JPH0343718B2 - - Google Patents
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- JPH0343718B2 JPH0343718B2 JP59255678A JP25567884A JPH0343718B2 JP H0343718 B2 JPH0343718 B2 JP H0343718B2 JP 59255678 A JP59255678 A JP 59255678A JP 25567884 A JP25567884 A JP 25567884A JP H0343718 B2 JPH0343718 B2 JP H0343718B2
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- JP
- Japan
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- polarization
- optical fiber
- signal
- optical
- polarizing prism
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- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 68
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 56
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 26
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 32
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は偏光プリズムと偏波面保存光フアイバ
と偏光スイツチとを用いてループ状の偏波面保存
光フアイバに光信号を周回させて記憶させる新規
なダイナミツク型の光メモリに関する。
と偏光スイツチとを用いてループ状の偏波面保存
光フアイバに光信号を周回させて記憶させる新規
なダイナミツク型の光メモリに関する。
[従来の技術]
従来の光メモリは、光照射やパルス電界などに
より光デイスクメモリ等の記憶媒体に情報を固定
的または半固定的に記憶するスタテイツクメモリ
であり、記憶媒体に記憶された情報は記憶媒体に
光をあてることによりその反射・透過・屈折など
の変化として読み出される。また、半導体メモリ
はもちろん、従来の光メモリの記憶方式は電磁式
が主流である。
より光デイスクメモリ等の記憶媒体に情報を固定
的または半固定的に記憶するスタテイツクメモリ
であり、記憶媒体に記憶された情報は記憶媒体に
光をあてることによりその反射・透過・屈折など
の変化として読み出される。また、半導体メモリ
はもちろん、従来の光メモリの記憶方式は電磁式
が主流である。
[発明が解決しようとする問題点]
ところが、上記電磁式のメモリでは、電磁誘導
の影響を受け易く、これを防ぐための遮蔽が必要
となり、装置が大型となつてしまう。更に、コン
ピユータ間やメモリ間などを光フアイバによりデ
ータ転送する際には、電気/光変換および光/電
気変換が必ず要求される。
の影響を受け易く、これを防ぐための遮蔽が必要
となり、装置が大型となつてしまう。更に、コン
ピユータ間やメモリ間などを光フアイバによりデ
ータ転送する際には、電気/光変換および光/電
気変換が必ず要求される。
[発明の目的]
本発明は以上の従来技術の問題点を解消すべく
創案されたものであり、本発明の目的は、電気・
磁気遮蔽が不要でメモリ装置を軽量・小型にでき
ると共に、電気/光変換や光/電気変換をするこ
となく容易に且つ確実に光伝送ができる光メモリ
を提供することにある。
創案されたものであり、本発明の目的は、電気・
磁気遮蔽が不要でメモリ装置を軽量・小型にでき
ると共に、電気/光変換や光/電気変換をするこ
となく容易に且つ確実に光伝送ができる光メモリ
を提供することにある。
[発明の概要]
上記の目的を達成するために、本発明は、互い
に反射側または透過側となる1対の側面のうち一
方が信号入力面、他方が信号出力面となる偏光プ
リズムと、偏光プリズムの他の互いに反射側また
は透過側となる1対の側面にその一方の端部と他
方の端部とをそれぞれ臨ませ且つこれら端部の固
有偏光軸を偏光プリズムの透過偏光方向あるいは
反射偏光方向に一致させてループ状に設けられた
偏波面保存光フアイバと、偏波面保存光フアイバ
に設けられた偏光スイツチとを備えて、偏光スイ
ツチの切換によりループ状の偏波面保存光フアイ
バに光信号を周回させて記憶させると共に偏波面
保存光フアイバに記憶された信号を取り出すよう
になしたものである。
に反射側または透過側となる1対の側面のうち一
方が信号入力面、他方が信号出力面となる偏光プ
リズムと、偏光プリズムの他の互いに反射側また
は透過側となる1対の側面にその一方の端部と他
方の端部とをそれぞれ臨ませ且つこれら端部の固
有偏光軸を偏光プリズムの透過偏光方向あるいは
反射偏光方向に一致させてループ状に設けられた
偏波面保存光フアイバと、偏波面保存光フアイバ
に設けられた偏光スイツチとを備えて、偏光スイ
ツチの切換によりループ状の偏波面保存光フアイ
バに光信号を周回させて記憶させると共に偏波面
保存光フアイバに記憶された信号を取り出すよう
になしたものである。
[実施例]
以下に本発明の実施例を添付図面に従つて詳述
する。
する。
第1図において、1は偏光プリズムであり、偏
光プリズム1は側面a,b,c,dと接合面eと
を有する。側面a,bは接合面eに対し互いに反
射側にあり、また側面c,dも接合面eに対し互
いに反対側にある。側面aには伝送用光フアイバ
2の端部が、側面bには伝送用光フアイバ3の端
部がそれぞれ臨ませて設けられており、伝送用光
フアイバ2(または3)の端部から出射され接合
面eで反射された反射光(直線偏光)が伝送用光
フアイバ3(または2)の端部に入射されるよう
になつている。
光プリズム1は側面a,b,c,dと接合面eと
を有する。側面a,bは接合面eに対し互いに反
射側にあり、また側面c,dも接合面eに対し互
いに反対側にある。側面aには伝送用光フアイバ
2の端部が、側面bには伝送用光フアイバ3の端
部がそれぞれ臨ませて設けられており、伝送用光
フアイバ2(または3)の端部から出射され接合
面eで反射された反射光(直線偏光)が伝送用光
フアイバ3(または2)の端部に入射されるよう
になつている。
また、偏光プリズム1の側面cには偏波面保存
光フアイバ4の一方の端部5が、側面dには他方
の端部6がそれぞれ臨ませて設けられており、端
部5(または6)から出射され接合面eで反射さ
れた反射光が端部6(または5)に入射されるよ
うになつている。更に、伝送用光フアイバ2の端
部(または端部5)から出射され接合面eを透過
する透過光(上記反射光とは直交する直線偏光)
が端部5(または伝送用光フアイバ2の端部)に
入射されるように配設されている。また同様に伝
送用光フアイバ3の端部と偏波面保存光フアイバ
4の端部6との間も、透過光を互いに伝送し得る
ように配設されている。
光フアイバ4の一方の端部5が、側面dには他方
の端部6がそれぞれ臨ませて設けられており、端
部5(または6)から出射され接合面eで反射さ
れた反射光が端部6(または5)に入射されるよ
うになつている。更に、伝送用光フアイバ2の端
部(または端部5)から出射され接合面eを透過
する透過光(上記反射光とは直交する直線偏光)
が端部5(または伝送用光フアイバ2の端部)に
入射されるように配設されている。また同様に伝
送用光フアイバ3の端部と偏波面保存光フアイバ
4の端部6との間も、透過光を互いに伝送し得る
ように配設されている。
偏波面保存光フアイバ4は、第2図に示す如
く、中心部のコア4aとクラツド4bとの外周に
はジヤケツト4cとサポート4dとが被覆されて
いる。ジヤケツト4cの断面はコア4aに応力を
加えて異方性を与えるべく楕円形となつており、
偏波面保存光フアイバ4の固有偏光軸7,8は楕
円の長軸、短軸方向にできる。偏波面保存光フア
イバ4の端部5,6における固有偏光軸7は偏光
プリズム1の透過偏光方向または反射偏光方向に
一致している。また、偏光面保存光フアイバ4に
はこれを伝送される光信号の偏波面を変えるため
の偏光スイツチ9が設けられている。偏光スイツ
チ9がONのときには、これを通過する光の偏波
面は90度回転し、OFFのときには偏波面の角度
は変らない。偏光スイツチ9には、例えば、YIG
にコイルによつて発生させた磁界を印加させて偏
光面を回転させるものを用いる。
く、中心部のコア4aとクラツド4bとの外周に
はジヤケツト4cとサポート4dとが被覆されて
いる。ジヤケツト4cの断面はコア4aに応力を
加えて異方性を与えるべく楕円形となつており、
偏波面保存光フアイバ4の固有偏光軸7,8は楕
円の長軸、短軸方向にできる。偏波面保存光フア
イバ4の端部5,6における固有偏光軸7は偏光
プリズム1の透過偏光方向または反射偏光方向に
一致している。また、偏光面保存光フアイバ4に
はこれを伝送される光信号の偏波面を変えるため
の偏光スイツチ9が設けられている。偏光スイツ
チ9がONのときには、これを通過する光の偏波
面は90度回転し、OFFのときには偏波面の角度
は変らない。偏光スイツチ9には、例えば、YIG
にコイルによつて発生させた磁界を印加させて偏
光面を回転させるものを用いる。
次に本実施例の作用について述べる。
伝送用光フアイバ2から偏光プリズム1に入射
した信号のうち偏光プリズム1の透過偏光方向に
振動する直線偏光(透過光)は偏光プリズム1を
透過し、一方、反射偏光方向に振動する直線偏光
(反射光)は接合面eで反射され伝送用光フアイ
バ3に送られる。(なお、偏光プリズム1に入射
される光信号を透過のみとすれば、すべて偏光プ
リズム1を透過し偏波面保存光フアイバ4に入射
される。)偏光プリズム1を透過し偏波面保存光
フアイバ4の端部5に入射した透過光の振動方向
は偏波面保存光フアイバ4の固有偏光軸7,8の
うちの一方、例えば固有偏光軸7に一致してお
り、入射した透過光は偏波面を変えることなく同
一の固有偏光モードで端部6側へと偏波面保存光
フアイバ4を伝送される。従つて、偏光スイツチ
9がOFFであると、端部6の固有偏光軸7も偏
光プリズム1の透過偏光方向に一致させてあるの
で、端部6から出射された光は偏光プリズム1を
透過し伝送用光フアイバ3に出射されることにな
る。
した信号のうち偏光プリズム1の透過偏光方向に
振動する直線偏光(透過光)は偏光プリズム1を
透過し、一方、反射偏光方向に振動する直線偏光
(反射光)は接合面eで反射され伝送用光フアイ
バ3に送られる。(なお、偏光プリズム1に入射
される光信号を透過のみとすれば、すべて偏光プ
リズム1を透過し偏波面保存光フアイバ4に入射
される。)偏光プリズム1を透過し偏波面保存光
フアイバ4の端部5に入射した透過光の振動方向
は偏波面保存光フアイバ4の固有偏光軸7,8の
うちの一方、例えば固有偏光軸7に一致してお
り、入射した透過光は偏波面を変えることなく同
一の固有偏光モードで端部6側へと偏波面保存光
フアイバ4を伝送される。従つて、偏光スイツチ
9がOFFであると、端部6の固有偏光軸7も偏
光プリズム1の透過偏光方向に一致させてあるの
で、端部6から出射された光は偏光プリズム1を
透過し伝送用光フアイバ3に出射されることにな
る。
光信号を偏波面保存光フアイバ4に記憶したい
ときには、偏光スイツチ9をONにする。そうす
ると、固有偏光軸7の方向に振動する入力信号は
偏光スイツチ9によりその振動方向が90度変わり
固有偏光軸8方向に振動するため、端部6から偏
光プリズム1に対し全反射モードで出射すること
となり、この出射光は接合面eで全反射し再び端
部5から偏波面保存光フアイバ4に戻される。こ
の戻された光信号が偏光スイツチ9に至る前に偏
光スイツチ9をOFFにすれば、光信号の偏光プ
リズム1に対する全反射モードが保存される。即
ち、偏波面保存光フアイバ4と偏光プリズム1と
により閉ループの光伝送路が形成され、光信号は
このループを回り続ける。こうして、光信号の伝
送状態でのダイナミツクな記憶がなされる。
ときには、偏光スイツチ9をONにする。そうす
ると、固有偏光軸7の方向に振動する入力信号は
偏光スイツチ9によりその振動方向が90度変わり
固有偏光軸8方向に振動するため、端部6から偏
光プリズム1に対し全反射モードで出射すること
となり、この出射光は接合面eで全反射し再び端
部5から偏波面保存光フアイバ4に戻される。こ
の戻された光信号が偏光スイツチ9に至る前に偏
光スイツチ9をOFFにすれば、光信号の偏光プ
リズム1に対する全反射モードが保存される。即
ち、偏波面保存光フアイバ4と偏光プリズム1と
により閉ループの光伝送路が形成され、光信号は
このループを回り続ける。こうして、光信号の伝
送状態でのダイナミツクな記憶がなされる。
このダイナミツクメモリの記憶容量Bは、偏波
面保存光フアイバ4の長さをl、群屈折率をnと
し、光速度をC、光信号のパルス列の変調速度を
決定するクロツク周波数をfとすると、記憶容量
は光信号のパルス列によつて偏波面保存光フアイ
バ4が満されるまでであるから、 B=n・l/C・f となる。具体的には、f=500MHz、n=1.46、
C=3×108m/s、l=2KmとするとB≒4.9キ
ロビツトの情報をストアできることになる。
面保存光フアイバ4の長さをl、群屈折率をnと
し、光速度をC、光信号のパルス列の変調速度を
決定するクロツク周波数をfとすると、記憶容量
は光信号のパルス列によつて偏波面保存光フアイ
バ4が満されるまでであるから、 B=n・l/C・f となる。具体的には、f=500MHz、n=1.46、
C=3×108m/s、l=2KmとするとB≒4.9キ
ロビツトの情報をストアできることになる。
ストーレツジタイムTsは、偏波面保存光フア
イバ4のループ周回回数がN回まで可能であると
すると、 Ts=n・l/C・N となる。ストーレツジタイムTsは信号の減衰量
に依存するが、偏波面保存光フアイバ4のループ
に光中継増幅器を設ければ、ストーレツジタイム
Tsおよび偏波面保存光フアイバ4の長さlの増
大が図れる。
イバ4のループ周回回数がN回まで可能であると
すると、 Ts=n・l/C・N となる。ストーレツジタイムTsは信号の減衰量
に依存するが、偏波面保存光フアイバ4のループ
に光中継増幅器を設ければ、ストーレツジタイム
Tsおよび偏波面保存光フアイバ4の長さlの増
大が図れる。
偏波面保存光フアイバ4のループ内に記憶され
た信号を読み出すときには、偏光スイツチ9を
ONにする。こうすると、偏光スイツチ9を通過
した光信号は固有偏光軸7方向に振動し偏光プリ
ズム1に対し透過モードとなり、偏光プリズム1
を透過し伝送用光フアイバ3に読み出されること
になる。偏光スイツチ9をONからOFFに切り換
える信号読込完了の時刻をT0とすれば、信号を
読み出す時刻を、t0+m・(n・l)/C(mは整
数)とすることにより常にパルス列の頭から読み
出すことができる。
た信号を読み出すときには、偏光スイツチ9を
ONにする。こうすると、偏光スイツチ9を通過
した光信号は固有偏光軸7方向に振動し偏光プリ
ズム1に対し透過モードとなり、偏光プリズム1
を透過し伝送用光フアイバ3に読み出されること
になる。偏光スイツチ9をONからOFFに切り換
える信号読込完了の時刻をT0とすれば、信号を
読み出す時刻を、t0+m・(n・l)/C(mは整
数)とすることにより常にパルス列の頭から読み
出すことができる。
なお、上記実施例における偏波面保存光フアイ
バ4の端部5,6の固有偏光軸は一致していた
が、偏波面保存光フアイバ4を空間的に90度ねじ
り、例えば端部5の固有偏光軸7を偏光プリズム
1の透過偏光方向にし端部6の固有偏光軸7を偏
光プリズム1の反射偏光方向としてもよい。この
場合、信号の読込時に偏光スイツチ9をONから
OFFにし、読込完了後ONに戻して信号を記憶さ
せる。更に信号を読み出すときには、偏光スイツ
チ9をOFFにする。また、上記実施例では偏光
プリズム1の側面aが信号入力面、側面bが信号
出力面であつたが、伝送用光フアイバ3から信号
を入力し伝送用光フアイバ2に信号を出力すると
きには、側面aが信号出力面、側面bが信号入力
面となる。
バ4の端部5,6の固有偏光軸は一致していた
が、偏波面保存光フアイバ4を空間的に90度ねじ
り、例えば端部5の固有偏光軸7を偏光プリズム
1の透過偏光方向にし端部6の固有偏光軸7を偏
光プリズム1の反射偏光方向としてもよい。この
場合、信号の読込時に偏光スイツチ9をONから
OFFにし、読込完了後ONに戻して信号を記憶さ
せる。更に信号を読み出すときには、偏光スイツ
チ9をOFFにする。また、上記実施例では偏光
プリズム1の側面aが信号入力面、側面bが信号
出力面であつたが、伝送用光フアイバ3から信号
を入力し伝送用光フアイバ2に信号を出力すると
きには、側面aが信号出力面、側面bが信号入力
面となる。
なお、また、上記実施例においては、伝送用光
フアイバ2,3が偏光プリズム1の互いに反射側
となる1対の側面に設けられると共に他の1対の
互いに反射側となる1対の側面に偏波面保存光フ
アイバ4の端部5,6が設けられていたが、第3
図に示す如く、伝送用光フアイバ2,3を偏光プ
リスム1の互いに透過側となる1対の側面に、偏
波面保存光フアイバ4の両端部を他の1対の側面
に設けるようにしてもよい。また、第4図に示す
如く、複数本の偏波面保存光フアイバー4…に信
号を記憶させるようにしてもよい。この場合、全
ての偏波面保存光フアイバ4に同時に入力しても
よいし、各々に入力するようにしてもよい。更に
第5図に示すように本発明の光メモリを多段(図
示例では2段)に設けるようにしてもよい。
フアイバ2,3が偏光プリズム1の互いに反射側
となる1対の側面に設けられると共に他の1対の
互いに反射側となる1対の側面に偏波面保存光フ
アイバ4の端部5,6が設けられていたが、第3
図に示す如く、伝送用光フアイバ2,3を偏光プ
リスム1の互いに透過側となる1対の側面に、偏
波面保存光フアイバ4の両端部を他の1対の側面
に設けるようにしてもよい。また、第4図に示す
如く、複数本の偏波面保存光フアイバー4…に信
号を記憶させるようにしてもよい。この場合、全
ての偏波面保存光フアイバ4に同時に入力しても
よいし、各々に入力するようにしてもよい。更に
第5図に示すように本発明の光メモリを多段(図
示例では2段)に設けるようにしてもよい。
[発明の効果]
以上要するに本発明によれば次のような優れた
効果を奏する。
効果を奏する。
(1) 光フアイバ・光デバイスのみで構成されてい
るため、電磁誘導を受け難く、電気・磁気遮蔽
が不要であり、記憶装置の軽量・小型化が図れ
る。
るため、電磁誘導を受け難く、電気・磁気遮蔽
が不要であり、記憶装置の軽量・小型化が図れ
る。
(2) コンピユータ間やメモリ間などを光フアイバ
により信号を軽送する場合、電気/光変換や
光/電気変換を行うことなく偏光スイツチの切
換により容易に且つ迅速に光伝送を実施でき
る。
により信号を軽送する場合、電気/光変換や
光/電気変換を行うことなく偏光スイツチの切
換により容易に且つ迅速に光伝送を実施でき
る。
(3) メモリの主要部分が偏波面保存光フアイバ、
偏光プリズムのようなパツシブ光デバイスで構
成できるため、信頼性が高い。
偏光プリズムのようなパツシブ光デバイスで構
成できるため、信頼性が高い。
第1図は本発明に係る光メモリの一実施例を示
す概略構成図、第2図は同光メモリの偏波面保存
光フアイバの端面図、第3図、第4図、第5図は
本発明の他の実施例を示す概略構成図である。 図中、1は偏光プリズム、a,b,c,dは側
面、eは接合面、2,3は伝送用光フアイバ、4
は偏波面保存光フアイバ、5,6は端部、7,8
は固有偏光軸、9は偏光スイツチである。
す概略構成図、第2図は同光メモリの偏波面保存
光フアイバの端面図、第3図、第4図、第5図は
本発明の他の実施例を示す概略構成図である。 図中、1は偏光プリズム、a,b,c,dは側
面、eは接合面、2,3は伝送用光フアイバ、4
は偏波面保存光フアイバ、5,6は端部、7,8
は固有偏光軸、9は偏光スイツチである。
Claims (1)
- 1 互いに反射側または透過側となる1対の側面
のうち一方が信号入力面、他方が信号出力面とさ
れる偏光プリズムと、偏光プリズムの他の互いに
反射側または透過側となる1対の側面にその一方
の端部と他方の端部とをそれぞれ臨ませると共に
これら端部の固有偏光軸を偏光プリズムの透過偏
光方向あるいは反射偏光方向に一致させてループ
状に設けられた偏波面保存光フアイバと、偏波面
保存光フアイバに設けられた偏光スイツチとを備
えたことを特徴とする光メモリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59255678A JPS61134994A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 光メモリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59255678A JPS61134994A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 光メモリ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61134994A JPS61134994A (ja) | 1986-06-23 |
| JPH0343718B2 true JPH0343718B2 (ja) | 1991-07-03 |
Family
ID=17282102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59255678A Granted JPS61134994A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 光メモリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61134994A (ja) |
-
1984
- 1984-12-05 JP JP59255678A patent/JPS61134994A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61134994A (ja) | 1986-06-23 |
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