JPH0341346A - 塵埃検出方法とそれを用いた半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体製造装置などの内部の塵埃の発生状況
がその性能に大きく影響を与える装置の塵埃監視システ
ムに係り、特に被検査装置の発塵箇所の特定を容易に行
なうことが出来る塵埃検出方法に関する。

〔従来の技術〕

半導体製造装置などの内部の塵埃の発生状況がその性能
に大きく影響を与える装置の塵埃監視システムは、従来
は特開昭６０−２１８８４５号公報に記載のように、半
導体製造装置を投入・通過させたウェハを検査装置内に
投入し、塵埃の付着状況その他の検査を行なっていた。

〔発明が解決しようとする課題〕 上記従来技術によって得られたデータは、半導体製造装
置内の塵埃状況の全てが積算されたものとなり、半導体
製造装置のどこから、いつウェハに付着した塵埃かにつ
いてはほとんど情報を得ることが出来ない。従って半導
体製造装置の塵埃の管理は数によるものが中心となり、
ウェハから検出される塵埃の総数あるいは特定の粒径の
塵埃の数がある数を越えると半導体製造装置を停止し、
内部の分解清掃を行ない装置内部に付着した塵埃を除去
する。この作業は長時間かかるため装置の稼動率を著し
く低下させる原因となっている。また塵埃発生箇所の特
定が出来ないため、不要な部分の清掃あるいは、発塵箇
所への適切な発塵抑制対策がとりにくいという問題点も
あった。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的である発塵箇所の特定を達成するために、塵埃
がいつ検出されたかを知る機構を設け、この検出時刻情
報と装置内の各ステップのタイム− チャートとを比較することにより塵埃が装置内のどこで
発生したかを知ることが出来る。また、各所に設けられ
た検出器の出力を常時監視しておくことにより装置内の
発塵箇所の特定が可能になる。

また発塵検出時に装置内に印を付け、この印の確認にて
発塵箇所の特定が可能になる。また装置投入直前のこの
装置にて処理される処理物の塵埃の情報と装置通過直後
の被処理物上の塵埃の情報とを比較することで内部の発
塵状況を監視することが出来る。更にまた塵埃の発塵箇
所の特定によりその箇所の動作条件を変更することで達
成することが出来る。

〔作用〕

装置内に投入されたセンサは塵埃が装置内で発生しセン
サ面に付着すると、少なくともセンサにて付着した塵埃
の検出及び付着時刻の検出を行なう。場合によっては付
着粒子の直径その他の情報についての検出も行なう。先
に得られた塵埃の付着の検出及び付着時刻の情報と、装
置内の各ステップに要する時間とを比較すれば塵埃のセ
ンサへ８ の付着場所の特定を行なうことが出来る。また、装置内
部の各所に設けられたセンサにより、各所の塵埃の発生
が常時監視されているため、塵埃の発生は直ちに検出さ
れ、これにより塵埃の発生箇所の特定が可能となる。ま
た、装置内の投入されたセンサはセンサ面に装置内で発
生した塵埃が付着すると、少なくともセンサにて付着し
た塵埃を検出しかつ付着時刻の検出を行なう。この時セ
ンサの位置を装置内に印を付ける。この印の確認するこ
とで塵埃の発生箇所の特定が可能となる。また、装置の
投入に直前と搬出口直後に設けられた塵埃の検出機構に
より検出される投入直前と搬出直後の塵埃情報の変化に
より装置内部の塵埃の発生状況を監視できる。更にまた
ダストセンサにて装置内部の発塵箇所を特定することが
出来るので、これによりこの部分の動作条件を変更する
ことで発塵量の制御を行なうことが出来る。

〔実施例〕

以下本発明の実施例を以下図を用いて説明する。

第１図は実施例のフロー図である。まず塵埃を検出する
機構と塵埃の検出された時刻を検出する機構を備え、こ
の検出機構にて検出した塵埃の情報を収録する機構を設
けたダストセンサを内部の発塵状況を検査すべき装置へ
投入する。次いでこのダストセンサにて装置の内部の塵
埃の検出を行なう。この時に塵埃の検出された時刻の情
報も収録する。場合によっては塵埃の粒径位置の情報他
などについても収録する。被検査対象装置内部の塵埃情
報の収録が終了すると次いでゲス１−センサにて収録し
た塵埃情報に基づき発塵マツプを作成する。この後に作
成したマツプを用いて被検査対象装置のどこで発塵した
かを特定する。これは作成したマツプには塵埃が検出さ
れた時刻情報が含まれており、この検出時刻と、被検査
対象装置内での各ステップの所要時間のチャートとを比
較すると、塵埃の検出された時刻にこのゲス１ヘセンサ
が装置のどの部分に存在していたかがわかる。これによ
り塵埃の発塵箇所の特定を行なうことが可能になる。

第２図の実施例はダストセンサシステムに用いるダスト
センサの動作のダイヤグラムである。ダストセンサには
塵埃検出のための検出機構、塵埃検出の時刻の検出機構
、検出した信号が塵埃によるものかどうかの判定機構、
塵埃の情報をダストセンサ本体内あるいは外部へと転送
する機構、転送された情報を記録する機構が備えられて
いる。

まずダストセンサを始動させる。次いで同センサ内部の
情報をセンサ初期化するために消去する。

このとき消去される情報は検出機構にて検出される情報
で塵埃の付着時刻情報、塵埃の付着位置情報、塵埃の付
着個数情報で、場合によっては塵埃の粒径分布情報、塵
埃の成分情報等も含まれる。

次いで時刻情報とするためにセンサ内時刻の計測を始め
る。その次にダストセンサの初期化を行なう。これは２
つのステップから戒っている。まずこの時点でセンサ面
上に付着している塵埃の検出を行なうためのセンサ面上
の走査を行なう。次いで検出された結果をセンサの初期
情報とする。初期情報は、検出機構にて検出される情報
で初期情報収集時刻、塵埃の付着位置情報、塵埃の付着
個数情報で、場合によっては塵埃の粒径分布情報、塵埃
の成分情報等も含まれる。ダスｉ・センサ初期化の後、
被検査対象装置でのダスト計測のためのトリガ信号を入
れる。このトリガによりダス］・センサは被検査対象装
置投入後にダス１〜の計測を始めることになる。ダスト
センサはトリガ信号を与えられた後に被検査対象装置に
投入される。投入されたダストセンサは塵埃検出のため
のセンサ面の走査を開始する。被検査対象装置内にて発
生した塵埃がセンサ面に付着するとセンタ面に設けられ
た検出機構にて検出される。この検出信号により塵埃情
報の抽出を行なう。これは検出信号が塵埃以外のものに
よる外乱のために発生した信号が入っている可能性があ
るため、これをセンサ内の情報と比較して塵埃による信
号かを判定する。塵埃による信号と判定された場合には
これを塵埃情報とする。この情報の内容は塵埃検出時刻
情報、塵埃付着位置情報、塵埃付着個数情報、場合によ
っては塵埃の粒径分布情報、塵埃の成分情報等も含まれ
る。次いでこの情報を転送するための処理を行なう。こ
の処理はこの走査で得られた塵埃情報とその一つ前の走
査で得られた塵埃情報との比較を行ない、その情報の推
移を得る。この推移を次にセンサ内あるいはセンサ外に
設けられた塵埃情報を蓄積のための機構へと転送する。

転送された塵埃情報は蓄積のための機構へと順次蓄積さ
れる。次いで塵埃の検出測定を続行するかどうかを判定
する。検出を続行する場合には再度塵埃の検出のための
走査以下塵埃の蓄積までの動作を繰返す。検出を終了す
る場合には蓄積された塵埃情報により塵埃マツプを作成
するための処理を行なう。

この処理はセンサ内部あるいはセンサの外部のいずれか
で行なう。この処理が終了した後にダストセンサの測定
動作を停止する。測定の終了したゲス１−センサは被検
査対象処理装置外へと搬出される。　第３図の実施例は
ダストセンサシステムのダストセンサの塵埃検出のため
の検出機構の動作のダイヤグラムである。本実施例では
塵埃の検出機構が、光及び塵埃による光の散乱、光の掩
蔽を検出する受光センサを用いている。まず塵埃検出２ のための光を放射する。被検査装置内発生塵埃による光
の散乱を検出する場合には光は受光センサに直接光が入
らぬように受光センサ面に平行に放射される。装置内で
発生した塵埃が光の放射されている空間に入るとこの塵
埃による光の散乱を発生する。この散乱された光を受光
センサにてとらえることにより塵埃を検出することが出
来る。また装置内発生塵埃による光の掩蔽を検出する場
合には光は受光センサ面に直接光が入るように放射され
る。装置内で発生した塵埃が受光センサ面上に付着する
と受光センサに入る光がこの塵埃により掩蔽されるので
、塵埃を検出することが出来る。

いずれの場合も塵埃によりひき起された受光センサの検
出信号は、塵埃による信号かその他の外乱による信号か
をセンサ内情報と比較して判定する。

塵埃による信号と判定された場合は塵埃情報とする。塵
埃検出以外の外乱と判定された場合は検出を続ける。

第４図の実施例はダストセンサシステムのダストセンサ
の塵埃検出のための他の検出機構の動作ダイヤグラムで
ある。本実施例では塵埃の検出機構がＡＴ板水晶振動子
、この振動子の発信回路及び周波数検出回路から構成さ
れている。まずＡＴ板水晶振動子を発振回路にて発振さ
せておく、この振動子に被検査対象装置内で発生した塵
埃が振動子の面に付着すると振動子の厚みが変化するた
めこの厚みの変化に対する量だけ周波数が減少する。こ
の減少量を検出する。次いでこの検出信号を塵埃による
ものか、その他の外乱によるものかをセンサ内情報と比
較して判定する。塵埃による信号と判定された場合は塵
埃情報とする。塵埃以外の外乱と判定された場合には検
出を続ける。

第５図の実施例はダストセンサシステムのダストセンサ
の塵埃検出のための他の検出機構の動作ダイヤグラムで
ある。本実施例では塵埃の検出機構が微小電荷の検出器
及び微小電荷の変化により生ずる微小電流の検出器から
構成されている。微小電荷の検出器に被検査対象装置内
で発生した塵埃が付着すると、通常は塵埃は帯電してい
るため微小電荷の検出器により付着が検出される。また
５ このとき電荷の変動が生しるので微小電流が発生する。

この電流は微小電流計にて検出される。次いでこの検出
信号が塵埃によるものかその他の外乱によるものかをセ
ンサ内情報と比較して判定する。塵埃による信号と判定
された場合は塵埃情報とする。塵埃以外の外乱と判定さ
れた場合には検出を続ける。

第６図の実施例はダストセンサシステムのダストセンサ
の塵埃検出のための他の検出機構の動作ダイヤグラムで
ある。本実施例では塵埃の検出機構が光化学反応を用い
たものとなっている。光化学反応は塵埃の付着により光
化学反応が進展する形式のものと塵埃の付着により光化
学反応が停止される形式のものを用いている。塵埃の付
着により光化学反応が進展する形式のものは、光化学反
応を抑制するための光が周期的に放射される。この反応
は光があたらないと化学反応が進展し時間経過に比例す
る。従って塵埃がゲス１〜センサ上に付着するとセンサ
面の該当部分が光に対して掩蔽されるため化学反応が進
展する。この化学反応の進展の程度で塵埃の付着した時
間を確定することが出来る。塵埃の付着により光化学反
応が停止する形式のものは、光化学反応を促進するため
の光が周期的に放射される。この反応は光があたらない
と化学反応が停止する。この化学反応は光あたっている
時間経過に比例する。従って塵埃がダストセンサ上に付
着するとセンサ面の該当部分が光に対して掩蔽されるた
め化学反応が停止する。この化学反応の進展の程度で塵
埃の付着した時刻を確定することが出来る。

第７図の実施例はダストセンサシステムのダストセンサ
の塵埃検出のための検出機構の動作ダイヤグラムである
。本実施例では塵埃の検出機構が光化学反応を用いたも
ので、特定の波長の光により化学反応が促進される物質
をセンサ面に多種波長に反応するように塗布した構造と
なっている。

ダストセンサにて塵埃の検出のための測定時には、第■
の光が放射される。このとき塵埃がセンサ面に付着して
いれば第１の光が掩蔽されてその部分の第工の光に反応
する化学物質は化学反応を行なわない。第１の光が放射
されて一定時間後に第２の光が放射される。このときセ
ンサ面に塵埃が付着していれば、第１の光のときと同様
に第２の光が掩蔽されてその部分の第２の光に反応する
化学物質は化学反応を行なわない。以下これが多数の波
長について次々と繰返される。これによりどの光に反応
していないかを調べることによりいつ塵埃が付着したか
を特定できる。

第８図の実施例はダストセンサシステムのダストセンサ
の他の塵埃検出のための検出機構の動作ダイヤグラムで
ある。本実施例では塵埃の検出機構がセンサ面への塵埃
の衝突によって生しる加速計及び信号処理系から構成さ
れている。まず加速展開を作動させておく、塵埃がセン
サ面に衝突すると加速計にて検知される。このときセン
サ面内に設けられた複数個の加速度言１によりどの位置
に塵埃がいつ付着したかを検知することが出来る。

またダストセンサ移動時の衝撃の信号を塵埃付着信号と
混同しないようにセンサからの過大入力信号をツ１゛除
する信号処理系が作動する。

第９図の実施例はダストセンサシステムのダストセンサ
の他の塵埃検出のための機構の動作ダイヤグラムである
。本実施例では塵埃の付着が刺激となリセンサ面に設け
た微生物の成長が促進あるいは抑制される微生物を用い
ている。塵埃の付着が刺激となり微生物の成長が促進さ
れる場合は、センサ面に塵埃が付着すると塵埃の付着し
た部分の微生物の刺激を受は成長が促進される。微生物
の成長は刺激を受けてからの時間に比例するようになっ
ており、このため塵埃がいつ付着したかを知ることが出
来る。また塵埃の付着が刺激となり微生物の成長が停止
する場合は、センサ面に塵埃が付着すると塵埃の付着し
た部分の微生物が刺激を受は成長が停止する。塵埃の付
着した部分の微生物は成長が停止するまでは成長を続け
ており、この成長は時間の経過に比例するため、いつ塵
埃が付着したかを知ることが出来る。

第１０図の実施例は他のシステムフロー図である。塵埃
検出のための検出機構を検査すべき装置の各所に設けて
あり、塵埃の装置内の各所での発生を監視している。塵
埃が発生し検出機構しこて検出されると直ちにその情報
に基づき塵埃の検出がどの検出機構のものかを特定する
ことが出来、塵埃発生箇所の特定が可能となる。

第１１図の実施例は更に他のシステムフロー図である。

内部の塵埃発生状況を監視すべき処理装置の被処理物の
投入口の直前と被処理物の搬出口の直後とにこの被処理
物への塵埃の付着状況を検査する装置を設けである。被
監視対象装置内に被処理物を投入する投入口の直前に設
けられた塵埃の付着状況を検査する装置にて塵埃の付着
状況を検査する。その後被監視対象装置にて被処理物を
処理する。処理後被処理物を搬出し、搬出口直後に設け
られた塵埃付着の状況を検査する装置にて塵埃の付着状
況を検査する。被処理物の被監視対象の処理装置投入直
前の塵埃の付着情報と処理直後の塵埃の付着情報とによ
り被監視対象処理装置の内部の発塵状況を監視できる。

第１２図の実施例は更に他のシステムのフロー図である
。まず塵埃を検出する機構、塵埃の検出された時刻を検
出する機構、この検出機構にて検出した塵埃の情報を収
録する機構、塵埃を検出した時に検査すべき装置内にダ
ストセンサの位置を付ける機構を備えたダストセンサを
内部の発塵状況を検査すべき装置内へ投入する。次いで
このダストセンサにて装置内部の塵埃の検出を行なう。

この時に塵埃の検出された時刻の情報も収録する。

場合によっては塵埃の粒径位置の情報他についても収録
する。加えて塵埃の検出が行なわれた際に被検査対象装
置内にダストセンサのその時の位置を示す印を付ける。

なおこの印の材料は塵埃の発生原因となりにくいように
且つ、この印の確認役容易に取除ける物質を用いている
。被検査対象装置内部の塵埃情報の収録が終了すると次
いでダストセンサにて収録した塵埃情報に基づき発塵マ
ツプを作成する。この後作成したマツプ及び装置内に付
けられた印により塵埃の発塵箇所の特定行なうことが出
来る。

第１３図の実施例は更に他のシステムフロー図である。

まず塵埃を検出する機構、塵埃の検出さ−ｌυ　− れた時刻を検出する機構、この検出機構にて検出した塵
埃の情報を収録する機構を設けたダストセンサを内部の
発塵状況を検査すべき半導体製造装置へ投入する。次い
でこのダストセンサにて装置の内部の塵埃の検出を行な
う。この時に塵埃の検出された時刻の情報も収録する。

場合によっては塵埃の粒径位置の情報などについても収
録する。

被検査対象の半導体製造装置内部の塵埃情報の収録が終
了すると次いでダストセンサにて収録した塵埃情報に基
づき発塵マツプを作成する。この後に作成したマツプを
用いて被検査対象の半導体製造装置のどこで発塵したか
を特定する。これは作成したマツプには塵埃が検出され
た時刻情報が含まれており、この検出時刻と、被検査対
象装置内での各ステップの所要時間のチャートとを比較
すると、塵埃の検出された時刻にこのダストセンサが装
置のどの部分に存在していたかがわかる。これにより塵
埃の発塵箇所の特定を行なうことが出来る。

第１４図の実施例はダストセンサの外観図である。半導
体製造装置の内部の発塵状況を検査しやすいように通常
の半導体製造装置にて処理に用いるウェハと同じ口径、
同程度の厚みとなっている。

塵埃の検出機構１１が通常半導体製造装置にて処理され
るウェハの被処理面に対応する側に設けられている。塵
埃の検出された時刻を検出する機構、この検出した塵埃
の情報を収録する機構を収納した周辺機構１２が塵埃の
検出機構１１の下部に設けられている。

第１５図の実施例はダストセンサの設けられたウェハの
外観図である。通常半導体製造装置にて処理されるウェ
ハ２の被処理面に対応する側にダストセンサｌが設けら
れている。

第１６図の実施例はゲス１ヘセンサシステムを用いた半
導体製造装置のシステムフロー図である。

まず塵埃を検出する機構、塵埃の検出された時刻を検出
する機構、この検出にて検出した塵埃の情報を収録する
機構を備えたダストセンサを内部の発塵状況を制御すべ
き半導体製造装置内に投入する。次いでこのダストセン
サにて装置内部の塵埃の検出を行なう。この時に塵埃の
検出された時刻の情報も収録する。場合によっては塵埃
の粒径、位置などの情報他についても収録する。被制御
対象装置内部の塵埃情報の収録が終了すると次いでダス
トセンサにて収録した塵埃情報に基づき発塵マツプを作
成する。この後に作成したマツプを用いて被制御対象装
置のどこで発塵したかを特定する。これにより発塵箇所
の動作条件を変更する。

これにより被制御対象装置の内部の発塵量が制御出来る
。

〔発明の効果〕

本発明は、以上説明したようにダストセンサにて塵埃が
いつセンサに付着したかがわかるのでこれにより装置の
どの部分から発塵したのかを特定出来る。また装置内に
設けられたセンサにて装置内部が常時監視されているた
め発塵箇所を直ちに特定することが出来る。また装置内
に付けられた印を確認することで発塵箇所の特定が行な
える。

また装置の投入口直前と搬出口直後に設けられた塵埃検
出機構により検出される投入直前と搬出直後の塵埃情報
の変化により装置内の塵埃の発生状況を監視できる。更
にまたダストセンサにて内部の発塵箇所の特定が出来る
ので、この箇所の動作条件を変更することで発塵量の制
御が行なえる等の効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のシステムフロー図、第２図
は他の実施例でダストセンサシステムに用いるダストセ
ンサの動作のダイヤグラム、第３図は更に他の実施例で
ダストセンサの塵埃検出のための検出機構の動作ダイヤ
グラム、第４図は更に他の実施例でダストセンサの他の
塵埃検出機構の動作ダイヤグラム、第５図は更に他の実
施例でダストセンサの他の塵埃検出機構の動作ダイヤグ
ラム、第６図は更に他の実施例でダストセンサの他の塵
埃検出機構の動作ダイヤグラム、第７図は更に他の実施
例でダストセンサの塵埃検出機構の動作ダイヤグラム、
第８図は更に他の実施例でダストセンサの他の塵埃検出
機構の動作ダイヤグラム、第９図は更に他の実施例でダ
ストセンサの他の塵２４− 埃検出機構の動作ダイヤグラム、第１０図は更に他の実
施例で他のシステムフロー図、第↓↓図は更に他の実施
例で他のシステムフロー図、第１２図は更に他の実施例
で他のシステムフロー図、第１３図は更に他の実施例で
他のシステムフロー図。 第１４図は更に他の実施例でダストセンサの外観図、第
工５図は更に他の実施例でダストセンサの設けられたウ
ェハの外観図、第Ｉ６図は更に他の実施例でダストセン
サシステムを用いた半導体製造装置のシステムフロー図
である。 １・・・ダストセンサ、２・・・ウェハ、↓１・・塵埃
検出機構、１２・・・周辺機構。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、塵埃を検出するための検出機構及び塵埃の検出され
   た時刻を検出する機構を備え、この検出機構にて検出し
   た塵埃の情報を収録する機構を設けたダストセンサを、
   内部の塵埃発生状況を検査すべき装置内に投入・通過さ
   せ、このダストセンサにて得られた情報に基づき、被検
   査対象装置内の発塵状況図表を作成し、この図表にて被
   検査対象装置内の塵埃発生箇所の特定を行なうことを可
   能にしたことを特徴とする塵埃検出方法。 ２、請求項１記載の塵埃検出方法において、ダストセン
   サは、塵埃検出のための検出機構、塵埃検出の時刻の検
   出機構、検出した信号が塵埃によるものかどうかの判定
   機構、塵埃の情報をダストセンサ本体内あるいは外部へ
   と転送する機構及び転送された情報を記録する機構を備
   え、ダストセンサ始動直後に同センサ内部の情報を消去
   し、その後同センサ面上の初期付着塵埃を検出しこれを
   初期塵埃情報とし、次いで内部の発塵状況を検査すべき
   装置内での検査を行なうためのトリガ信号により同被検
   査装置内の塵埃の検出のための走査・検出を行ない、得
   られた検出信号に対して塵埃か否かを判定し、これによ
   り得られた塵埃情報を同センサ本体内あるいはセンサ外
   部へと転送し、転送された情報を記録・蓄積し、検出の
   ための走査以下情報の記録・蓄積までの動作を所定時間
   繰返した後に、記録・蓄積された情報を被検査装置内の
   発塵状況図表作成のための情報として処理することを特
   徴とした塵埃検出方法。 ３、請求項２記載の塵埃検出方法において、ダストセン
   サの塵埃の検出に、塵埃検出のための光及び、塵埃によ
   るこの光の散乱、掩蔽を検出する素子を用いることを特
   徴とする塵埃検出方法。 ４、請求項２記載の塵埃検出方法において、ダストセン
   サの塵埃の検出に、ＡＴ板水晶振動子、この振動子の発
   振回路及び周波数検出回路を用いることを特徴とする塵
   埃検出方法。 ５、請求項２記載の塵埃検出方法において、ダストセン
   サの塵埃の検出に、微小電荷の検出器及び微小電荷の変
   化により生ずる微小電流の検出器を用いることを特徴と
   する塵埃検出方法。 ６、請求項２記載の塵埃検出方法において、ダストセン
   サの塵埃の検出に、化学反応を用いたもので、塵埃の付
   着により付着部分の反応が開始されることあるいは停止
   されることを利用することを特徴とする塵埃検出方法。 ７、請求項２記載の塵埃検出方法において、ダストセン
   サの塵埃の検出に、塵埃のセンサ面への衝突を検出する
   加速度計を用いることを特徴とする塵埃検出方法。 ８、請求項２記載の塵埃検出方法において、ダストセン
   サの塵埃の検出に、微生物を用いたもので、塵埃の付着
   によりこの微生物の成長が開始又は停止されることを利
   用することを特徴とする塵埃検出方法。 ９、請求項１記載の塵埃検出方法において、塵埃を検出
   するための機構を内部の塵埃発生状況を検査すべき装置
   の各所に設置し、常時各所の塵埃情報を監視することに
   より、被検査対象装置内の発塵箇所の特定を行なうこと
   を特徴とする塵埃検出方法。 １０、請求項１記載の塵埃検出方法において、塵埃を検
   出するための機構を内部の塵埃発生状況を検査すべき処
   理装置の被処理物投入口の直前及び被処理物搬出口の直
   後に設けて被検査装置の内部の発塵状況を監視すること
   を特徴とする塵埃検出方法。 １１、請求項１記載の塵埃検出方法において、塵埃を検
   出するための検出機構及び塵埃の検出された時刻を検出
   する機構を備え、この検出機構にて検出した塵埃の情報
   を収録する機構、塵埃を検出した時に被検査装置内にダ
   ストセンサの位置を付ける機構を設けたダストセンサを
   、内部の塵埃発生状況を検査すべき装置内に投入・通過
   時に、ダストセンサが塵埃を検出した時に、装置内にダ
   ストセンサの位置を特定する印を付け、この印により被
   検査対象装置内の発生箇所を特定することを可能にした
   ことを特徴とする塵埃検出方法。１２、請求項１記載の
   塵埃検出方法において、内部の塵埃の発生状況を検査す
   べき装置として半導体製造装置を用いることを特徴とす
   る塵埃検出方法。 １３、請求項１記載の塵埃検出方法において、ダストセ
   ンサの形状が半導体製造装置に投入可能なウェハと同様
   の形状をしていることを特徴とする塵埃検出方法。 １４、請求項１記載の塵埃検出方法において、ダストセ
   ンサが半導体製造装置に投入されるウェハの１部分を形
   成していることを特徴とする塵埃検出方法。 １５、塵埃を検出するための検出機構及び塵埃の検出さ
   れた時刻を検出する機構を備え、この検出機構にて検出
   した塵埃の情報を収録する機構を設けたダストセンサを
   、内部の塵埃発生状況を検査すべき半導体製造装置内に
   投入・通過させ、このダストセンサにて得られた情報に
   基づき、被検査対象装置内の発塵状況図表を作成し、こ
   の図表にて被検査対象装置内の発塵箇所を特定し、これ
   に基づき被検査対象装置内の発塵箇所の作動条件を変更
   し発塵量を制御することを特徴とする半導体製造装置。