JPH0215647A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0215647A JPH0215647A JP16533388A JP16533388A JPH0215647A JP H0215647 A JPH0215647 A JP H0215647A JP 16533388 A JP16533388 A JP 16533388A JP 16533388 A JP16533388 A JP 16533388A JP H0215647 A JPH0215647 A JP H0215647A
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- JP
- Japan
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- wafer
- signals
- processing
- judgment
- monitor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ウェーハの処理を行いつつ、ウェーハの表
面近傍に発生づる異物を測定できる半導体製造装置に関
する。
面近傍に発生づる異物を測定できる半導体製造装置に関
する。
第３図はこの種の従来の半導体製造装置を用い半導体装
置を製造する場合のフローチャートである。まず拡散処
理等されるべき一組の実ウェーハを搬送系により反応室
内に搬送する（ＩＩＩ送工程）。
置を製造する場合のフローチャートである。まず拡散処
理等されるべき一組の実ウェーハを搬送系により反応室
内に搬送する（ＩＩＩ送工程）。
この場合、実ウェーハの一部をモニターウェーハとする
。その後排気系により反応室より空気を排気しく排気工
程）、ぞの後反応室を加熱しつつ、反応室内に所定ガス
を導入し拡散等を行う（実処理コニ程）。この明細書に
おいては、これら搬送工程、排気工程、実処理工程を含
めてモニター処理Ｓ１あるいは単に処理という。
。その後排気系により反応室より空気を排気しく排気工
程）、ぞの後反応室を加熱しつつ、反応室内に所定ガス
を導入し拡散等を行う（実処理コニ程）。この明細書に
おいては、これら搬送工程、排気工程、実処理工程を含
めてモニター処理Ｓ１あるいは単に処理という。
前記モニター処理Ｓ１中に、モニター処］！［！８１を
行う装置の部品の劣化等により生じた異物がモニターウ
ェーハ表面に付着する場合がある。この異物数を測定す
るため、以下のようにモニター処ｙｆ！８２．判定Ｓ３
を行う。モニター処理Ｓ１終了後反応室からモニターウ
ェーハを取り出し、安物検査装置を用い、例えばモニタ
ーウェーハ表面にシー１Ｆ−光を照射し、その散乱光に
基づきウェーハ表面に付着した異物数を測定し、（モニ
ター測定３２）その後、測定された異物数が許容範囲（
半導体装置の特性が劣化しない範囲）か否かを判定覆る
（判定８３）。
行う装置の部品の劣化等により生じた異物がモニターウ
ェーハ表面に付着する場合がある。この異物数を測定す
るため、以下のようにモニター処ｙｆ！８２．判定Ｓ３
を行う。モニター処理Ｓ１終了後反応室からモニターウ
ェーハを取り出し、安物検査装置を用い、例えばモニタ
ーウェーハ表面にシー１Ｆ−光を照射し、その散乱光に
基づきウェーハ表面に付着した異物数を測定し、（モニ
ター測定３２）その後、測定された異物数が許容範囲（
半導体装置の特性が劣化しない範囲）か否かを判定覆る
（判定８３）。
なお、モニター測定Ｓ２で測定されるｔウェーハは実ウ
ェーハでもよい。
ェーハでもよい。
従来の半導体製造装置を用いての半導体装置の製造は以
上のにうな工程で行われ、モニター測定Ｓ２はモニター
処理Ｓ１後、つまり実処理工程後に行われるので、異物
が発生していてもその異物はつ１−ハに付着している。
上のにうな工程で行われ、モニター測定Ｓ２はモニター
処理Ｓ１後、つまり実処理工程後に行われるので、異物
が発生していてもその異物はつ１−ハに付着している。
そのため、例えばモニター測定Ｓ２においてレーザー光
の散乱光に基づき異物数を測定した場合、ウェーハ上に
形成されている膜の厚さによってｂｒｌｌ乱光が変化す
るため異物数の測定感度が悪くなり、判定Ｓ３が甘くな
る場合があるという問題点があった。また、モニター処
理Ｓ１終了後、モニター測定Ｓ２及び判定Ｓ３を行うの
はスループツ１−が悪いという問題点があった。例えば
搬送工程で許容範囲以上の異物がウェー八表面に付着し
ても、その判定は七二ター処理終了後に行われるモニタ
ー測定Ｓ２及び判定Ｓ３により行われるのでスループツ
］・が悪い。
の散乱光に基づき異物数を測定した場合、ウェーハ上に
形成されている膜の厚さによってｂｒｌｌ乱光が変化す
るため異物数の測定感度が悪くなり、判定Ｓ３が甘くな
る場合があるという問題点があった。また、モニター処
理Ｓ１終了後、モニター測定Ｓ２及び判定Ｓ３を行うの
はスループツ１−が悪いという問題点があった。例えば
搬送工程で許容範囲以上の異物がウェー八表面に付着し
ても、その判定は七二ター処理終了後に行われるモニタ
ー測定Ｓ２及び判定Ｓ３により行われるのでスループツ
］・が悪い。
さらに、実処理工程終了侵、実ウェーハに許容範囲以Ｆ
の５゛シ物がｉ−Ｊ ？’＋ Ｌ、ていることがわかっ
てもこれらの実つｒ−八は１鰻品化できないので手遅れ
であるという問題点があった。
の５゛シ物がｉ−Ｊ ？’＋ Ｌ、ていることがわかっ
てもこれらの実つｒ−八は１鰻品化できないので手遅れ
であるという問題点があった。
一方、前記問題点を解決するためモニター測定Ｓ２を実
処理工程後に行うこと、つまり搬送工程及び排気ＩＰ？
柊了復に行うことも考えられるが、こうすると実処理工
程で発生づる異物数の測定ができず、実処理工程で発生
した異物数が判定Ｓ３に反映されないという問題点があ
った。
処理工程後に行うこと、つまり搬送工程及び排気ＩＰ？
柊了復に行うことも考えられるが、こうすると実処理工
程で発生づる異物数の測定ができず、実処理工程で発生
した異物数が判定Ｓ３に反映されないという問題点があ
った。
この発明はＬ記のような問題点を解消リ−るためになさ
れたしのぐ、ウェーハの処理を行いながら、前記ウェ一
ハの表面近傍に発生する異物を測定することがて゛きる
半導体製造装置を１！７にとを目的とする。
れたしのぐ、ウェーハの処理を行いながら、前記ウェ一
ハの表面近傍に発生する異物を測定することがて゛きる
半導体製造装置を１！７にとを目的とする。
この発明に係る半導体製造装置は、ウェーハを処理する
ことにより半導体装置を製造する半導体製造装置て・あ
って、前記ウェーハの処゛埋中に前記ウェーハの表面近
傍の雰囲気中に信号を通過させ、通過後の前記信号の変
化を感知することにより前記ウェーハの表面近傍に発生
ずる異物を測定することができる構成としている。
ことにより半導体装置を製造する半導体製造装置て・あ
って、前記ウェーハの処゛埋中に前記ウェーハの表面近
傍の雰囲気中に信号を通過させ、通過後の前記信号の変
化を感知することにより前記ウェーハの表面近傍に発生
ずる異物を測定することができる構成としている。
（作用〕
この発明は、−ウェーハの処理中に１クエーハの表面近
傍の雰囲気中に信号を通過させ、通過後の信号の変化を
感知することによりウェーハの処理と同時にウェーハの
表面近傍に発生１Ｊる異物を測定する。
傍の雰囲気中に信号を通過させ、通過後の信号の変化を
感知することによりウェーハの処理と同時にウェーハの
表面近傍に発生１Ｊる異物を測定する。
第１図はこの発明の一実施例を示すフローチャートであ
る。従来との相）ｎ点は、モニター処理とモニター測定
と判定を同時に行い（ステップＡＩ）ステップ△１中の
判定の結果が異常だとモニター処理の途中で６、その処
理を中断するようにしたことである。
る。従来との相）ｎ点は、モニター処理とモニター測定
と判定を同時に行い（ステップＡＩ）ステップ△１中の
判定の結果が異常だとモニター処理の途中で６、その処
理を中断するようにしたことである。
第２図は第１図に示したステップＡ１の一実施例を承り
図である。図において、１はモニターウェーハ、２はモ
ニターウェーハ１の表面近傍の処理雰囲気、３は処理雰
囲気２中に存在する異物である。４はモニターウェーハ
１の表面近傍の処理雰囲気２中に発せられる検査信号、
４ａは検査信号４が処し！１！雰囲気２中を通過するこ
とにより変化した信号、５は検査信号４が異物３に干渉
することにより変化した信号である。
図である。図において、１はモニターウェーハ、２はモ
ニターウェーハ１の表面近傍の処理雰囲気、３は処理雰
囲気２中に存在する異物である。４はモニターウェーハ
１の表面近傍の処理雰囲気２中に発せられる検査信号、
４ａは検査信号４が処し！１！雰囲気２中を通過するこ
とにより変化した信号、５は検査信号４が異物３に干渉
することにより変化した信号である。
次に、第２図を用いながら動作について説明する。まず
、従来と同様モニターウェーハ１が含まれた一組の実ウ
ェーハを同時に処理する。この処理と同時にモニターウ
ェーハ１の表面付近の処理雰囲気２中を検査信号４を通
過させる。すると、検査信号４は信ｊ３４ａあるいは信
号５に変化する。
、従来と同様モニターウェーハ１が含まれた一組の実ウ
ェーハを同時に処理する。この処理と同時にモニターウ
ェーハ１の表面付近の処理雰囲気２中を検査信号４を通
過させる。すると、検査信号４は信ｊ３４ａあるいは信
号５に変化する。
信号／Ｉａ、信弓５を図示していない検査機能で検査し
、異物の発生状況を監視する。そして、信号５の発生が
許容範囲以上だと異常であると判定されアラームが発け
られ、モニター処理の途中（例えば搬送工程）でもモニ
ター処理は中断される（ステップ°Ａ２）。その後、例
えば劣化した部Ｒの交換でりを行ない、再びモニター処
理、モニター測定９刊定からなるステップＡ１を開始す
る。
、異物の発生状況を監視する。そして、信号５の発生が
許容範囲以上だと異常であると判定されアラームが発け
られ、モニター処理の途中（例えば搬送工程）でもモニ
ター処理は中断される（ステップ°Ａ２）。その後、例
えば劣化した部Ｒの交換でりを行ない、再びモニター処
理、モニター測定９刊定からなるステップＡ１を開始す
る。
信号５の発生が許容範囲以内だと異常なしと判定され、
モニター処理は終了する。
モニター処理は終了する。
以上のように、この発明によれば、ウェーハ処理中につ
Ｌ−ハの表面近傍の雰囲気中に信号を通過させ、通過後
の信号の変化を感知することによりウェーハの処理と同
時にウェーハの表面近傍に発生する異物を測定するよう
にしたので、ウェーハの処理中に異物が許容範囲以上発
生するとその時点でウェーハ処理を中断−４にとができ
スルーブツトが良くなるとともに、実処理工程を行ない
ながら同時に異物の測定がでさ゛るという効果がある。
Ｌ−ハの表面近傍の雰囲気中に信号を通過させ、通過後
の信号の変化を感知することによりウェーハの処理と同
時にウェーハの表面近傍に発生する異物を測定するよう
にしたので、ウェーハの処理中に異物が許容範囲以上発
生するとその時点でウェーハ処理を中断−４にとができ
スルーブツトが良くなるとともに、実処理工程を行ない
ながら同時に異物の測定がでさ゛るという効果がある。
また、発生する異物をウェーハ付着前に測定できるので
異物測定感度が良くなるという効果もある。
異物測定感度が良くなるという効果もある。
第１図はこの発明に係る半導体製造装置を用いて半導体
装置を製造する場合のフローヂＶ−ト、第２図はこの発
明の一実施例を示す図、第３図は従来の半導体製造装置
を用いて半導体装置を製造する場合のフローチャーｉ〜
である。 図において、１はモニターウェーハ、２は処理雰囲気、
３ ｆ、Ｌ ７Ｉ：物、４（よ検査信号、４ａ及び５は
信号である。 なお、各図中同一符号は同−Ｊ：たは相当部分を小ず。 代理人 人 岩 増 雄 第１図 第３図 第２図
装置を製造する場合のフローヂＶ−ト、第２図はこの発
明の一実施例を示す図、第３図は従来の半導体製造装置
を用いて半導体装置を製造する場合のフローチャーｉ〜
である。 図において、１はモニターウェーハ、２は処理雰囲気、
３ ｆ、Ｌ ７Ｉ：物、４（よ検査信号、４ａ及び５は
信号である。 なお、各図中同一符号は同−Ｊ：たは相当部分を小ず。 代理人 人 岩 増 雄 第１図 第３図 第２図
Claims (1)
- （１）ウェーハを処理することにより半導体装置を製造
する半導体製造装置であって、 前記ウェーハの処理中に前記ウェーハの表面近傍の雰囲
気中に信号を通過させ、通過後の前記信号の変化を感知
することにより前記ウェーハの表面近傍に発生する異物
を測定することを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16533388A JPH0215647A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16533388A JPH0215647A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0215647A true JPH0215647A (ja) | 1990-01-19 |
Family
ID=15810341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16533388A Pending JPH0215647A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0215647A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06242021A (ja) * | 1992-07-22 | 1994-09-02 | Ohtori Kiko Co Ltd | 原綿の色物異物検出方法及び装置 |
| JP2002190509A (ja) * | 2000-12-22 | 2002-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | 検査解析方法及び半導体装置 |
| US7177716B2 (en) | 2004-02-28 | 2007-02-13 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for material control system interface |
| US7218983B2 (en) | 2003-11-06 | 2007-05-15 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for integrating large and small lot electronic device fabrication facilities |
| US7221993B2 (en) | 2003-01-27 | 2007-05-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for transferring small lot size substrate carriers between processing tools |
| US7274971B2 (en) | 2004-02-28 | 2007-09-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for electronic device manufacturing system monitoring and control |
| US7413069B2 (en) | 2004-02-28 | 2008-08-19 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for transferring a substrate carrier within an electronic device manufacturing facility |
-
1988
- 1988-07-01 JP JP16533388A patent/JPH0215647A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06242021A (ja) * | 1992-07-22 | 1994-09-02 | Ohtori Kiko Co Ltd | 原綿の色物異物検出方法及び装置 |
| JP2002190509A (ja) * | 2000-12-22 | 2002-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | 検査解析方法及び半導体装置 |
| US7221993B2 (en) | 2003-01-27 | 2007-05-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for transferring small lot size substrate carriers between processing tools |
| US7218983B2 (en) | 2003-11-06 | 2007-05-15 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for integrating large and small lot electronic device fabrication facilities |
| US7603195B2 (en) | 2003-11-06 | 2009-10-13 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for integrating large and small lot electronic device fabrication facilities |
| US7177716B2 (en) | 2004-02-28 | 2007-02-13 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for material control system interface |
| US7274971B2 (en) | 2004-02-28 | 2007-09-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for electronic device manufacturing system monitoring and control |
| US7413069B2 (en) | 2004-02-28 | 2008-08-19 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for transferring a substrate carrier within an electronic device manufacturing facility |
| US7603196B2 (en) | 2004-02-28 | 2009-10-13 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for material control system interface |
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