JPH0340246A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0340246A JPH0340246A JP1174729A JP17472989A JPH0340246A JP H0340246 A JPH0340246 A JP H0340246A JP 1174729 A JP1174729 A JP 1174729A JP 17472989 A JP17472989 A JP 17472989A JP H0340246 A JPH0340246 A JP H0340246A
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
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- G11B11/10584—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the form, e.g. comprising mechanical protection elements
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はレーザ光の熱を利用して記録を行ない、磁気光
学効果を利用して再生を行なう光磁気記録媒体及びその
作製方法に関するものである。
学効果を利用して再生を行なう光磁気記録媒体及びその
作製方法に関するものである。
従来の技術
従来の光磁気記録媒体は、第３図に示すように、基板３
１上に保護膜３２を介して比較的大きな＋ｉｌ気光学効
果を有する垂直磁化膜を光磁気記録膜３３として用いた
構成を有し、記録１消去及び再生は次のようにして行な
う。例えば、レーザ光によって光磁気記録膜３３を補償
温度以上の高温あるいはキュリー温度前後に局部的に加
熱し、膜面に垂直方向の外部磁界を加えて加熱領域を膜
に対し望む垂直方向に磁化して記録１消去を行なう。
１上に保護膜３２を介して比較的大きな＋ｉｌ気光学効
果を有する垂直磁化膜を光磁気記録膜３３として用いた
構成を有し、記録１消去及び再生は次のようにして行な
う。例えば、レーザ光によって光磁気記録膜３３を補償
温度以上の高温あるいはキュリー温度前後に局部的に加
熱し、膜面に垂直方向の外部磁界を加えて加熱領域を膜
に対し望む垂直方向に磁化して記録１消去を行なう。
再生は弱い直線偏光のレーザ光を記録済の光磁気記録膜
面上に照射し、その照射領域の磁化方向をカー効果ある
いはファラデー効果を利用して検出して行なう。
面上に照射し、その照射領域の磁化方向をカー効果ある
いはファラデー効果を利用して検出して行なう。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、従来の光磁気記録媒体について記録、消
去を行なう場合、再生ＳＮ比を充分飽和させる為に必要
な外部磁界強度が比較的大きい（３０００ｅ以上）為、
記録装置の磁界付与部に負担をかけるあるいは必要な外
部磁界強度のバラツキが大きいという問題点を有してい
た。
去を行なう場合、再生ＳＮ比を充分飽和させる為に必要
な外部磁界強度が比較的大きい（３０００ｅ以上）為、
記録装置の磁界付与部に負担をかけるあるいは必要な外
部磁界強度のバラツキが大きいという問題点を有してい
た。
本発明は上記問題点に鑑み、再生ＳＮ比を充分飽和させ
る為に必要な外部磁界強度を小さくでき、かつ必要な外
部磁界強度のバラツキが小さく再現性の良い光磁気記録
媒体を提供するものである。
る為に必要な外部磁界強度を小さくでき、かつ必要な外
部磁界強度のバラツキが小さく再現性の良い光磁気記録
媒体を提供するものである。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために、本発明の光磁気記録媒体で
は、光磁気記録膜および保護膜の微小構造単位（透過電
子顕微鏡によって観察される膜中の組成密度、結晶性等
の微小な不均一性に由来する）の大きさを光磁気記録膜
の磁壁の幅より小さくするという手段を用いる。
は、光磁気記録膜および保護膜の微小構造単位（透過電
子顕微鏡によって観察される膜中の組成密度、結晶性等
の微小な不均一性に由来する）の大きさを光磁気記録膜
の磁壁の幅より小さくするという手段を用いる。
作用
本発明は上記のように光６ｆｉ気記録膜および保護膜の
微小構造単位（透過電子顕微鏡によって観察される膜中
の組成、密度、結晶性等の微小な不均一性に由来する。
微小構造単位（透過電子顕微鏡によって観察される膜中
の組成、密度、結晶性等の微小な不均一性に由来する。
）の大きさを光磁気記録膜の磁壁の幅より小さくするこ
とによって記録、消去に必要な外部磁界を低減し、かつ
そのバラツキを小さくするものであるが、以下のその作
用について説明する。
とによって記録、消去に必要な外部磁界を低減し、かつ
そのバラツキを小さくするものであるが、以下のその作
用について説明する。
比較的小さな外部磁界での記録、消去によって充分に飽
和した再生ＳＮ比を得る為には、比較的小さな外部磁界
の下で記録された光磁気記録膜中のビット（磁区）が輪
郭に乱れがなくかつ適当な大きさを有していること及び
比較的小さな外部磁界での消去によって記録済のビット
が完全に消滅していることが必要である。光磁気記録膜
を補償温度以上の高温あるいはキュリー温度前後に局部
的に加熱し、膜面に垂直方向の外部磁界を加えて記録、
消去を行なうので、上記の要件を満たすためには光磁気
記録膜及び保護膜が光学的、熱的に充分な均質性を有し
て局部的加熱領域の熱分布に乱れがなく、かつ光磁気記
録膜中のビット（磁区）形成５消滅が高温領域において
比較的小さな外部磁界の下で容易に行なわれることが必
要である。
和した再生ＳＮ比を得る為には、比較的小さな外部磁界
の下で記録された光磁気記録膜中のビット（磁区）が輪
郭に乱れがなくかつ適当な大きさを有していること及び
比較的小さな外部磁界での消去によって記録済のビット
が完全に消滅していることが必要である。光磁気記録膜
を補償温度以上の高温あるいはキュリー温度前後に局部
的に加熱し、膜面に垂直方向の外部磁界を加えて記録、
消去を行なうので、上記の要件を満たすためには光磁気
記録膜及び保護膜が光学的、熱的に充分な均質性を有し
て局部的加熱領域の熱分布に乱れがなく、かつ光磁気記
録膜中のビット（磁区）形成５消滅が高温領域において
比較的小さな外部磁界の下で容易に行なわれることが必
要である。
そこで光磁気記録膜中に透過電子顕微鏡によって観察さ
れる組成、密度、結晶性等の微小な不均一性に由来する
微小構造単位が存在すると、その部分で膜中に微小なポ
テンシャルの乱れが生し、記録（あるいは消去）時に形
ｆ２（あるいは消去）されるピント（磁区）の輪郭とな
る磁壁がその部分に引っかかり移動が妨げられる（磁壁
のピンニング現象）為、外部磁界が小さい場合は輪郭に
乱れがなくかつ充分な大きさを有するビット（磁区）の
形成（あるいは消去）ができなくなる。
れる組成、密度、結晶性等の微小な不均一性に由来する
微小構造単位が存在すると、その部分で膜中に微小なポ
テンシャルの乱れが生し、記録（あるいは消去）時に形
ｆ２（あるいは消去）されるピント（磁区）の輪郭とな
る磁壁がその部分に引っかかり移動が妨げられる（磁壁
のピンニング現象）為、外部磁界が小さい場合は輪郭に
乱れがなくかつ充分な大きさを有するビット（磁区）の
形成（あるいは消去）ができなくなる。
磁壁は磁化（スピン）の向きが徐々に遷移して行く領域
であるから、ここでこの微小構造単位の大きさが磁壁の
幅より小さくなればなるほど磁壁と微小構造単位に由来
する微小なポテンシャルの乱れとの相互作用は小さくな
り、磁壁の移動は容易になる。すなわち小さな外部るｎ
界で記録、消去が可能となる。
であるから、ここでこの微小構造単位の大きさが磁壁の
幅より小さくなればなるほど磁壁と微小構造単位に由来
する微小なポテンシャルの乱れとの相互作用は小さくな
り、磁壁の移動は容易になる。すなわち小さな外部るｎ
界で記録、消去が可能となる。
また、保護膜についても■光磁気記録膜の下地膜となる
保護膜の構造はその上に形成される光磁気記録膜の構造
に影響を与える■保護膜中の微小構造単位の存在は前述
のように記録、消去に際して局部的加熱領域の熱分布に
乱れを生しさせる等の理由から、その微小構造単位の大
きさを光磁気記録膜の磁壁の幅より小さくすることによ
って小さな外部磁界で記録、消去が可能となる。
保護膜の構造はその上に形成される光磁気記録膜の構造
に影響を与える■保護膜中の微小構造単位の存在は前述
のように記録、消去に際して局部的加熱領域の熱分布に
乱れを生しさせる等の理由から、その微小構造単位の大
きさを光磁気記録膜の磁壁の幅より小さくすることによ
って小さな外部磁界で記録、消去が可能となる。
実施例
以下、本発明の一実施例の光磁気記録媒体及びその作製
方法について、図面を参照しながら説明する。
方法について、図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例における光磁気記録媒体の構
成を示すものである。第１図において１はガラスあるい
はプラスチノクよりなる基板、２゜４はＺｎ５ｅ−３ｉ
○２よりなる保護膜、３は希土類−遷移金属系合金膜よ
りなる光磁気記録膜である。製膜は全てスパンタ法によ
り行ない、基板ｌ上に保護膜２を厚さ８３ｎｍ、光磁気
記録膜３を厚さ１１００ｎ、保護膜４を厚さ８３ｎｍの
順に形成した。製膜に際して基板温度を室温以上、ター
ゲソト投入電力を２Ｗ／ｃＪ以上に設定し、間欠的に製
膜するという製膜条件で行なうことにより、透過電子顕
微鏡によって観察した光磁気記録膜３及び保護膜２．４
の微小構造単位の大きさを５膜ｍ以下（従来の３０００
ｅ以上の外部磁界を必要とする膜の微小構造単位の大き
さは３０ｎｍ前後であった。）にできた。
成を示すものである。第１図において１はガラスあるい
はプラスチノクよりなる基板、２゜４はＺｎ５ｅ−３ｉ
○２よりなる保護膜、３は希土類−遷移金属系合金膜よ
りなる光磁気記録膜である。製膜は全てスパンタ法によ
り行ない、基板ｌ上に保護膜２を厚さ８３ｎｍ、光磁気
記録膜３を厚さ１１００ｎ、保護膜４を厚さ８３ｎｍの
順に形成した。製膜に際して基板温度を室温以上、ター
ゲソト投入電力を２Ｗ／ｃＪ以上に設定し、間欠的に製
膜するという製膜条件で行なうことにより、透過電子顕
微鏡によって観察した光磁気記録膜３及び保護膜２．４
の微小構造単位の大きさを５膜ｍ以下（従来の３０００
ｅ以上の外部磁界を必要とする膜の微小構造単位の大き
さは３０ｎｍ前後であった。）にできた。
このように光磁気記録膜及び保護膜の微小構造単位の大
きさを光磁気記録膜の磁壁の幅（数＋ｎｍ前後）より小
さくした本発明の一実施例における光磁気記録媒体と従
来の光磁気記録媒体との記録消去時の外部磁界に対する
再生ＳＮ比の変化の比較を第２図に示す。本発明の一実
施例における光磁気記録媒体２１は外部磁界２０００ｅ
程度で再生ＳＮ比がほぼ飽和しているが、従来の光磁気
記録媒体２２では外部磁界３５００ｅ程度必要である。
きさを光磁気記録膜の磁壁の幅（数＋ｎｍ前後）より小
さくした本発明の一実施例における光磁気記録媒体と従
来の光磁気記録媒体との記録消去時の外部磁界に対する
再生ＳＮ比の変化の比較を第２図に示す。本発明の一実
施例における光磁気記録媒体２１は外部磁界２０００ｅ
程度で再生ＳＮ比がほぼ飽和しているが、従来の光磁気
記録媒体２２では外部磁界３５００ｅ程度必要である。
また、本発明の一実施例における光磁気記録媒体では基
膜がより均質化されているので、記録消去時に必要な外
部磁界強度のバラツキが小さく再現性が良い。
膜がより均質化されているので、記録消去時に必要な外
部磁界強度のバラツキが小さく再現性が良い。
以上のように本実施例によれば光磁気記録膜及び保護膜
の微小構造単位の大きさを光磁気記録膜の磁壁の幅より
小さくするという手段により、再生ＳＮ比を充分飽和さ
せる為に必要な記録、消去時の外部磁界を小さく、する
とともに、必要な外部磁界強度のバラツキを小さくした
再現性の良い光磁気記録媒体を実現できる。
の微小構造単位の大きさを光磁気記録膜の磁壁の幅より
小さくするという手段により、再生ＳＮ比を充分飽和さ
せる為に必要な記録、消去時の外部磁界を小さく、する
とともに、必要な外部磁界強度のバラツキを小さくした
再現性の良い光磁気記録媒体を実現できる。
なお、本実施例では、光磁気記録膜として希土類−遷移
金属系合金膜、保護膜としてＺｎ５ｅ・Ｓ ｉ Ｏ２膜
、製膜方法としてスパッタ法を用いたが、光磁気記録膜
はホイスラー合金膜、スピネルフェライト膜、六方晶フ
ェライト膜等、保護膜はＺｎＳ膜、Ｚｎ５ｅ膜、酸化膜
、窒化膜あるいはそれらのｌ昆合膜等、製膜方法は蒸着
法、ＣＶＤ法等でも良い。また、光磁気記録膜が化学的
に安定で保護膜が必ずしも必要ない場合は、保護膜は適
宜省いた構成でも良い。
金属系合金膜、保護膜としてＺｎ５ｅ・Ｓ ｉ Ｏ２膜
、製膜方法としてスパッタ法を用いたが、光磁気記録膜
はホイスラー合金膜、スピネルフェライト膜、六方晶フ
ェライト膜等、保護膜はＺｎＳ膜、Ｚｎ５ｅ膜、酸化膜
、窒化膜あるいはそれらのｌ昆合膜等、製膜方法は蒸着
法、ＣＶＤ法等でも良い。また、光磁気記録膜が化学的
に安定で保護膜が必ずしも必要ない場合は、保護膜は適
宜省いた構成でも良い。
発明の効果
以上のように本発明は、光磁気記録膜及び保護膜の微小
構造単位の大きさを光磁気記録膜の磁壁の幅より小さく
するという手段により再生ＳＮ比を充分飽和させる為に
必要な記録、消去時の外部磁界を小さくするとともに、
必要な外部磁界強度のバラツキを小さくした再現性の良
い光磁気記録媒体を実現できるものである。
構造単位の大きさを光磁気記録膜の磁壁の幅より小さく
するという手段により再生ＳＮ比を充分飽和させる為に
必要な記録、消去時の外部磁界を小さくするとともに、
必要な外部磁界強度のバラツキを小さくした再現性の良
い光磁気記録媒体を実現できるものである。
第１図は本発明の一実施例における光磁気記録媒体の構
成図、第２図は本発明の一実施例における光磁気記録媒
体と従来の光磁気記録媒体との記録、消去時の外部磁界
に対する再生ＳＮ比の変化の比較図、第３図は従来の光
磁気記録媒体の構成図である。 ｌ・・・・・・基板、２．４・・・・・・保護膜（Ｚｎ
Ｓｅ・５ｉＯ２）、３・・・・・・光磁気記録膜（希土
類−ｉ！！移金属系合金膜）、２１・・・・・・本発明
の一実施例における光磁気記録媒体の再生ＳＮ比、２２
・・・・・・従来の光磁気記録媒体の再生ＳＮ比、３１
・・・・・・基板、３２．３４・・・・・・保護膜、３
３・・・・・・光磁気記録膜。
成図、第２図は本発明の一実施例における光磁気記録媒
体と従来の光磁気記録媒体との記録、消去時の外部磁界
に対する再生ＳＮ比の変化の比較図、第３図は従来の光
磁気記録媒体の構成図である。 ｌ・・・・・・基板、２．４・・・・・・保護膜（Ｚｎ
Ｓｅ・５ｉＯ２）、３・・・・・・光磁気記録膜（希土
類−ｉ！！移金属系合金膜）、２１・・・・・・本発明
の一実施例における光磁気記録媒体の再生ＳＮ比、２２
・・・・・・従来の光磁気記録媒体の再生ＳＮ比、３１
・・・・・・基板、３２．３４・・・・・・保護膜、３
３・・・・・・光磁気記録膜。
Claims (6)
- （１）光磁気記録膜の微小構造単位の大きさを磁壁の幅
より小さくしたことを特徴とする光磁気記録媒体。 - （２）光磁気記録膜が希土類−遷移金属系合金膜である
ことを特徴とする請求項（１）記載の光磁気記録媒体。 - （３）光磁気記録膜の微小構造単位の大きさを５ｎｍ程
度以下にしたことを特徴とする請求項（２）記載の光磁
気記録媒体。 - （４）保護膜の微小構造単位の大きさを光磁気記録膜の
磁壁の幅より小さくしたことを特徴とする光磁気記録媒
体。 - （５）光磁気記録媒体が希土類−遷移金属系合金膜であ
り、保護膜の微小構造単位の大きさを５ｎｍ程度以下に
したことを特徴とする請求項（４）記載の光磁気記録媒
体。 - （６）スパッタ法を用い、室温以上の基板温度、２Ｗ／
ｃｍ＾２以上のターゲット投入電力で間欠的に基板上に
製膜することを特徴とする光磁気記録媒体の作製方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1174729A JPH0831218B2 (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | 光磁気記録媒体 |
| US08/079,356 US5518826A (en) | 1989-07-06 | 1993-06-21 | Magneto-optical recording medium and method of manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1174729A JPH0831218B2 (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0340246A true JPH0340246A (ja) | 1991-02-21 |
| JPH0831218B2 JPH0831218B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=15983636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1174729A Expired - Fee Related JPH0831218B2 (ja) | 1989-07-06 | 1989-07-06 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5518826A (ja) |
| JP (1) | JPH0831218B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5993937A (en) * | 1993-11-30 | 1999-11-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optic recording medium and method of fabricating the same |
| US6146740A (en) * | 1994-11-28 | 2000-11-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium and method of fabricating the same |
| US6579635B2 (en) | 2000-10-12 | 2003-06-17 | International Business Machines Corporation | Smoothing and stabilization of domain walls in perpendicularly polarized magnetic films |
| JP3802831B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2006-07-26 | 三星電子株式会社 | 加熱による化学反応と拡散を利用する化合物半導体及び化合物絶縁体の製造方法と、この方法による化合物半導体及び化合物絶縁体、これを利用する光電池、電子回路、トランジスター及びメモリー |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3382791T2 (de) * | 1982-12-15 | 1995-12-07 | Sharp Kk | Magneto-optischer Speicher. |
| US4615944A (en) * | 1983-05-17 | 1986-10-07 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Amorphous magneto optical recording medium |
-
1989
- 1989-07-06 JP JP1174729A patent/JPH0831218B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-06-21 US US08/079,356 patent/US5518826A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0831218B2 (ja) | 1996-03-27 |
| US5518826A (en) | 1996-05-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080327 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |