JPH0343776B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0343776B2 JPH0343776B2 JP58184399A JP18439983A JPH0343776B2 JP H0343776 B2 JPH0343776 B2 JP H0343776B2 JP 58184399 A JP58184399 A JP 58184399A JP 18439983 A JP18439983 A JP 18439983A JP H0343776 B2 JPH0343776 B2 JP H0343776B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- gas
- dry etching
- psg
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P70/00—Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
- H10P70/20—Cleaning during device manufacture
- H10P70/27—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive materials, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
- H10P70/273—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive materials, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation of conductive layers, e.g. by RIE
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
- H10P50/24—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials
- H10P50/242—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials of Group IV materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
- H10P50/26—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials
- H10P50/264—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means
- H10P50/266—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only
- H10P50/267—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only using plasmas
- H10P50/268—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only using plasmas of silicon-containing layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
- H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
- H10P50/282—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials
- H10P50/283—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials by chemical means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/906—Cleaning of wafer as interim step
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
本発明は、半導体集積回路（IC）の微細パタ
ーン形成に用いるドライエツチング方法に関す
る。 ドライエツチング技術の進歩により、ICの各
素子を構成するパターン寸法をより微細化できる
ようになり、ICの高性能化や高集積度化をもた
らしている。ドライエツチング方法には、化学反
応を利用したバレル型プラズマエツチング方法、
又はアルゴン等の不活性ガスやテトラフルオロメ
タン等の反応性ガスを用いたイオンエツチング、
イオンビームエツチング方法等が知られている。
これらの方法に用いるエツチングガスとしては、
四塩化炭素、三塩化硼素等の塩素系化合物あるい
は、テトラフルオロメタン等のフロン類、又はこ
れらと酸素等との混合ガスが一般的である。 エツチングガスの選定は、あらゆるエツチング
特性に影響を与え、極めて重要である。例えば、
エツチングすべき酸化シリコン膜やPSG（リン珪
酸ガラス）膜と、下地となつているシリコンや保
護マスクとして使用するレジスト膜とのエツチン
グ速度比を大きくできること、あるいはエツチン
グ残渣やポリマーの生成を防止する必要等から最
適なエツチングガスの探索が進められている。前
者の目的のために、テトラフルオロメタンと水素
との混合ガスを、又後者の目的のために、エツチ
ングガス中に酸素や二酸化炭素を混合する試みが
なされている。しかしながら、エツチング残渣や
ポリマーを除去したり、あるいはその生成を良く
防止できるエツチングガスは、エツチング速度比
いわゆるエツチングの選択性が低下する傾向にあ
り、両者の効果が共に優れたガスの探索が望まれ
ている。 本発明者等は、ポリマー生成等がなくしかもエ
ツチングの選択性が良好なエツチングガスの探索
を鋭意進めた結果、パーフルオロ環状エーテル類
が極めて効果的であることを見い出すことができ
た。かかる化合物による、半導体材料のドライエ
ツチングにおいては、ポリマー生成等がなくしか
も選択性が良好である。さらには、本発明以外の
エツチングガスによる半導体材料のドライエツチ
ングにおいて、本発明のエツチングガスをポリマ
ー生成等の防止又は除去に使用できることも合わ
せて見い出すことができた。 すなわち、本発明は半導体材料のドライエツチ
ング方法において、パーフルオロ環状エーテル類
を必須成分とするガスによりエツチングすること
を特徴とするドライエツチング方法及び、かかる
化合物を必須成分とするガスにより、エツチング
残渣や生成ポリマーを除去し、又はこれらの生成
を防止し、あるいは半導体材料の腐食を抑制する
工程を有することを特徴とするドライエツチング
方法に関するものである。 エツチングすべき半導体材料には例えば
Si3N4、poly−Si、Al等の他、SiO2、PSG（リン
珪酸ガラス）、Mo、Ｗ、Ti、Ta、Al合金（Al−
Si、又はAl−Cu、又はAl−Si−Cu等）、MoSi、
WSi、TiSi、TaSi等が知られているが、本発明
に用いるエツチングガスはこれらの材料に対し適
用可能である。又、SiO2やPSGのエツチングに
おいては、下地のSiや保護マスクのレジスト膜と
のエツチング速度比を、あるいはSiO2膜上のpol
−Si膜のエツチングにおいては、SiO2やレジス
ト膜とのエツチング速度比を大きくとれる等、い
わゆるエツチングの選択性が良好である。一方、
本発明に用いるエツチングガスにより、従来から
問題となつているポリマー生成やエツチング残渣
あるいはAl系材料の腐食について良く阻止でき
ることが判明した。テトラフルオロメタン等のフ
ロン系ガスによるSiのエツチングではSi表面にフ
ロロカーボンポリマーが堆積しやすく、又四塩化
炭素等の塩素系ガスによるAlのエツチングでは
下地材料のSiO2上にポリマー残渣が生じやすく、
又Al−SiやAl−Si−Cu等のAl合金においてはSi
やCuによるエツチング残渣が生じやすい等の問
題がある。さらには、Al系半導体材料のエツチ
ング終了後にAl腐食物が生じ、素子のオープン
不良の原因となつている。これらの問題は、エツ
チングガスとして本発明方法のガスを用いること
により、又はいわゆるプラズマクリーニング剤と
して本発明方法のガスを用いることにより解決し
得る。このように、ポリマーやエツチング残渣あ
るいはAl腐食物の生成を防止できるばかりでな
く、エツチング室内の塩素化物を中心とした汚染
物質の除去にも役立つという優れた効果も同時に
有している。 本発明方法に用いるエツチングガスは、パーフ
ルオロ環状エーテル類である。例えば
ーン形成に用いるドライエツチング方法に関す
る。 ドライエツチング技術の進歩により、ICの各
素子を構成するパターン寸法をより微細化できる
ようになり、ICの高性能化や高集積度化をもた
らしている。ドライエツチング方法には、化学反
応を利用したバレル型プラズマエツチング方法、
又はアルゴン等の不活性ガスやテトラフルオロメ
タン等の反応性ガスを用いたイオンエツチング、
イオンビームエツチング方法等が知られている。
これらの方法に用いるエツチングガスとしては、
四塩化炭素、三塩化硼素等の塩素系化合物あるい
は、テトラフルオロメタン等のフロン類、又はこ
れらと酸素等との混合ガスが一般的である。 エツチングガスの選定は、あらゆるエツチング
特性に影響を与え、極めて重要である。例えば、
エツチングすべき酸化シリコン膜やPSG（リン珪
酸ガラス）膜と、下地となつているシリコンや保
護マスクとして使用するレジスト膜とのエツチン
グ速度比を大きくできること、あるいはエツチン
グ残渣やポリマーの生成を防止する必要等から最
適なエツチングガスの探索が進められている。前
者の目的のために、テトラフルオロメタンと水素
との混合ガスを、又後者の目的のために、エツチ
ングガス中に酸素や二酸化炭素を混合する試みが
なされている。しかしながら、エツチング残渣や
ポリマーを除去したり、あるいはその生成を良く
防止できるエツチングガスは、エツチング速度比
いわゆるエツチングの選択性が低下する傾向にあ
り、両者の効果が共に優れたガスの探索が望まれ
ている。 本発明者等は、ポリマー生成等がなくしかもエ
ツチングの選択性が良好なエツチングガスの探索
を鋭意進めた結果、パーフルオロ環状エーテル類
が極めて効果的であることを見い出すことができ
た。かかる化合物による、半導体材料のドライエ
ツチングにおいては、ポリマー生成等がなくしか
も選択性が良好である。さらには、本発明以外の
エツチングガスによる半導体材料のドライエツチ
ングにおいて、本発明のエツチングガスをポリマ
ー生成等の防止又は除去に使用できることも合わ
せて見い出すことができた。 すなわち、本発明は半導体材料のドライエツチ
ング方法において、パーフルオロ環状エーテル類
を必須成分とするガスによりエツチングすること
を特徴とするドライエツチング方法及び、かかる
化合物を必須成分とするガスにより、エツチング
残渣や生成ポリマーを除去し、又はこれらの生成
を防止し、あるいは半導体材料の腐食を抑制する
工程を有することを特徴とするドライエツチング
方法に関するものである。 エツチングすべき半導体材料には例えば
Si3N4、poly−Si、Al等の他、SiO2、PSG（リン
珪酸ガラス）、Mo、Ｗ、Ti、Ta、Al合金（Al−
Si、又はAl−Cu、又はAl−Si−Cu等）、MoSi、
WSi、TiSi、TaSi等が知られているが、本発明
に用いるエツチングガスはこれらの材料に対し適
用可能である。又、SiO2やPSGのエツチングに
おいては、下地のSiや保護マスクのレジスト膜と
のエツチング速度比を、あるいはSiO2膜上のpol
−Si膜のエツチングにおいては、SiO2やレジス
ト膜とのエツチング速度比を大きくとれる等、い
わゆるエツチングの選択性が良好である。一方、
本発明に用いるエツチングガスにより、従来から
問題となつているポリマー生成やエツチング残渣
あるいはAl系材料の腐食について良く阻止でき
ることが判明した。テトラフルオロメタン等のフ
ロン系ガスによるSiのエツチングではSi表面にフ
ロロカーボンポリマーが堆積しやすく、又四塩化
炭素等の塩素系ガスによるAlのエツチングでは
下地材料のSiO2上にポリマー残渣が生じやすく、
又Al−SiやAl−Si−Cu等のAl合金においてはSi
やCuによるエツチング残渣が生じやすい等の問
題がある。さらには、Al系半導体材料のエツチ
ング終了後にAl腐食物が生じ、素子のオープン
不良の原因となつている。これらの問題は、エツ
チングガスとして本発明方法のガスを用いること
により、又はいわゆるプラズマクリーニング剤と
して本発明方法のガスを用いることにより解決し
得る。このように、ポリマーやエツチング残渣あ
るいはAl腐食物の生成を防止できるばかりでな
く、エツチング室内の塩素化物を中心とした汚染
物質の除去にも役立つという優れた効果も同時に
有している。 本発明方法に用いるエツチングガスは、パーフ
ルオロ環状エーテル類である。例えば
【式】
【式】
で表わされるパーフルオロエポキサイド類又は、
【式】
【式】等のパーフルオロエポ
キサイド以外のパーフルオロ環状エーテル類が好
適である。これらの各種化合物は、単独で用いて
もよく、二種以上の混合物として用いてもよい
が、エポキサイド類特にヘキサフルオロプロピレ
ンオキサイド（
適である。これらの各種化合物は、単独で用いて
もよく、二種以上の混合物として用いてもよい
が、エポキサイド類特にヘキサフルオロプロピレ
ンオキサイド（
【式】）（以下、6FPO
という）を主体とすることが好ましい。
前記化合物に対し、従来より知られている各種
エツチングガスを混合すると種々の特徴を出すこ
とができる。例えば、SiO2、PSGのドライエツ
チングにおいては、トリフルオロメタンを混合使
用することで、下地材料のSi及びフオトレジスト
との選択性を保持したまま、特にポリマーの形成
を抑制する効果が高い。又、poly−SiやMo、
Ti、Ｗ、Ta等の金属膜のエツチングにおいて
は、塩素ガスを混合使用することにより、大きな
エツチング速度とともに、高い選択エツチングが
可能となる。混合割合については、6FPOを混合
する場合について述べれば、体積比で6FPO／
CHF3＝0.01〜5.0、好ましくは0.05〜1.0、
6FPO／Cl2＝0.5〜40、好ましくは1.0〜20が適当
である。勿論、6FPO等を単独に使用した場合に
も、従来に比し速いエツチング速度と、高い選択
エツチング性及び同時にポリマー生成がない点等
について優れている。 混合使用可能なその他のエツチングガスとして
は、以下の化合物を例示し得る。例えば、下記一
般式（）で表わされる飽和ハロゲン化炭化水素
類、又は下記一般式（）で表わされる不飽和ハ
ロゲン化炭化水素類である。 CoH2o+2-nXn ………（） （但し、１≦ｎ≦10、１≦ｍ≦22、Ｘ＝Ｆ、Cl、
Br又はＩを示す。） CpH2p+2-4q-2l-kXk ………（） （但し、１≦ｐ≦４、ｑ＝三重結合の数、１＝二
重結合の数、１≦ｋ≦８、Ｘ＝Ｆ、Cl、Br又は
Ｉを示す。） 上記一般式（）で表わされる化合物として
は、トリフルオロメタン、テトラフルオロメタ
ン、トリクロロメタン、テトラクロロメタン、ト
リブロモメタン、テトラブロモメタン、トリヨー
ドメタン、ブロモトリフルオロメタン、ジブロモ
ジフルオロメタン、ヨードトリフルオロメタン、
ジヨードジフルオロメタン、クロロトリフルオロ
メタン、ジクロロジフルオロメタン、ブロモクロ
ロメタン、トリクロロブロモメタン、塩化エチ
ル、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラ
クロロエタン、臭化エチル、ジブロモエタン、テ
トラブロモエタン、ヨウ化エチル、クロロペンタ
フルオロエタン、ヘキサフルオロエタン、オクタ
フルオロプロパン等である。又、上記一般式
（）で表わされる化合物としては、ジフルオロ
アセチレン、トリクロロエチレン、臭化ビニル、
テトラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエ
チレン等を挙げることができる。これら以外の化
合物としては、オクタフルオロシクロプタン、六
弗化イオウ、三弗化窒素、三弗化塩素、三塩化リ
ン、三塩化硼素、三臭化硼素、四塩化珪素、四弗
化珪素、二酸化炭素、一酸化炭素、酸素、塩素、
ヘリウム、臭素、弗素、ヨウ素、水素、窒素等の
各種公知ないし周知のエツチングガスを例示し得
る。 次に、本発明の実施例について、さらに具体的
に説明する。 実施例 １ リン８％を含むPSG膜0.8μｍをSiウエハ上に堆
積した試料に東京応化製のポジ型ホトレジスト
OF PR800を付着し、パターン形成のための窓を
露光、現像により作成した。本サンプルをカソー
ド電極上に載置し、C3F6O 100ml／min CHF3
50ml／minの割合でエツチング系内に導入し、そ
の圧力を8paに保持した状態で高周波（13.56M
Hz）出力0.8KW（0.3W／cm2）を印加し、エツチン
グを行なつた。分光分析によるモニタで終点検出
した結果13分でエツチングが終了した。この時の
PSG／Si、PSG／ホトレジストのエツチング速
度比はそれぞれ10.2、12.8であつた。また、この
エツチング条件下では、電極上はもちろんエツチ
ング系内にもポリマの形成は全く観察されなかつ
た。 実施例 ２ 実施例１に使用したと同一仕様のサンプルをカ
ソード上に載置し、C3F6O 100ml／minのガスを
導入し、圧力を5paとして、0.8KWの高周波出力
の条件でエツチングを行なつた。その結果PSG
のエツチ速度は600Å／minであり、PSG／Si、
PSG／ホトレジストの選択比はそれぞれ9.2、8.0
であつた。 実施例 ３ シリコンウエハ上の0.9μｍのSiO2膜上にポリシ
リコン膜0.4μｍ厚さにCVD法により形成し、実
施例１と同様な方法によりホトレジスト膜により
パターンマスク形成を行なつた。この試料をエツ
チング室に挿入し、C3F6Oガス50ml／min、Cl2
50ml／minをエツチング系内に導入し、ガス圧力
を20paとして放電を行ない、ポリシリコン膜の
エツチングを行なつた。その結果ポリシリコンの
エツチ速度は2000Å／min、下地SiO2及びホトレ
ジスト膜との選択比はそれぞれ15及び９の値が得
られた。 実施例 ４ シリコン酸化膜上に形成した厚さ1000Åのポリ
シリコン膜と、その上に形成したモリブデン4000
Åの２層膜のホトレジストによりパタンマスクを
形成し、実施例３と同一の条件下でエツチングを
行なつた。この２層膜のエツチングは３分で終了
した。下地SiO2、ホトレジストマスクに対する
選択性は13及び７であつた。また、エツチングパ
ターンは異方性形状を示し、下地表面に汚染は観
察されなかつた。 実施例 ５ Si基板上に1μｍのPSGを形成し、ホトレジス
トによりマスクパターンを形成し、試料をアノー
ド上に載置して、カソード、アノード間のギヤツ
プを８mmとして、C3F6Oガス50ml／min流し、ガ
ス圧70pa、高周波出力1.5KWでPSGのエツチン
グを行なつた。その結果PSGのエツチ速度2200
Å／min、シリコン及びホトレジストに対す選択
比はそれぞれ20、11が得られた。この条件でポリ
マの形成は全くなく、下地Si表面の荒れや、汚染
は観察されなかつた。 実施例 ６ SiO2上のAl合金膜をRIEにより塩素を含むガ
ス、例えばＣ Cl4またはＢ Cl3混合ガスにより
エツチングを終了したのち、ガスをC3F6Oと置換
し、100ml／minの流量と30pa 0.6KWの条件で１
分間のプラズマ処理を行なつた。そのあと、本試
料を空気中に長時間放置してもAlの腐食は発生
しなかつた。また、Al除去後の下地表面にポリ
マーの形成は観察されなかつた。
エツチングガスを混合すると種々の特徴を出すこ
とができる。例えば、SiO2、PSGのドライエツ
チングにおいては、トリフルオロメタンを混合使
用することで、下地材料のSi及びフオトレジスト
との選択性を保持したまま、特にポリマーの形成
を抑制する効果が高い。又、poly−SiやMo、
Ti、Ｗ、Ta等の金属膜のエツチングにおいて
は、塩素ガスを混合使用することにより、大きな
エツチング速度とともに、高い選択エツチングが
可能となる。混合割合については、6FPOを混合
する場合について述べれば、体積比で6FPO／
CHF3＝0.01〜5.0、好ましくは0.05〜1.0、
6FPO／Cl2＝0.5〜40、好ましくは1.0〜20が適当
である。勿論、6FPO等を単独に使用した場合に
も、従来に比し速いエツチング速度と、高い選択
エツチング性及び同時にポリマー生成がない点等
について優れている。 混合使用可能なその他のエツチングガスとして
は、以下の化合物を例示し得る。例えば、下記一
般式（）で表わされる飽和ハロゲン化炭化水素
類、又は下記一般式（）で表わされる不飽和ハ
ロゲン化炭化水素類である。 CoH2o+2-nXn ………（） （但し、１≦ｎ≦10、１≦ｍ≦22、Ｘ＝Ｆ、Cl、
Br又はＩを示す。） CpH2p+2-4q-2l-kXk ………（） （但し、１≦ｐ≦４、ｑ＝三重結合の数、１＝二
重結合の数、１≦ｋ≦８、Ｘ＝Ｆ、Cl、Br又は
Ｉを示す。） 上記一般式（）で表わされる化合物として
は、トリフルオロメタン、テトラフルオロメタ
ン、トリクロロメタン、テトラクロロメタン、ト
リブロモメタン、テトラブロモメタン、トリヨー
ドメタン、ブロモトリフルオロメタン、ジブロモ
ジフルオロメタン、ヨードトリフルオロメタン、
ジヨードジフルオロメタン、クロロトリフルオロ
メタン、ジクロロジフルオロメタン、ブロモクロ
ロメタン、トリクロロブロモメタン、塩化エチ
ル、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラ
クロロエタン、臭化エチル、ジブロモエタン、テ
トラブロモエタン、ヨウ化エチル、クロロペンタ
フルオロエタン、ヘキサフルオロエタン、オクタ
フルオロプロパン等である。又、上記一般式
（）で表わされる化合物としては、ジフルオロ
アセチレン、トリクロロエチレン、臭化ビニル、
テトラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエ
チレン等を挙げることができる。これら以外の化
合物としては、オクタフルオロシクロプタン、六
弗化イオウ、三弗化窒素、三弗化塩素、三塩化リ
ン、三塩化硼素、三臭化硼素、四塩化珪素、四弗
化珪素、二酸化炭素、一酸化炭素、酸素、塩素、
ヘリウム、臭素、弗素、ヨウ素、水素、窒素等の
各種公知ないし周知のエツチングガスを例示し得
る。 次に、本発明の実施例について、さらに具体的
に説明する。 実施例 １ リン８％を含むPSG膜0.8μｍをSiウエハ上に堆
積した試料に東京応化製のポジ型ホトレジスト
OF PR800を付着し、パターン形成のための窓を
露光、現像により作成した。本サンプルをカソー
ド電極上に載置し、C3F6O 100ml／min CHF3
50ml／minの割合でエツチング系内に導入し、そ
の圧力を8paに保持した状態で高周波（13.56M
Hz）出力0.8KW（0.3W／cm2）を印加し、エツチン
グを行なつた。分光分析によるモニタで終点検出
した結果13分でエツチングが終了した。この時の
PSG／Si、PSG／ホトレジストのエツチング速
度比はそれぞれ10.2、12.8であつた。また、この
エツチング条件下では、電極上はもちろんエツチ
ング系内にもポリマの形成は全く観察されなかつ
た。 実施例 ２ 実施例１に使用したと同一仕様のサンプルをカ
ソード上に載置し、C3F6O 100ml／minのガスを
導入し、圧力を5paとして、0.8KWの高周波出力
の条件でエツチングを行なつた。その結果PSG
のエツチ速度は600Å／minであり、PSG／Si、
PSG／ホトレジストの選択比はそれぞれ9.2、8.0
であつた。 実施例 ３ シリコンウエハ上の0.9μｍのSiO2膜上にポリシ
リコン膜0.4μｍ厚さにCVD法により形成し、実
施例１と同様な方法によりホトレジスト膜により
パターンマスク形成を行なつた。この試料をエツ
チング室に挿入し、C3F6Oガス50ml／min、Cl2
50ml／minをエツチング系内に導入し、ガス圧力
を20paとして放電を行ない、ポリシリコン膜の
エツチングを行なつた。その結果ポリシリコンの
エツチ速度は2000Å／min、下地SiO2及びホトレ
ジスト膜との選択比はそれぞれ15及び９の値が得
られた。 実施例 ４ シリコン酸化膜上に形成した厚さ1000Åのポリ
シリコン膜と、その上に形成したモリブデン4000
Åの２層膜のホトレジストによりパタンマスクを
形成し、実施例３と同一の条件下でエツチングを
行なつた。この２層膜のエツチングは３分で終了
した。下地SiO2、ホトレジストマスクに対する
選択性は13及び７であつた。また、エツチングパ
ターンは異方性形状を示し、下地表面に汚染は観
察されなかつた。 実施例 ５ Si基板上に1μｍのPSGを形成し、ホトレジス
トによりマスクパターンを形成し、試料をアノー
ド上に載置して、カソード、アノード間のギヤツ
プを８mmとして、C3F6Oガス50ml／min流し、ガ
ス圧70pa、高周波出力1.5KWでPSGのエツチン
グを行なつた。その結果PSGのエツチ速度2200
Å／min、シリコン及びホトレジストに対す選択
比はそれぞれ20、11が得られた。この条件でポリ
マの形成は全くなく、下地Si表面の荒れや、汚染
は観察されなかつた。 実施例 ６ SiO2上のAl合金膜をRIEにより塩素を含むガ
ス、例えばＣ Cl4またはＢ Cl3混合ガスにより
エツチングを終了したのち、ガスをC3F6Oと置換
し、100ml／minの流量と30pa 0.6KWの条件で１
分間のプラズマ処理を行なつた。そのあと、本試
料を空気中に長時間放置してもAlの腐食は発生
しなかつた。また、Al除去後の下地表面にポリ
マーの形成は観察されなかつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体材料のドライエツチング方法におい
て、パーフルオロ環状エーテル類を必須成分とす
るガスによりエツチングすることを特徴とするド
ライエツチング方法。 ２ パーフルオロ環状エーテル類がパーフルオロ
エポキサイド類である特許請求の範囲第１項記載
のドライエツチング方法。 ３ 半導体材料のドライエツチング方法におい
て、パーフルオロ環状エーテル類を必須成分とす
るガスにより、エツチング残渣や生成ポリマーを
除去し、又はこれらの生成を防止し、あるいは半
導体材料の腐食を抑制する工程を有することを特
徴とするドライエツチング方法。 ４ パーフルオロ環状エーテル類がパーフルオロ
エポキサイド類である特許請求の範囲第３項記載
のドライエツチング方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58184399A JPS6077429A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | ドライエツチング方法 |
| EP84111847A EP0140201A3 (en) | 1983-10-04 | 1984-10-03 | Dry-etching process |
| US06/657,524 US4581101A (en) | 1983-10-04 | 1984-10-04 | Dry-etching process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58184399A JPS6077429A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | ドライエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077429A JPS6077429A (ja) | 1985-05-02 |
| JPH0343776B2 true JPH0343776B2 (ja) | 1991-07-03 |
Family
ID=16152486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58184399A Granted JPS6077429A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | ドライエツチング方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4581101A (ja) |
| EP (1) | EP0140201A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6077429A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11566177B2 (en) | 2017-02-28 | 2023-01-31 | Central Glass Company, Limited | Dry etching agent, dry etching method and method for producing semiconductor device |
Families Citing this family (52)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5180466A (en) * | 1984-12-29 | 1993-01-19 | Fujitsu Limited | Process for dry etching a silicon nitride layer |
| DE3514094A1 (de) * | 1985-04-16 | 1986-10-23 | Schering AG, Berlin und Bergkamen, 1000 Berlin | Herstellung metallischer strukturen auf anorganischen nichtleitern |
| JPS61242024A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Matsushita Electronics Corp | エツチング終点検出方法 |
| IT1185964B (it) * | 1985-10-01 | 1987-11-18 | Sgs Microelettronica Spa | Procedimento e relativa apparecchiatura per realizzare contatti metallo-semiconduttore di tipo ohmico |
| US4787941A (en) * | 1986-06-30 | 1988-11-29 | Wang Laboratories, Inc. | Cleaning method for keyboard assemblies |
| US4874723A (en) * | 1987-07-16 | 1989-10-17 | Texas Instruments Incorporated | Selective etching of tungsten by remote and in situ plasma generation |
| US4966870A (en) * | 1988-04-14 | 1990-10-30 | International Business Machines Corporation | Method for making borderless contacts |
| US4998979A (en) * | 1988-06-06 | 1991-03-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for washing deposition film-forming device |
| US5290733A (en) * | 1988-06-23 | 1994-03-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor devices including depositing aluminum on aluminum leads |
| EP0416774B1 (en) * | 1989-08-28 | 2000-11-15 | Hitachi, Ltd. | A method of treating a sample of aluminium-containing material |
| JPH03130368A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-06-04 | Applied Materials Inc | 半導体ウェーハプロセス装置の洗浄方法 |
| KR910010516A (ko) * | 1989-11-15 | 1991-06-29 | 아오이 죠이치 | 반도체 메모리장치 |
| JP3038950B2 (ja) * | 1991-02-12 | 2000-05-08 | ソニー株式会社 | ドライエッチング方法 |
| JPH04311033A (ja) * | 1991-02-20 | 1992-11-02 | Micron Technol Inc | 半導体デバイスのエッチング後処理方法 |
| US5880036A (en) * | 1992-06-15 | 1999-03-09 | Micron Technology, Inc. | Method for enhancing oxide to nitride selectivity through the use of independent heat control |
| US5286344A (en) * | 1992-06-15 | 1994-02-15 | Micron Technology, Inc. | Process for selectively etching a layer of silicon dioxide on an underlying stop layer of silicon nitride |
| KR950009281B1 (ko) * | 1992-07-10 | 1995-08-18 | 현대전자산업주식회사 | 알루미늄 금속배선 형성방법 |
| US5611210A (en) * | 1993-03-05 | 1997-03-18 | Ikon Corporation | Fluoroiodocarbon blends as CFC and halon replacements |
| JP2618817B2 (ja) * | 1993-07-09 | 1997-06-11 | 岩谷産業株式会社 | 半導体製造装置でのノンプラズマクリーニング方法 |
| KR0137841B1 (ko) * | 1994-06-07 | 1998-04-27 | 문정환 | 식각잔류물 제거방법 |
| JPH09129612A (ja) * | 1995-10-26 | 1997-05-16 | Tokyo Electron Ltd | エッチングガス及びエッチング方法 |
| IL119598A0 (en) * | 1995-11-17 | 1997-02-18 | Air Prod & Chem | Plasma etch with trifluoroacetic acid or its derivatives |
| JPH1027781A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Daikin Ind Ltd | エッチングガスおよびクリーニングガス |
| US5855811A (en) | 1996-10-03 | 1999-01-05 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition containing tetraalkylammonium salt and use thereof in semiconductor fabrication |
| US6209483B1 (en) * | 1996-10-17 | 2001-04-03 | Accord S. E. G. | Apparatus and method for removing silicon dioxide residues from CVD reactors |
| JP2972786B2 (ja) * | 1996-11-05 | 1999-11-08 | 工業技術院長 | ドライエッチング用ガス |
| US6187688B1 (en) * | 1997-01-21 | 2001-02-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pattern formation method |
| TW428045B (en) * | 1997-08-20 | 2001-04-01 | Air Liquide Electronics Chemic | Plasma cleaning and etching methods using non-global-warming compounds |
| US6403488B1 (en) * | 1998-03-19 | 2002-06-11 | Cypress Semiconductor Corp. | Selective SAC etch process |
| US6270689B1 (en) | 1998-03-26 | 2001-08-07 | Ikon Corporation | Blend compositions of trifluoroiodomethane, tetrafluoroethane and difluoroethane |
| US6107208A (en) * | 1998-06-04 | 2000-08-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Nitride etch using N2 /Ar/CHF3 chemistry |
| US6558570B2 (en) | 1998-07-01 | 2003-05-06 | Micron Technology, Inc. | Polishing slurry and method for chemical-mechanical polishing |
| US5962345A (en) * | 1998-07-13 | 1999-10-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method to reduce contact resistance by means of in-situ ICP |
| US6230651B1 (en) * | 1998-12-30 | 2001-05-15 | Lam Research Corporation | Gas injection system for plasma processing |
| US6372634B1 (en) | 1999-06-15 | 2002-04-16 | Cypress Semiconductor Corp. | Plasma etch chemistry and method of improving etch control |
| KR100319028B1 (ko) * | 1999-06-21 | 2002-01-05 | 윤덕용 | 표면주사 현미경에 사용되는 탐침 및 그 제조 방법 |
| KR100338769B1 (ko) * | 1999-10-26 | 2002-05-30 | 윤종용 | 반도체 장치의 절연막 식각방법 |
| JP3383939B2 (ja) * | 2000-01-26 | 2003-03-10 | 日本電気株式会社 | ドライエッチング方法 |
| US6432318B1 (en) * | 2000-02-17 | 2002-08-13 | Applied Materials, Inc. | Dielectric etch process reducing striations and maintaining critical dimensions |
| TWI290741B (en) | 2000-11-08 | 2007-12-01 | Daikin Ind Ltd | Dry etching gas and method for dry etching |
| US6692579B2 (en) | 2001-01-19 | 2004-02-17 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method for cleaning semiconductor structures using hydrocarbon and solvents in a repetitive vapor phase/liquid phase sequence |
| US20030145790A1 (en) * | 2002-02-05 | 2003-08-07 | Hitoshi Sakamoto | Metal film production apparatus and metal film production method |
| JP2003234299A (ja) * | 2002-02-12 | 2003-08-22 | Research Institute Of Innovative Technology For The Earth | クリーニングガス及びエッチングガス |
| US20070066076A1 (en) * | 2005-09-19 | 2007-03-22 | Bailey Joel B | Substrate processing method and apparatus using a combustion flame |
| US20080190558A1 (en) * | 2002-04-26 | 2008-08-14 | Accretech Usa, Inc. | Wafer processing apparatus and method |
| US20080011332A1 (en) * | 2002-04-26 | 2008-01-17 | Accretech Usa, Inc. | Method and apparatus for cleaning a wafer substrate |
| US20080017316A1 (en) * | 2002-04-26 | 2008-01-24 | Accretech Usa, Inc. | Clean ignition system for wafer substrate processing |
| KR20040012451A (ko) * | 2002-05-14 | 2004-02-11 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 포토리소그래픽 레티클을 에칭하는 방법 |
| EP1760769A4 (en) * | 2004-05-31 | 2009-05-13 | Nat Inst Of Advanced Ind Scien | DRYING GASES AND METHOD OF DRYING |
| JP4971593B2 (ja) * | 2005-01-11 | 2012-07-11 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US8293430B2 (en) * | 2005-01-27 | 2012-10-23 | Applied Materials, Inc. | Method for etching a molybdenum layer suitable for photomask fabrication |
| TW201103972A (en) | 2009-04-01 | 2011-02-01 | Solvay Fluor Gmbh | Process for the manufacture of etched items |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5359368A (en) * | 1976-11-10 | 1978-05-29 | Hitachi Ltd | Plasma etching |
| US4260649A (en) * | 1979-05-07 | 1981-04-07 | The Perkin-Elmer Corporation | Laser induced dissociative chemical gas phase processing of workpieces |
| JPS55158275A (en) * | 1979-05-28 | 1980-12-09 | Hitachi Ltd | Corrosion preventing method for al and al alloy |
| JPS58150429A (ja) * | 1982-03-03 | 1983-09-07 | Hitachi Ltd | ドライエツチング方法 |
| US4372807A (en) * | 1982-03-25 | 1983-02-08 | Rca Corporation | Plasma etching of aluminum |
-
1983
- 1983-10-04 JP JP58184399A patent/JPS6077429A/ja active Granted
-
1984
- 1984-10-03 EP EP84111847A patent/EP0140201A3/en not_active Withdrawn
- 1984-10-04 US US06/657,524 patent/US4581101A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11566177B2 (en) | 2017-02-28 | 2023-01-31 | Central Glass Company, Limited | Dry etching agent, dry etching method and method for producing semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4581101A (en) | 1986-04-08 |
| EP0140201A2 (en) | 1985-05-08 |
| JPS6077429A (ja) | 1985-05-02 |
| EP0140201A3 (en) | 1988-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0343776B2 (ja) | ||
| KR102398461B1 (ko) | 다중 적층을 에칭하기 위한 화학물질 | |
| EP0284308B1 (en) | Materials and methods for etching tungsten polycides using silicides as a mask | |
| US6930048B1 (en) | Etching a metal hard mask for an integrated circuit structure | |
| US4521275A (en) | Plasma etch chemistry for anisotropic etching of silicon | |
| US4836887A (en) | Chlorofluorocarbon additives for enhancing etch rates in fluorinated halocarbon/oxidant plasmas | |
| JP2956485B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002500444A (ja) | フッ素化されたカルボニル化合物を用いるエッチング及びクリニングの方法 | |
| EP0807968B1 (en) | Etching a metal silicide with HCl and chlorine | |
| US5906950A (en) | Selective etch process | |
| US5893757A (en) | Tapered profile etching method | |
| JP2005051236A (ja) | フルオロカーボンエッチングプラズマ中における次亜フッ素酸塩、フルオロペルオキシド及び（又は）フルオロトリオキシドの酸化剤としての使用 | |
| US5599743A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| US4836886A (en) | Binary chlorofluorocarbon chemistry for plasma etching | |
| WO2012124726A1 (ja) | エッチングガスおよびエッチング方法 | |
| JPS61123142A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JP4164643B2 (ja) | ドライエッチング方法及びパーフルオロ−２−ペンチンの製造方法 | |
| EP0964438B1 (en) | Dry etching method | |
| JP3358808B2 (ja) | 基板から有機物質を灰化する方法 | |
| JP2681058B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP4215294B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH09270419A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JPH07201856A (ja) | 銅配線の形成方法 | |
| JP3158770B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JP2004172312A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |