JPH0343226B2 - - Google Patents
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- JPH0343226B2 JPH0343226B2 JP58189807A JP18980783A JPH0343226B2 JP H0343226 B2 JPH0343226 B2 JP H0343226B2 JP 58189807 A JP58189807 A JP 58189807A JP 18980783 A JP18980783 A JP 18980783A JP H0343226 B2 JPH0343226 B2 JP H0343226B2
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
- C04B35/4684—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase containing lead compounds
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Description
本発明はビスマス含有BaTiO3を基礎とするセ
ラミツク誘電体に関するものである。さらに本発
明はセラミツク誘電体を多層コンデンサに使用す
ることに関するものである。 電子回路の小型化の構想において、面積が小さ
く容量が大きいコンデンサの必要性が次第に重要
になつている。原則として容量値を増すには次の
可能性がある。 １ 誘電体の面積を大きくする、 ２ 比誘電率εrelを大きくする、 ３ 誘電体の厚さを減らす。 誘電体の面積を増すには、コンデンサの後の使
用に関して例えば寸法の制限、生産機械などの一
連の二次的条件によつて最大可能な面積が決めら
れるので、限られた可能性のみを用いることがで
きる。いわゆる多層コンデンサによつて仕上部材
の寸法が実質的に増加することなく、誘電体の面
積を増やすことが知られており、これは薄いセラ
ミツク箔を金属電極と積み重ね積層体を形成し、
次いで焼結して仕上部材を形成する。多層構造を
用いるとコンデンサの小型化と同時に実際の目的
に適した高い容量値が比較的容易に実現される。
比誘電率が比較的高い誘電体を使用する場合、小
型のコンデンサの容量値をさらに増やすことがで
きる。 一般に、強誘電物質、例えばBaTiO3の混晶を
使用して比誘電率εrelを増すことが知られてお
り、εrel＝2000ないしεrel＝10000の値が既知で
ある。しかし、比誘電率εrelを増すと、前記物質
は一層不安定となり、その結果温度と電界強度の
依存性がかなり低下する。この不安定性の出現は
εの増加に直接つながるので、前記物質は物理的
に可能な範囲に既に達している。 BaTiO3の場合、比誘電率εrelの比較的高い誘
電体は既に入手し得るが、多層コンデンサを構成
する場合は特に難点がある。すなわち、BaTiO3
のち密な焼結に必要な温度が高いので、セラミツ
ク誘電体を焼結する前に用意される多層コンデン
サの電極は、例えばパラジウムのような融点が高
い貴金属から成る必要がある。 BaTiO3を基礎とする多層コンデンサ用誘電体
を製造するために多くの実験が行われたが、焼結
温度は、2.5〜4.5モル％の量のPbBi4Ti4O12およ
び１〜1.25モル％のBaO・Nb2O5、BaO・
Ta2O5、PbO・Nb2O5および／またはPbO・
Ta2O5を添加すると、1300〜1350℃（純BaTiO3）
から1080〜1100℃まで下がつた。この既知のセラ
ミツクでは、εrel＝1200〜1800の比誘電率を達成
することができ、前記誘電体はまた−50℃〜＋
130℃の温度範囲で±17％の比較的よい誘電率の
温度安定性を示す（NL−OS7113471と比較）。 いわゆるハイブリツド回路用部材の小型化をす
すめる要求が大きくなつている範囲内で、出来る
だけ既知のセラミツクのパラメーターを改良する
ことが望ましく、例えば、一層不安定な電界強度
および温度の依存性に関して良いパラメーターを
達成することなく、また焼結温度を事実上高める
ことなく、高い比誘電率を達成することが望まし
い。 本発明の目的は、比誘電率の値を高くすると同
時に誘電率の温度不安定性の値を改良し、しかも
焼結温度は既知のセラミツクの温度程度であり、
さらに直流電圧による電解をかけた場合特に高い
電圧安定性を達成するように、上記ビスマス含有
BaTiO3を基礎とするセラミツク誘電体を改良す
ることにある。 本発明によれば、この目的は誘電体が
BaTiO31モル当り0.02〜0.12モルのペロブスカイ
ト構造のSrBi4Ti4O15を含有する混晶状の単相セ
ラミツクであることで達成される。 本発明の好適例によれば、混晶はBaTiO31モ
ル当り0.03〜0.06モルのSrBi4Ti4O15から成る。 さらに本発明の特定例によれば、混晶は
BaTiO31モル当り0.03モルのSrBi4Ti4O15から成
る。 この単相セラミツクは実施のために特別な利点
を示す。すなわち寿命挙動がPbBi4Ti4O15を含有
する混晶と比較して必要なだけ改良される。これ
はまたBaTiO31モル当りSrBi4Ti4O150.03モル以
上の高い含有率から成る混晶に当てはまる。 前記ペロブスカイト構造SrBi4Ti4O15は
BaTiO3と混晶を形成し、混晶は1100〜1150℃の
焼結温度で、純BaTiO3の焼結温度（1300〜1350
℃）よりもかなり低く、しかもペロブスカイト構
造SrBi4Ti4O15の添加量はBaTiO31モル当り0.02
〜0.12、好ましくは0.03〜0.04モルで比較的少い。
低下した焼結温度は、電極金属を未加工の従つて
焼結していないセラミツク上に既に設けてある多
層コンデンサ用の誘電体としてセラミツクを使用
し、セラミツクの焼結を電極を一緒に行う場合
に、電極金属の融点により高い焼結温度を有する
セラミツクにおいて必要とされる純貴金属、例え
ばパラジウムは使用する必要がない。このセラミ
ツクでは低融点の合金成分、例えば銀を含有する
合金を電極に用いると有利である。この種のセラ
ミツクに有利に用いられる電極金属は銀の割合が
多い（60〜70重量％）銀−パラジウム合金から成
る。 さらに本発明のセラミツク誘電体の利点はεrel
＝2800の値を比誘電率を達成できることである。
これに対してPbBi4Ti4O15＋BaO・Nb2O5、
BaO・Ta2O5、PbO・Nb2O5またはPbO・Ta2O5
を添加したBaTiO3を基礎とする既知のセラミツ
クは比誘電率がεrel＜2000の値しか示さない。本
発明によるセラミツクにおいて誘電率εrelの増加
した値は−30℃〜＋125℃の温度範囲で特に安定
であり−これはまたBaTiO3を基礎とする既知の
誘電体と比較するとかなりの改善を意味する−こ
の値は室温（25℃）で比誘電率εrelの値から偏差
が±10％だけである。本発明による少数の組成物
は−55℃〜＋125℃の温度範囲で偏差が±15％以
下である。既知のセラミツクは−50℃〜＋130℃
の温度範囲で偏差が±17％であるから不利であ
り、このことは実施の際に重要である。 本発明のセラミツクのコンデンサ誘電体として
使用する最も重要な利点は、直流電圧による電界
をかけた場合比誘電率の値の変化が極めて小さい
ことである。例えば、同時に印加した直流電圧に
よる電界10KV／cmで1KHzにて測定した比誘電率
εrelは1.5％以下の変化である。意外にも、この
性質は本発明の組成全体に現われ、特に興味ある
特に薄い誘電体セラミツク層を有する多層コンデ
ンサに前記物質を使用し、さらに、前記多層コン
デンサを比較的低い焼結温度でち密に焼結し、従
つて融点が1000℃以下の金属を主成分とする電極
を用いて製造することができる。 以下、本発明の実施例を図面に基づき詳細に説
明する。 第１図は本発明によるセラミツクに対する比誘
電率εrelの温度依存性を示すグラフである。 第１図では、比誘電率εrelに対する測定値を、
空気中で４時間1150℃にて焼結した３モル％の
SrBi4Ti4O15を含有するBaTiO3組成物、および
空気中で４時間1110℃にて焼結したそれぞれ６モ
ル％および12モル％のSrBi4Ti4O15を含有する
BaTiO3組成物のセラミツクに対して温度Ｔにつ
きプロツトする。この場合にも、比較的良好な比
誘電率の安定性が−30℃〜＋125℃の温度範囲で
現われる。 製造すべき混晶セラミツクに必要な出発物質
（BaCO3、TiO2、SrCO3、Bi2O3）は、めのうボ
ールミルで分析用の原料を常法により湿式粉砕
し、標準雰囲気中1050〜1100℃の温度範囲で12〜
15時間予備焼結する。焼結した物質を再度、製造
すべき所望の混晶に通常依存し対応する混合割合
で粉末にした後、既知の方法で調整して、多層コ
ンデンサ用の箔を製造することができる塊を形成
する。 次の方法はBaTiO3・0.03SrBi4Ti4O15の組成の
誘電体を有する新しい多層コンデンサの製造を行
うものである。セラミツク混合用に重量として次
の組成の混合物を調整した。BaCO398.68ｇ＋
TiO239.95ｇ：SrCO32.215ｇ＋Bi2O313.98ｇ＋
TiO24.794ｇ。予備焼結と微粉砕を行つた組成物
を湿潤剤によつて30重量％の脱イオン水に懸濁さ
せた。懸濁液を集めて有機結合剤、例えば重合炭
化水素および軟化剤と共に分散装置の中で混合し
た。軟化剤としては例えばトリエチレングリコー
ルを使用することができる。このようにして得ら
れた懸濁液を減圧でガス抜きして湿潤剤と共にか
きまぜた。回転する鋼テープによつて懸濁薄層を
流出溶液から引出し、乾かして約40μｍ厚さのセ
ラミツク箔を形成した。コンデンサを所望の厚さ
にするためには、一枚を他の一枚に重ねた多くの
焼いていない箔片が必要であつた。この箔片の間
には、Ag／Pd粉末（Ag60重量％、Pd40重量
％）、および有機結合剤、例えば酢酸セルロース
から成る約8μｍ厚さの電極層を溶着した。次い
で積層物を圧縮し、穴をあけて単一体の多層ブロ
ツクを形成した。このブロツクを空気中で600℃
にて１分間につき0.5℃の割合で加熱し、溶媒を
蒸発させ、結合剤を焼いて追出した。次いでブロ
ツクを空気中で１分間につき３℃の割合で1150℃
まで加熱し、８〜10時間この温度で焼結を続け
た。 焼結後、ブロツクを１分間につき３℃の割合で
室温まで冷却した。焼結した単一体のブロツクは
容易に結合しハンダ付けできる電気端接触を与え
た。 完成した接触コンデンサについて寿命挙動を試
験した。このため直径が５mmで厚さが0.5mmのデ
イスクをセラミツク塊から圧縮し上記と同じ温度
で焼結し、次いでCr／Ni／Au電極を備えた。 電圧1000V、温度125℃にて1000時間、寿命測
定を行つた。BaTiO31モル当り最大0.12モルの
SrBi4Ti4O15を含有する試料について、約500時
間の持続試験では、試験開始時の固有抵抗よりも
103（three decimal powers）低い固定抵抗の値
を示した。第１表に示した組成物のうち残りの試
料は、固有抵抗値において僅かな一部は測定さえ
できない変量を示しただけである。 焼結セラミツクの密度は理論的に達成できる密
度の約98％であつた。 次の第１表には、本発明のセラミツクからの誘
電体を上記方法で製造したコンデンサの誘電特性
量を示す。
ラミツク誘電体に関するものである。さらに本発
明はセラミツク誘電体を多層コンデンサに使用す
ることに関するものである。 電子回路の小型化の構想において、面積が小さ
く容量が大きいコンデンサの必要性が次第に重要
になつている。原則として容量値を増すには次の
可能性がある。 １ 誘電体の面積を大きくする、 ２ 比誘電率εrelを大きくする、 ３ 誘電体の厚さを減らす。 誘電体の面積を増すには、コンデンサの後の使
用に関して例えば寸法の制限、生産機械などの一
連の二次的条件によつて最大可能な面積が決めら
れるので、限られた可能性のみを用いることがで
きる。いわゆる多層コンデンサによつて仕上部材
の寸法が実質的に増加することなく、誘電体の面
積を増やすことが知られており、これは薄いセラ
ミツク箔を金属電極と積み重ね積層体を形成し、
次いで焼結して仕上部材を形成する。多層構造を
用いるとコンデンサの小型化と同時に実際の目的
に適した高い容量値が比較的容易に実現される。
比誘電率が比較的高い誘電体を使用する場合、小
型のコンデンサの容量値をさらに増やすことがで
きる。 一般に、強誘電物質、例えばBaTiO3の混晶を
使用して比誘電率εrelを増すことが知られてお
り、εrel＝2000ないしεrel＝10000の値が既知で
ある。しかし、比誘電率εrelを増すと、前記物質
は一層不安定となり、その結果温度と電界強度の
依存性がかなり低下する。この不安定性の出現は
εの増加に直接つながるので、前記物質は物理的
に可能な範囲に既に達している。 BaTiO3の場合、比誘電率εrelの比較的高い誘
電体は既に入手し得るが、多層コンデンサを構成
する場合は特に難点がある。すなわち、BaTiO3
のち密な焼結に必要な温度が高いので、セラミツ
ク誘電体を焼結する前に用意される多層コンデン
サの電極は、例えばパラジウムのような融点が高
い貴金属から成る必要がある。 BaTiO3を基礎とする多層コンデンサ用誘電体
を製造するために多くの実験が行われたが、焼結
温度は、2.5〜4.5モル％の量のPbBi4Ti4O12およ
び１〜1.25モル％のBaO・Nb2O5、BaO・
Ta2O5、PbO・Nb2O5および／またはPbO・
Ta2O5を添加すると、1300〜1350℃（純BaTiO3）
から1080〜1100℃まで下がつた。この既知のセラ
ミツクでは、εrel＝1200〜1800の比誘電率を達成
することができ、前記誘電体はまた−50℃〜＋
130℃の温度範囲で±17％の比較的よい誘電率の
温度安定性を示す（NL−OS7113471と比較）。 いわゆるハイブリツド回路用部材の小型化をす
すめる要求が大きくなつている範囲内で、出来る
だけ既知のセラミツクのパラメーターを改良する
ことが望ましく、例えば、一層不安定な電界強度
および温度の依存性に関して良いパラメーターを
達成することなく、また焼結温度を事実上高める
ことなく、高い比誘電率を達成することが望まし
い。 本発明の目的は、比誘電率の値を高くすると同
時に誘電率の温度不安定性の値を改良し、しかも
焼結温度は既知のセラミツクの温度程度であり、
さらに直流電圧による電解をかけた場合特に高い
電圧安定性を達成するように、上記ビスマス含有
BaTiO3を基礎とするセラミツク誘電体を改良す
ることにある。 本発明によれば、この目的は誘電体が
BaTiO31モル当り0.02〜0.12モルのペロブスカイ
ト構造のSrBi4Ti4O15を含有する混晶状の単相セ
ラミツクであることで達成される。 本発明の好適例によれば、混晶はBaTiO31モ
ル当り0.03〜0.06モルのSrBi4Ti4O15から成る。 さらに本発明の特定例によれば、混晶は
BaTiO31モル当り0.03モルのSrBi4Ti4O15から成
る。 この単相セラミツクは実施のために特別な利点
を示す。すなわち寿命挙動がPbBi4Ti4O15を含有
する混晶と比較して必要なだけ改良される。これ
はまたBaTiO31モル当りSrBi4Ti4O150.03モル以
上の高い含有率から成る混晶に当てはまる。 前記ペロブスカイト構造SrBi4Ti4O15は
BaTiO3と混晶を形成し、混晶は1100〜1150℃の
焼結温度で、純BaTiO3の焼結温度（1300〜1350
℃）よりもかなり低く、しかもペロブスカイト構
造SrBi4Ti4O15の添加量はBaTiO31モル当り0.02
〜0.12、好ましくは0.03〜0.04モルで比較的少い。
低下した焼結温度は、電極金属を未加工の従つて
焼結していないセラミツク上に既に設けてある多
層コンデンサ用の誘電体としてセラミツクを使用
し、セラミツクの焼結を電極を一緒に行う場合
に、電極金属の融点により高い焼結温度を有する
セラミツクにおいて必要とされる純貴金属、例え
ばパラジウムは使用する必要がない。このセラミ
ツクでは低融点の合金成分、例えば銀を含有する
合金を電極に用いると有利である。この種のセラ
ミツクに有利に用いられる電極金属は銀の割合が
多い（60〜70重量％）銀−パラジウム合金から成
る。 さらに本発明のセラミツク誘電体の利点はεrel
＝2800の値を比誘電率を達成できることである。
これに対してPbBi4Ti4O15＋BaO・Nb2O5、
BaO・Ta2O5、PbO・Nb2O5またはPbO・Ta2O5
を添加したBaTiO3を基礎とする既知のセラミツ
クは比誘電率がεrel＜2000の値しか示さない。本
発明によるセラミツクにおいて誘電率εrelの増加
した値は−30℃〜＋125℃の温度範囲で特に安定
であり−これはまたBaTiO3を基礎とする既知の
誘電体と比較するとかなりの改善を意味する−こ
の値は室温（25℃）で比誘電率εrelの値から偏差
が±10％だけである。本発明による少数の組成物
は−55℃〜＋125℃の温度範囲で偏差が±15％以
下である。既知のセラミツクは−50℃〜＋130℃
の温度範囲で偏差が±17％であるから不利であ
り、このことは実施の際に重要である。 本発明のセラミツクのコンデンサ誘電体として
使用する最も重要な利点は、直流電圧による電界
をかけた場合比誘電率の値の変化が極めて小さい
ことである。例えば、同時に印加した直流電圧に
よる電界10KV／cmで1KHzにて測定した比誘電率
εrelは1.5％以下の変化である。意外にも、この
性質は本発明の組成全体に現われ、特に興味ある
特に薄い誘電体セラミツク層を有する多層コンデ
ンサに前記物質を使用し、さらに、前記多層コン
デンサを比較的低い焼結温度でち密に焼結し、従
つて融点が1000℃以下の金属を主成分とする電極
を用いて製造することができる。 以下、本発明の実施例を図面に基づき詳細に説
明する。 第１図は本発明によるセラミツクに対する比誘
電率εrelの温度依存性を示すグラフである。 第１図では、比誘電率εrelに対する測定値を、
空気中で４時間1150℃にて焼結した３モル％の
SrBi4Ti4O15を含有するBaTiO3組成物、および
空気中で４時間1110℃にて焼結したそれぞれ６モ
ル％および12モル％のSrBi4Ti4O15を含有する
BaTiO3組成物のセラミツクに対して温度Ｔにつ
きプロツトする。この場合にも、比較的良好な比
誘電率の安定性が−30℃〜＋125℃の温度範囲で
現われる。 製造すべき混晶セラミツクに必要な出発物質
（BaCO3、TiO2、SrCO3、Bi2O3）は、めのうボ
ールミルで分析用の原料を常法により湿式粉砕
し、標準雰囲気中1050〜1100℃の温度範囲で12〜
15時間予備焼結する。焼結した物質を再度、製造
すべき所望の混晶に通常依存し対応する混合割合
で粉末にした後、既知の方法で調整して、多層コ
ンデンサ用の箔を製造することができる塊を形成
する。 次の方法はBaTiO3・0.03SrBi4Ti4O15の組成の
誘電体を有する新しい多層コンデンサの製造を行
うものである。セラミツク混合用に重量として次
の組成の混合物を調整した。BaCO398.68ｇ＋
TiO239.95ｇ：SrCO32.215ｇ＋Bi2O313.98ｇ＋
TiO24.794ｇ。予備焼結と微粉砕を行つた組成物
を湿潤剤によつて30重量％の脱イオン水に懸濁さ
せた。懸濁液を集めて有機結合剤、例えば重合炭
化水素および軟化剤と共に分散装置の中で混合し
た。軟化剤としては例えばトリエチレングリコー
ルを使用することができる。このようにして得ら
れた懸濁液を減圧でガス抜きして湿潤剤と共にか
きまぜた。回転する鋼テープによつて懸濁薄層を
流出溶液から引出し、乾かして約40μｍ厚さのセ
ラミツク箔を形成した。コンデンサを所望の厚さ
にするためには、一枚を他の一枚に重ねた多くの
焼いていない箔片が必要であつた。この箔片の間
には、Ag／Pd粉末（Ag60重量％、Pd40重量
％）、および有機結合剤、例えば酢酸セルロース
から成る約8μｍ厚さの電極層を溶着した。次い
で積層物を圧縮し、穴をあけて単一体の多層ブロ
ツクを形成した。このブロツクを空気中で600℃
にて１分間につき0.5℃の割合で加熱し、溶媒を
蒸発させ、結合剤を焼いて追出した。次いでブロ
ツクを空気中で１分間につき３℃の割合で1150℃
まで加熱し、８〜10時間この温度で焼結を続け
た。 焼結後、ブロツクを１分間につき３℃の割合で
室温まで冷却した。焼結した単一体のブロツクは
容易に結合しハンダ付けできる電気端接触を与え
た。 完成した接触コンデンサについて寿命挙動を試
験した。このため直径が５mmで厚さが0.5mmのデ
イスクをセラミツク塊から圧縮し上記と同じ温度
で焼結し、次いでCr／Ni／Au電極を備えた。 電圧1000V、温度125℃にて1000時間、寿命測
定を行つた。BaTiO31モル当り最大0.12モルの
SrBi4Ti4O15を含有する試料について、約500時
間の持続試験では、試験開始時の固有抵抗よりも
103（three decimal powers）低い固定抵抗の値
を示した。第１表に示した組成物のうち残りの試
料は、固有抵抗値において僅かな一部は測定さえ
できない変量を示しただけである。 焼結セラミツクの密度は理論的に達成できる密
度の約98％であつた。 次の第１表には、本発明のセラミツクからの誘
電体を上記方法で製造したコンデンサの誘電特性
量を示す。
【表】
第２表には本発明のセラミツクからの誘電体を
有するコンデンサ（試料番号438〜441）１〜
10KV／cmの印加直流電圧での誘電特性量εrelお
よびtanδ（％）を示す。
有するコンデンサ（試料番号438〜441）１〜
10KV／cmの印加直流電圧での誘電特性量εrelお
よびtanδ（％）を示す。
【表】
第１図は本発明によるセラミツクに対する比誘
電率εrelの温度依存性を示すグラフである。 縦軸は比誘電率εrel、横軸は温度Ｔ（℃）を示
す。
電率εrelの温度依存性を示すグラフである。 縦軸は比誘電率εrel、横軸は温度Ｔ（℃）を示
す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 誘電体がBaTiO31モル当り0.02〜0.12モルの
ペロブスカイト構造 SrBi4Ti4O15から成る混晶状の単相セラミツク
であることを特徴とするビスマス含有BaTiO3を
基礎とするセラミツク誘電体。 ２ 混晶がBaTiO31モル当り0.03〜0.06モルの
SrBi4Ti4O15から成る特許請求の範囲第１項記載
のセラミツク誘電体。
Applications Claiming Priority (2)
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