JPH0342414B2 - - Google Patents
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- JPH0342414B2 JPH0342414B2 JP57190258A JP19025882A JPH0342414B2 JP H0342414 B2 JPH0342414 B2 JP H0342414B2 JP 57190258 A JP57190258 A JP 57190258A JP 19025882 A JP19025882 A JP 19025882A JP H0342414 B2 JPH0342414 B2 JP H0342414B2
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/08—Optical arrangements
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- G—PHYSICS
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は赤外線光電変換装置に係り、さらに詳
しくは、前記赤外線光電変換装置の赤外線検知素
子が裏面入射型であつて、光フイルタを透過入射
してきた光をクーリングヘツドに形成されたL字
型孔内に設けられた凹面鏡で直角に転進させると
ともに集光させ、前記赤外線検知素子の受光面に
入射させることにより、別筒に集光レンズを必要
としない簡易化された光学系を有する赤外線光電
変換装置に関する。
しくは、前記赤外線光電変換装置の赤外線検知素
子が裏面入射型であつて、光フイルタを透過入射
してきた光をクーリングヘツドに形成されたL字
型孔内に設けられた凹面鏡で直角に転進させると
ともに集光させ、前記赤外線検知素子の受光面に
入射させることにより、別筒に集光レンズを必要
としない簡易化された光学系を有する赤外線光電
変換装置に関する。
(b) 従来技術と問題点
前記光電変換装置は通常の可視光線によるカメ
ラと同様に赤外線集光レンズを備え、対象物体の
赤外線像を赤外線検知素子上に結像させる。また
前記赤外線検知素子の動作温度は冷媒で特別に低
温度に冷却するを要し、そのために複雑な冷却構
造を備えている。この2点は前記赤外線光電変換
装置の原価昂騰と小型軽量化を阻害する大きな要
因となつている。
ラと同様に赤外線集光レンズを備え、対象物体の
赤外線像を赤外線検知素子上に結像させる。また
前記赤外線検知素子の動作温度は冷媒で特別に低
温度に冷却するを要し、そのために複雑な冷却構
造を備えている。この2点は前記赤外線光電変換
装置の原価昂騰と小型軽量化を阻害する大きな要
因となつている。
さて、前記赤外線集光レンズの材料としては一
般にゲルマニウム(Ge)またはシリコン(Si)
が波長に応じて使用されている。従来から使用さ
れている赤外線集光レンズは直径50mm程度の非常
に明るいゲルマニウム(Ge)集光レンズである
がその材料の故に甚だ高価である。
般にゲルマニウム(Ge)またはシリコン(Si)
が波長に応じて使用されている。従来から使用さ
れている赤外線集光レンズは直径50mm程度の非常
に明るいゲルマニウム(Ge)集光レンズである
がその材料の故に甚だ高価である。
さらに例えばシヨトキーバリア型赤外線検知素
子のように該素子の受光面と画素等に対する配線
面とが互いに反対面にある場合がある。以下この
ような受光面と配線面を持つ赤外線検知素子を裏
面入射型赤外線検知素子という。このような場合
には前記赤外線光電変換装置の組立構成がかなり
複雑になつてくる。これに前記の赤外線検知素子
の冷却構造が加わると更に大型化し複雑化してく
る。この一例を第1図の断面図に概念的に示す。
子のように該素子の受光面と画素等に対する配線
面とが互いに反対面にある場合がある。以下この
ような受光面と配線面を持つ赤外線検知素子を裏
面入射型赤外線検知素子という。このような場合
には前記赤外線光電変換装置の組立構成がかなり
複雑になつてくる。これに前記の赤外線検知素子
の冷却構造が加わると更に大型化し複雑化してく
る。この一例を第1図の断面図に概念的に示す。
裏面入射型光電変換素子として前記のシヨトキ
ーバリア型のSi赤外線検知素子1を例に採り上げ
ると、該赤外線検知器素子1はその動作温度が低
いために、それを素子取りつけブロツク2に密着
して取りつけた後、該素子取りつけブロツク2に
更に中継セラミツク4を接着剤で接着して配設
し、金の細線5でボンデイングして前記光電変換
素子の配設面と前記中継セラミツク4の表面上に
設けられた出力端子6を接続する。こうして形成
された中間組立ブロツクをクーリングヘツド3に
密着して組立てる。なお、該クーリングヘツド3
は実際には図示しない断熱容器の中に収納され、
前記赤外線検知素子の動作中には図に示されてい
ない冷却装置で冷却されて常に低温度に保たれて
いる。
ーバリア型のSi赤外線検知素子1を例に採り上げ
ると、該赤外線検知器素子1はその動作温度が低
いために、それを素子取りつけブロツク2に密着
して取りつけた後、該素子取りつけブロツク2に
更に中継セラミツク4を接着剤で接着して配設
し、金の細線5でボンデイングして前記光電変換
素子の配設面と前記中継セラミツク4の表面上に
設けられた出力端子6を接続する。こうして形成
された中間組立ブロツクをクーリングヘツド3に
密着して組立てる。なお、該クーリングヘツド3
は実際には図示しない断熱容器の中に収納され、
前記赤外線検知素子の動作中には図に示されてい
ない冷却装置で冷却されて常に低温度に保たれて
いる。
次いで前記赤外線検知素子1に入射させるべき
光の波長に対応した光透過特性を持つ光フイルタ
7をコールドシールド8と共に支持ブロツク9に
配設する。前記光フイルタ7もコールドシールド
8もそれら自体から無用の赤外線を放射しないよ
うに低温度に冷却する必要上、前記支持ブロツク
9は熱伝導率の高い銅で肉厚に形成されており、
前記クーリングヘツド3に密着して組立てられて
いる。
光の波長に対応した光透過特性を持つ光フイルタ
7をコールドシールド8と共に支持ブロツク9に
配設する。前記光フイルタ7もコールドシールド
8もそれら自体から無用の赤外線を放射しないよ
うに低温度に冷却する必要上、前記支持ブロツク
9は熱伝導率の高い銅で肉厚に形成されており、
前記クーリングヘツド3に密着して組立てられて
いる。
以上の組立構造はそれぞれの組立要素に対する
条件を満足するために必然的に導入された構造で
はあるが、特に前記赤外線検知素子1の配線面の
近くに発生する空間Sを確保する必要があるこ
と、クーリングヘツド3と光フイルタ7が赤外線
検知素子1の両側にあるため支持ブロツク9が必
要となること等の理由から、前記赤外線撮像装置
が大型になり構成も複雑で部品点数も多く、その
原価を高めるという欠点があつた。
条件を満足するために必然的に導入された構造で
はあるが、特に前記赤外線検知素子1の配線面の
近くに発生する空間Sを確保する必要があるこ
と、クーリングヘツド3と光フイルタ7が赤外線
検知素子1の両側にあるため支持ブロツク9が必
要となること等の理由から、前記赤外線撮像装置
が大型になり構成も複雑で部品点数も多く、その
原価を高めるという欠点があつた。
一方赤外線集光レンズ10は必要欠くべからざ
るものとされており、前述の通り、嵩も大きく高
価でもあるので出来るならばこれを省略したいと
ころである。
るものとされており、前述の通り、嵩も大きく高
価でもあるので出来るならばこれを省略したいと
ころである。
以上の諸点を解決する何等かの改善策が従来か
ら要望されていた。
ら要望されていた。
(c) 発明の目的
本発明は前述の点に鑑みなされたもので、前記
の赤外線検知素子1の配線面をクーリングヘツド
3の表面に配設出来るように前記赤外線撮像装置
の光学系を改良して該装置の構造を簡略化し、か
つ高価な赤外線集光レンズを省略しようとするも
のである。
の赤外線検知素子1の配線面をクーリングヘツド
3の表面に配設出来るように前記赤外線撮像装置
の光学系を改良して該装置の構造を簡略化し、か
つ高価な赤外線集光レンズを省略しようとするも
のである。
(d) 発明の構成
上記の発明の目的は、裏面入射型赤外線検知素
子を備えた赤外線光電変換装置において、冷却装
置により冷却されて所定の低温度に保持され、か
つその被冷却端とは別の部分において貫通して
A,B2個の開口部を有するL字型孔を形成した
クーリングヘツドと、前記開口部Aからの入射光
を直角に転進させ、且つ集光するよう前記L字型
孔の角部に位置して設けられた凹面鏡と、直角に
転進した前記入射光を垂直に受光するようにその
受光面を前記クーリングヘツドの開口部Bに位置
して配設された裏面入射型赤外線検知素子とで構
成することにより容易に達成される。
子を備えた赤外線光電変換装置において、冷却装
置により冷却されて所定の低温度に保持され、か
つその被冷却端とは別の部分において貫通して
A,B2個の開口部を有するL字型孔を形成した
クーリングヘツドと、前記開口部Aからの入射光
を直角に転進させ、且つ集光するよう前記L字型
孔の角部に位置して設けられた凹面鏡と、直角に
転進した前記入射光を垂直に受光するようにその
受光面を前記クーリングヘツドの開口部Bに位置
して配設された裏面入射型赤外線検知素子とで構
成することにより容易に達成される。
(e) 発明の実施例
以下発明案の実施例につき図面を参照して説明
する。第2図は本発明に基づく赤外線撮像装置の
改良された構造の一実施例を概念的に示す断面図
である。
する。第2図は本発明に基づく赤外線撮像装置の
改良された構造の一実施例を概念的に示す断面図
である。
第1図に示した従来の構造と第2図に示した本
発明による新旧の構造の差異はその光路にある。
即ち、第1図に示す従来の構造では対象物体から
放射された赤外線は赤外線集光レンズ10で集光
された後、直進してその光路Lは直線であるのに
対し、第2図に示す本発明に基づく新構造の一実
施例においては前記の対象物体からの赤外線は赤
外線集光レンズ10を経ることなく、直接に光フ
イルタ7を透過してその光路Mは、クーリングヘ
ツド3の内部に穿孔して設けられA,B2面で開
口したL字型孔11の角部に設けられた斜面に配
設された凹面鏡12により、L字型に直角に曲げ
られるとともに集光されて、前記赤外線検知素子
1上に結像する。即ち凹面鏡12の集光作用を利
用しているから、前述のように赤外線集光レンズ
10を必要としないのである。
発明による新旧の構造の差異はその光路にある。
即ち、第1図に示す従来の構造では対象物体から
放射された赤外線は赤外線集光レンズ10で集光
された後、直進してその光路Lは直線であるのに
対し、第2図に示す本発明に基づく新構造の一実
施例においては前記の対象物体からの赤外線は赤
外線集光レンズ10を経ることなく、直接に光フ
イルタ7を透過してその光路Mは、クーリングヘ
ツド3の内部に穿孔して設けられA,B2面で開
口したL字型孔11の角部に設けられた斜面に配
設された凹面鏡12により、L字型に直角に曲げ
られるとともに集光されて、前記赤外線検知素子
1上に結像する。即ち凹面鏡12の集光作用を利
用しているから、前述のように赤外線集光レンズ
10を必要としないのである。
第2図に示すように、クーリングヘツド3自体
に直接に接着して前記赤外線検知素子1および光
フイルタ7がそれぞれ面3および3bの開口部
A,B上に配設されているので、該赤外線検知素
子1と光フイルタ7はより強力に冷却されるとと
もに、従来の素子取りつけブロツク2と支持ブロ
ツク9とは不要となり、全体の構造は簡略化され
ると共に小型軽量となる。
に直接に接着して前記赤外線検知素子1および光
フイルタ7がそれぞれ面3および3bの開口部
A,B上に配設されているので、該赤外線検知素
子1と光フイルタ7はより強力に冷却されるとと
もに、従来の素子取りつけブロツク2と支持ブロ
ツク9とは不要となり、全体の構造は簡略化され
ると共に小型軽量となる。
クーリングヘツド3の面3aには赤外線検知素
子1がその受光面でクーリングヘツド3のL字型
孔11の出口開口Bを覆つて接着されており、こ
れに接して、中継セラミツク4が接着配設されて
いて、赤外線検知素子1の配線面上の回路は金の
細線5で中継セラミツク4上の出力端子6にボン
デイング法で接続されていることは従来と同様で
あるが、上記の配線空間は前記クーリングヘツド
3の外部にあるため特別にクーリングヘツド3内
に空間を設ける必要がないから、クーリングヘツ
ド5は小型に形成することが出来る。
子1がその受光面でクーリングヘツド3のL字型
孔11の出口開口Bを覆つて接着されており、こ
れに接して、中継セラミツク4が接着配設されて
いて、赤外線検知素子1の配線面上の回路は金の
細線5で中継セラミツク4上の出力端子6にボン
デイング法で接続されていることは従来と同様で
あるが、上記の配線空間は前記クーリングヘツド
3の外部にあるため特別にクーリングヘツド3内
に空間を設ける必要がないから、クーリングヘツ
ド5は小型に形成することが出来る。
一方、光フイルタ7およびコールドシールド8
はクーリングヘツド3の入口開口Aにに従来と同
様に配設されている。
はクーリングヘツド3の入口開口Aにに従来と同
様に配設されている。
従つて光フイルタ7に入射した光は該光フイル
タ7で所定波長の光のみ選別透過された後、L字
型孔11の内部に進入し該L字型孔11の角部に
光軸に対し45度に配設された凹面鏡12により直
角に曲げられて赤外線検知素子1の受光面に直角
に入射して結像する。以下は従来と同様である。
タ7で所定波長の光のみ選別透過された後、L字
型孔11の内部に進入し該L字型孔11の角部に
光軸に対し45度に配設された凹面鏡12により直
角に曲げられて赤外線検知素子1の受光面に直角
に入射して結像する。以下は従来と同様である。
(f) 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明による
赤外線光電変換装置の改良された構造を採用すれ
ば、該装置を一層小型に出来ると共に、組立工数
と部品点数を削減出来、特に高価な赤外線集光レ
ンズを省略出来る上、さらに赤外線検知素子およ
び光フイルタの冷却はより効率的になり、全体の
構造もより強固になるので、赤外線光電変換装置
の品質を向上し、その原価を低減出来るという効
果がある。
赤外線光電変換装置の改良された構造を採用すれ
ば、該装置を一層小型に出来ると共に、組立工数
と部品点数を削減出来、特に高価な赤外線集光レ
ンズを省略出来る上、さらに赤外線検知素子およ
び光フイルタの冷却はより効率的になり、全体の
構造もより強固になるので、赤外線光電変換装置
の品質を向上し、その原価を低減出来るという効
果がある。
赤外線撮像装置に関し、第1図は従来の構造
を、第2図は本発明に基づく構造の一実施例をそ
れぞれ概念的に示す断面図である。 1は赤外線検知素子、2は素子取りつけブロツ
ク、3はクーリングヘツド、4は中継セラミツ
ク、5は金の細線、6は出力端子、7は光フイル
タ、8はコールドシールド、9は支持ブロツク、
10は赤外線集光レンズ、11はL字型孔、12
は凹面鏡をそれぞれ示す。
を、第2図は本発明に基づく構造の一実施例をそ
れぞれ概念的に示す断面図である。 1は赤外線検知素子、2は素子取りつけブロツ
ク、3はクーリングヘツド、4は中継セラミツ
ク、5は金の細線、6は出力端子、7は光フイル
タ、8はコールドシールド、9は支持ブロツク、
10は赤外線集光レンズ、11はL字型孔、12
は凹面鏡をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 1 裏面入射型赤外線検知素子を備えた赤外線光
電変換装置であつて、冷却装置により冷却されて
所定の低温度に保持され、かつその被冷却端とは
別の部分において貫通してA,B2個の開口部を
有するL字型孔を形成したクリーニングヘツド3
と、前記開口部Aからの入射光を直角に転進さ
せ、且つ集光するよう前記L字型孔の角部に位置
して設けられた凹面鏡12と、直角に転進した前
記入射光を垂直に受光するようにその受光面を前
記クリーニングヘツドの開口部Bに位置して配設
された裏面入射型赤外線検知素子1とより構成さ
れたことを特徴とする赤外線光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57190258A JPS5979127A (ja) | 1982-10-28 | 1982-10-28 | 赤外線光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57190258A JPS5979127A (ja) | 1982-10-28 | 1982-10-28 | 赤外線光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5979127A JPS5979127A (ja) | 1984-05-08 |
| JPH0342414B2 true JPH0342414B2 (ja) | 1991-06-27 |
Family
ID=16255142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57190258A Granted JPS5979127A (ja) | 1982-10-28 | 1982-10-28 | 赤外線光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5979127A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3608296B2 (ja) * | 1996-06-21 | 2005-01-05 | セイコーエプソン株式会社 | 低温デバイス装置 |
| JP2004163272A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Hamamatsu Photonics Kk | 冷却式光検出装置 |
| JP6469353B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2019-02-13 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線センサ |
-
1982
- 1982-10-28 JP JP57190258A patent/JPS5979127A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5979127A (ja) | 1984-05-08 |
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