JPH0340451B2 - - Google Patents
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- JPH0340451B2 JPH0340451B2 JP4932282A JP4932282A JPH0340451B2 JP H0340451 B2 JPH0340451 B2 JP H0340451B2 JP 4932282 A JP4932282 A JP 4932282A JP 4932282 A JP4932282 A JP 4932282A JP H0340451 B2 JPH0340451 B2 JP H0340451B2
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- transparent electrode
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Landscapes
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- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は低抵抗の透明電極を形成する方法に係
り、さらに具体的には透明電極に低抵抗金属の補
助電極を付設する方法の改良に関するものであ
る。
り、さらに具体的には透明電極に低抵抗金属の補
助電極を付設する方法の改良に関するものであ
る。
(b) 従来技術と問題点
例えばエレクトロルミネツセンス表示装置や液
晶表示装置のようなデイスプレイパネル等に用い
られる透明電極の低抵抗化を図るために、透明電
極に低抵抗金属の補助電極を付設する方法が採ら
れている。すなわち第１図および第２図に示すよ
うに、例えばガラス基板１上に線状の透明電極２
を形成し、その透明電極２上面の両側（あるいは
片側）に低抵抗金属の線巾の細い補助電極３を配
設した構成がとられている。ところで、従来この
ような補助電極３の形成は、透明電極２とは別の
ホトリソグラフ工程で形成しており、工程数の増
加、目合せの必要性、さらに使用するホトマスク
の加工限界により補助電極３の巾の下限が制限さ
れるという問題があつた。
晶表示装置のようなデイスプレイパネル等に用い
られる透明電極の低抵抗化を図るために、透明電
極に低抵抗金属の補助電極を付設する方法が採ら
れている。すなわち第１図および第２図に示すよ
うに、例えばガラス基板１上に線状の透明電極２
を形成し、その透明電極２上面の両側（あるいは
片側）に低抵抗金属の線巾の細い補助電極３を配
設した構成がとられている。ところで、従来この
ような補助電極３の形成は、透明電極２とは別の
ホトリソグラフ工程で形成しており、工程数の増
加、目合せの必要性、さらに使用するホトマスク
の加工限界により補助電極３の巾の下限が制限さ
れるという問題があつた。
(c) 発明の目的
本発明は前述の点に鑑みなされたもので、工程
が簡単でかつ乾式であり、しかも線巾が細く且つ
透明電極の透明性を十分維持できる補助電極の形
成方法の提供を目的とする。
が簡単でかつ乾式であり、しかも線巾が細く且つ
透明電極の透明性を十分維持できる補助電極の形
成方法の提供を目的とする。
(d) 発明の構成
上記目的を達成するために本発明は、絶縁基板
上に所定形状の透明電極を形成し前記透明電極の
上面を絶縁物で被覆した状態で、斜め上方より金
属膜を蒸着し、しかる後透明電極上の絶縁物表面
に被着した金属膜を当該絶縁物層とともに剥離し
て除去することにより、透明電極縁端部とその隣
接部に金属補助電極を形成することを特徴とする
ものである。
上に所定形状の透明電極を形成し前記透明電極の
上面を絶縁物で被覆した状態で、斜め上方より金
属膜を蒸着し、しかる後透明電極上の絶縁物表面
に被着した金属膜を当該絶縁物層とともに剥離し
て除去することにより、透明電極縁端部とその隣
接部に金属補助電極を形成することを特徴とする
ものである。
(e) 発明の実施例
以下本発明の実施例につき図面を参照して説明
する。
する。
第３図〜第６図は、本発明による透明電極の形
成方法を説明するための要部断面図で順次に示し
た工程図である。まず第３図に示すように、ガラ
ス基板１１上に例えばインジウム錫酸化物
（ITO）の透明電極となるべき透明導電膜１２ａ
を形成し、その導電膜１２ａ上に所定パターンの
例えばポジ形ホトレジスト層１４をパターニング
する。
成方法を説明するための要部断面図で順次に示し
た工程図である。まず第３図に示すように、ガラ
ス基板１１上に例えばインジウム錫酸化物
（ITO）の透明電極となるべき透明導電膜１２ａ
を形成し、その導電膜１２ａ上に所定パターンの
例えばポジ形ホトレジスト層１４をパターニング
する。
次にポジ形ホトレジスト層１４をマスクとして
透明導電膜１２ａをエツチングすることにより、
第４図に示すようにガラス基板１上に所定パター
ンの電極１２ｂを形成する。
透明導電膜１２ａをエツチングすることにより、
第４図に示すようにガラス基板１上に所定パター
ンの電極１２ｂを形成する。
しかる後、前記ホトレジスト層１４を除去せず
に、透明電極１２ｂの上面をホトレジスト層１４
で被覆した状態で、例えばアルミニウム蒸着機内
にセツトし、第５図に示すように斜めｄ方向より
アルミニウムを蒸着すると、ホトレジスト層１４
の表面、透明電極１２の側部縁端および基板１１
の上の隣接電極との間の間隙部の一部の巾ｅの面
にアルミニウム層１３ａが蒸着される。図から容
易に類推できるように、蒸着方向が斜めであるの
で例えば図の電極Ａと電極Ｂとの間隙部におい
て、電極Ａの影になる巾Ｓの部分はアルミニウム
層は蒸着されない。さらにレジスト層１４の厚さ
を調節して図に示す高さｈを加減するか、あるい
はアルミニウム蒸着方向ｄを調節すれば、基板１
１の上の蒸着の巾ｅも自由に調節することができ
る。
に、透明電極１２ｂの上面をホトレジスト層１４
で被覆した状態で、例えばアルミニウム蒸着機内
にセツトし、第５図に示すように斜めｄ方向より
アルミニウムを蒸着すると、ホトレジスト層１４
の表面、透明電極１２の側部縁端および基板１１
の上の隣接電極との間の間隙部の一部の巾ｅの面
にアルミニウム層１３ａが蒸着される。図から容
易に類推できるように、蒸着方向が斜めであるの
で例えば図の電極Ａと電極Ｂとの間隙部におい
て、電極Ａの影になる巾Ｓの部分はアルミニウム
層は蒸着されない。さらにレジスト層１４の厚さ
を調節して図に示す高さｈを加減するか、あるい
はアルミニウム蒸着方向ｄを調節すれば、基板１
１の上の蒸着の巾ｅも自由に調節することができ
る。
そのあとで化学薬品によりホトレジスト層１４
をその表面の金属蒸着膜とともに除去すると、第
６図のように補助電極１３ｂを付設した透明電極
１２ｂが得られる。 尚、透明電極１２ｂは前述
のITOの他にカドミウムインジウム酸化物
（CdO：In2O3）や酸化錫（SnO2）等でもよいし、
前記金属蒸着層は、金や銀等の他の金属で形成す
ることもできる。
をその表面の金属蒸着膜とともに除去すると、第
６図のように補助電極１３ｂを付設した透明電極
１２ｂが得られる。 尚、透明電極１２ｂは前述
のITOの他にカドミウムインジウム酸化物
（CdO：In2O3）や酸化錫（SnO2）等でもよいし、
前記金属蒸着層は、金や銀等の他の金属で形成す
ることもできる。
(f) 発明の効果
以上の説明から明らかなように本発明によれ
ば、取り扱い易い金属蒸着工程により簡単に、透
明電極の透明性を損うことなく、その低抵抗化が
可能となり、エレクトロルミネツセンス表示装置
や液晶表示装置のようなデイスプレイパネルやド
ツトマトリツクス表示パネル等に広く使用される
透明電極の抵抗が高いことに起因する障害を除去
できる等の効果がある。
ば、取り扱い易い金属蒸着工程により簡単に、透
明電極の透明性を損うことなく、その低抵抗化が
可能となり、エレクトロルミネツセンス表示装置
や液晶表示装置のようなデイスプレイパネルやド
ツトマトリツクス表示パネル等に広く使用される
透明電極の抵抗が高いことに起因する障害を除去
できる等の効果がある。
第１図は従来の透明電極の形成方法を説明する
ための要部上面図、第２図は第１図におけるＡ−
A′断面図、第３図〜第６図は本発明による透明
電極の形成方法を説明するための要部断面図で順
次に示した工程図である。 図面において、１はガラス基板、２は透明電
極、３は補助電極、１１はガラス基板、１２ａは
透明導電膜、１２ｂは透明電極、１３ａは金属蒸
着層、１３ｂは補助電極、１４はホトレジスト層
をそれぞれ示す。
ための要部上面図、第２図は第１図におけるＡ−
A′断面図、第３図〜第６図は本発明による透明
電極の形成方法を説明するための要部断面図で順
次に示した工程図である。 図面において、１はガラス基板、２は透明電
極、３は補助電極、１１はガラス基板、１２ａは
透明導電膜、１２ｂは透明電極、１３ａは金属蒸
着層、１３ｂは補助電極、１４はホトレジスト層
をそれぞれ示す。
Claims (1)
- １ 絶縁基板上に所定形状の透明電極を形成し、
前記透明電極の上面を絶縁物で被覆した状態で、
斜め上方より金属膜を蒸着し、しかる後、透明電
極上の絶縁物表面に被着した金属膜を当該絶縁物
層とともに剥離して除去することにより透明電極
の絶縁部および該絶縁部に隣接する基板面の一部
の領域に密接して、残余の金属蒸着膜よりなる金
属補助電極を形成することを特徴とする透明電極
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4932282A JPS58165213A (ja) | 1982-03-26 | 1982-03-26 | 透明電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4932282A JPS58165213A (ja) | 1982-03-26 | 1982-03-26 | 透明電極の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58165213A JPS58165213A (ja) | 1983-09-30 |
| JPH0340451B2 true JPH0340451B2 (ja) | 1991-06-19 |
Family
ID=12827732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4932282A Granted JPS58165213A (ja) | 1982-03-26 | 1982-03-26 | 透明電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58165213A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8889998B2 (en) | 2010-03-09 | 2014-11-18 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Conductor structure, transparent device, and electronic device |
-
1982
- 1982-03-26 JP JP4932282A patent/JPS58165213A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58165213A (ja) | 1983-09-30 |
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