JPH0343720B2 - - Google Patents
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- JPH0343720B2 JPH0343720B2 JP59261830A JP26183084A JPH0343720B2 JP H0343720 B2 JPH0343720 B2 JP H0343720B2 JP 59261830 A JP59261830 A JP 59261830A JP 26183084 A JP26183084 A JP 26183084A JP H0343720 B2 JPH0343720 B2 JP H0343720B2
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- polarization
- optical
- polarizing prism
- prism
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Landscapes
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は偏波面保存光フアイバに光信号を往復
させて記憶させる新規なダイナミツクメモリ型の
光メモリに関する。
させて記憶させる新規なダイナミツクメモリ型の
光メモリに関する。
[従来の技術]
従来の光メモリは、光照射やパルス電界などに
より光デイスクメモリ等の記憶媒体に情報を固定
的または半固定的に記憶するスタテイツクメモリ
であり、記憶媒体に記憶された情報は記憶媒体に
光をあてることによりその反射・透過・屈折など
の変化として読み出される。また、半導体メモリ
はもちろん、従来の光メモリの記憶方式は電磁式
が主流である。
より光デイスクメモリ等の記憶媒体に情報を固定
的または半固定的に記憶するスタテイツクメモリ
であり、記憶媒体に記憶された情報は記憶媒体に
光をあてることによりその反射・透過・屈折など
の変化として読み出される。また、半導体メモリ
はもちろん、従来の光メモリの記憶方式は電磁式
が主流である。
[発明が解決しようとする問題点]
ところが、上記電磁式のメモリでは、電磁誘導
の影響を受け易く、これを防ぐための遮蔽が必要
となり、装置が大型となつてしまう。更に、コン
ピユータ間やメモリ間などを光フアイバによりデ
ータ転送する際には、電気/光変換および光/電
気変換が必ず要求される。
の影響を受け易く、これを防ぐための遮蔽が必要
となり、装置が大型となつてしまう。更に、コン
ピユータ間やメモリ間などを光フアイバによりデ
ータ転送する際には、電気/光変換および光/電
気変換が必ず要求される。
そこで、本発明者は上記問題を解決すべく第3
図に示すように光学式のダイナミツク光メモリを
提案した。この光メモリは、光スイツチ1とその
入・出力側端子間にループ状に接続された信号記
憶用光フアイバ2とからなり、入力フアイバ3か
ら伝送されてきた光信号を光スイツチ1をON
(クロス状態)として端部2aから信号記憶用光
フアイバ2に読み込み、この読み込まれた光信号
が端部2bに達する前に光スイツチ1をOFF(ス
ルー状態)にして端部2aに光信号を戻す。こう
して、信号記憶用光フアイバ2と光スイツチ1と
により形成される閉ループに光信号を周回させて
記憶する。また記憶された光信号の読出しは、光
スイツチ1をONとし出力フアイバ4から読み出
す。
図に示すように光学式のダイナミツク光メモリを
提案した。この光メモリは、光スイツチ1とその
入・出力側端子間にループ状に接続された信号記
憶用光フアイバ2とからなり、入力フアイバ3か
ら伝送されてきた光信号を光スイツチ1をON
(クロス状態)として端部2aから信号記憶用光
フアイバ2に読み込み、この読み込まれた光信号
が端部2bに達する前に光スイツチ1をOFF(ス
ルー状態)にして端部2aに光信号を戻す。こう
して、信号記憶用光フアイバ2と光スイツチ1と
により形成される閉ループに光信号を周回させて
記憶する。また記憶された光信号の読出しは、光
スイツチ1をONとし出力フアイバ4から読み出
す。
この光メモリは無誘導で光伝送が容易である等
のメリツトがあるが、記憶容量が信号記憶用光フ
アイバ2の長さに比例する。即ち、信号記憶用光
フアイバ2の長さをl、群屈折率をn、光速度を
C、光信号の変調速度を決定するクロツク周波数
をfとすると、光メモリの記憶容量はf・(n・
l)/C[ビツト]となる。従つて、ストアでき
る情報量を増大させるためにはfを一定とする
と、信号記憶用光フアイバ2の長さlを長くしな
ければならない。
のメリツトがあるが、記憶容量が信号記憶用光フ
アイバ2の長さに比例する。即ち、信号記憶用光
フアイバ2の長さをl、群屈折率をn、光速度を
C、光信号の変調速度を決定するクロツク周波数
をfとすると、光メモリの記憶容量はf・(n・
l)/C[ビツト]となる。従つて、ストアでき
る情報量を増大させるためにはfを一定とする
と、信号記憶用光フアイバ2の長さlを長くしな
ければならない。
[発明の目的]
本発明の目的は、電気・磁気遮蔽が不要でメモ
リ装置を軽量・小型にできると共に、電気/光変
換や光/電気変換をすることなく容易かつ迅速に
光伝送でき、しかも記憶媒体としての偏波面保存
光フアイバを長くすることなく記憶容量を増大で
きる光メモリを提供することにある。
リ装置を軽量・小型にできると共に、電気/光変
換や光/電気変換をすることなく容易かつ迅速に
光伝送でき、しかも記憶媒体としての偏波面保存
光フアイバを長くすることなく記憶容量を増大で
きる光メモリを提供することにある。
[発明の概要]
上記の目的を達成するために、本発明は、第1
の偏光プリズムと、第1の偏光プリズムの一側面
側に設けられた第1のミラーと、第1の偏光プリ
ズムに関し第1のミラーの反射側に第1の偏光プ
リズムと平行配置に設けられた第2の偏光プリズ
ムと、第1のミラーと同一側の第2の偏光プリズ
ムの一側面側に設けられた第2のミラーと、第1
の偏光プリズムと第2の偏光プリズムとの間に設
けられた偏光スイツチと、第2の偏光プリズムに
関し第2のミラーの反射側または透過側の側面に
その一端部を臨ませ且つその固有偏光軸を第2の
偏光プリズムの透過・反射偏光方向に一致させて
設けられた偏波面保存光フアイバと、偏波面保存
光フアイバの他端部に臨ませて設けられた他端部
から出射された直線偏光の偏波面を90度回転させ
て他端部に戻すための90度偏波面旋光子とを備え
て、偏光スイツチの切換により信号の記憶(偏波
面保存光フアイバに光信号を往復伝播状態で閉じ
込める)と信号の読出しとを行なうようにしたも
のである。
の偏光プリズムと、第1の偏光プリズムの一側面
側に設けられた第1のミラーと、第1の偏光プリ
ズムに関し第1のミラーの反射側に第1の偏光プ
リズムと平行配置に設けられた第2の偏光プリズ
ムと、第1のミラーと同一側の第2の偏光プリズ
ムの一側面側に設けられた第2のミラーと、第1
の偏光プリズムと第2の偏光プリズムとの間に設
けられた偏光スイツチと、第2の偏光プリズムに
関し第2のミラーの反射側または透過側の側面に
その一端部を臨ませ且つその固有偏光軸を第2の
偏光プリズムの透過・反射偏光方向に一致させて
設けられた偏波面保存光フアイバと、偏波面保存
光フアイバの他端部に臨ませて設けられた他端部
から出射された直線偏光の偏波面を90度回転させ
て他端部に戻すための90度偏波面旋光子とを備え
て、偏光スイツチの切換により信号の記憶(偏波
面保存光フアイバに光信号を往復伝播状態で閉じ
込める)と信号の読出しとを行なうようにしたも
のである。
[実施例]
以下に本発明の実施例を添付図面に従つて詳述
する。
する。
第1図において、5は2×2マトリツクスの光
スイツチであり、端子5a,5b,5c,5dを
有する。この光スイツチ5は電気光学的効果を利
用した導波路形のもので、光スイツチ5をONと
すると端子5a,5d間および端子5b,5c間
が接続されるクロス状態となり、またOFFにす
ると端子5a,5cおよび端子5b,5d間が接
続されるスルー状態に切り換わるようになつてい
る。端子5a,5b,5c,5dには光フアイバ
6,7,8,9がそれぞれ接続されている。
スイツチであり、端子5a,5b,5c,5dを
有する。この光スイツチ5は電気光学的効果を利
用した導波路形のもので、光スイツチ5をONと
すると端子5a,5d間および端子5b,5c間
が接続されるクロス状態となり、またOFFにす
ると端子5a,5cおよび端子5b,5d間が接
続されるスルー状態に切り換わるようになつてい
る。端子5a,5b,5c,5dには光フアイバ
6,7,8,9がそれぞれ接続されている。
光フアイバ9の先端部には第1の偏光プリズム
11に平行ビームを入射するためのコリメータ1
0が設けられている。また、第1の偏光プリズム
11に関しコリメータ10の透過側には、偏光ス
イツチ13を介して第2の偏光プリズム12が設
けられている。第1の偏光プリズム11と第2の
偏光プリズム12とは平行配置に設けられてい
る。偏光スイツチ13はONのときにはこれを通
過する光の偏光面を90度回転し、OFFのときに
は偏光面を回転させずにそのまま通過させる。第
1の偏光プリズム11に関して偏光スイツチ13
の反射側の側面にはこれに平行に第1のミラー1
4が設けられている。また第2の偏光プリズム1
2にも、第1の偏光プリズム11に対する第1の
ミラー14の同一側方に第2のミラー15が設け
られている。なお、第1、第2のミラー14,1
5は第1、第2の偏光プリズム11,12の側面
を鏡面とするようにして形成してもよい。
11に平行ビームを入射するためのコリメータ1
0が設けられている。また、第1の偏光プリズム
11に関しコリメータ10の透過側には、偏光ス
イツチ13を介して第2の偏光プリズム12が設
けられている。第1の偏光プリズム11と第2の
偏光プリズム12とは平行配置に設けられてい
る。偏光スイツチ13はONのときにはこれを通
過する光の偏光面を90度回転し、OFFのときに
は偏光面を回転させずにそのまま通過させる。第
1の偏光プリズム11に関して偏光スイツチ13
の反射側の側面にはこれに平行に第1のミラー1
4が設けられている。また第2の偏光プリズム1
2にも、第1の偏光プリズム11に対する第1の
ミラー14の同一側方に第2のミラー15が設け
られている。なお、第1、第2のミラー14,1
5は第1、第2の偏光プリズム11,12の側面
を鏡面とするようにして形成してもよい。
また、第2の偏光プリズム12に対し偏光スイ
ツチ13の透過側にはコリメータ16を介して偏
波面保存光フアイバ(以下、SPFという)17の
一端部17aが臨んで設けられている。コリメー
タ16は第2の偏光プリズム12を透過し発散す
る出射光を一端部17aに集光するものである。
コリメータ10,16としてはロツドレンズなど
を用いる。SPF17は、第2図に拡大示するよう
に、コアに対し等方でない応力が加わるようにし
た楕円ジヤケツト型フアイバであり、その固有偏
光軸X,Yは楕円の長軸方向、短軸方向にある。
ツチ13の透過側にはコリメータ16を介して偏
波面保存光フアイバ(以下、SPFという)17の
一端部17aが臨んで設けられている。コリメー
タ16は第2の偏光プリズム12を透過し発散す
る出射光を一端部17aに集光するものである。
コリメータ10,16としてはロツドレンズなど
を用いる。SPF17は、第2図に拡大示するよう
に、コアに対し等方でない応力が加わるようにし
た楕円ジヤケツト型フアイバであり、その固有偏
光軸X,Yは楕円の長軸方向、短軸方向にある。
SPF17の一端部17aの固有偏光軸X,Yは
第2の偏光プリズム12の反射偏光方向、透過偏
光方向に一致させる。なお、一端部17aの固有
偏光軸X,Yを第2の偏光プリズム12の透過偏
光方向、反射偏光方向に一致させるようにしても
よい。SPF17の他端部17bには1/4波長板1
8を介してミラー19が設けられている。なお、
ミラー19は1/4波長板18の背面に銀メツキを
施して形成するようにしてもよい。一端部17a
と他端部17bの固有偏光軸は一致している。な
お90度だけこれら両端間がねじれていてもよい。
第2の偏光プリズム12の反射偏光方向、透過偏
光方向に一致させる。なお、一端部17aの固有
偏光軸X,Yを第2の偏光プリズム12の透過偏
光方向、反射偏光方向に一致させるようにしても
よい。SPF17の他端部17bには1/4波長板1
8を介してミラー19が設けられている。なお、
ミラー19は1/4波長板18の背面に銀メツキを
施して形成するようにしてもよい。一端部17a
と他端部17bの固有偏光軸は一致している。な
お90度だけこれら両端間がねじれていてもよい。
次に本実施例の作用について述べる。
光スイツチ5をONにすると、光フアイバ6か
ら伝送されてきた信号は端子5a,5bを経て光
フアイバ9に入力され、コリメータ10から第1
の偏光プリズム11に入射される。この入射され
る光が第1の偏光プリズム11の透過偏光方向の
直線偏光であるとする。そうすると、この直線偏
光は第1の偏光プリズム11を透過し、OFF状
態の偏光スイツチ13をそのまま透過し、更に第
2の偏光プリズム12を透過した後、コリメータ
16を介してSPF17の一端部17aにその固有
直線偏光モードの一つであるYモードで入射す
る。このYモードの直線偏光は偏光面を変えるこ
となくSPF17を伝播し他端部17bから出射さ
れる。出射されたYモードの直線偏光は1/4波長
板18にて円偏光とされ、ミラー19で反射され
て逆回転の円偏光とされ、更に1/4波長板18を
通過してSPF17の他の直線偏光モード(Xモー
ド)で他端部17bに戻される。
ら伝送されてきた信号は端子5a,5bを経て光
フアイバ9に入力され、コリメータ10から第1
の偏光プリズム11に入射される。この入射され
る光が第1の偏光プリズム11の透過偏光方向の
直線偏光であるとする。そうすると、この直線偏
光は第1の偏光プリズム11を透過し、OFF状
態の偏光スイツチ13をそのまま透過し、更に第
2の偏光プリズム12を透過した後、コリメータ
16を介してSPF17の一端部17aにその固有
直線偏光モードの一つであるYモードで入射す
る。このYモードの直線偏光は偏光面を変えるこ
となくSPF17を伝播し他端部17bから出射さ
れる。出射されたYモードの直線偏光は1/4波長
板18にて円偏光とされ、ミラー19で反射され
て逆回転の円偏光とされ、更に1/4波長板18を
通過してSPF17の他の直線偏光モード(Xモー
ド)で他端部17bに戻される。
このXモードの直線偏光はSPF17の一端部1
7aより第2の偏光プリズム12へ出射される
が、Xモードは第2の偏光プリズム12の全反射
モードであるため、第2の偏光プリズム12の接
合面で全反射され第2のミラー15で反射された
後、更に第2の偏光プリズム12で全反射されて
SPF17の一端部17aに再びXモードで戻され
る。そして、SPF17を伝播し他端部17bから
出射され、1/4波長板18、ミラー19、1/4波長
板18を経てYモードとなつて他端部17bに戻
される。次いで、このYモードの直線偏光は一端
部17aから出射され第2の偏光プリズム12に
入射されるが、Yモードは第2の偏光プリズム1
2の透過モードであるため、第2の偏光プリズム
12を透過し偏光スイツチ13へと入射される。
このときまでには、偏光スイツチ13はONとな
つており、Yモードの直線偏光は偏光スイツチ1
3通過後、Xモードとされる。従つて、第2の偏
光プリズム12と平行配置の第1の偏光プリズム
11で全反射され第1のミラー14で反射され、
更に第1の偏光プリズム11で全反射されて偏光
スイツチ13に返される。この偏光スイツチ13
に返されたXモードの直線偏光は偏光スイツチ1
3を通過した後、Yモードとされて第2の偏光プ
リズム12を透過し再びSPF17の一端部17a
に入射される。これで、光メモリ光学系における
光信号の往復伝送の1サイクルが完了し、以後、
光信号は上記サイクルを繰り返す。こうして、光
信号へSPF17を往復伝送状態で記憶されること
になる。
7aより第2の偏光プリズム12へ出射される
が、Xモードは第2の偏光プリズム12の全反射
モードであるため、第2の偏光プリズム12の接
合面で全反射され第2のミラー15で反射された
後、更に第2の偏光プリズム12で全反射されて
SPF17の一端部17aに再びXモードで戻され
る。そして、SPF17を伝播し他端部17bから
出射され、1/4波長板18、ミラー19、1/4波長
板18を経てYモードとなつて他端部17bに戻
される。次いで、このYモードの直線偏光は一端
部17aから出射され第2の偏光プリズム12に
入射されるが、Yモードは第2の偏光プリズム1
2の透過モードであるため、第2の偏光プリズム
12を透過し偏光スイツチ13へと入射される。
このときまでには、偏光スイツチ13はONとな
つており、Yモードの直線偏光は偏光スイツチ1
3通過後、Xモードとされる。従つて、第2の偏
光プリズム12と平行配置の第1の偏光プリズム
11で全反射され第1のミラー14で反射され、
更に第1の偏光プリズム11で全反射されて偏光
スイツチ13に返される。この偏光スイツチ13
に返されたXモードの直線偏光は偏光スイツチ1
3を通過した後、Yモードとされて第2の偏光プ
リズム12を透過し再びSPF17の一端部17a
に入射される。これで、光メモリ光学系における
光信号の往復伝送の1サイクルが完了し、以後、
光信号は上記サイクルを繰り返す。こうして、光
信号へSPF17を往復伝送状態で記憶されること
になる。
この光メモリに記憶される情報量Bは、SPF1
7の2往復が1サイクルであるから、SPF17の
長さをl、群屈折率をn、光速度をC、光信号の
パルス列の変調速度を決定するクロツク周波数を
fとすると、 B=4・f・n・l/C となる。即ち、フアイバ長さlの4倍の情報量を
記憶することができる。具体的な実施例では、f
=1GHz、n=1.46、l=10Km、C=3×108m/
sとすると、約200kbitの情報がストアできるこ
とが分つた。
7の2往復が1サイクルであるから、SPF17の
長さをl、群屈折率をn、光速度をC、光信号の
パルス列の変調速度を決定するクロツク周波数を
fとすると、 B=4・f・n・l/C となる。即ち、フアイバ長さlの4倍の情報量を
記憶することができる。具体的な実施例では、f
=1GHz、n=1.46、l=10Km、C=3×108m/
sとすると、約200kbitの情報がストアできるこ
とが分つた。
SPF17に記憶された信号を読み出すときに
は、偏光スイツチ13をOFFにする。こうする
と、第2の偏光プリズム12から偏光スイツチ1
3に入射したYモードの直線偏光は、モードを変
えることなく偏光スイツチ13を通過し、更に第
1の偏光プリズム11を透過し、光フアイバ9、
光スイツチ5の端子5d,5bを経て光フアイバ
7に読み出される。
は、偏光スイツチ13をOFFにする。こうする
と、第2の偏光プリズム12から偏光スイツチ1
3に入射したYモードの直線偏光は、モードを変
えることなく偏光スイツチ13を通過し、更に第
1の偏光プリズム11を透過し、光フアイバ9、
光スイツチ5の端子5d,5bを経て光フアイバ
7に読み出される。
なお、上記実施例において、光メモリの光路中
に光増幅器を設ければ、光信号の減衰によるスト
ア−タイムの制限が解消される。この場合、ミラ
ー19に替えて光/電気変換器および電気/光変
換器を用いて増幅する方式がある。また、1/4波
長板18に替えて、YIGに磁界を印加した磁気旋
光子を用い、光がこのYIGを往復する間に90度偏
波面が回転されるようにしてもよい。更に、SPF
17の一端部17aを第2の偏光プリズム12に
関し第2のミラー15の透過側の側面に臨ませて
設けるようにしてもよい。
に光増幅器を設ければ、光信号の減衰によるスト
ア−タイムの制限が解消される。この場合、ミラ
ー19に替えて光/電気変換器および電気/光変
換器を用いて増幅する方式がある。また、1/4波
長板18に替えて、YIGに磁界を印加した磁気旋
光子を用い、光がこのYIGを往復する間に90度偏
波面が回転されるようにしてもよい。更に、SPF
17の一端部17aを第2の偏光プリズム12に
関し第2のミラー15の透過側の側面に臨ませて
設けるようにしてもよい。
[発明の効果]
以上要するに本発明によれば次のように優れた
効果を奏する。
効果を奏する。
(1) 光フアイバ・光デバイスのみで構成されてい
るため、電磁誘導を受け難く、電気・磁気遮蔽
を不要にでき、記憶装置の軽量・小型化が図れ
る。
るため、電磁誘導を受け難く、電気・磁気遮蔽
を不要にでき、記憶装置の軽量・小型化が図れ
る。
(2) コンピユータ間やメモリ間などを光フアイバ
により信号を転送する場合、電気/光変換や
光/電気変換を行なうことなく光スイツチの切
換により容易かつ迅速に光伝送を実施できる。
により信号を転送する場合、電気/光変換や
光/電気変換を行なうことなく光スイツチの切
換により容易かつ迅速に光伝送を実施できる。
(3) 偏波面保存光フアイバに信号を往復させて記
憶するようにしているため、フアイバ長を長く
することなく記憶容量を増大することができ
る。
憶するようにしているため、フアイバ長を長く
することなく記憶容量を増大することができ
る。
(4) 光メモリの主要部分が偏波面保存光フアイ
バ、偏光プリズム、ミラー等のパツシブな光デ
バイスであるため、信頼性が高い。
バ、偏光プリズム、ミラー等のパツシブな光デ
バイスであるため、信頼性が高い。
第1図は本発明に係る光メモリの一実施例を示
す概略構成図、第2図は同光メモリの偏波面保存
光フアイバの端面図、第3図は本発明をなすに先
だつて本発明者によつて提案された新規な光メモ
リの概略構成図である。 図中、5は光スイツチ、6,7,8,9は光フ
アイバ、10,16はコリメータ、11は第1の
偏光プリズム、12は第2の偏光プリズム、13
は偏光スイツチ、14は第1のミラー、15は第
2のミラー、17は偏波面保存光フアイバ、18
は1/4波長板、19はミラー、X,Yは固有偏光
軸である。
す概略構成図、第2図は同光メモリの偏波面保存
光フアイバの端面図、第3図は本発明をなすに先
だつて本発明者によつて提案された新規な光メモ
リの概略構成図である。 図中、5は光スイツチ、6,7,8,9は光フ
アイバ、10,16はコリメータ、11は第1の
偏光プリズム、12は第2の偏光プリズム、13
は偏光スイツチ、14は第1のミラー、15は第
2のミラー、17は偏波面保存光フアイバ、18
は1/4波長板、19はミラー、X,Yは固有偏光
軸である。
Claims (1)
- 1 第1の偏光プリズムと、第1の偏光プリズム
の一側面側に設けられた第1のミラーと、第1の
偏光プリズムに関し第1のミラーの反射側に第1
の偏光プリズムと平行配置に設けられた第2の偏
光プリズムと、第1のミラーと同一側の第2の偏
光プリズムの一側面側に設けられた第2のミラー
と、第1の偏光プリズムと第2の偏光プリズムと
の間に設けられた偏光スイツチと、第2の偏光プ
リズムに関し第2のミラーの反射側または透過側
の側面にその一端部を臨ませ且つその固有偏光軸
を第2の偏光プリズムの透過・反射偏光方向に一
致させて設けられた偏波面保存光フアイバと、偏
波面保存光フアイバの他端部に臨ませて設けられ
他端部から出射された直線偏光の偏波面を90度回
転させて他端部に戻すための90度偏波面旋光子と
を備えたことを特徴とする光メモリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59261830A JPS61142599A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 光メモリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59261830A JPS61142599A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 光メモリ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61142599A JPS61142599A (ja) | 1986-06-30 |
| JPH0343720B2 true JPH0343720B2 (ja) | 1991-07-03 |
Family
ID=17367324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59261830A Granted JPS61142599A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 光メモリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61142599A (ja) |
-
1984
- 1984-12-13 JP JP59261830A patent/JPS61142599A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61142599A (ja) | 1986-06-30 |
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