JPH0343231Y2 - - Google Patents
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- JPH0343231Y2 JPH0343231Y2 JP8125886U JP8125886U JPH0343231Y2 JP H0343231 Y2 JPH0343231 Y2 JP H0343231Y2 JP 8125886 U JP8125886 U JP 8125886U JP 8125886 U JP8125886 U JP 8125886U JP H0343231 Y2 JPH0343231 Y2 JP H0343231Y2
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- ring magnet
- chamber
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔概要〕
半導体装置の製造に使用するスパツタリング装
置において、良好な状態の電極を形成させるため
にウエーハステージの背面にリングマグネツトを
設け、ウエーハの温度を上昇させるスパツタリン
グ装置。[Detailed description of the invention] [Summary] In sputtering equipment used for manufacturing semiconductor devices, a ring magnet is installed on the back of the wafer stage to increase the temperature of the wafer in order to form electrodes in good condition. .
本考案は半導体装置の製造に使用するスパツタ
リング装置の改良に関するものである。
The present invention relates to an improvement in sputtering equipment used for manufacturing semiconductor devices.
スパツタリング装置においては、電極の形成状
態を良好にするためにウエーハを加熱している
が、特にウエーハの簡単な加熱方法が要求されて
いる。 In sputtering apparatuses, wafers are heated in order to improve the formation of electrodes, and in particular, a simple method for heating wafers is required.
従来のスパツタリング装置においては、第３図
に示すように良好な電極を形成するため、赤外線
が透過する通常とは異なる特殊な形状のウエーハ
ステージ３′を装置のチヤンバ１内に設け、ウエ
ーハステージ３′の背面から赤外線ランプ１１を
用いてウエーハ４を加熱している。
In a conventional sputtering apparatus, in order to form a good electrode as shown in FIG. The wafer 4 is heated from the back side using an infrared lamp 11.
〔考案が解決しようとする問題点〕
以上説明の従来のスパツタリング装置で問題と
なるのは、赤外線ランプ１１を用いてウエーハ４
を加熱していることである。[Problems to be solved by the invention] The problem with the conventional sputtering apparatus described above is that the infrared lamp 11 is used to
This means that it is being heated.
赤外線ランプを用いているので、ウエーハステ
ージ３′の構造を赤外線が透過する特殊な形状に
しなければならず、ランプ、ソケツト及び送電の
ための耐熱性の配線が必要となり、そのためには
ウエーハステージ３′の背面に大きなスペースを
取らねばならない。 Since an infrared lamp is used, the structure of the wafer stage 3' must be made into a special shape that allows infrared rays to pass through, and heat-resistant wiring for the lamp, socket, and power transmission is required. ' requires a large amount of space on the back.
したがつてチヤンバ１の容量が大きくなるの
で、使用時の排気に要する時間が長くなり、又赤
外線ランプ等の機器による汚染の恐れも生じる。 Therefore, since the capacity of the chamber 1 becomes large, the time required for evacuation during use becomes longer, and there is also a risk of contamination by equipment such as infrared lamps.
本考案はこのような障害の多い加熱方法に替わ
る簡便な加熱方法の提供を目的としたものであ
る。 The present invention aims to provide a simple heating method that can replace such troublesome heating methods.
上記問題点は、ウエーハステージの背面に小型
の磁石を輪状に接着して形成したリングマグネツ
トを設けることにより解決する。
The above problem can be solved by providing a ring magnet formed by bonding small magnets in a ring shape to the back surface of the wafer stage.
即ち本考案においては、ウエーハステージの背
面に設けたリングマグネツトにより発生した磁束
によつてチヤンバ内の電子の運動が活発になり、
その影響を受けてウエーハの温度が上昇する。
That is, in the present invention, the movement of electrons within the chamber is activated by the magnetic flux generated by the ring magnet provided on the back of the wafer stage.
Under the influence of this, the temperature of the wafer increases.
以下第１図について本考案の一実施例を説明す
る。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
図において、チヤンバ１は気密構造であり、流
量調整弁Ａ ８及びストツプ弁７を通して真空ポ
ンプ６に接続されて、排気されて室内圧は１×
10-6Torr以下に保たれている。 In the figure, the chamber 1 has an airtight structure, is connected to a vacuum pump 6 through a flow rate adjustment valve A 8 and a stop valve 7, and is evacuated so that the indoor pressure is 1×.
Maintained below 10 -6 Torr.
ウエーハステージ３にはウエーハ４が載置され
ており、ウエーハステージ３の背面にはリングマ
グネツト１０が設けられている。リングマグネツ
ト１０は第２図に示すように長さ20mmの小型の磁
石を直径150mmの輪を形成するように互いに接着
させたものであり、その磁束密度は800ガウスで
ある。 A wafer 4 is placed on the wafer stage 3, and a ring magnet 10 is provided on the back of the wafer stage 3. As shown in FIG. 2, the ring magnet 10 is made up of small magnets with a length of 20 mm glued together to form a ring with a diameter of 150 mm, and its magnetic flux density is 800 Gauss.
チヤンバ１の側壁には装置の稼働時に供給する
アルゴンガスを一定量流す流量調整弁Ｂ ９が設
けてある。 A flow rate regulating valve B9 is provided on the side wall of the chamber 1 to allow a constant flow of argon gas to be supplied during operation of the apparatus.
チヤンバ１内に設けられたターゲツト２例えば
アルミニウムには直流電源５の陰極が接続されて
おり、電子が放出されるのでアルゴンガスが陽性
のプラズマとなり、それが陰極のターゲツト２に
当たりアルミニウムが放出されてウエーハ上にア
ルミニウム電極を形成する。チヤンバ１には陽極
が接続されている。 The cathode of a DC power supply 5 is connected to a target 2, for example aluminum, provided in the chamber 1, and as electrons are emitted, the argon gas becomes positive plasma, which hits the cathode target 2 and releases aluminum. Form aluminum electrodes on the wafer. An anode is connected to the chamber 1.
装置を稼働してウエーハ４に電極を形成する時
には、下記の条件のもとで装置を１分間稼働させ
ると、リングマグネツト１０が無い場合はウエー
ハ４の温度は100℃になり、リングマグネツト１
０を設けて場合は250℃になつた。 When operating the apparatus to form electrodes on the wafer 4, if the apparatus is operated for 1 minute under the following conditions, the temperature of the wafer 4 will be 100°C without the ring magnet 10, and the ring magnet will 1
When 0 was set, the temperature became 250℃.
ウエーハ４とターゲツト２の距離 ……５cm
チヤンバの室内圧 …１×10-3Torr
アルゴンガスの流量 …20c.c.／min
直流電源出力 …10KW
〔考案の効果〕
以上説明したように本考案によれば極めて簡単
な構成で、従来の赤外線ランプによる加熱と同程
度のウエーハの加熱を行なうことができるので、
チヤンバ１の容積を小さくすることが可能とな
り、赤外線ランプ及び付属設備による汚染も防止
できるようになつた。Distance between wafer 4 and target 2...5cm Indoor pressure of chamber...1×10 -3 Torr Argon gas flow rate...20c.c./min DC power output...10KW [Effects of the invention] As explained above, the present invention According to this method, it is possible to heat a wafer to the same extent as a conventional infrared lamp with an extremely simple configuration.
It has become possible to reduce the volume of the chamber 1, and it has also become possible to prevent contamination by the infrared lamp and attached equipment.
第１図は本考案による一実施例を示す側断面
図、第２図は本考案によるリングマグネツトの斜
視図、第３図は従来技術を示す側断面図、であ
る。
図において、１はチヤンバ、２はターゲツト、
３，３′はウエーハステージ、４はウエーハ、５
は直流電源、６は真空ポンプ、７はストツプ弁、
８は流量調整弁Ａ，９は流量調整弁Ｂ、１０はリ
ングマグネツト、１１は赤外線ランプ、を示す。
FIG. 1 is a side sectional view showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view of a ring magnet according to the present invention, and FIG. 3 is a side sectional view showing a conventional technique. In the figure, 1 is the chamber, 2 is the target,
3, 3' are wafer stages, 4 is wafer, 5
is a DC power supply, 6 is a vacuum pump, 7 is a stop valve,
Reference numeral 8 indicates a flow rate regulating valve A, 9 indicates a flow rate regulating valve B, 10 indicates a ring magnet, and 11 indicates an infrared lamp.
Claims (1)
置において、ウエーハステージ３の背面にリング
マグネツト１０を配設することを特徴とするスパ
ツタリング装置。 A sputtering apparatus used for manufacturing semiconductor devices, characterized in that a ring magnet 10 is disposed on the back side of a wafer stage 3.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8125886U JPH0343231Y2 (en) | 1986-05-28 | 1986-05-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8125886U JPH0343231Y2 (en) | 1986-05-28 | 1986-05-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62191864U JPS62191864U (en) | 1987-12-05 |
| JPH0343231Y2 true JPH0343231Y2 (en) | 1991-09-10 |
Family
ID=30932833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8125886U Expired JPH0343231Y2 (en) | 1986-05-28 | 1986-05-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0343231Y2 (en) |
-
1986
- 1986-05-28 JP JP8125886U patent/JPH0343231Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62191864U (en) | 1987-12-05 |
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