JPH0343231Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0343231Y2 JPH0343231Y2 JP8125886U JP8125886U JPH0343231Y2 JP H0343231 Y2 JPH0343231 Y2 JP H0343231Y2 JP 8125886 U JP8125886 U JP 8125886U JP 8125886 U JP8125886 U JP 8125886U JP H0343231 Y2 JPH0343231 Y2 JP H0343231Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- ring magnet
- chamber
- wafer stage
- present
- Prior art date
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- Expired
Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 19
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔概要〕
半導体装置の製造に使用するスパツタリング装
置において、良好な状態の電極を形成させるため
にウエーハステージの背面にリングマグネツトを
設け、ウエーハの温度を上昇させるスパツタリン
グ装置。
置において、良好な状態の電極を形成させるため
にウエーハステージの背面にリングマグネツトを
設け、ウエーハの温度を上昇させるスパツタリン
グ装置。
本考案は半導体装置の製造に使用するスパツタ
リング装置の改良に関するものである。
リング装置の改良に関するものである。
スパツタリング装置においては、電極の形成状
態を良好にするためにウエーハを加熱している
が、特にウエーハの簡単な加熱方法が要求されて
いる。
態を良好にするためにウエーハを加熱している
が、特にウエーハの簡単な加熱方法が要求されて
いる。
従来のスパツタリング装置においては、第３図
に示すように良好な電極を形成するため、赤外線
が透過する通常とは異なる特殊な形状のウエーハ
ステージ３′を装置のチヤンバ１内に設け、ウエ
ーハステージ３′の背面から赤外線ランプ１１を
用いてウエーハ４を加熱している。
に示すように良好な電極を形成するため、赤外線
が透過する通常とは異なる特殊な形状のウエーハ
ステージ３′を装置のチヤンバ１内に設け、ウエ
ーハステージ３′の背面から赤外線ランプ１１を
用いてウエーハ４を加熱している。
〔考案が解決しようとする問題点〕
以上説明の従来のスパツタリング装置で問題と
なるのは、赤外線ランプ１１を用いてウエーハ４
を加熱していることである。
なるのは、赤外線ランプ１１を用いてウエーハ４
を加熱していることである。
赤外線ランプを用いているので、ウエーハステ
ージ３′の構造を赤外線が透過する特殊な形状に
しなければならず、ランプ、ソケツト及び送電の
ための耐熱性の配線が必要となり、そのためには
ウエーハステージ３′の背面に大きなスペースを
取らねばならない。
ージ３′の構造を赤外線が透過する特殊な形状に
しなければならず、ランプ、ソケツト及び送電の
ための耐熱性の配線が必要となり、そのためには
ウエーハステージ３′の背面に大きなスペースを
取らねばならない。
したがつてチヤンバ１の容量が大きくなるの
で、使用時の排気に要する時間が長くなり、又赤
外線ランプ等の機器による汚染の恐れも生じる。
で、使用時の排気に要する時間が長くなり、又赤
外線ランプ等の機器による汚染の恐れも生じる。
本考案はこのような障害の多い加熱方法に替わ
る簡便な加熱方法の提供を目的としたものであ
る。
る簡便な加熱方法の提供を目的としたものであ
る。
上記問題点は、ウエーハステージの背面に小型
の磁石を輪状に接着して形成したリングマグネツ
トを設けることにより解決する。
の磁石を輪状に接着して形成したリングマグネツ
トを設けることにより解決する。
即ち本考案においては、ウエーハステージの背
面に設けたリングマグネツトにより発生した磁束
によつてチヤンバ内の電子の運動が活発になり、
その影響を受けてウエーハの温度が上昇する。
面に設けたリングマグネツトにより発生した磁束
によつてチヤンバ内の電子の運動が活発になり、
その影響を受けてウエーハの温度が上昇する。
以下第１図について本考案の一実施例を説明す
る。
る。
図において、チヤンバ１は気密構造であり、流
量調整弁Ａ ８及びストツプ弁７を通して真空ポ
ンプ６に接続されて、排気されて室内圧は１×
10-6Torr以下に保たれている。
量調整弁Ａ ８及びストツプ弁７を通して真空ポ
ンプ６に接続されて、排気されて室内圧は１×
10-6Torr以下に保たれている。
ウエーハステージ３にはウエーハ４が載置され
ており、ウエーハステージ３の背面にはリングマ
グネツト１０が設けられている。リングマグネツ
ト１０は第２図に示すように長さ20mmの小型の磁
石を直径150mmの輪を形成するように互いに接着
させたものであり、その磁束密度は800ガウスで
ある。
ており、ウエーハステージ３の背面にはリングマ
グネツト１０が設けられている。リングマグネツ
ト１０は第２図に示すように長さ20mmの小型の磁
石を直径150mmの輪を形成するように互いに接着
させたものであり、その磁束密度は800ガウスで
ある。
チヤンバ１の側壁には装置の稼働時に供給する
アルゴンガスを一定量流す流量調整弁Ｂ ９が設
けてある。
アルゴンガスを一定量流す流量調整弁Ｂ ９が設
けてある。
チヤンバ１内に設けられたターゲツト２例えば
アルミニウムには直流電源５の陰極が接続されて
おり、電子が放出されるのでアルゴンガスが陽性
のプラズマとなり、それが陰極のターゲツト２に
当たりアルミニウムが放出されてウエーハ上にア
ルミニウム電極を形成する。チヤンバ１には陽極
が接続されている。
アルミニウムには直流電源５の陰極が接続されて
おり、電子が放出されるのでアルゴンガスが陽性
のプラズマとなり、それが陰極のターゲツト２に
当たりアルミニウムが放出されてウエーハ上にア
ルミニウム電極を形成する。チヤンバ１には陽極
が接続されている。
装置を稼働してウエーハ４に電極を形成する時
には、下記の条件のもとで装置を１分間稼働させ
ると、リングマグネツト１０が無い場合はウエー
ハ４の温度は100℃になり、リングマグネツト１
０を設けて場合は250℃になつた。
には、下記の条件のもとで装置を１分間稼働させ
ると、リングマグネツト１０が無い場合はウエー
ハ４の温度は100℃になり、リングマグネツト１
０を設けて場合は250℃になつた。
ウエーハ４とターゲツト２の距離 ……５cm
チヤンバの室内圧 …１×10-3Torr
アルゴンガスの流量 …20c.c.／min
直流電源出力 …10KW
〔考案の効果〕
以上説明したように本考案によれば極めて簡単
な構成で、従来の赤外線ランプによる加熱と同程
度のウエーハの加熱を行なうことができるので、
チヤンバ１の容積を小さくすることが可能とな
り、赤外線ランプ及び付属設備による汚染も防止
できるようになつた。
な構成で、従来の赤外線ランプによる加熱と同程
度のウエーハの加熱を行なうことができるので、
チヤンバ１の容積を小さくすることが可能とな
り、赤外線ランプ及び付属設備による汚染も防止
できるようになつた。
第１図は本考案による一実施例を示す側断面
図、第２図は本考案によるリングマグネツトの斜
視図、第３図は従来技術を示す側断面図、であ
る。 図において、１はチヤンバ、２はターゲツト、
３，３′はウエーハステージ、４はウエーハ、５
は直流電源、６は真空ポンプ、７はストツプ弁、
８は流量調整弁Ａ，９は流量調整弁Ｂ、１０はリ
ングマグネツト、１１は赤外線ランプ、を示す。
図、第２図は本考案によるリングマグネツトの斜
視図、第３図は従来技術を示す側断面図、であ
る。 図において、１はチヤンバ、２はターゲツト、
３，３′はウエーハステージ、４はウエーハ、５
は直流電源、６は真空ポンプ、７はストツプ弁、
８は流量調整弁Ａ，９は流量調整弁Ｂ、１０はリ
ングマグネツト、１１は赤外線ランプ、を示す。
Claims (1)
- 半導体装置の製造に使用するスパツタリング装
置において、ウエーハステージ３の背面にリング
マグネツト１０を配設することを特徴とするスパ
ツタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8125886U JPH0343231Y2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8125886U JPH0343231Y2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62191864U JPS62191864U (ja) | 1987-12-05 |
| JPH0343231Y2 true JPH0343231Y2 (ja) | 1991-09-10 |
Family
ID=30932833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8125886U Expired JPH0343231Y2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0343231Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-05-28 JP JP8125886U patent/JPH0343231Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62191864U (ja) | 1987-12-05 |
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