JPH0339917Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0339917Y2 JPH0339917Y2 JP1986201315U JP20131586U JPH0339917Y2 JP H0339917 Y2 JPH0339917 Y2 JP H0339917Y2 JP 1986201315 U JP1986201315 U JP 1986201315U JP 20131586 U JP20131586 U JP 20131586U JP H0339917 Y2 JPH0339917 Y2 JP H0339917Y2
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- JP
- Japan
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- thyristor
- switch
- diode
- gate
- circuit
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Links
- 101000668165 Homo sapiens RNA-binding motif, single-stranded-interacting protein 1 Proteins 0.000 description 14
- 102100039692 RNA-binding motif, single-stranded-interacting protein 1 Human genes 0.000 description 14
- 101100365087 Arabidopsis thaliana SCRA gene Proteins 0.000 description 13
- 101150105073 SCR1 gene Proteins 0.000 description 13
- 101100134054 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) NTG1 gene Proteins 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案はパルス電圧の印加により発光する電場
発光素子(以下、EL素子と記す)の発光駆動回
路に関する。
発光素子(以下、EL素子と記す)の発光駆動回
路に関する。
従来の技術
従来よりEL素子にパルス電圧を印加して発光
させるEL素子の発光駆動回路は、例えば特公昭
52−45466号公報等、種々知られている。
させるEL素子の発光駆動回路は、例えば特公昭
52−45466号公報等、種々知られている。
上記公報に開示された発光駆動回路は、その略
電気回路図を第2図に示したように、2つのスイ
ツチ素子であるトランジスタTr1,Tr2および
Tr3,Tr4を直列接続した第1、第2のスイツ
チ回路1,2を電源Eに対して並列接続すると共
に、EL素子3を第1、第2のスイツチ回路1,
2の2つのトランジスタTr1,Tr2およびTr
3,Tr4の接続点A,B間に接続している。
電気回路図を第2図に示したように、2つのスイ
ツチ素子であるトランジスタTr1,Tr2および
Tr3,Tr4を直列接続した第1、第2のスイツ
チ回路1,2を電源Eに対して並列接続すると共
に、EL素子3を第1、第2のスイツチ回路1,
2の2つのトランジスタTr1,Tr2およびTr
3,Tr4の接続点A,B間に接続している。
さらに、パルス電圧を上記した各トランジスタ
Tr1,Tr2およびTr3,Tr4に適宜のタイミ
ングで印加する制御手段4,5を備え、かかる制
御手段4,5により上記4つのトランジスタTr
1〜Tr4の導通タイミングを制御し、電源Eの
電圧を逆方向にパルス的にEL素子3に供給し、
発光させるものである。
Tr1,Tr2およびTr3,Tr4に適宜のタイミ
ングで印加する制御手段4,5を備え、かかる制
御手段4,5により上記4つのトランジスタTr
1〜Tr4の導通タイミングを制御し、電源Eの
電圧を逆方向にパルス的にEL素子3に供給し、
発光させるものである。
考案が解決しようとする課題
上述した発光駆動回路は、EL素子3の両端に
対して電源Eの出力電圧を正逆方向に印加できる
ことになるが、トランジスタTr1,Tr2および
Tr3,Tr4に制御手段4,5から印加されるパ
ルス電圧の供給タイミングによつては上記トラン
ジスタTr1〜Tr4が同時に導通し、破壊されて
しまう恐れがある。
対して電源Eの出力電圧を正逆方向に印加できる
ことになるが、トランジスタTr1,Tr2および
Tr3,Tr4に制御手段4,5から印加されるパ
ルス電圧の供給タイミングによつては上記トラン
ジスタTr1〜Tr4が同時に導通し、破壊されて
しまう恐れがある。
本考案は上記のような点を考慮してなしたもの
で、2つのスイツチ回路のスイツチ素子が同時に
導通することのないEL素子の発光駆動回路を提
供することを目的とする。
で、2つのスイツチ回路のスイツチ素子が同時に
導通することのないEL素子の発光駆動回路を提
供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本考案によるEL素子の発光駆動回路は、電源
の両端に並列接続されるサイリスタ、ダイオー
ド、スイツチ素子を直列接続した第1、第2のス
イツチ回路と、上記電源と上記サイリスタのゲー
トおよびカソードとの間に接続される上記サイリ
スタのゲート手段と、上記サイリスタのゲートと
該サイリスタと同一スイツチ回路を構成する上記
ダイオードのカソード間とを接続し上記ダイオー
ドに生じる降下電圧で上記ゲートを逆バイアスす
る逆バイアス手段と、前記第1、第2のスイツチ
回路の夫々の上記スイツチ素子の制御極と接続さ
れ、上記両スイツチ素子を交互に導電せしめる制
御回路とからなり、上記サイリスタと上記ダイオ
ードとの接続点間にEL素子を接続することを特
徴とする。
の両端に並列接続されるサイリスタ、ダイオー
ド、スイツチ素子を直列接続した第1、第2のス
イツチ回路と、上記電源と上記サイリスタのゲー
トおよびカソードとの間に接続される上記サイリ
スタのゲート手段と、上記サイリスタのゲートと
該サイリスタと同一スイツチ回路を構成する上記
ダイオードのカソード間とを接続し上記ダイオー
ドに生じる降下電圧で上記ゲートを逆バイアスす
る逆バイアス手段と、前記第1、第2のスイツチ
回路の夫々の上記スイツチ素子の制御極と接続さ
れ、上記両スイツチ素子を交互に導電せしめる制
御回路とからなり、上記サイリスタと上記ダイオ
ードとの接続点間にEL素子を接続することを特
徴とする。
作 用
本考案によるEL素子の発光駆動回路は上記の
ように構成されることから、第1、第2のスイツ
チ回路のスイツチ素子を交互に導通させると、導
通したスイツチ素子と同一のスイツチ回路を形成
するダイオードに電流が流れ、その降下電圧によ
り同一スイツチ回路のサイリスタが逆バイアスさ
れることになる。
ように構成されることから、第1、第2のスイツ
チ回路のスイツチ素子を交互に導通させると、導
通したスイツチ素子と同一のスイツチ回路を形成
するダイオードに電流が流れ、その降下電圧によ
り同一スイツチ回路のサイリスタが逆バイアスさ
れることになる。
従つて、導通したスイツチ素子と同一スイツチ
回路のサイリスタは必ず非導通になされ、異なる
スイツチ回路のサイリスタのみが導通することに
なる。
回路のサイリスタは必ず非導通になされ、異なる
スイツチ回路のサイリスタのみが導通することに
なる。
換言すれば、スイツチ素子が導通して電流が流
れると、同一スイツチ回路のサイリスタはダイオ
ードの降下電圧による逆バイアスによつて必ず非
導通に制御されるため、同時に上記サイリスタを
含む全てのスイツチ素子が導通することはなく、
2つのスイツチ回路が同時に導通することはない
わけである。
れると、同一スイツチ回路のサイリスタはダイオ
ードの降下電圧による逆バイアスによつて必ず非
導通に制御されるため、同時に上記サイリスタを
含む全てのスイツチ素子が導通することはなく、
2つのスイツチ回路が同時に導通することはない
わけである。
実施例
第1図は、本考案によるEL素子の発光駆動回
路の一実施例を示す電気回路図であり、図中、第
2図と同図番同符号のものは同一機能部材を示し
ている。
路の一実施例を示す電気回路図であり、図中、第
2図と同図番同符号のものは同一機能部材を示し
ている。
第1図からも明らかなように本考案による発光
駆動回路における第1、第2のスイツチ回路6,
7は、夫々サイリスタSCR1、ダイオード8、
スイツチ素子であるトランジスタTr2の直列接
続体およびサイリスタSCR2、ダイオード9、
スイツチ素子であるトランジスタTr4の直列接
続体から構成されている。
駆動回路における第1、第2のスイツチ回路6,
7は、夫々サイリスタSCR1、ダイオード8、
スイツチ素子であるトランジスタTr2の直列接
続体およびサイリスタSCR2、ダイオード9、
スイツチ素子であるトランジスタTr4の直列接
続体から構成されている。
第1、第2のスイツチ回路6,7の夫々のサイ
リスタSCR1,SCR2のゲートおよびカソード
と電源Eとの間には、抵抗R1,R2およびR
3,R4がゲート手段10,11として接続され
ている。
リスタSCR1,SCR2のゲートおよびカソード
と電源Eとの間には、抵抗R1,R2およびR
3,R4がゲート手段10,11として接続され
ている。
また、上記サイリスタSCR1,SCR2のゲー
トは、夫々同一スイツチ回路6あるいは7を形成
するダイオード8あるいは9のカソードと給電路
L1あるいはL2によつて接続されている。従つ
て、ダイオード8あるいは9に電流が流れると、
その降下電圧が上記給電路L1あるいはL2を介
してサイリスタSCR1あるいはSCR2のゲート
を逆バイアスすることになる。
トは、夫々同一スイツチ回路6あるいは7を形成
するダイオード8あるいは9のカソードと給電路
L1あるいはL2によつて接続されている。従つ
て、ダイオード8あるいは9に電流が流れると、
その降下電圧が上記給電路L1あるいはL2を介
してサイリスタSCR1あるいはSCR2のゲート
を逆バイアスすることになる。
すなわち、上記給電路L1あるいはL2は、逆
バイアス手段12,13を形成しているわけであ
る。
バイアス手段12,13を形成しているわけであ
る。
第1、第2のスイツチ回路6,7の夫々のスイ
ツチ素子であるトランジスタTr2,Tr4の制御
極であるベースは、パルス信号を出力する発振器
15、抵抗R5,R6,R7,R8およびインバ
ータ16からなる制御回路14と接続されてい
る。
ツチ素子であるトランジスタTr2,Tr4の制御
極であるベースは、パルス信号を出力する発振器
15、抵抗R5,R6,R7,R8およびインバ
ータ16からなる制御回路14と接続されてい
る。
EL素子3は、第1、第2のスイツチ回路6,
7間、すなわち、夫々のサイリスタSCR1,
SCR2とダイオード8,9との接続点C,D間
に接続されている。
7間、すなわち、夫々のサイリスタSCR1,
SCR2とダイオード8,9との接続点C,D間
に接続されている。
以下、上記のような構成からなる本考案による
EL素子の発光駆動回路の一実施例の動作につい
て説明する。
EL素子の発光駆動回路の一実施例の動作につい
て説明する。
今、電源Eより所定電圧が出力されると共に制
御回路14の発振器15より高レベルの信号が出
力されると、この高レベル信号は抵抗R5,R6
を介してトランジスタTr2に、またインバータ
16にて反転、すなわち低レベルになされた後、
抵抗R7,R8を介してトランジスタTr4に供
給される。
御回路14の発振器15より高レベルの信号が出
力されると、この高レベル信号は抵抗R5,R6
を介してトランジスタTr2に、またインバータ
16にて反転、すなわち低レベルになされた後、
抵抗R7,R8を介してトランジスタTr4に供
給される。
従つて、トランジスタTr4は非導通状態にな
され、一方、トランジスタTr2は、抵抗R1あ
るいは抵抗R3,R4、EL素子3およびダイオ
ード8を介して電流が流れることになり、導通す
る。
され、一方、トランジスタTr2は、抵抗R1あ
るいは抵抗R3,R4、EL素子3およびダイオ
ード8を介して電流が流れることになり、導通す
る。
この結果、サイリスタSCR1,SCR2共導通
しようとするが、ダイオード8に発生する降下電
圧によつて上記サイリスタSCR1のゲートは逆
バイアスされており、このサイリスタSCR1が
導通することはなく、このため、上記サイリスタ
SCR2のみが導通することになる。
しようとするが、ダイオード8に発生する降下電
圧によつて上記サイリスタSCR1のゲートは逆
バイアスされており、このサイリスタSCR1が
導通することはなく、このため、上記サイリスタ
SCR2のみが導通することになる。
よつて、サイリスタSCR2、EL素子3、ダイ
オード8、トランジスタTr2のループで電流が
流れ、EL素子3は発光する。EL素子3の充電が
完了するとサイリスタSCR2に流れる電流が保
持電流以下となり、サイリスタSCR2は非導通
状態に復帰し、サイリスタSCR2のカソード側
が+電位、サイリスタSCR1のカソード側が−
電位となる。
オード8、トランジスタTr2のループで電流が
流れ、EL素子3は発光する。EL素子3の充電が
完了するとサイリスタSCR2に流れる電流が保
持電流以下となり、サイリスタSCR2は非導通
状態に復帰し、サイリスタSCR2のカソード側
が+電位、サイリスタSCR1のカソード側が−
電位となる。
一方、上記EL素子3の充電特性を考慮した適
宜時間後、発振器15の出力する信号レベルが反
転し低レベルになされると、トランジスタTr2
が非導通状態になされ、前述したサイリスタ
SCR1のゲートの逆バイアス状態が解除され、
また上記低レベル信号は、インバータ16にて高
レベルに反転され、抵抗R7,R8を介してトラ
ンジスタTR4に供給される。
宜時間後、発振器15の出力する信号レベルが反
転し低レベルになされると、トランジスタTr2
が非導通状態になされ、前述したサイリスタ
SCR1のゲートの逆バイアス状態が解除され、
また上記低レベル信号は、インバータ16にて高
レベルに反転され、抵抗R7,R8を介してトラ
ンジスタTR4に供給される。
従つて、前述した場合とは逆に、トランジスタ
TR4が導通し、ダイオード9に発生する降下電
圧にてサイリスタSCR2のゲートが逆バイアス
され、このサイリスタSCR2は非導通状態とな
る。
TR4が導通し、ダイオード9に発生する降下電
圧にてサイリスタSCR2のゲートが逆バイアス
され、このサイリスタSCR2は非導通状態とな
る。
すなわち、トランジスタTr4とサイリスタ
SCR1が導通することになり、EL素子3には上
記サイリスタSCR1、ダイオード9、トランジ
スタTr4を介して先の場合とは逆方向に電流が
流れることになり、EL素子3はもちろん発光す
る。
SCR1が導通することになり、EL素子3には上
記サイリスタSCR1、ダイオード9、トランジ
スタTr4を介して先の場合とは逆方向に電流が
流れることになり、EL素子3はもちろん発光す
る。
以降、制御回路14の発振器15の出力する信
号レベルを適宜間隔で反転させることにより、上
述したような動作が繰り返されることになる。
号レベルを適宜間隔で反転させることにより、上
述したような動作が繰り返されることになる。
よつて、EL素子3は、その両端に電源Eの出
力電圧が逆方向に印加、すなわち上記出力電圧の
2倍の電圧幅の交流パルス電圧が供給されること
になり、所望の発光動作を行うことになる。
力電圧が逆方向に印加、すなわち上記出力電圧の
2倍の電圧幅の交流パルス電圧が供給されること
になり、所望の発光動作を行うことになる。
以上の動作からも明らかなように、本考案によ
るEL素子の発光駆動回路は、制御回路14によ
りトランジスタTr2が導通せしめられた時には、
このトランジスタTr2と共に第1のスイツチ回
路6を形成するサイリスタSCR1が同一スイツ
チ回路6のダイオード8に発生する降下電圧にて
必ず非導通になされ、逆にトランジスタTr4が
導通せしめられた時には、このトランジスタTr
4と共に第2のスイツチ回路7を形成するサイリ
スタSCR2が同一スイツチ回路7のダイオード
9に発生する降下電圧にて必ず非導通になされる
ことになる。
るEL素子の発光駆動回路は、制御回路14によ
りトランジスタTr2が導通せしめられた時には、
このトランジスタTr2と共に第1のスイツチ回
路6を形成するサイリスタSCR1が同一スイツ
チ回路6のダイオード8に発生する降下電圧にて
必ず非導通になされ、逆にトランジスタTr4が
導通せしめられた時には、このトランジスタTr
4と共に第2のスイツチ回路7を形成するサイリ
スタSCR2が同一スイツチ回路7のダイオード
9に発生する降下電圧にて必ず非導通になされる
ことになる。
従つて、上記サイリスタSCR1とSCR2とが
同時に導通することはなく、すなわち第1、第2
のスイツチ回路6,7が同時に導通することはな
い。
同時に導通することはなく、すなわち第1、第2
のスイツチ回路6,7が同時に導通することはな
い。
なお、本考案においてはサイリスタを使用して
いることからその導通動作に必要なエネルギー量
は少なくなり、すなわちEL素子の発光動作以外
に使用する消費電力は少なくなる。加えて、EL
素子に供給するエネルギーの供給特性も急峻な特
性とすることができ、よつてEL素子の発光輝度
の面でもトランジスタ使用の従来構成に比して有
利となる。
いることからその導通動作に必要なエネルギー量
は少なくなり、すなわちEL素子の発光動作以外
に使用する消費電力は少なくなる。加えて、EL
素子に供給するエネルギーの供給特性も急峻な特
性とすることができ、よつてEL素子の発光輝度
の面でもトランジスタ使用の従来構成に比して有
利となる。
考案の効果
本考案によるEL素子の発光駆動回路は、電源
に並列接続されるサイリスタとダイオードとスイ
ツチ素子との直列接続体からなる第1、第2のス
イツチ回路の夫々のサイリスタとダイオードとの
接続点間にEL素子を接続し、さらに夫々のサイ
リスタのゲートにゲート手段および逆バイアス手
段を設けてあるため、スイツチ素子の駆動タイミ
ングが所望のタイミングとは異なつた場合でも2
つのサイリスタが同時に導通することはなく、す
なわち第1、第2のスイツチ回路が同時に導通す
ることはなく、かかる同時導通により生じる恐れ
のある素子の破壊を確実に防止できる効果を有し
ている。
に並列接続されるサイリスタとダイオードとスイ
ツチ素子との直列接続体からなる第1、第2のス
イツチ回路の夫々のサイリスタとダイオードとの
接続点間にEL素子を接続し、さらに夫々のサイ
リスタのゲートにゲート手段および逆バイアス手
段を設けてあるため、スイツチ素子の駆動タイミ
ングが所望のタイミングとは異なつた場合でも2
つのサイリスタが同時に導通することはなく、す
なわち第1、第2のスイツチ回路が同時に導通す
ることはなく、かかる同時導通により生じる恐れ
のある素子の破壊を確実に防止できる効果を有し
ている。
また、サイリスタを使用していることから、
EL素子の発光以外の消費電力を少なくできると
共に、EL素子に供給されるエネルギーの供給特
性を改善できることに、すなわちより急峻なエネ
ルギー供給特性を少ない消費電力で実現できるこ
とになり、輝度の面でも有利となる効果も期待で
きる。
EL素子の発光以外の消費電力を少なくできると
共に、EL素子に供給されるエネルギーの供給特
性を改善できることに、すなわちより急峻なエネ
ルギー供給特性を少ない消費電力で実現できるこ
とになり、輝度の面でも有利となる効果も期待で
きる。
第1図は本考案によるEL素子の発光駆動回路
の一実施例を示す電気回路図、第2図は従来の
EL素子の発光駆動回路の一例の略電気回路図で
ある。 6……第1のスイツチ回路、7……第2のスイ
ツチ回路、8,9……ダイオード、10,11…
…ゲート手段、12,13……逆バイアス手段、
14……制御回路、15……発振器、16……イ
ンバータ。
の一実施例を示す電気回路図、第2図は従来の
EL素子の発光駆動回路の一例の略電気回路図で
ある。 6……第1のスイツチ回路、7……第2のスイ
ツチ回路、8,9……ダイオード、10,11…
…ゲート手段、12,13……逆バイアス手段、
14……制御回路、15……発振器、16……イ
ンバータ。
Claims (1)
- 電源の両端に並列接続されるサイリスタ、ダイ
オード、スイツチ素子を直列接続した第1、第2
のスイツチ回路と、前記電源と前記サイリスタの
ゲートおよびカソードとの間に接続される前記サ
イリスタのゲート手段と、前記サイリスタのゲー
トと該サイリスタと同一スイツチ回路を構成する
前記ダイオードのカソード間とを接続し、前記ダ
イオードに生じる降下電圧で前記ゲートを逆バイ
アスする逆バイアス手段と、前記第1、第2のス
イツチ回路の夫々の前記スイツチ素子の制御極と
接続され、前記両スイツチ素子を交互に導通せし
める制御回路とからなり、前記サイリスタと前記
ダイオードとの接続点間にEL素子を接続するEL
素子の発光駆動回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986201315U JPH0339917Y2 (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | |
| US07/138,487 US4899086A (en) | 1986-12-29 | 1987-12-28 | Electroluminescence light emission apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986201315U JPH0339917Y2 (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63108199U JPS63108199U (ja) | 1988-07-12 |
| JPH0339917Y2 true JPH0339917Y2 (ja) | 1991-08-22 |
Family
ID=31164650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986201315U Expired JPH0339917Y2 (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0339917Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-12-29 JP JP1986201315U patent/JPH0339917Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63108199U (ja) | 1988-07-12 |
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