JPH0341066A - 2―置換アミノカルボニル―4―メルカプトピロリジン誘導体 - Google Patents

2―置換アミノカルボニル―4―メルカプトピロリジン誘導体

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JPH0341066A
JPH0341066A JP2178208A JP17820890A JPH0341066A JP H0341066 A JPH0341066 A JP H0341066A JP 2178208 A JP2178208 A JP 2178208A JP 17820890 A JP17820890 A JP 17820890A JP H0341066 A JPH0341066 A JP H0341066A
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nitrobenzyloxycarbonyl
proline
lower alkyl
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JP2178208A
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Jun Sunakawa
洵 砂川
Haruki Matsumura
松村 春記
Takaaki Inoue
井上 孝明
Masatomo Fukazawa
深澤 万左友
Masuhiro Kato
益弘 加藤
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Sumitomo Pharma Co Ltd
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Sumitomo Pharmaceuticals Co Ltd
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    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
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  • Pyrrole Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般式CI) 〔式中、R1は水素原子を、R2は水素原子またはアミ
ノ基の保護基を、R2は水素原子、低級アルキル基、低
級アルケニル基、アラルキル基、もしくは置換低級アル
キル基を、およびR4は低級アルキル基、低級アルケニ
ル基、アラルキル基、もしくは置換低級アルキル基を、
あるいはR1およびR4は互いに結合せるアルキレン鎖
または酸素原子、硫黄原子もしくは低級アルキル置換窒
素原子を介するアルキレン鎖を表して隣接する窒素原子
とともに4〜7員環の環状アミノ基を示す。
〕 で表される新規な2−置換アミノカルボニル−4−メル
カプトピロリジン誘導体に関する。
前記一般式(I)中、R2におけるアミノ基の保護基と
しては、好適には例えばtert−ブチルオキシカルボ
ニルのような低級アルコキシカルボニル基、例えば2−
ヨウ化エチルオキシカルボニル2.2.2−)リクロロ
エチルオキシカルボニルのようなハロゲノアルコキシカ
ルボニル基、例えばベンジルオキシカルボニル、p−メ
トキシベンジルオキシカルボニル、0−ニトロベンジル
オキシカルボニル、p−ニトロベンジルオキシカルボニ
ルのようなアラルキルオキシカルボニル基、例えばトリ
メチルシリル、tert−ブチルジメチルシリルのよう
なトリアルキルシリル基である。
R1またはR4における低級アルキル基としては例えば
メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブ
チル等の炭素数1〜4の低級アルキル基を、低級アルケ
ニル基としては例えばプロペニル、ブテニル等の炭素数
2〜4のアルケニル基を、アラルキル基としては例えば
ベンジル、置換ベンジル、フェネチル等のフェニル基も
しくは置換フェニル基で置換された炭素数1〜3のアル
キル基を、置換低級アルキル基としては例えば水酸基、
ジ低級アルキルアミノ基、カルバモイル基等で置換され
たメチル、エチル、n−プロピル等の炭素数1〜4の低
級アルキル基を挙げることができる。
またR2およびR4が互いに結合せるアルキ1./ン鎖
または酸素原子、硫黄原子もしくは低級アルキル置換窒
素原子を介するアルキレン鎖を表して、隣接する窒素原
子と共に4〜7員環の環状アミノ基を示す場合としては
、例えばアゼチジノ基、ピペリジノ基、ピロリジノ基、
モルホリノ基、チオモルホリノ基、N−メチルピペラジ
ノ基等を挙げることができる。
なお、前記一般式(1)で示される化合物は2位および
4位の不斉炭素に基く光学異性体および立体異性体が存
在し、これらの異性体が便宜上すべて単一の式で示され
ているが、これによって本発明の記載の範囲は限定され
るものではない。しかしながら、好適には、(2S、4
S)配位、〔2R,4R)配位の化合物を挙げることが
できる本発明者らは前記一般式CI)で示される本発明
化合物が優れた抗菌活性を有するペネムあるいはカルバ
ペネム化合物の重要な合成中間体として有用な化合物で
あることを見い出し本発明を完成した。
本発明によって得られる前記一般式(1)を有する化合
物としては、例えば以下に記載する化合物を挙げること
ができる。
(1)2−メチルアミノカルボニル−4−メルカプトピ
ロリジン (2)2−エチルアミノカルボニル−4−メルカプトピ
ロリジン (3)2−n−プロピルアミノカルボニル−4−メルカ
プトピロリジン (4)2−イソプロピルアミノカルボニル−4−メルカ
プトピロリジン (5)2−n−ブチルアミノカルボニル−4−メルカプ
トピロリジン (6)2−イソブチルアミノカルボニル−4−メルカプ
トピロリジン (7)2−ジメチルアミノカルボニル−4−メルカプト
ピロリジン (8)2−ジエチルアミノカルボニル−4−メルカプト
ピロリジン (9)2−ジ−n−ブチルアミノカルボニル−4−メル
カプトピロリジン (10) 2−ジイソプロピルアミノカルボニル−4−
メルカプトピロリジン (11) 2−ジ−n−ブチルアミノカルボニル−4−
メルカプトピロリジン (12) 2−ジイソブチルアミノカルボニル−4−メ
ルカプトピロリジン (13) 2−エチルメチルアミノカルボニル−4−メ
ルカブトビロリジン (14)2−n−ブチルメチルアミノカルボニル−4−
メルカプトピロリジン (15)2−n−ブチルエチルアミノカルボニル−4−
メルカプトピロリジン (16) 2− (2−ヒドロキシルエチル)アミノカ
ルボニル−4−メルカプトピロリジン (17)2−(3−ヒドロキシルプロピル)アミノカル
ボニル−4−メルカプトピロリジン (18)2−(2−ヒドロキシルプロピル)アミノカル
ボニル−4−メルカプトピロリジン (19)2−(2−ヒドロキシ−l−メチルエチル)ア
ミノカルボニル−4−メルカプト−ピロリジン (20)2−(2−ジメチルアミノエチル)アミノカル
ボニル−4−メルカプトピロリジン (21)2−(2−ジエチルアミノエチル)アミノカル
ボニル−4−メルカプトピロリジン (22) 2− (3−ジメチルアミノプロピル)アミ
ノカルボニル−4−メルカプトピロリジン(23) (24) (25) (26) 2−(3−ジエチルアミノプロピル)アミノカルボニル
−4−メルカプトピロリジン2−(2−ジメチルアミノ
エチル)エチルアミノカルボニル−4−メルカプト−ピ
ロリジン 2−(2−ジエチルアミノエチル)エチルアミノカルボ
ニル−4−メルカプト−ピロリジン 2−(2−カルバモイルメチル)アミノカルボニル−4
−メルカプトピロリジン (27) 2−(2−カルバモイルエチル)アミノカルボニル−4
−メルカプトピロリジン (28) 2−ベンジルアミノカルボニル−4−メルカプトピロリ
ジン (29) (30) (31) 2−(2−ヒドロキシルエチル)メチルアミノカルボニ
ル−4−メルカプトピロリジン2−(2−ヒドロキシル
エチル)エチルアミノカルボニル−4−メルカプトピロ
リジン2−(2−ジメチルアミノエチル)メチルアミノ
カルボニル−4−メルカプトピロリジン32) 2−ベ
ンジルメチルアミノエルボニル−4−メルカプトピロリ
ジン (33) 2−ベンジルエチルアミノカルボニル−4−
メルカプトピロリジン (34)2−(1−アゼチジノ力ルボニル)−4−メル
カプトピロリジン (35)2−(1−ピロリジノカルボニル)−4−メル
カプトピロリジン (36)2−(1−ピペリジノカルボニル)−4−メル
カプトピロリジン (37)2−(1−モルホリノカルボニル)−4−メル
カプトピロリジン (38)2−(1−チオモルホリノカルボニル)−4−
メルカプトピロリジン (39) 2− (1−N−メチルピペラジノカルボニ
ル)−4−メルカプトピロリジン (40)2−(1−N−エチルピペラジノカルボニル)
−4−メルカプトピロリジン 本例示化合物においては前述したように立体異性体か存
在し、単一の名称であげたが、それによって何ら限定さ
れるものではない。しかしながら好適なものとして、(
2S、43)、(2R,4R)配位を有するものを挙げ
ることかできる。
以下に本発明化合物の製造方法について詳細に述べる。
(式中、R2、R1およびR4は前述と同し意味を、R
1はアセチル、プロピオニル、ベンゾイル、フェニルア
セチル等のアシル基、あるいはエトキシカルボニル基を
示す。) で表されるピロリジン誘導体を加水分解反応または加溶
媒分解反応に付すことにより一般式(I)で表される2
−置換アミノカルボニル−4−メルカプトピロリジン誘
導体を製造することができる本反応は水酸化ナトリウム
、水酸化カリウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウム
エトキシド、リチウムメトキシド、リチウムエトキシド
、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム
等の塩基の存在下で行う。
本反応で使用する不活性溶媒としてはメタノール、エタ
ノール、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、ジオキ
サン、アセトン、塩化メチレンなどの有機溶媒およびこ
れらの有機溶媒の混合溶媒、水、およびさきの有機溶媒
と水との混合溶媒を挙げることかできる。
反応温度は特に限定はないが、副反応を抑制するため一
20°C〜40°Cの範囲で実施することが好ましい。
反応終了後は通常の有機化学的手法によって成績体を取
り出すことができる。例えば、反応混合物を塩酸、硫酸
、リン酸、酢酸などの酸により中和し、水と分離する有
機溶媒にて抽出、水洗の後、溶媒を留去することにより
得ることができる。
なお、原料のピロリジン誘導体(II)は各種の方法に
よって製造することが可能であるが、例えば以下に示す
方法によって、トランス−4−ヒドロキシ−L−プロリ
ンよを原料化合物として2S配位を有するピロリジン誘
導体(IIa)、  (IIb〕、あるいは(I[c)
を製造することができる。
(IIa) (IIb) (Irb) 〔式中、R3、R4およびRsは前述と同じ意味を有す
る。R1はアミノ基の保護基を示し、R7はカルボキシ
ル基の保護基を示す。〕 A工程 一般によく用いられる各種公知のアミノ酸のア
ミノ基の保護反応によって容易に達成することができ、
例えば塩基の存在下でアリールメチルオキシカルボニル
クロリド等と反応させる方法、あるいはS−アシル−4
,6−ジメチル−2−メルカプトピリミジン等を用いる
方法等を挙げることができる。
B工程 カルボン酸よりエステルを得る各種の公知の方
法が可能であるが、例えば塩基の存在下でカルボン酸2
を各種のアルキルハライドあるいはアラルキルハライド
等と反応させることにより達成することができる。
C工程 水酸基を保護されたチオール基に変換する各種
の公知方法か可能であるが、例えば水酸基の活性エステ
ル体に誘導後、チオ酢酸、チオ安息香酸、トリチルメル
カプタン等の各種のチオ化試薬と塩基存在下で反応させ
ることにより達成することができる。
また本工程はアルコール誘導体をトリフェニルホスフィ
ン、ジエチルアゾジカルボキシレートの存在下に、テト
ラヒドロフラン等の不活性溶媒中、チオ酢酸等のチオ化
試薬と反応させても得ることかできる。
D工程 エステルをカルボキシル基に変換する各種公知
の方法が可能であるが、例えばアルカリ加水分解、トリ
フルオロ酢酸、臭化水素酸等を用いる酸による方法、ま
たは亜鉛を用いる還元的方法によって行うことができる
C工程 カルボン酸をアミド基に変換する各種の公知の
方法が可能であるが、例えばカルボン酸基をハロゲン化
剤、アシル化剤等によって、活性エステル誘導体とし、
一般式 で表されるアミンと処理する方法によって達成される。
F工程 水酸基をカルボニル基に変換する各種公知の酸
化反応が可能であるが、例えばアセトン中クロム酸−硫
酸等の酸化反応によって達成することができる。
C工程 カルボニル基を水酸基に変換する各種公知の還
元反応が可能であるが、例えば水素化ホウ素ナトリウム
等で処理することにより化合物見とユの水酸基の立体が
異なる化合物見の混合物を得ることができる。
なお、之と旦の生成比は条件によって異なるか、それぞ
れの化合物は再結晶、クロマトグラフィー等の精製によ
り単一化合物として得ることができる。
4位水酸基の異性化は上記FおよびC工程を経て達成す
ることができるか、次に述べるHおよび■工程を経る方
法によっても達成することかできる。
H・■工程 アルコール誘導体をトリフェニルホスフィ
ン、ジエチルアゾジカルボキシレートの存在下に、テト
ラヒドロフラン等の不活性溶媒中でギ酸と反応させホル
ミルオキシ誘導体世とした後、アルカリ加水分解等の方
法により、ホルミル基をを除去することによって達成す
ることかできるJ工程 一般によく用いられる各種公知
のアミン基の脱保護法が可能であるが、例えばトリフル
オロ酢酸や臭化水素酸等の酸を用いる方法、亜鉛やりチ
ウム−液体アンモニア等を用いる還元的方法、あるいは
接触還元等によって達成することができる。
また2R体のピロリジン誘導体(II)の製造にあたっ
ては原料化合物としてシス−4−ヒドロキシ−D−プロ
リンを用いる前述の2S体の製造法に準じて、すなわち
、23体の製造で述べた諸反応を組合せることによって
製造することかできる以上の方法で得られた本発明の化
合物CI)は下記の反応式に示す方法により、優れた抗
菌活性を有するペネム、あるいはカルバペネム化合物に
〔式中、R,、R,、R,およびR1は前述と同じ意味
を有する。R1は水酸基の保護基を示す。
〕 次に実施例、参考例をあげて本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明はもちろんこれらによって何ら限
定されるものではない。
なお以下の実施例および参考例で用いた略号の意味は次
のとおりである。
PNZ  :  p−ニトロベンジルオキシカルボニル
 基PMZ  :  I)  −メトキシベンジルオキ
ン力ルポニル基PMB : p−メトキシベンジル基 PNB : p−二トロベンジル基 Ph :フェニル基 AC=アセチル基 tBu:t−ブチル基 Me =メチル基 Et :エチル基 参考例1−1 PNZ トランス−4−ヒドロキシ−L−プロリン(6゜55g
)、トリエチルアミン(7,51dりを水(15yrt
l)に溶解させ、これに室温で5−p−二トロペンジル
オキシカルボニル−4,6−ジメチル−2−メルカプト
ピリミジン(15,95g)のジオキサン(35rnI
)溶液を滴下し、そのまま室温で1.5時間攪拌し、−
夜装置した。反応液に水冷下2N−水酸化ナトリウム(
3Lxj’)を加えエーテルで抽出、エーテル層をIN
−水酸化ナトリウム(20−)で洗浄後アルカリ水層を
合わせ、2N−塩酸水(100rd)を用いて酸性とし
、これを酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を2N−
塩酸水で順次洗浄し、芒硝乾燥、溶媒留去し、得られる
粗結晶を酢酸エチルでリパルプ精製してトランス1−(
p−二トロペンジルオキシカルボニル〉−4−ヒドロキ
シ−L−プロリンを得た。
m、p、  134.3〜135.5℃IR,,,cm
−’(Nujol): 3300(br)、 1738
.1660゜16α5.1520.1340.1205
゜1172、1070.965 参考例1−2 トランス−1−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル
)−4−ヒドロキシ−L−プロリン(15、Og))リ
エチルアミン(13,5J)を乾燥ジメチルホルムアミ
ド(150rILl)に溶解させ、窒素気流下、p−メ
トキシベンジルクロリド(12,66m1)を滴下し、
70℃で10時間攪拌した。反応液を酢酸エチル(50
0rd)で希釈し、水洗、芒硝乾燥、溶媒留去し、残渣
をエーテルから結晶化しトランス−1−(p−ニトロベ
ンジルオキシカルボニル)−4−ヒドロキシ−L−プロ
リン−p−メトキシベンジルエステルを得た。
m、p、  83〜85°C IR,、、cr’(film) : 3430.173
5.1705.1510゜1340、1245.116
0 参考例1−3 トランス−1−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル
)−4−ヒドロキシ−し−プロリン−p−メトキシベン
ジルエステル(8,6g) 、トリフェニルホスフィン
(7,86g)を乾燥テトラヒドロフラン(201nl
)に溶解し、水冷、窒素気流下、ジエチルアゾジカーボ
ネー) (5,22g)の乾燥テトラヒドロフラン(5
−)溶液を滴下しそのままで30分間攪拌した後、チオ
酢酸(2,28g)を滴下し、水冷下1時間、その後室
温で3時間攪拌し、反応液を濃縮。残渣をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーに付し、シス−1−(p−ニト
ロベンジルオキシカルボニル)−4−アセチルチオ−L
−プロリン−p−メトキシベンジルエステル得た。
[R,、、cr’(film) : 1740(sh)
、 1715.1520゜1405、 1348. 1
12O MR δ(CDC1,) :  2.31(3H,S)、3.79(3H,s)、
5、10(28,s)、5.24(2H,s)、7.4
9(2H,d、J=9.0Hz)、8.18(2H,d
、J=9.0Hz)参考例1−4 シス−1−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)−
4−アセチルチオ−L−プロリン−p−メトキシベンジ
ルエステル(9,76g) 、アニソール(4,32g
)をトリフロロ酢酸(35rILl)とともに30分室
温で攪拌。減圧下濃縮し残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーに付し、シス−1−(p−ニトロベンジル
オキシカルボニル)−4−アセチルチオ−L−プロリン
を得た。
m、p、  107〜109℃ IR,、、cm−’(Nujol) :1725.16
85.1660(sh)。
1340、1180.1110 参考例1−5 ニル)−4−アセチルチオ−L−プロリン(180■)
を乾燥テトラヒドロフラン(2rd)にとかし、ジメチ
ルアミン塩酸塩(48■)、N、N−ジメチルアミンピ
リジン(78■)、ジシクロへキシルカルボジイミド(
152■)を順次加え、−夜攪拌した。不溶物を濾去し
、濾液を酢酸エチルで希釈し、希塩酸、水で順次洗浄し
、芒硝乾燥、溶媒留去し、残渣を、シリカゲルクロマト
グラフィーに付しく2S、4S)−1−(p−ニトロベ
ンジルオキシカルボニル)−2−ジメチルアミノカルボ
ニル−4−アセチルチオピロリジンを得た。
[R,、、cm−’(film) : 1705.16
50. 1515. 1400゜1340、 11l1 05N  δ(CDCIs)  :  2.32(3H
,s)、2.97(3H,s)、3、11(3H,S)
、5.21(2B、 s)、8、18(2H,d、 J
=8.5Hz)(α) !’+ 5.21 ’ (c 
=0.379 Tセ) ン)以下参考例1−5と同様に
して各々対応するアミンを用いて以下のチオアセテート
を得た。
参考例2−1 オキザリルクロリド(0,2ml>の乾燥塩化メチレン
(5−)溶液に−60〜−70’Cでジメチルスルホキ
シド(0,35m1)の乾燥塩化メチレン溶液(1−)
に滴下し、10分後、トランス−1−(p−ニトロベン
ジルオキシカルボニル)−4−ヒドロキシ−L−プロリ
ン p−メトキシベンジルエステル(860■)の乾燥
塩化メチレン溶液(10m0を一50°C以下で滴下し
、05分間攪拌した。次にトリエチルアミン(1,01
g)を滴下し、室温まで加温、塩化メチレンで希釈し、
希塩酸水で洗浄し、芒硝乾燥、溶媒留去、残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーに付し、1−(pニトロ
ベンジルオキシカルボニル)−4−オキソ−L−プロリ
ン p−メトキシベンジルエステル rR,、、cm−’(film):  1762. 1
740. 1710. 1512゜1345、 124
5. 1155 NMRδ(CDC12)    :  3.78(3H
,s)、3.95(2H,s)、5.08(2H,s)
、6.85(2H,d、 J=9H2)、8.12(2
H,d、J=9H2)参考例2−2 NZ 1−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)−4−オ
キソ−L−プロリン p−メトキシベンジルエステル(
650■)をエタノール(45mj’)にとかし、室温
で、水素化ホウ素ナトリウム(86■)を2回にわけて
加える。30分後、300以下で減圧濃縮し、濃縮液を
酢酸エチルで希釈し、水洗、芒硝乾燥、溶媒留去後、残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、シス
−l−<p−ニトロベンジルオキシカルボニル)−4−
ヒドロキシ−L−プロリン p−メトキシベンジルエス
テルとトランス−1−(p−ニトロベンジルオキシカル
ボニル)−4−ヒドロキシ−L−プリン p−メトキシ
ベンジルエステルを得た。
トランス体: IR,NMRは参考例1−2の化合物の
スペクトルデータと一致し た。
シス体: [R,、、Cm−’(film): 340
0(br)、 1725゜1515、1405.135
0. 1250゜1170、112O NMRδ(CDCIg)  : 3.78(3H,s)
、5、08(2)(、s)、6.82(2H,d、 J
=9Hz)、 8.12(2)1.d、J=9Hz)参
考例2−3 シス−1−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)−
4−ヒドロキシ−L−プロリン p−メトキシベンジル
エステル(610■)ヲ用いて、参考例1−3および1
−4と同様の方法によりトランス−1−(p−ニトロベ
ンジルオキシカルボニル)−4−アセチルチオ−L−プ
ロリンを得たILax  cm−’(f+1m) NMR δ(CDC13) :〜3000. 1700.  +515. 1430
1400、 1345. 1205. 1165:  
2.32(3H,S)、5.20(2H,br。
S)、7.’ 42(2H,d、 J=9Hz)、8.
12(2H,d、J=9Hz) 参考例3−1 シス−4−ヒドロキシ−D−プロリンより参考例1−1
および1−2と同様の方法により得たシス−1−p−ニ
トロペンジル才キシカルボニルー4−ヒドロキシ−D−
プロリン−p−メトキシベンジルエステル(166■)
と、トリフェニルホスフィン(202■)を乾燥テトラ
ヒドロフラン(1,5mt’)にとかし、次にギ酸(2
7■)を加える。さらにジエチルアゾジカーボネー)(
134■)を室温窒素気流下で加え、30分攪拌後、溶
媒留去。残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製し
、トランス−1−p−ニトロベンジルオキシカルボニル
−4−ホルミルオキシ−D−プロリン−p−メトキシベ
ンジルエステルを得た。
IR=、、 am−’(film) : 1720.1
515.1402.1342゜1245、1165.1
120゜ NMRδ(CDCh)   : 3.76(3H,s)
、4.50(2H,t、 J雰8Hz)、5.08(2
8,s)、 5、15(2H,ABq、 J=16Hz)、5.41
(IH,m)、7.97(IH,s)参考例3−2 NZ NZ トランス−t−p−二トロペンジルオキシ力ルボニルー
4−ホルミルオキシ〜D−プロリンーp−メトキシベン
ジルエステル(215■)をテトラヒドロフラン(1,
1d)にとかし、I N −Na0H(0,93d )
を加え、10分攪拌後、酢酸エチルで希釈し、飽和食塩
水で洗浄。芒硝乾燥後溶媒留去。残渣を薄層クロマトグ
ラフィーで精製し、トランス−t−p−ニトロベンジル
オキシカルボニル−4−ヒドロキシ−D−プロリン−p
−メトキシベンジルエステルを得た。
[R,、、cm−’(film) : 3425(br
)、 1735.1705゜1510、1400.13
40.1240゜162 NMRδ(CDCIg)   : 2.33(2H,m
)、3、58(2H,d、 J=3.5Hz)、3、7
3(3H,s)、5.03(2H,s)、5、07(2
H,ABq、 J=18Hz)、6、73(2H,d、
 J=9)1z)、6、77(2H,d、 J=9)1
z)、8、00(2H,d、 J=8.5Hz)、8.
07(2H,d、J=8.5Hz)参考例4−1 トランス−t−p−ニトロベンジルオキシカルボニル−
4−ヒドロキシニL−プロリン(500■)とp−ニト
ロベンジルプロミド(383■)を用い、参考例1−2
と同様の方法によりトランス−1−p−二トロベンジル
オキシカルボニル−4−ヒドロキシ−L−プロリン−p
−ニトロベンジルエステルを得た。
rR,、lIcm−’(CHC1*): 3380(b
r)、 1750.1705゜1520、1425.1
400.1342゜16O NMRδ(CDCIs)   + 2.20(3H,m
)、3.67(2H,d、J=3Hz)、4.60(2
H,t、 J=8Hz)、5、15(2H,s)、5.
23(2H,ABq)、7.47(4H,d、 J=8
.5Hz)、8、15(4H,d、 J=8.5Hz)
参考例4−2 トランス−t−p−ニトロベンジルオキシカルボニル−
4−ヒドロキシ−L−プロリン−p−ニトロベンジルエ
ステルを参考例1−3および実施例1と同様の方法によ
りシス−1−p−ニトロベンジルオキシカルボニル−4
−メルカプト−L−プロリン−p−ニトロベンジルエス
テルを得た。
IR,、、cm−’(film) : 1700.16
85.1600.1510゜1430、1400.13
40.1105参考例4−3 a) シス−t−p−ニトロベンジルオキシカルボニル
−4−メルカプト−L−7’ロリン−p−ニトロベンジ
ルエステル(115■)を乾燥テトラヒドロフラン(3
−)にとかし、トリエチルアミン(30■)を加えた後
、水冷下クロルギ酸エチル(28,5■)を滴下し、1
0分間攪拌後、酢酸エチルで希釈し、希塩酸、水で順次
洗浄し、芒硝乾燥。溶媒留去し、シス−1−p−ニトロ
ベンジルオキシカルボニル−4−エトキシカルボニルチ
オ−L−プロリン−p−ニトロベンジルエステル(13
3■)を得た。
IR,、、cm−’(film) : 1755.17
10.1610.1525゜1405、1350.11
60.1015゜50 b)上記a)で得たエステル誘導体(133■)をテト
ラヒドロフラン−水(1: 1)混液(5−)にとかし
、I N−NaOH(0,26rIdl)を加え、室温
で2.5時間攪拌後、I N −MCI (0,3−)
加え、酢酸エチルで抽出水洗、芒硝乾燥後、溶媒留去。
残渣をシリカゲル薄層クロマトグラフィーに付しシス−
1−p−ニトロベンジルオキシカルボニル−4−エトキ
シカルボニルチオ−L−プロリンを得た。
IR,、、cr’(film) : 1700.152
0.1400.1340゜1165、1145 NMRδ(CDCIg)   : 1.30(3H,t
、 J=7Hz)、4、28(2H,q、 J=7H2
)、5、24(2H,s)、 7、50(2H,d、 J=9Hz)、8、17(2H
,d、 J=9Hz) 参考例4−4 シス−1−p−ニトロベンジルオキシカルボニル−4−
エトキシカルボニルチオ−L−プロリン(72■)を乾
燥テトラヒドロフラン(3−)にとかし、トリエチルア
ミン(40■〉を加えた後、水冷下、クロルギ酸エチル
(41■)を滴下し15分攪拌後、メチルアミン(40
%)水溶液(1,5mN)を滴下し、更に15分攪拌。
反応液を酢酸エチルで希釈し、希塩酸、水で洗浄し芒硝
乾燥。溶媒留去し、(2S、4S)−1−p−ニトロベ
ンジルオキシカルボニル−2−メチルアミノカルボニル
−4−エトキシカルボニルチオピロリジンを得た。
[R,、、am−’(Nujol): 3290.17
05.1660.1520゜1425、  口05.1
345.1180゜160 : 1.30(3H,t、J−8H2)、2、80(3
H,d、 J=5H2)、4、27(2H,q、 J=
8Hz)、5、22(2H,S)、 7、48(2H,d、 J=9H2)、8、18(2H
,d、 Jf9Hz) 以下参考例4−4と同様にして各々対応するアミンを用
いて、以下のチオカーボネートを得゛た。
NMRδ(CDCIg) 参考例5 a)トランス−4−ヒドロキシ−L−プロリン(10g
)と5−p−メトキシベンジルオキシカルボニル−4,
6−ジメチル−2−メルカプトピリミジン(23,2g
)を用い、参考例1−1と同様の方法によりトランス−
1−(p−メトキシベンジルオキシカルボニル)−4−
ヒドロキシ−L−プロリンを得た。
IR,、、Cm−’(film) :  3400(br)、  1692. 1430゜
1355、 1245. 1170. 1122:  
2.23(2H,m)、3.73(3H,s)、5、0
0(2H,S)、6.78(2H,d、 J=9Hz)
、7.20(2H,d、 J=9Hz)で得たプロリン
誘導体(0,57g)とNMRδ(CDCh) b) 上記 a) ベンジルアミン(0,215g)を用い、参考例2−1
と同様の方法によりトランス−1−p−メトキシベンジ
ルオキシカルボニル−4−ヒドロキシ−L−ベンジルプ
ロリンアミドを得た。
[R−、、cm−’(Nujol): 3375.33
00.1665. 1248゜1165、 1120.
1010 25Nδ(CDCI2)   : 3.76(3H,s
)、4.35(4N、 m)、4.96(2H,s)、
6.79(2H,d、 J=9Hz)、7.20(5H
,5) C)上記b)で得たベンジルプロリンアミド(0,5g
)を用い、参考例1−3と同様の方法により(2S、4
S)−1−p−メトキシベンジルオキシカルボニル−2
−ベンジルアミノカルボニル−4−アセチルチオピロリ
ジンを得た。
IR,、、cm−’(Nujol): 3280.16
90.1675.124ONMRδ(CDCI3)  
 : 2.27(3H,s)、3.82(3H,s)、
4、42(2H,d、 J=6Hz)、5、05(2H
,S)、6.87(2H,d、 J=8H2)、7.2
3(2M、 d、 J=8H2)、7、28(5H,s
) 実施例1 (2S、4S)−1−(p−ニトロベンジルオキシカル
ボニル)−2−ジメチルアミノカルボニル−4−アセチ
ルチオピロリジン(40■)をメタノール(4ml)に
とかし、I N−NaOH(0,1d)を室温15分U
!攪拌した。その後lN−1(C1(0,11mj’)
を加え、減圧下濃縮。濃縮液を酢酸エチルで希釈し、水
洗、芒硝乾燥後、溶媒留去しく2S、4S)−1−(p
−ニトロベンジルオキシカルボニル)−2−ジメチルア
ミノカルボニル−4−メルカプトピロリジンを得た。
IR,、、cm””(film) + 1705.16
50. 1515.1400゜1340、1165.1
1l1 05Nδ(CDC1*)   : 1.90(IH,d
、、I’8Hz)、2、97(3H,S)、3.08(
3H,S)、5、19(2)1. S)、7.48(2
H,d、 J=9H2)、8.15(2H,d、 J=
9H2)実施例2 a)トランス−1−(p−ニトロベンジルオキシカルボ
ニル)−4−アセチルチオ−L−プロリン(180■)
を用い、参考例1−5と同様の方法により(2S、4R
]−1−Cp−ニトロベンジルオキシカルボニル)−2
−ジメチルアミノカJv。
ボニル−4−アセチルチオピロリジン(100■)を得
た。
IR,、、cm−’(film) : 1700.16
55.1515.1400゜1340、 1115 〔α〕色’+ 32.8°(c =0.375 、アセ
トン)b)上記a)で得たチオアセテート誘導体(80
■)を実施例1と同様の方法により(23,4R)−1
−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)−2−ジメ
チルアミノカルボニル−4−メルカプトピロリジンを得
た。
[R,、、cm−’(film) : 1700. 1
650. 1510.1420゜MR δ(CDC12’) 1400、 1340. 1120 :  1.77(lH,d、J=7H2)、2、97C
3H,S)、3.16(3)(、S)、5、22(2H
,S’)、 8、16(2H,d、 J:8.5Hz)実施例3 a)トランス−1−p−二トロベンジルオ牛ジカルボニ
ルー4−ヒドロキシ−D−プロリン−p−メトキシベン
ジルエステル(110■)を用い、参考例1−3 、 
1−4および1−5と同様の方法により(2R,4R)
−t−p−ニトロベンジルオキシカルボニル−2−ジメ
チルアミノカルボニル−4−アセチルチオピロリジンを
得た。
rR,、、cm−’(film) : 1705.16
50.1515.1435゜1340、 1115 (α) if’  7..38°(c =0.2to 
、 アセトン)b)上記a)で得たチオアセテート誘導
体(42■)を用い実施例1と同様の方法により〔2R
94R)−1−p−二トロベンジルオキシ力ルボニル−
2−ジメチルアミノカルボニル−4−メルカプトピロリ
ジンを得た。
IR,、、cn+−’(film) : 1710. 
1660.1525.1440゜1347、 1180
.1122 実施例4 a) シス−4−ヒドロキシ−D−プロリ ン (30 0■)より参考例1−1.1−2.1−3.1−4およ
び1−5と同様の方法により(2R,4S)−1−(p
−ニトロベンジルオキシカルボニル)−2−ジメチルア
ミノカルボニル−4−アセチルチオピロリジン(45■
)を得た。
[R,、、cm−’(film) : 1700.16
50.1520.1400゜1345、1120 〔α) g”−29,6°(c =0.215 、アセ
トン)b)上記a)で得たチオアセテート誘導体(30
■)を実施例1と同様の方法により(2R,4S)−1
−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)−2−ジメ
チルアミノカルボニル−4−メルカプトピロリジンを得
た。
IR,、、cm−’(film) : 1710. 1
655.1520. 1430゜実施例5 (2S、4S)−1−p−ニトロベンジルオキシカルボ
ニル−2−メチルアミノカルボニル−4−エトキシカル
ボニルチオピロリジン(82■)をメタノール:水(l
二1)混液(4mt’)にとかしI N −NaOH(
0,257nl)を加えて、室温、30分攪拌後、I 
N−HCl (0,27d)を加え、酢酸エチルで抽出
し、水洗、芒硝乾燥後溶媒留去し〔2S4S)−1−p
−ニトロベンジルオキシカルボニル−2−メチルアミノ
カルボニル−4−メルカプトピロリジンを得た。
IR,、、cr’(Nujol): 3280.171
0.1650. 15101340、1165 NMRδ(CDCIり   : 2.79(3H,d、
J=5Hz)、4、27(2H,t、 J=8Hz)、
5、23(2H,s)、7.50(2H,d、 J=9
Hz)、8.20(2H,d、 J=9H2)以下実施
例1あるいは実施例5と同様にして以下のメルカプタン
を得た。
cS 実施例1 7 a)  (2S、4S)−1−p−メトキシベンジルオ
キシカルボニル−2−ベンジルアミノカルボニル−4−
アセチルチオピロリジン(177■)とアニソール(8
6■)をトリフロロ酢酸(0,5d)にとかし、室温で
30分攪拌した。反応液を減圧下濃縮し、酢酸エチルで
希釈、重曹水及び水で洗浄後、芒硝乾燥。溶媒留去し、
残渣をシリカゲル薄層クロマトグラフィーに付し、(2
S、4S〕−2−ベンジルアミノカルボニル−4−アセ
チルチオピロリジンを得た。
IR,、、cl’(film) : 3325.169
0.1510.1400゜1350、1120.95O NMRδ(CDCI2)   : 2.28(3H,s
)、3.83(2H,m)、4.42(2H,d、J=
6H2)、 7.32(5H,5) b)上記a)で得たチオアセテート誘導体(40■)を
実施例1と同様の処理に付し、(2S、4S〕−2−ベ
ンジルアミノカルボニル−4−メルカプトピロリジンを
得た。
tR,、、cm−’(film) : 3250.16
85.1610.1510゜132 参考例6 −3−(ジフェニルホスホリルオキシ−6−(1−p−
ニトロベンジルオキシカルボニルオキシエチル)−1−
アザビシクロ(3,2,0)−ヘブトー2−エンー7−
オンー2−カルボキシレート(122■)を乾燥アセト
ニトリル(3mi’)にとかし、窒素気流中、水冷下に
ジイソプロピルエチルアミン(31■)を加え、次いで
(2S、4S)−1−p−二トロペンジルオキシカルボ
ニルー2−ジメチルアミノカルボニル−4−メルカプト
ピロリジン(60■)を加え、そのまま1時間攪拌した
。反応液を酢酸エチルで希釈し、水洗後、硫酸マグネシ
ウムで乾燥し溶媒留去した。残渣をシリカゲル薄層クロ
マトグラフィーにより精製しく5R,6S、8R,3’
3.5’5)−p−ニトロベンジル−3−(3−(1−
p−ニトロベンジルオキシカルボニル−5−ジメチルア
ミノカルボニル)ピロリジニルチオ)−6−(1−p−
ニトロベンジルオキシカルボニルオキシエチル)−1−
アザビシクロ(3,2,0)−ヘプト−2−エン−7−
オン−2−カルボキシレート(95■)を得た。
IR,、、cm−’(film) : 1780.17
45.1705.1650゜1605、1515.13
42.1257NMRδ(CDCI+)    :  
1.49(3H,d、J=6Hz)、2、99(3H,
s)、3.11(3H,S)、5、25(48,S)、
5.23および5、46(2H,ABq、 J=14H
z)、7、53(4H,d、 J=8.5Hz)、7、
62(2H,d、 J=8.5Hz)、8、18(6H
,d、 J=8.5Hz)〔α) g”+ 7.7°(
c 〜0.303 、アセトン)b)  (5R,6S
、 8R,3’3.5’S) −p−ニトロベンジル−
3−(3−(1−p−ニトロベンジルオキシカルボニル
−5−ジメチルアミノカルボニル)ピロリジニルチオ)
−6−(1−p−ニトロベンジルオキシカルボニルオキ
シエチル)−1−アザビシクロ(3,2,O)ヘプト−
2−エン−7−オン−2−カルボキシレート(95mg
)をジオキサン(20rnl)に溶かしモルホリノブロ
パンスホン酸緩衝液(pH=7.0 、 10rnl)
及び酸化白金(35■)を加え3.5気圧の水素圧下6
,5時間水素添加した。触媒を濾過した後、減圧下ジオ
キサンを留去し、残液を酢酸エチルで洗浄し、水層を再
度減圧下有機溶媒を留去し、残液をポリマークロマトグ
ラフィー(CHP−20P)に付すと水で溶出される部
分から(5R,6S、8R3″S、5’5)−3−(3
−(5−ジメチルアミノカルボニル)ピロリジニルチオ
)−6−(1−ヒドロキシエチル)−1−アザビシクロ
〔3,20〕ヘプト−2−エン−7−オン−2−カルボ
ン酸を得た。
UV−−g nm (HJ) [Lax cm−’(KBr) = 297 +  1755. 1627. 1393. 1252
゜130 :  1.25(3H,d、J=6.4Hz)、1、8
1〜1.96(IH,III)、2、96(3H,S)
、3.03(3H,S)、3、14〜3.20(3H,
m)、 3.31〜3.41(2H,m)、 3、62〜3.72(IH,m)、 3、90〜4.00(IH,m)、 4、14〜4.26(2H,m)、 4.63(IH,t、J・8.5Hz)NMRδ(D2
0)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 〔式中、R_1は水素原子を、R_2は水素原子または
    アミノ基の保護基を、R_3は水素原子、低級アルキル
    基、低級アルケニル基、アラルキル基、もしくは置換低
    級アルキル基を、およびR_4は低級アルキル基、低級
    アルケニル基、アラルキル基、もしくは置換低級アルキ
    ル基を、あるいはR_3およびR_4は互いに結合せる
    アルキレン鎖または酸素原子、硫黄原子もしくは低級ア
    ルキル置換窒素原子を介するアルキレン鎖を表して隣接
    する窒素原子とともに4〜7員環の環状アミノ基を示す
    。 で表される2−置換アミノカルボニル−4−メルカプト
    ピロリジン誘導体
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