JPH0373083B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0373083B2 JPH0373083B2 JP57020257A JP2025782A JPH0373083B2 JP H0373083 B2 JPH0373083 B2 JP H0373083B2 JP 57020257 A JP57020257 A JP 57020257A JP 2025782 A JP2025782 A JP 2025782A JP H0373083 B2 JPH0373083 B2 JP H0373083B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent electrode
- forming
- transparent
- electrode
- conductive film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は低抵抗の透明電極を形成する方法に係
り、さらに具体的には透明電極に低抵抗金属の補
助電極を付設する方法の改良に関するものであ
る。
り、さらに具体的には透明電極に低抵抗金属の補
助電極を付設する方法の改良に関するものであ
る。
(b) 従来技術と問題点
例えばエレクトロルミネツセンス表示装置や液
晶表示装置のようなデイスプレイパネル等に用い
られる透明電極の低抵抗化を図るために、透明電
極に低抵抗金属の補助電極を付設する方法が採ら
れている。すなわち、第１図および第２図に示す
ように、例えばガラス基板１上に線状の透明電極
２を形成し、その透明電極２上面の両側（あるい
は片側）に低抵抗金属の線幅の細い補助電極３を
配設した構成が採られている。ところで、従来こ
のような補助電極３の形成は、透明電極２とは別
のホトリソグラフ工程で形成しており、工程数の
増加、目合せの必要性、さらに使用するホトマス
クの加工限界により補助電極３の幅の下限が制限
されるという問題があつた。
晶表示装置のようなデイスプレイパネル等に用い
られる透明電極の低抵抗化を図るために、透明電
極に低抵抗金属の補助電極を付設する方法が採ら
れている。すなわち、第１図および第２図に示す
ように、例えばガラス基板１上に線状の透明電極
２を形成し、その透明電極２上面の両側（あるい
は片側）に低抵抗金属の線幅の細い補助電極３を
配設した構成が採られている。ところで、従来こ
のような補助電極３の形成は、透明電極２とは別
のホトリソグラフ工程で形成しており、工程数の
増加、目合せの必要性、さらに使用するホトマス
クの加工限界により補助電極３の幅の下限が制限
されるという問題があつた。
(c) 発明の目的
本発明は前述の点に鑑みなされたもので、工程
が簡単で、しかも線幅が細く透明電極の透明性を
充分維持できる補助電極の形成方法の提供を目的
とするものである。
が簡単で、しかも線幅が細く透明電極の透明性を
充分維持できる補助電極の形成方法の提供を目的
とするものである。
(d) 発明の構成
本発明は、両側端縁部に細幅の金属層を有する
透明電極を形成する方法であつて、絶縁基板上に
透明導電膜を形成した後所定形状の絶縁物を被覆
し、該透明導電膜をエツチングして所定形状の透
明電極を形成する工程、前記絶縁物を残した状態
で金属メツキ処理を施して、該絶縁物で被覆され
ない透明電極の端縁部に金属メツキ層を形成する
工程を含んでなることを特徴とするものである。
透明電極を形成する方法であつて、絶縁基板上に
透明導電膜を形成した後所定形状の絶縁物を被覆
し、該透明導電膜をエツチングして所定形状の透
明電極を形成する工程、前記絶縁物を残した状態
で金属メツキ処理を施して、該絶縁物で被覆され
ない透明電極の端縁部に金属メツキ層を形成する
工程を含んでなることを特徴とするものである。
(e) 発明の実施例
以下、本発明の実施例につき図面を参照して説
明する。
明する。
第３図〜第６図は本発明による透明電極の形成
方法を説明するための要部断面図で順次に示した
工程図である。まず第３図に示すように、ガラス
基板１１上に例えばインジウム錫酸化物（ITO）
の透明電極となるべき透明導電膜１２ａ（例えば
膜厚1μｍ程度）を形成し、その導電膜１２ａ上
に所定パターンの例えばポジ形ホトレジスト層１
３をパターニングする。そして前記ホトレジスタ
層１３をマスクとして透明導電膜１２ａをエツチ
ングすることにより、第４図に示すように、ガラ
ス基板１１上に所定パターンの透明電極１２ｂを
形成する。この際エツチング液として塩酸を用
い、40℃の液温でエツチングを行うと、透明電極
１２ｂの端縁部が傾斜をもつた形状となる。しか
る後、前記ホトレジスト層１３を除去しないで、
透明電極１２ｂの上面をそのホトレジスト層１３
で被覆した状態で、例えば硫酸銅と硫酸の電解液
を用いて、前記透明電極１２ｂを陰極として電解
メツキを行うと、第５図に示すごとく、透明電極
１２ｂの端縁部のみに銅からなる金属メツキ層１
４が形成される。そしてホトレジスト層１３を除
去すると第６図に示すように、ガラス基板１１上
には両側に銅の金属メツキ層１４で構成される低
抵抗の補助電極を付設した透明電極１２ｂが得ら
れる。
方法を説明するための要部断面図で順次に示した
工程図である。まず第３図に示すように、ガラス
基板１１上に例えばインジウム錫酸化物（ITO）
の透明電極となるべき透明導電膜１２ａ（例えば
膜厚1μｍ程度）を形成し、その導電膜１２ａ上
に所定パターンの例えばポジ形ホトレジスト層１
３をパターニングする。そして前記ホトレジスタ
層１３をマスクとして透明導電膜１２ａをエツチ
ングすることにより、第４図に示すように、ガラ
ス基板１１上に所定パターンの透明電極１２ｂを
形成する。この際エツチング液として塩酸を用
い、40℃の液温でエツチングを行うと、透明電極
１２ｂの端縁部が傾斜をもつた形状となる。しか
る後、前記ホトレジスト層１３を除去しないで、
透明電極１２ｂの上面をそのホトレジスト層１３
で被覆した状態で、例えば硫酸銅と硫酸の電解液
を用いて、前記透明電極１２ｂを陰極として電解
メツキを行うと、第５図に示すごとく、透明電極
１２ｂの端縁部のみに銅からなる金属メツキ層１
４が形成される。そしてホトレジスト層１３を除
去すると第６図に示すように、ガラス基板１１上
には両側に銅の金属メツキ層１４で構成される低
抵抗の補助電極を付設した透明電極１２ｂが得ら
れる。
このように本発明によれば、透明電極１２ｂを
形成する際に用いたホトレジスト層１３をマスク
として、透明電極１２ｂの端縁部に補助電極とな
る低抵抗の金属メツキ層１４を形成することがで
きるので、工程の簡略化が可能となる。また透明
電極１２ｂをパターンニングする際のエツチング
液温や組成などのエツチング条件により、透明電
極１２ｂ端縁部に形成される傾斜を変えて、金属
メツキ層１４つまり補助電極の幅も制御すること
ができる。
形成する際に用いたホトレジスト層１３をマスク
として、透明電極１２ｂの端縁部に補助電極とな
る低抵抗の金属メツキ層１４を形成することがで
きるので、工程の簡略化が可能となる。また透明
電極１２ｂをパターンニングする際のエツチング
液温や組成などのエツチング条件により、透明電
極１２ｂ端縁部に形成される傾斜を変えて、金属
メツキ層１４つまり補助電極の幅も制御すること
ができる。
なお、透明電極１２ｂは前述のITOの他にイン
ジウムカドミウム酸化物（In2O3：CdO）や酸化
錫（SnO2）等でもよいし、前記金属メツキ層１
４は銅以外に銀（Ag）、金（Au）等の他の金属
で形成することもできる。さらに金属メツキ層の
形成は電解メツキ以外に無電解メツキによること
も可能である。
ジウムカドミウム酸化物（In2O3：CdO）や酸化
錫（SnO2）等でもよいし、前記金属メツキ層１
４は銅以外に銀（Ag）、金（Au）等の他の金属
で形成することもできる。さらに金属メツキ層の
形成は電解メツキ以外に無電解メツキによること
も可能である。
(f) 発明の効果
以上の発明から明らかなように本発明によれ
ば、簡単な工程により、透明電極の大部分の透明
性を損なうことなく透明電極の低抵抗化が可能と
なり、エレクトロルミネツセンス表示装置や液晶
表示装置のようなデイスプレイパネルや座標検出
パネル等における透明電極の抵抗が高いことに起
因する障害を除去できる等の効果がある。
ば、簡単な工程により、透明電極の大部分の透明
性を損なうことなく透明電極の低抵抗化が可能と
なり、エレクトロルミネツセンス表示装置や液晶
表示装置のようなデイスプレイパネルや座標検出
パネル等における透明電極の抵抗が高いことに起
因する障害を除去できる等の効果がある。
第１図は従来の透明電極の形成方法を説明する
ための要部上面図、第２図は第１図におけるＡ−
A′断面図、第３図〜第６図は本発明による透明
電極の形成方法を説明するための要部断面図で順
次に示した工程図である。 図面において、１１はガラス基板、１２ａは透
明導電膜、１２ｂは透明電極、１３はホトレジス
ト層、１４は金属メツキ層をそれぞれ示す。
ための要部上面図、第２図は第１図におけるＡ−
A′断面図、第３図〜第６図は本発明による透明
電極の形成方法を説明するための要部断面図で順
次に示した工程図である。 図面において、１１はガラス基板、１２ａは透
明導電膜、１２ｂは透明電極、１３はホトレジス
ト層、１４は金属メツキ層をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 両側端縁部に細幅の金属層を有する透明電極
を形成する方法であつて、 絶縁基板１１上に透明導電膜１２ａを形成した
後所定形状の絶縁物１３を被覆し、該透明導電膜
をエツチングして所定形状の透明電極１２ｂを形
成する工程、 前記絶縁物１３を残した状態で金属メツキ処理
を施して、該絶縁物で被覆されない透明電極１２
ｂの端縁部に金属メツキ層１４を形成する工程 を含んでなることを特徴とする透明電極の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2025782A JPS58137908A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 透明電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2025782A JPS58137908A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 透明電極の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58137908A JPS58137908A (ja) | 1983-08-16 |
| JPH0373083B2 true JPH0373083B2 (ja) | 1991-11-20 |
Family
ID=12022137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2025782A Granted JPS58137908A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 透明電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58137908A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS614212A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-10 | Canon Inc | シ−トコイルの製造方法 |
| JPS616817A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-13 | Canon Inc | シ−トコイルの製造方法 |
| US8889998B2 (en) | 2010-03-09 | 2014-11-18 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Conductor structure, transparent device, and electronic device |
-
1982
- 1982-02-09 JP JP2025782A patent/JPS58137908A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58137908A (ja) | 1983-08-16 |
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