JPH0341742A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造技術、特に、電子回路が作
り込まれたペレットの裏面から′：４ａｉの一部が取り
出される形式の半導体装置に間し、特にＮＰＮ接合形の
トランジスタの製造に利用して有効な技術に関する。

〔従来の技術〕

一般に、ＮＰＮｉ１合形のトランジスタにおいては、ト
ランジスタ回路が作り込まれたペレットの裏面から電極
の一部が取り出されるＩＩａになっているため、このペ
レットをリードフレームのタブにボンディングするペレ
ットボンディング手段としては、所謂、金−シリコン（
Ａｕ−３ｉ）共晶付けが採用されている。

すなわち、このＡｕＳｉ共晶付けによるベレ・ントボン
ディング方法は、ペレットの裏面に金蒸着層を形成して
おき、金箔、または金−アンチモン（Ａ　ｕ　−Ｓ　ｂ
　）から戒る合金箔をリードフレーム上番こ敷き、ペレ
ットの裏面をリードフレーム上の金箔または合金箔に加
熱下で擦りつけることにより、ペレットとリードフレー
ムとの間にＡｕＳｉ共晶層を形成せしめて、ペレットを
リードフレームにボンディングするものである。

しかし、前記Ａｕ−３ｔ共品付けによるペレットボンデ
ィング方法においては、次のような問題点がある。

（１）　　Ａ　ｕ　−Ｓ　ｉ共晶付けは高温度（４２０
〜４５０℃）下で実施されることにより、均一な温度を
得るのが困難なため、多連リードフレームの各リード先
端部に各ペレットを複数個、それぞれ同時にボンディン
グすることは難しい。

０）多連リードフレームにペレットを１個宛ボンディン
グする場合でも、多連リードフレーム全体が高温度下に
置かれるため、多連リードフレームが酸化したり、軟化
する等の障害が発生する。

（３）高価な金が使用されるため、コストが増大化され
る。

そこで、ＮＰＮ接合形のトランジスタを多連リードフレ
ームの各リード先端部にＡｇペーストを使用してボンデ
ィングする方法を採用すること力（−船釣に考えられる
。

なお、Ａｇペーストを使用したペレットボンディング技
術が述べられている例としては、特開昭５７−１４５３
３９号公報、および、株式会社工業調、査会発行「電子
材料１９８３年３月号」昭和５８年３月発行Ｐｉ　１８
〜Ｐ１２３、がある。

〔発明が解決しようとするｉｌｌ、Ｉ！Ｉ）しかし、Ｎ
ＰＮ接合接合子トランジスタｇペーストを使用してペレ
ットボンディングした場合、ペレットの裏面からｔ極の
一部が取り出されるＮＰＮ接合接合子トランジスタいて
は、オーミンク性が得られないためにコレクタ抵抗が増
大し、特性の劣化が起こるという問題点があることが、
本発明者によって明らかにされた。

すなわち、ＮＰＮ接合接合子トランジスタり込まれたペ
レットの裏面にＡｕ蒸ｒＸ層を形成しておき、リード先
端部上にＡｇペーストを塗布し、ペレットをリードに前
記Ａｕ蒸着層をＡｇペースト層に接着させてボンディン
グした場合、Ａｇペースト層にＶ族元素〈キャリア〕が
無いため、ペレットのシリコン層とＡｕ蒸着層との境界
Ｍ域にシゴットキーバリア（ダイオード）が発生し、そ
の結果、オーミンク性が低下する。

本発明の目的は、オーミ・ンク性の低下を防止しつつ、
Ａｇペーストによりペレットボンディングすることがで
きる半導体装置の製造技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

（ｉｌ、Ｉ！を解決するための手段〕 本題において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。

すなわち、電子回路が作り込まれているペレットの裏面
にＡｕ−３ｂ合金層を被着しておき、このペレットをリ
ードに前記合金層をリード上に形成された銀ペースト層
に接着させてボンディングするようにしたものである。

（作用〕 前記した手段によれば、Ａｕ−３ｈ合金層が半導体ペレ
ットの裏面に被着されでいるため、この合金層のｓｂの
キャリアにより半導体ペレットとＡｕ−Ｓｂ合金層との
境界にショットキーバリアが形成されるのが回避され、
その結果、オーミック性が低下されない。したがって、
ＮＰＮ接合接合子トランジスタり込まれたペレットをＡ
ｇペーストを使用してペレットボンディングした場合で
あっても、適正なオーミック性を確保することができる
。

〔実施例１〕 第１図は本発明の一実施例であるＮＰＮ接合接合子トラ
ンジスタす縦断面図、第２図はその拡大部分断面図、第
３図はその作用を説明するための縦断面図、第４図以降
はそのトランジスタの製造方法を示す各説明図である。

本実施例において、本発明に係る半導体装置はＮＰＮ接
合接合子トランジスタて構成されており、このトランジ
スタ１は第２１７１に示されているようなＮＰＮ接合形
トランジスタ回路３が作り込まれているペレット２を備
えている。すなわち、第２図において、工ごフタＥはＮ
形に、ベースＢはＰ形にそれぞれ形成されており、エミ
ッタＥの電極ＥａおよびベースＢの電極Ｂａと、後記す
る左右の各リード７．８との間にはボンディングワイヤ
６がそれぞれ橋絡されている。ベースＢの下層に形成さ
れたコレクタＣばＮ形に形成されており、ペレット２め
裏面を通して外部に取り出されるようになっている。コ
レクタＣの下層部にはＮ″層４０．０１ΩＣｍになるよ
うに形成されており、Ｎ’　１！４の外面には、電気抵
抗の小さい金属とＶ族元素とを成分にする合金層として
の金（Ａｕ）−アンチモン（Ｓｂ）合金層（以下、Ａｕ
−Ｓｂ合金層という、）５が、後述するような蒸着法を
用いられて０．３μｍ程度の厚さに被着され、かつ、３
８５°Ｃの加熱処理によって合金化されでいる。

一方、このトランジスタｌは３本のり−ド７．８．９を
備えており、３本のり一ド７．８．９は互いに平行に整
列するように配設されている。左右のリード７．８には
ボンディングワイヤ６の一端がそれぞれボンディングさ
れており、各ワイヤ６．６の他端は前記したようにエミ
ッタｉ　％　Ｅ　ａおよびベース′ｒ！Ｘ８ｉｉＢａに
それぞれボンディングされている。導体としての中央の
り一ド９の先端部には１１（Ａｇ、）ペースト層１０が
形成されており、前記４１１戒に係るペレット２しよこ
のリード９の先端部上に、前記Ａｕ−Ｓｂ合金Ｎ５をＡ
ｇペースト層１０に接着されることにより、ボンディン
グされている。Ａｇペーストは無溶剤タイプまたは溶剤
タイプのエポキシ接着剤に銀粉が均一に分散されており
、高耐熱性、高接着力、高耐加水分解性、超高純度性、
低発熱性、速硬化性、低腐敗性等の優れた特性に加え、
きわめて良好な経済性を備えている。

そして、ペレット２は３本のリード７．８．９のインナ
部およびワイヤ６．６と共に、樹脂封止パンケージ１１
により樹脂封止されている。

前記構成に係るＮＰＮ接合形トランジスタｌにおいて、
エミッタＥにＩ共給された電流はベースＢで増幅され、
コレクタＣからペレット２の裏面に形成されたＡｕ−Ｓ
ｂ合金層５およびＡｇペースト層１０を通してリード９
から取り出される。このとき、ペレット２の裏面のＡｕ
−Ｓｂ合金層５とペレットのシリコンとの境界層にンヨ
ソトキーバリアが形成されないため、オーミンク性が低
下されることがない、すなわち、Ａ　ｕ　−Ｓ　ｂ合金
層５のｓｂによりキャリアが確保されるため、半導体（
Ｓｔ）に金属（Ａｕ−Ｓｂ合金）を接触させた状態であ
っても、半導体表面と金属表面との電子の仕事関数の違
いが抑制され、その結果、ペレット２とＡｕ−Ｓｂ合金
層５との境界層においてシリコン（半導体）の中にキャ
リアの少ないショットキーバリアが形成されることはな
い、したがって、コレクタＣからは適正に制御された電
流が取り出されることになる。

これに対して、第３図に示されているように、ＮＰＮ接
合接合子トランジスタ回路り込まれたべレット２の裏面
に金（Ａｕ）層５′が蒸着されており、このペレット２
がリード９の先端部に、前記Ａ　ｕ　層５　’をその上
に塗布されたＡｇペーストＦＪ１０に接着されてボンデ
ィングされでいるトランジスタ１′においては、Ａｇペ
ーストＪｉｌＯにＶ族元素によるキャリアが無いため、
シリコン（半導体）に金（金属）を接触させた状態にな
り、半導体表面と金Ｒ表面との電子の仕事関数の違いに
よってペレットのシリコン層とＡ　ｕ　Ｊｉ　５　’と
の境界層５’ａでシリコン（半導体）の中にキャリアの
少ないシゴットキーバリアが形成される。その結果、オ
ーミック性が低下するため、コレクタＣの抵抗が増加し
、特性が劣化してしまう。

次に、本発明の一実施例である前記構成に係るＮＰＮ接
合接合子トランジスタ造方法を説明する。

まず、所謂前工程（図示せず）において、ペレット２に
はＮＰＮ接合形トランジスタ回路３が半導体ウェハの形
態にて作り込まれる。

続いて、半導体ウェハはその裏面がエツチング処理によ
り適度に除去され、そのエツチング処理された裏面には
Ａ　ｕ　−Ｓ　ｂ合金層が、フラッシュ蒸着法、多源蒸
着法、分子線エビタキャル法、イオンブレーティング法
等のような適当な薄ｉ成形技術（図示せず）を使用され
て蒸着される。そして、蒸着後、３８５℃の加熱処理に
よりＡ　ｕ　−Ｓｂ蒸Ｈ層は合金化される。Ａｕ−Ｓｂ
合金層が被着された半導体ウェハは所定の大きさのペレ
ットにダイシングされる。

一方、このＮＰＮ接合接合子トランジスタ造方法には、
第４図に示されているような多連す゛−ドフレーム２１
が使用される。この多連リードフレーム２１はコバール
や４２アロイ等のような鉄系材料、または燐青銅や無酸
素銅等のよう１ｘ銅系材料が用いられてプレス加工によ
り一体的に形成されており、複数個の単位リードフレー
ム２２が横に並べられて−ｉ１に連設されている。但し
、説明は一単位について行われる。

単位リードフレーム２２は３本のり一ド７．８．９を備
えており、３本のリード７．８．９は外枠２３に直角に
、かつ、互いに平行になるように配されて、各一端にお
いて一体的にそれぞれ突設されている。外枠２３には小
孔２３ａが複数個、長手方向に等間隔に配されて開設さ
れており、この小孔２３ａはペレットボンディング作業
やワイヤボンディング作業において送り孔として使用さ
れるとともに、トランスファ成形作業においで位置決め
孔として使用されるようになっている。各リード７．８
．９間にはダム部材２４が外枠２３と平行になるように
配されて一体的に架設されており、ダム部材２４の各リ
ード間の部分はトランスファ成形作業において、成形材
料としての樹脂がキャビティーから流れ出すのを防止す
るダム２４ａを構成するようになっている。そして、各
り一ド７．８．９のダム部材２４よりも外枠２３寄りの
部分によりアウタリード部７ｂ、８ｂ、９ｂカを外枠２
３から離反する部分によりインナリード部７ａ、８ａ、
９ａがそれぞれ実質的に形成されている。インナリード
部７ａ、８ａ、９ａはその途中部分において拡幅される
ことにより、樹脂封止パッケージ１１内において抜は止
め部を構成するように形成されている。

このように構成された多連リードフレーム２１には、前
記したように裏面にＡｕ−Ｓｂ合金層５を蒸着されたペ
レット２がＡｇペーストを用いられて、第５図および第
６図に示されているようなペレットボンディング装置に
より各単位リードフレーム毎にボンディングされる。

第５図および第６図に示されているペレットボンディン
グ装置３１はペレット２を各単位リードフレーム２２の
中央インナリード部９ａ上にＡｇペーストを用いてボン
ディングするように構成されており、フィーダ３２を備
えている。フィーダ３２は多連リードフレーム２１を長
手方向について４１動自在に保持して、単位リードフレ
ーム２２のピッチをもって歩進送りし得るように構成さ
れており、ワイヤボンディング装置におけるフィーダと
接続されるようになっている。フィーダ３２の一端部に
はローダ３３が設備されており、ローダ３３はラック等
に収容された多連リードフレーム２１をフィーダ３２上
に１枚宛払い出すように構成されている。フィーダ３２
の他端部には乾燥装置３４が設備されており、乾燥装置
３４はインナリード部９ａとペレット２とを接着したＡ
ｇペースト層を乾燥ないしは硬化させるように構成され
ている。

フィーダ３２の片脇にはボンディング材料としてのＡｇ
ペーストをインナリード部９ａ上に供給するためのＡｇ
ペースト供給装置３５が設備されており、この供給装置
３５は注射針のような構造を有するデイスペンサにより
Ａｇペースト３Ｇをインナリード部９ａ上、に所定ｔＸ
布するように構成されている。Ａｇペースト供給装！３
５と別の位置にはピックアップ装置３７が設備されてお
り、ピックアップ装置３７はトレー３８に収納されてい
るペレット２を１個宛取り出してプリアライメントステ
ージ３９にＩｔするように構成されている。さらに、ピ
ンクアップ装置３７と別の位置には真空吸着ヘッドのよ
うな構造を有するボンディングヘッド４０が設備されて
おり、ボンディングヘッド４０はプリアライメントステ
ージ３９に移載されたペレット２を真空吸着保持した後
、このペレット２をインナリード部９ａに塗布されたＡ
８ペースト塗布層４１上に移載させるように４１１處さ
れている。

次に、前記構成にかかるペレットボンディング装置によ
るペレットボンディング方法を説明する。

ローダ３３によってフィーダ３２上に供給された多遮り
一ドフレーム２１における先頭の単位リードフレーム２
２が塗布位置に送られて来ると、Ａｇペースト供給装置
３５によりインナリード部９ａ上にＡｇペースト３６が
１０〜ＬＯＯμｍ程度の厚さに塗布される。

他方、トレー３８に整列されたペレット２はピックアッ
プ装置３７によって１個宛ピンクアップされて、プリア
ライメントステージ３９に移載される。移載されたペレ
ット２はプリアライメントステージ３９上において＠緘
的にプリアライメントされる。プリアライメントされた
ペレット２はボンディングヘッド４０により真空吸着保
持される。

そして、ローダ３３によりフィーダ３２上に供給された
多連リードフレーム２１における先頭の単位リードフレ
ーム２２がボンディングステージ位置に送られて来ると
、ボンディングヘッド４゜に保持されたペレット２はイ
ンナリード部９ａに塗布されてなるＡｇペースト塗布層
４１に押し付けられる。このとき、ペレット２はその裏
面に被着されたＡｕ−３ｂ合金層５をＡｇペースト塗布
層４１に接着されて、インナリード部９ａ上にボンディ
ングされる。

そして、Ａｇペースト塗布層４１にＡｕ−５ｂ合金層５
を接着された単位リードフレーム２２はフィーダ３２の
送りにしたがって、乾燥装置３４に送り込まれ、Ａｇペ
ースト塗布層４１が乾燥ないしは硬化されることにより
、ＡｇペーストｉｔＯが形成される。このＡｇペースト
層１０によりペレット２はインナリード部９ａ上にオー
ミック状態でボンディングされた伏皿になる。

以降、前記作動が繰り返し実施されることにより、残り
の単位リードフレーム２２についてペレット２がボンデ
ィングされて行く。

このようにして、ペレット２がＡｇペースト層ＩＯおよ
びＡ　ｕ−３ｂ合金層５を介してリード９にボンディン
グされた多連リードフレーム２１には、ワイヤボンディ
ング工程（図示せず）において、超音波熱圧着式ワイヤ
ボンディング装置（図示せず）によりワイヤ６．６が各
単位リードフレーム毎にボンディングされる。これによ
り、第７図に示されているように、ペレット２に作り込
まれているＮＰＮ接合接合子トランジスタ回路３けるエ
ミソタＥの電極Ｅａおよびベースの電極Ｂａと、左右の
インナリード部７ａ、８ａとの間にはワイヤ６．６がそ
の両端部をそれぞれボンディングされて橋絡される。

これにより、ペレット２に作り込まれているＮＰＮ接合
接合子トランジスタ回路３エミソタＥおよびベースＢが
左右のリード７．８にワイヤ６．６により電気的に接続
された状態になり、コレクタＣが中央のリード９にＡｕ
−３ｂ合金層５およびＡｇペースト層１０により電気的
に接続された状態になる。この状態において、コレクタ
Ｃ１よ前述したように適正なオーミック性を確保されて
いる。

ペレットおよびワイヤ・ボンディング作業が実施された
単位リードフレームには、各単位リードフレーム毎に樹
脂封止するパッケージｌ１群が、トランスファ成形装置
（図示せず）を使用されて単位リードフレーム群につい
て同時に成形される。

このパッケージ１１により、第８図に示されているよう
に、ペレット２、インナリード部７ａ１８ａ　％　９　
ａおよびワイヤ６．６は樹脂封止される。

パッケージ群を成形された多連リードフレームはリード
切断成形工程（図示せず）において、外枠２３およびダ
ム２４ａが切り落とされるとともに、アウタリード部７
ｂ、８ｂ、９ｂが第９図に示されているような所定の形
状に成形される。

なお、アウタリード部７ｂ、８ｂ、９ｂについては必要
に応じて、このトランジスタｌのソルダビリティ−を高
めるためのはんだ被膜形成処理（図示せず）が適宜実施
される。

前記実施例によれば次の効果が得られる。

（１）ＮＰＮ接合形トランジスタ回路が作り込まれたペ
レットをリードにＡｇペーストを用いてボンディングす
る隙、ペレットの裏面にＡｕ−３ｂ合金層を被着してお
き、このＡ　ｕ　−Ｓ　ｂ合金層をＡｇペーストに接着
することにより、Ａｕ−３ｂ合金層とペレットのＳＬＪ
［との壇界にシヨ・ノドキーバリアが形成される現象を
回避して、オーミック性の低下を防止することができる
ため、ＮＰＮ接合形トランジスタ回路が作り込まれたペ
レットであっても適正なオーミック性を確保しながらＡ
ｇペーストを使用してペレットボンデイングすることが
できる。

（２）　前記（１）により、ＮＰＮ接合接合子トランジ
スタ造においてＡｇペーストによるベレ・ントボンディ
ング技術を使用することが可能になるため、金材料の低
減化を実現することができるばかりでなく、ペレットボ
ンディング作業の低温度化を実現することにより、リー
ドフレームの酸化や軟化を防止することができる。

（３）前記（２）のリードフレームの酸化や軟化の防止
により、ＮＰＮ接合接合子トランジスタ造において多連
リードフレームの採用を実現することができるため、そ
のトランジスタについての生産性をより一層高めること
ができる。

〔実施例２〕 第１０図は本発明の実施例２であるＮＰＮ接合形トラン
ジス！を示す縦断面図である。

本実施例２が前記実施例１と異なる点は、裏面にＡｕ−
３ｂ合金層５を被着されたペレット２力−Ａｇペースト
層の代わりに、はんだベースｌ目ＯＡによりリード９に
ボンディングされている点にあり、その作用および効果
は前記実施例１と同様である。

〔実施例３〕 第１１図は本発明の実施例３であるＮＰＮ接合接合子ト
ランジスタす縦断面図である。

本実施例３が前記実施例１と異なる点は、裏面にＡｕ−
３ｂ合金Ｊｉ５Ａを被着されたペレット２がリード９に
Ａｕ−５ｂ合金層５Ａを直接的に接合されてボンディン
グされている点にあり、Ａｕ−５ｂ合金Ｊｉｉ５Ａは１
〜２μｍの厚さに被着されている。

この場合、その製造方法においては、前記実施例１にお
けるＡｇペーストが塗布される工程が省略されることに
なる。

本実施例３においても、Ａｕ−３ｂ合金層５Ａとペレッ
ト２のＳｉ層との接合界面におけるショットキーバリア
が形成されるのを防止して、オーミック性の低下を防止
することができるため、ＮＰＮ接合形トランジスタ回路
が作り込まれたペレット２であってもリード９に直接的
にボンディングすることができる。

〔実施例４］ 第１２図は本発明の実施例４であるハイプリント形半導
体集積回路装置を示す縦断面図である。

本実施例４が前記実施例１と異なる点は、裏面にＡｕ−
３ｂ合金層５を被着されたペレット２Ａが、ハイプリン
）形半導体集積回路装置１２におけるセラミック基板等
から成るベース１３に形成された導体としての配線１４
上に、その配線１４上に形成されたＡｇペーストＮ１０
に前記Ａ　ｕ　−ｓｂ合金層５を接着されて、ボンディ
ングされている点にあり、そ作用および効果は前記実施
例１と同様である。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

例えば、電気抵抗の小さい元素としては、金（Ａｕ）を
使用するに限らず、１１（Ａｇ）、白金（ＰＬ）、アル
ミニウム（Ａ　ｌ　）　、銅（Ｃｕ）等を使用しでもよ
いし、Ｖ族元素としては、アンチモン（Ｓｂ）を使用す
るに限らず、燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）を使用してもよい
。

Ａｕ−”Ｓｂ合金層等をペレットの裏面に被着する方法
としては、蒸着法を使用するに限らず、ＣＶＤ法やスパ
ッタリング法、さらには、印刷法等を使用してもよい。

ペレットをリードまたは導体上にボンディングする手段
としては、前記実施例に係るペレットボンディング装置
を使用するに限られないことは、勿論である。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるＮＰＮ接合接合子ト
ランジスタレットボンディング技術に通用した場合ムこ
ついて説明したが、それに限定されるものではなく、Ｐ
ＮＰ接合形トランジスタや、その他の電子部品のペレッ
トボンディング技術全般に適用することができる。特に
、本発明はペレットの裏面から４極の一部が取り出され
る形式の電子部品または電子機器に適用して優れた効果
が得られる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。

ＮＰＮ接合形トランジスタ回路が作り込まれたペレット
をリードにＡｇペーストを用いてボンディングする際、
ペレットの裏面にＡ　ｕ　−Ｓ　ｈ合金層を被着してお
き、このＡ　ｕ　−Ｓ　ｂ合金層をＡｇペーストに接着
することにより、Ａ　ｕ　−Ｓ　ｂ合金層とペレットの
シリコン層との境界にシッフトキーバリアが形式される
現象を回避して、オーミック性の低下を防止することが
できるため、ＮＰＮ接合形トランジスタ回路が作り込ま
れたペレットであっても適正なオーミック性を確保しな
がらＡｇペーストを使用してペレットボンディングする
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例であるＮＰＮ接合接合子トラ
ンジスタす縦断面図、 第２図はその拡大部分断面図、 第３図はその作用を説明するための縦断面図、第４図以
降はそのトランジスタの製造方法を示す各説明図であり
、第４図；よそれに使用される多連リードフレームを示
す一部省略平面図、第５図は同じくペレットボンディン
グ装置を示す概略平面図、 第６図はその拡大部分断面図、 第７図はペレットおよびワイヤボンディング後を示す一
部省略平面図、 第８図はパッケージ成形後を示す一部省略平面図、 第９図は製造後のＮＰＮ接合接合−１ンジスタの外観を
示す正面図である。 第【０図は本発明の実施例２であるＮＰＮ接合接合子ト
ランジスタす縦断面図である。 第１１図は本発明の実施例３であるＮＰＮ接合接合子ト
ランジスタす縦断面図である。 第１２図は本発明の実施例４であるハイブリット形半導
体集積回路装置を示す縦断面図である。 ｌ・・・ＮＰＮ接合接合子トランジスタ・・・ペレット
、３・・・ＮＰＮ接合形トランジスタ回路、５．５Ａ・
・・Ａ　ｕ−３ｂ合金層（合金層）、６・・・ワイヤ、
７．８．９・・・リード（，１体）、１０・・・Ａｇペ
ースト層、１０Ａ・・・はんだペースト層、１１・・・
樹脂封止パッケージ、１２・・・ハイブリット形半導体
集積回路装置、１３・・・ベース、１４・・・配置！（
導体）、２Ｌ−・・多連リードフレーム、２２・・・単
位リードフレーム、２３・・・外枠、２４ａ・−・ダム
、３１・・・ペレットボンディング装置、３２・・・フ
ィーダ、３３・−・ローダ、３４・・・乾燥装置、３５
・−・Ａｇペースト供給装置、３６・・・Ａｇペースト
、３７・・・ピックアップ装置、３８・・・トレー、３
９・・・プリアライメントステージ、４０−−・ボンデ
ィングヘッド、４１・・・Ａｇペースト塗布層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、電子回路が作り込まれているペレットの裏面に、電
   気抵抗の小さい金属とＶ族元素とを成分にする合金層が
   被着されており、このペレットが導体に前記合金層を導
   体上に形成された銀ペースト層に接着されてボンディン
   グされていることを特徴とする半導体装置。 ２、電子回路が作り込まれているペレットの裏面に、電
   気抵抗の小さい金属とＶ族元素とを成分にする合金層が
   被着されており、このペレットが導体に前記合金層を導
   体上に形成されたはんだペースト層に接着されてボンデ
   ィングされていることを特徴とする半導体装置。 ３、電子回路が作り込まれているペレットの裏面に、電
   気抵抗の小さい金属とＶ族元素とを成分にする合金層が
   被着されており、このペレットが導体に前記合金層を直
   接的に接合されてボンディングされていることを特徴と
   する半導体装置。 ４、前記電子回路がＮＰＮ接合形トランジスタ回路であ
   り、前記合金層が金−アンチモン合金層であることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項または第２項または第３
   項記載の半導体装置。 ５、電子回路が作り込まれているペレットの裏面に、電
   気抵抗の小さい金属とＶ族元素とを成分にする合金が被
   着される工程と、導体上に銀ペーストまたははんだペー
   ストが塗布される工程と、導体上に塗布された前記銀ペ
   ーストまたははんだペースト上に前記被着されて成る合
   金層が接着されることにより、前記導体に前記ペレット
   がボンディングされる工程とを備えていることを特徴と
   する半導体装置の製造方法。 ６、電子回路が作り込まれているペレットの裏面に、電
   気抵抗の小さい金属とＶ族元素とを成分にする合金が被
   着される工程と、前記ペレットが導体上に、ペレット裏
   面に被着されて成る合金層が導体に直接的に接合される
   ことにより、ボンディングされる工程とを備えているこ
   とを特徴とする半導体装置の製造方法。