JPH034025Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH034025Y2 JPH034025Y2 JP1983197197U JP19719783U JPH034025Y2 JP H034025 Y2 JPH034025 Y2 JP H034025Y2 JP 1983197197 U JP1983197197 U JP 1983197197U JP 19719783 U JP19719783 U JP 19719783U JP H034025 Y2 JPH034025 Y2 JP H034025Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- pores
- reaction gas
- jig
- injection port
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
半導体装置の製造プロセスにおいて各種薄膜の
不要部分を除去するエツチングの工程がある。こ
の工程においてはパターンの微細化に伴い、また
汚染防止のためウエツトエツチング法からドライ
エツチング法に移つている。
不要部分を除去するエツチングの工程がある。こ
の工程においてはパターンの微細化に伴い、また
汚染防止のためウエツトエツチング法からドライ
エツチング法に移つている。
本考案はドライエツチングの中で、反応性ガス
の放電による活性化を利用したいわゆるプラズマ
エツチング装置に関するものである。
の放電による活性化を利用したいわゆるプラズマ
エツチング装置に関するものである。
まず従来の技術を説明する。現在アルミニウム
合金、多結晶シリコン、高融点金属およびそのシ
リサイド等のプラズマエツチングには、微細加工
性から主として第１図Ａにその構造断面図を示し
た平行平板形エツチング装置が用いられている。
この装置では上記薄膜を塩素のような吸着性の強
いガスを含む化合物ガスでエツチングし、反応生
成物として蒸気圧の低い化合物が生成される場合
に、ローデイング効果によつて試料ウエハすなわ
ち基板３の中心部分のエツチング速度が遅くな
る。このような現象を抑制する手段として反応性
ガス７を基板の中心近傍から注入することが行わ
れている。この場合には反応ガス注入口６では高
密度プラズマ１２が発生し、注入口６の付近には
反応性ガスの元素分を含む固形物１１が第１図Ｂ
に示すように付着し、この装置を長時間使用する
と固形付着物１１が基板３上に落ち、エツチング
マスクとなつて後の工程の大きな障害となるとい
う欠点がある。なお第１図中１は上部平板平状電
極、２は下部平板状電極、４はエツチング装置の
チヤンバ（減圧容器）、５は上部電極１を囲んで
下方にガス注入口６を設けたガス導入部、８はガ
ス流を調節するコンダクタンスバルブ、１０は排
気、９は高周波電源、１２は高密度プラズマであ
る。
合金、多結晶シリコン、高融点金属およびそのシ
リサイド等のプラズマエツチングには、微細加工
性から主として第１図Ａにその構造断面図を示し
た平行平板形エツチング装置が用いられている。
この装置では上記薄膜を塩素のような吸着性の強
いガスを含む化合物ガスでエツチングし、反応生
成物として蒸気圧の低い化合物が生成される場合
に、ローデイング効果によつて試料ウエハすなわ
ち基板３の中心部分のエツチング速度が遅くな
る。このような現象を抑制する手段として反応性
ガス７を基板の中心近傍から注入することが行わ
れている。この場合には反応ガス注入口６では高
密度プラズマ１２が発生し、注入口６の付近には
反応性ガスの元素分を含む固形物１１が第１図Ｂ
に示すように付着し、この装置を長時間使用する
と固形付着物１１が基板３上に落ち、エツチング
マスクとなつて後の工程の大きな障害となるとい
う欠点がある。なお第１図中１は上部平板平状電
極、２は下部平板状電極、４はエツチング装置の
チヤンバ（減圧容器）、５は上部電極１を囲んで
下方にガス注入口６を設けたガス導入部、８はガ
ス流を調節するコンダクタンスバルブ、１０は排
気、９は高周波電源、１２は高密度プラズマであ
る。
本考案は上記の欠点を取除くために行つたもの
で、本考案を実施した第２図によつて説明する。
第２図Ａは本考案の治具すなわち第２図Ｂにその
上面図を示すフツ素樹脂製多孔治具１３をガス注
入口６に取り付けた状況を示すガス注入口付近の
断面図である。この治具１３を取付けることによ
つて、ガス注入口およびその近傍における高密度
のプラズマ発生は抑制されるので、第１図Ｂのよ
うにガス注入口およびその近傍に固形物１１が付
着することは無くなり、製品の歩留りは大幅に向
上する。また付着物が無くなれば落下物も無くな
り、チヤンバ４内の清掃回数ははるかに少なくな
つて装置の非稼動時間が短縮されるので、生産高
も著しく向上するという効果がある。
で、本考案を実施した第２図によつて説明する。
第２図Ａは本考案の治具すなわち第２図Ｂにその
上面図を示すフツ素樹脂製多孔治具１３をガス注
入口６に取り付けた状況を示すガス注入口付近の
断面図である。この治具１３を取付けることによ
つて、ガス注入口およびその近傍における高密度
のプラズマ発生は抑制されるので、第１図Ｂのよ
うにガス注入口およびその近傍に固形物１１が付
着することは無くなり、製品の歩留りは大幅に向
上する。また付着物が無くなれば落下物も無くな
り、チヤンバ４内の清掃回数ははるかに少なくな
つて装置の非稼動時間が短縮されるので、生産高
も著しく向上するという効果がある。
次に第２図によつて本考案の治具についてさら
に詳しく説明する。この治具１３はフツ素樹脂た
とえばテフロン製で、上下面を貫通する多数の小
口径通路（以下細孔という）１４を設けてある栓
体で、ガス注入口６の全開口部を覆つて嵌まり込
むように取付けておく。反応性ガス７はこれらの
細孔１４を通つて流れるので、コンダクタンスは
小さくなるが細孔を多数設けることによつて、治
具部分のコンダクタンスを大きくすることができ
る。この治具１３は電気的に良好な絶縁物である
から、細孔部分への高電界の印加は避けられ、こ
の部分ではプラズマは発生しない。なお治具の材
質はフツ素樹脂（テフロン）に限られるものでは
なく、テフロンやアルミナ等通過ガスに反応し難
く、電気的に高絶縁性のものであればよい。細孔
１４は0.5〜２mmφ程度でよく、反応ガス７は多
数の細孔１４を通つてエツチング電極１と２の間
に注入され、治具の下方に生じたプラズマによつ
て基板３のプラズマエツチングが行われる。
に詳しく説明する。この治具１３はフツ素樹脂た
とえばテフロン製で、上下面を貫通する多数の小
口径通路（以下細孔という）１４を設けてある栓
体で、ガス注入口６の全開口部を覆つて嵌まり込
むように取付けておく。反応性ガス７はこれらの
細孔１４を通つて流れるので、コンダクタンスは
小さくなるが細孔を多数設けることによつて、治
具部分のコンダクタンスを大きくすることができ
る。この治具１３は電気的に良好な絶縁物である
から、細孔部分への高電界の印加は避けられ、こ
の部分ではプラズマは発生しない。なお治具の材
質はフツ素樹脂（テフロン）に限られるものでは
なく、テフロンやアルミナ等通過ガスに反応し難
く、電気的に高絶縁性のものであればよい。細孔
１４は0.5〜２mmφ程度でよく、反応ガス７は多
数の細孔１４を通つてエツチング電極１と２の間
に注入され、治具の下方に生じたプラズマによつ
て基板３のプラズマエツチングが行われる。
以上の説明のプラズマを利用したエツチングの
外に、薄膜生成装置などにプラズマを利用するこ
とは、低温で高エネルギが得られることから有効
範囲に極めて広い。本考案は種々な処理チヤンバ
内に各種のガスを注入する際に、ガス注入口付近
には高密度プラズマを発生させたくないという要
求がある場合に広い用途がある。
外に、薄膜生成装置などにプラズマを利用するこ
とは、低温で高エネルギが得られることから有効
範囲に極めて広い。本考案は種々な処理チヤンバ
内に各種のガスを注入する際に、ガス注入口付近
には高密度プラズマを発生させたくないという要
求がある場合に広い用途がある。
第１図は従来の平行平板形プラズマエツチング
装置の構造概要図Ａと、反応ガス注入口付近の固
形付着物の状態例図Ｂ、第２図は本考案治具を反
応ガス注入口に取付けた図Ａと、治具の上面図Ｂ
である。 １……上部電極、２は下部電極、３……試料ウ
エハ、４……チヤンバー、５……１を囲む反応ガ
ス通路の外囲、６……反応ガス注入口、７……反
応ガス、９……高周波電源、１０……排気、１１
……固形付着物、１２……高密度プラズマ、１３
……治具、１４……多数の小口径通路（細孔）。
装置の構造概要図Ａと、反応ガス注入口付近の固
形付着物の状態例図Ｂ、第２図は本考案治具を反
応ガス注入口に取付けた図Ａと、治具の上面図Ｂ
である。 １……上部電極、２は下部電極、３……試料ウ
エハ、４……チヤンバー、５……１を囲む反応ガ
ス通路の外囲、６……反応ガス注入口、７……反
応ガス、９……高周波電源、１０……排気、１１
……固形付着物、１２……高密度プラズマ、１３
……治具、１４……多数の小口径通路（細孔）。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 下部平板状電極の上に載せられた被処理ウエハ
の中心近傍に向かつて反応ガスを注入するために
上部平板状電極を囲むガス導入部に設けられた反
応ガス注入口のそれぞれに、 該反応ガス注入口の全開口部を覆つて嵌まり込
み、かつ、一面から他面に貫通する多数の細孔が
分散して設けられ、前記反応ガスに反応し難く、
かつ、電気的絶縁度の高い材料によつて成形され
た栓体が挿入嵌合され、 前記反応ガスが前記多数の細孔を通じてのみ注
入されるように構成したプラズマエツチング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19719783U JPS60106336U (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19719783U JPS60106336U (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | プラズマエツチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60106336U JPS60106336U (ja) | 1985-07-19 |
| JPH034025Y2 true JPH034025Y2 (ja) | 1991-02-01 |
Family
ID=30755322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19719783U Granted JPS60106336U (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60106336U (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57131372A (en) * | 1981-02-05 | 1982-08-14 | Seiko Epson Corp | Plasma etching device |
| JPS57202733A (en) * | 1981-06-09 | 1982-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dry etching device |
| JPS58132932A (ja) * | 1982-02-03 | 1983-08-08 | Matsushita Electronics Corp | プラズマ処理装置 |
-
1983
- 1983-12-23 JP JP19719783U patent/JPS60106336U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60106336U (ja) | 1985-07-19 |
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