pulse voltage to the EL element to emit light has been developed, for example, by
Various methods are known, such as Japanese Patent No. 52-45466.
上記公報に開示された発光駆動回路は、その略
電気回路図を第2図に示したように、2つのスイ
ツチ素子であるトランジスタTr1,Tr2および
Tr3,Tr4を直列接続した第1、第2のスイツ
チ回路1,2を電源Eに対して並列接続すると共
に、EL素子3を第1、第2のスイツチ回路1,
2の2つのトランジスタTr1,Tr2およびTr
3,Tr4の接続点A,B間に接続している。 The light emitting drive circuit disclosed in the above publication has two switch elements, transistors Tr1, Tr2, and
The first and second switch circuits 1 and 2 in which Tr3 and Tr4 are connected in series are connected in parallel to the power supply E, and the EL element 3 is connected to the first and second switch circuits 1 and 2 in series.
2 two transistors Tr1, Tr2 and Tr
3. Connected between connection points A and B of Tr4.
さらに、パルス電圧を上記した各トランジスタ
Tr1,Tr2およびTr3,Tr4に適宜のタイミ
ングで印加する制御手段4,5を備え、かかる制
御手段4,5により上記4つのトランジスタTr
1〜Tr4の導通タイミングを制御し、電源Eの
電圧を逆方向にパルス的にEL素子3に供給し、
発光させるものである。 Furthermore, the pulse voltage is
It is equipped with control means 4 and 5 for applying voltage to Tr1, Tr2 and Tr3 and Tr4 at appropriate timing, and the control means 4 and 5 control the above-mentioned four transistors Tr.
Controls the conduction timing of Tr 1 to Tr 4, supplies the voltage of the power source E to the EL element 3 in a pulsed manner in the opposite direction,
It emits light.
考案が解決しようとする課題
上述した発光駆動回路は、EL素子3の両端に
対して電源Eの出力電圧を正逆方向に印加できる
ことになるが、トランジスタTr1,Tr2および
Tr3,Tr4に制御手段4,5から印加されるパ
ルス電圧の供給タイミングによつては上記トラン
ジスタTr1〜Tr4が同時に導通し、破壊されて
しまう恐れがある。Problems to be Solved by the Invention The above-described light emitting drive circuit can apply the output voltage of the power source E to both ends of the EL element 3 in the forward and reverse directions, but the transistors Tr1, Tr2 and
Depending on the supply timing of the pulse voltages applied to Tr3 and Tr4 from the control means 4 and 5, the transistors Tr1 to Tr4 may become conductive at the same time and be destroyed.
本考案は上記のような点を考慮してなしたもの
で、2つのスイツチ回路のスイツチ素子が同時に
導通することのないEL素子の発光駆動回路を提
供することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of the above points, and an object of the present invention is to provide a light emission driving circuit for an EL element in which the switch elements of two switch circuits do not become conductive at the same time.
課題を解決するための手段
本考案によるEL素子の発光駆動回路は、電源
の両端に並列接続されるサイリスタ、ダイオー
ド、スイツチ素子を直列接続した第1、第2のス
イツチ回路と、上記電源と上記サイリスタのゲー
トおよびカソードとの間に接続される上記サイリ
スタのゲート手段と、上記サイリスタのゲートと
該サイリスタと同一スイツチ回路を構成する上記
ダイオードのカソード間とを接続し上記ダイオー
ドに生じる降下電圧で上記ゲートを逆バイアスす
る逆バイアス手段と、前記第1、第2のスイツチ
回路の夫々の上記スイツチ素子の制御極と接続さ
れ、上記両スイツチ素子を交互に導電せしめる制
御回路とからなり、上記サイリスタと上記ダイオ
ードとの接続点間にEL素子を接続することを特
徴とする。Means for Solving the Problems The light emitting drive circuit for an EL element according to the present invention includes first and second switch circuits in which a thyristor, a diode, and a switch element are connected in series, which are connected in parallel to both ends of a power supply, and the power supply and the above. The gate means of the thyristor is connected between the gate and cathode of the thyristor, and the gate means of the thyristor is connected between the gate of the thyristor and the cathode of the diode that constitutes the same switch circuit as the thyristor. The thyristor comprises a reverse bias means for reverse biasing the gate, and a control circuit connected to the control pole of the switch element of each of the first and second switch circuits to alternately make both the switch elements conductive. It is characterized in that an EL element is connected between the connection points with the diode.
作 用
本考案によるEL素子の発光駆動回路は上記の
ように構成されることから、第1、第2のスイツ
チ回路のスイツチ素子を交互に導通させると、導
通したスイツチ素子と同一のスイツチ回路を形成
するダイオードに電流が流れ、その降下電圧によ
り同一スイツチ回路のサイリスタが逆バイアスさ
れることになる。Function Since the light emitting drive circuit of the EL element according to the present invention is constructed as described above, when the switch elements of the first and second switch circuits are made conductive alternately, the same switch circuit as the conductive switch element is activated. Current flows through the formed diode, and the resulting voltage drop causes the thyristor of the same switch circuit to be reverse biased.
従つて、導通したスイツチ素子と同一スイツチ
回路のサイリスタは必ず非導通になされ、異なる
スイツチ回路のサイリスタのみが導通することに
なる。 Therefore, the thyristors of the same switch circuit as the conductive switch element are necessarily rendered non-conductive, and only the thyristors of different switch circuits are rendered conductive.
換言すれば、スイツチ素子が導通して電流が流
れると、同一スイツチ回路のサイリスタはダイオ
ードの降下電圧による逆バイアスによつて必ず非
導通に制御されるため、同時に上記サイリスタを
含む全てのスイツチ素子が導通することはなく、
2つのスイツチ回路が同時に導通することはない
わけである。 In other words, when a switch element is conductive and current flows, the thyristors in the same switch circuit are always controlled to be non-conductive by the reverse bias caused by the voltage drop of the diode, so all switch elements including the thyristor are simultaneously turned off. There is no conduction,
This means that two switch circuits are never conductive at the same time.
実施例
第1図は、本考案によるEL素子の発光駆動回
路の一実施例を示す電気回路図であり、図中、第
2図と同図番同符号のものは同一機能部材を示し
ている。Embodiment FIG. 1 is an electric circuit diagram showing an embodiment of the light emitting driving circuit for an EL element according to the present invention. In the figure, the same numbers and symbols as those in FIG. 2 indicate the same functional members. .
第1図からも明らかなように本考案による発光
駆動回路における第1、第2のスイツチ回路6,
7は、夫々サイリスタSCR1、ダイオード8、
スイツチ素子であるトランジスタTr2の直列接
続体およびサイリスタSCR2、ダイオード9、
スイツチ素子であるトランジスタTr4の直列接
続体から構成されている。 As is clear from FIG. 1, the first and second switch circuits 6,
7 are thyristor SCR1, diode 8,
Series connection of transistor Tr2 which is a switch element, thyristor SCR2, diode 9,
It consists of a series connection of transistors Tr4, which are switch elements.
第1、第2のスイツチ回路6,7の夫々のサイ
リスタSCR1,SCR2のゲートおよびカソード
と電源Eとの間には、抵抗R1,R2およびR
3,R4がゲート手段10,11として接続され
ている。 Resistors R1, R2 and R
3 and R4 are connected as gate means 10 and 11.
また、上記サイリスタSCR1,SCR2のゲー
トは、夫々同一スイツチ回路6あるいは7を形成
するダイオード8あるいは9のカソードと給電路
L1あるいはL2によつて接続されている。従つ
て、ダイオード8あるいは9に電流が流れると、
その降下電圧が上記給電路L1あるいはL2を介
してサイリスタSCR1あるいはSCR2のゲート
を逆バイアスすることになる。 Further, the gates of the thyristors SCR1 and SCR2 are connected to the cathodes of diodes 8 and 9 forming the same switch circuits 6 and 7, respectively, by power supply lines L1 and L2. Therefore, when current flows through diode 8 or 9,
The dropped voltage reverse biases the gate of the thyristor SCR1 or SCR2 via the power supply path L1 or L2.
すなわち、上記給電路L1あるいはL2は、逆
バイアス手段12,13を形成しているわけであ
る。 That is, the power supply path L1 or L2 forms the reverse bias means 12 and 13.
第1、第2のスイツチ回路6,7の夫々のスイ
ツチ素子であるトランジスタTr2,Tr4の制御
極であるベースは、パルス信号を出力する発振器
15、抵抗R5,R6,R7,R8およびインバ
ータ16からなる制御回路14と接続されてい
る。 The bases, which are the control poles of transistors Tr2 and Tr4, which are switch elements of the first and second switch circuits 6 and 7, are connected to an oscillator 15 that outputs a pulse signal, resistors R5, R6, R7, R8, and an inverter 16. The control circuit 14 is connected to the control circuit 14 shown in FIG.
EL素子3は、第1、第2のスイツチ回路6,
7間、すなわち、夫々のサイリスタSCR1,
SCR2とダイオード8,9との接続点C,D間
に接続されている。 The EL element 3 includes first and second switch circuits 6,
7, i.e. each thyristor SCR1,
It is connected between connection points C and D between SCR2 and diodes 8 and 9.
以下、上記のような構成からなる本考案による
EL素子の発光駆動回路の一実施例の動作につい
て説明する。 Hereinafter, the method according to the present invention consisting of the above-mentioned configuration will be explained.
The operation of one embodiment of the light emission driving circuit for the EL element will be described.
今、電源Eより所定電圧が出力されると共に制
御回路14の発振器15より高レベルの信号が出
力されると、この高レベル信号は抵抗R5,R6
を介してトランジスタTr2に、またインバータ
16にて反転、すなわち低レベルになされた後、
抵抗R7,R8を介してトランジスタTr4に供
給される。 Now, when a predetermined voltage is output from the power supply E and a high level signal is output from the oscillator 15 of the control circuit 14, this high level signal is transmitted to the resistors R5 and R6.
After being inverted, that is, made low level by the inverter 16,
It is supplied to transistor Tr4 via resistors R7 and R8.
従つて、トランジスタTr4は非導通状態にな
され、一方、トランジスタTr2は、抵抗R1あ
るいは抵抗R3,R4、EL素子3およびダイオ
ード8を介して電流が流れることになり、導通す
る。 Therefore, the transistor Tr4 is made non-conductive, while the transistor Tr2 is made conductive because current flows through the resistor R1 or the resistors R3 and R4, the EL element 3, and the diode 8.
この結果、サイリスタSCR1,SCR2共導通
しようとするが、ダイオード8に発生する降下電
圧によつて上記サイリスタSCR1のゲートは逆
バイアスされており、このサイリスタSCR1が
導通することはなく、このため、上記サイリスタ
SCR2のみが導通することになる。 As a result, the thyristors SCR1 and SCR2 try to conduct together, but the gate of the thyristor SCR1 is reverse biased by the voltage drop generated in the diode 8, so the thyristor SCR1 does not become conductive. thyristor
Only SCR2 becomes conductive.
よつて、サイリスタSCR2、EL素子3、ダイ
オード8、トランジスタTr2のループで電流が
流れ、EL素子3は発光する。EL素子3の充電が
完了するとサイリスタSCR2に流れる電流が保
持電流以下となり、サイリスタSCR2は非導通
状態に復帰し、サイリスタSCR2のカソード側
が+電位、サイリスタSCR1のカソード側が−
電位となる。 Therefore, a current flows through the loop of the thyristor SCR2, the EL element 3, the diode 8, and the transistor Tr2, and the EL element 3 emits light. When charging of the EL element 3 is completed, the current flowing through the thyristor SCR2 becomes less than the holding current, and the thyristor SCR2 returns to a non-conducting state, with the cathode side of the thyristor SCR2 at a + potential and the cathode side of the thyristor SCR1 at a - potential.
becomes electric potential.
一方、上記EL素子3の充電特性を考慮した適
宜時間後、発振器15の出力する信号レベルが反
転し低レベルになされると、トランジスタTr2
が非導通状態になされ、前述したサイリスタ
SCR1のゲートの逆バイアス状態が解除され、
また上記低レベル信号は、インバータ16にて高
レベルに反転され、抵抗R7,R8を介してトラ
ンジスタTR4に供給される。 On the other hand, after an appropriate period of time taking into consideration the charging characteristics of the EL element 3, when the signal level output from the oscillator 15 is reversed and made low, the transistor Tr2
is made non-conducting, and the thyristor described above
The reverse bias state of the gate of SCR1 is released,
Further, the low level signal is inverted to high level by the inverter 16 and is supplied to the transistor TR4 via the resistors R7 and R8.
従つて、前述した場合とは逆に、トランジスタ
TR4が導通し、ダイオード9に発生する降下電
圧にてサイリスタSCR2のゲートが逆バイアス
され、このサイリスタSCR2は非導通状態とな
る。 Therefore, contrary to the above case, the transistor
When TR4 becomes conductive, the gate of thyristor SCR2 is reverse biased by the voltage drop generated across diode 9, and this thyristor SCR2 becomes non-conductive.
すなわち、トランジスタTr4とサイリスタ
SCR1が導通することになり、EL素子3には上
記サイリスタSCR1、ダイオード9、トランジ
スタTr4を介して先の場合とは逆方向に電流が
流れることになり、EL素子3はもちろん発光す
る。 In other words, transistor Tr4 and thyristor
SCR1 becomes conductive, and a current flows through the EL element 3 in the opposite direction to that in the previous case via the thyristor SCR1, diode 9, and transistor Tr4, and the EL element 3 naturally emits light.
以降、制御回路14の発振器15の出力する信
号レベルを適宜間隔で反転させることにより、上
述したような動作が繰り返されることになる。 Thereafter, the above-described operation is repeated by inverting the signal level output from the oscillator 15 of the control circuit 14 at appropriate intervals.
よつて、EL素子3は、その両端に電源Eの出
力電圧が逆方向に印加、すなわち上記出力電圧の
2倍の電圧幅の交流パルス電圧が供給されること
になり、所望の発光動作を行うことになる。 Therefore, the output voltage of the power source E is applied to both ends of the EL element 3 in the opposite direction, that is, an AC pulse voltage with a voltage width twice that of the output voltage is supplied, and the desired light emitting operation is performed. It turns out.
以上の動作からも明らかなように、本考案によ
るEL素子の発光駆動回路は、制御回路14によ
りトランジスタTr2が導通せしめられた時には、
このトランジスタTr2と共に第1のスイツチ回
路6を形成するサイリスタSCR1が同一スイツ
チ回路6のダイオード8に発生する降下電圧にて
必ず非導通になされ、逆にトランジスタTr4が
導通せしめられた時には、このトランジスタTr
4と共に第2のスイツチ回路7を形成するサイリ
スタSCR2が同一スイツチ回路7のダイオード
9に発生する降下電圧にて必ず非導通になされる
ことになる。 As is clear from the above operation, in the light emission driving circuit for the EL element according to the present invention, when the transistor Tr2 is made conductive by the control circuit 14,
The thyristor SCR1, which forms the first switch circuit 6 together with the transistor Tr2, is always rendered non-conductive due to the voltage drop generated across the diode 8 of the same switch circuit 6, and conversely, when the transistor Tr4 is rendered conductive, the transistor Tr4 becomes conductive.
The thyristor SCR2, which together with the switch circuit 4 forms the second switch circuit 7, is necessarily rendered non-conductive by the voltage drop generated across the diode 9 of the same switch circuit 7.
従つて、上記サイリスタSCR1とSCR2とが
同時に導通することはなく、すなわち第1、第2
のスイツチ回路6,7が同時に導通することはな
い。 Therefore, the thyristors SCR1 and SCR2 are not conductive at the same time, that is, the first and second thyristors
The switch circuits 6 and 7 are never conductive at the same time.
なお、本考案においてはサイリスタを使用して
いることからその導通動作に必要なエネルギー量
は少なくなり、すなわちEL素子の発光動作以外
に使用する消費電力は少なくなる。加えて、EL
素子に供給するエネルギーの供給特性も急峻な特
性とすることができ、よつてEL素子の発光輝度
の面でもトランジスタ使用の従来構成に比して有
利となる。 In addition, since the present invention uses a thyristor, the amount of energy required for its conducting operation is reduced, that is, the power consumption used for purposes other than the light emitting operation of the EL element is reduced. In addition, EL
The supply characteristics of the energy supplied to the element can also be made steep, which is advantageous in terms of luminance of the EL element compared to the conventional configuration using transistors.
考案の効果
本考案によるEL素子の発光駆動回路は、電源
に並列接続されるサイリスタとダイオードとスイ
ツチ素子との直列接続体からなる第1、第2のス
イツチ回路の夫々のサイリスタとダイオードとの
接続点間にEL素子を接続し、さらに夫々のサイ
リスタのゲートにゲート手段および逆バイアス手
段を設けてあるため、スイツチ素子の駆動タイミ
ングが所望のタイミングとは異なつた場合でも2
つのサイリスタが同時に導通することはなく、す
なわち第1、第2のスイツチ回路が同時に導通す
ることはなく、かかる同時導通により生じる恐れ
のある素子の破壊を確実に防止できる効果を有し
ている。Effects of the invention The light emitting drive circuit for an EL element according to the invention is comprised of a series connection body of a thyristor, a diode, and a switch element that are connected in parallel to a power supply. Since an EL element is connected between the points and gate means and reverse bias means are provided at the gate of each thyristor, even if the drive timing of the switch element is different from the desired timing, the 2
Two thyristors do not become conductive at the same time, that is, the first and second switch circuits do not become conductive at the same time, and this has the effect of reliably preventing destruction of the element that may occur due to such simultaneous conduction.
また、サイリスタを使用していることから、
EL素子の発光以外の消費電力を少なくできると
共に、EL素子に供給されるエネルギーの供給特
性を改善できることに、すなわちより急峻なエネ
ルギー供給特性を少ない消費電力で実現できるこ
とになり、輝度の面でも有利となる効果も期待で
きる。 In addition, since a thyristor is used,
In addition to reducing the power consumption of EL elements other than light emission, it is also possible to improve the supply characteristics of the energy supplied to the EL elements, which means that steeper energy supply characteristics can be achieved with less power consumption, which is advantageous in terms of brightness. We can also expect the following effect.
第1図は本考案によるEL素子の発光駆動回路
の一実施例を示す電気回路図、第2図は従来の
EL素子の発光駆動回路の一例の略電気回路図で
ある。
6……第1のスイツチ回路、7……第2のスイ
ツチ回路、8,9……ダイオード、10,11…
…ゲート手段、12,13……逆バイアス手段、
14……制御回路、15……発振器、16……イ
ンバータ。
Fig. 1 is an electric circuit diagram showing an example of the light emitting drive circuit for an EL element according to the present invention, and Fig.
FIG. 2 is a schematic electrical circuit diagram of an example of a light emission drive circuit for an EL element. 6...First switch circuit, 7...Second switch circuit, 8, 9...Diode, 10, 11...
...gate means, 12, 13...reverse bias means,
14...control circuit, 15...oscillator, 16...inverter.
Claims (1)
オード、スイツチ素子を直列接続した第1、第2
のスイツチ回路と、前記電源と前記サイリスタの
ゲートおよびカソードとの間に接続される前記サ
イリスタのゲート手段と、前記サイリスタのゲー
トと該サイリスタと同一スイツチ回路を構成する
前記ダイオードのカソード間とを接続し、前記ダ
イオードに生じる降下電圧で前記ゲートを逆バイ
アスする逆バイアス手段と、前記第1、第2のス
イツチ回路の夫々の前記スイツチ素子の制御極と
接続され、前記両スイツチ素子を交互に導通せし
める制御回路とからなり、前記サイリスタと前記
ダイオードとの接続点間にEL素子を接続するEL
素子の発光駆動回路。 The first and second thyristors, diodes, and switch elements connected in parallel to both ends of the power supply are connected in series.
a switch circuit, a gate means of the thyristor connected between the power supply and the gate and cathode of the thyristor, and a connection between the gate of the thyristor and the cathode of the diode constituting the same switch circuit as the thyristor. and a reverse bias means for reverse biasing the gate with a voltage drop generated in the diode, which is connected to a control pole of each of the switch elements of the first and second switch circuits, and alternately conducts both of the switch elements. and an EL control circuit that connects an EL element between the connection point of the thyristor and the diode.
Light emitting drive circuit for the device.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986201315U JPH0339917Y2 (en) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | |
| US07/138,487 US4899086A (en) | 1986-12-29 | 1987-12-28 | Electroluminescence light emission apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986201315U JPH0339917Y2 (en) | 1986-12-29 | 1986-12-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63108199U JPS63108199U (en) | 1988-07-12 |
| JPH0339917Y2 true JPH0339917Y2 (en) | 1991-08-22 |
Family
ID=31164650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986201315U Expired JPH0339917Y2 (en) | 1986-12-29 | 1986-12-29 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0339917Y2 (en) |
-
1986
- 1986-12-29 JP JP1986201315U patent/JPH0339917Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPS63108199U (en) | 1988-07-12 |
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