JPH1027781A - エッチングガスおよびクリーニングガス - Google Patents

エッチングガスおよびクリーニングガス

Info

Publication number
JPH1027781A
JPH1027781A JP8180518A JP18051896A JPH1027781A JP H1027781 A JPH1027781 A JP H1027781A JP 8180518 A JP8180518 A JP 8180518A JP 18051896 A JP18051896 A JP 18051896A JP H1027781 A JPH1027781 A JP H1027781A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
etching
film
chamber
present
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8180518A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsushi Itano
充司 板野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daikin Industries Ltd
Original Assignee
Daikin Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Daikin Industries Ltd filed Critical Daikin Industries Ltd
Priority to JP8180518A priority Critical patent/JPH1027781A/ja
Priority to TW086109701A priority patent/TW565629B/zh
Priority to US09/214,708 priority patent/US20030127118A1/en
Priority to KR10-1999-7000042A priority patent/KR100497884B1/ko
Priority to PCT/JP1997/002369 priority patent/WO1998001899A1/ja
Publication of JPH1027781A publication Critical patent/JPH1027781A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/24—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials
    • H10P50/242—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials of Group IV materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P70/00—Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P70/10—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H10P70/12—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process by dry cleaning only
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
    • Y02C20/00—Capture or disposal of greenhouse gases
    • Y02C20/30—Capture or disposal of greenhouse gases of perfluorocarbons [PFC], hydrofluorocarbons [HFC] or sulfur hexafluoride [SF6]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】地球温暖化のおそれのないエッチングガスおよ
びチャンバクリーニングガスを提供する。 【解決手段】下記式 【化１】 からなる群から選ばれる少なくとも１種のガスからなる
Ｓｉ膜、ＳｉＯ2膜、Ｓｉ3Ｎ4膜または高融点金属シリ
サイト膜用のエッチングガスおよびチャンバクリーニン
グガス。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造用途に
適したエッチングガスおよびクリーニングガスに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ4Ｆ8（ハ゜ーフルオロシクロフ゛タ
ン）、ＳＦ6などのパーフルオロ化合物は、エッチングガ
ス、プラズマＣＶＤのクリーニングガスとして半導体の
生産工程で大量に使用されている。これらは大気中での
寿命が長い安定な化合物であり、赤外線吸収度が高いた
め、地球温暖化係数が炭酸ガスに比べ、ＣＦ4で６３０
０倍、Ｃ2Ｆ6が１２５００倍、Ｃ4Ｆ8が９１００倍、Ｓ
Ｆ6が２４９００倍と極めて大きく、地球温暖化係数の
低い代替ガスの開発が緊急の課題となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体の生
産工程で使用されるエッチングガスおよびプラズマＣＶ
Ｄのクリーニングガスとして好適であり、かつ、地球温
暖化作用の小さい代替ガスを提供することを目的とす
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、以下のエッチ
ングガスおよびクリーニングガスを提供するものであ
る。
【０００５】項１． 下記式
【０００６】
【化３】
【０００７】からなる群から選ばれる少なくとも１種の
ガスを含むＳｉ膜、ＳｉＯ2膜、Ｓｉ3Ｎ4膜または高融
点金属シリサイト膜用のエッチングガス。
【０００８】項２． 下記式
【０００９】
【化４】
【００１０】からなる群から選ばれる少なくとも１種の
ガスを含むチャンバクリーニングガス。
【００１１】さらに本発明は、以下のエッチング方法お
よびクリーニング方法にも関する。
【００１２】・半導体集積回路製造のためのエッチング
方法において、エッチングガスとして下記式
【００１３】
【化５】
【００１４】からなる群から選ばれる少なくとも１種の
ガスを用いることを特徴とするＳｉ膜、ＳｉＯ2膜、Ｓ
ｉ3Ｎ4膜または高融点金属シリサイト膜のエッチング方
法。
【００１５】・半導体集積回路製造において、下記式
【００１６】
【化６】
【００１７】からなる群から選ばれる少なくとも１種の
ガスを用いることを特徴とするチャンバクリーニング方
法。
【００１８】
【発明の実施の形態】
（１）エッチングガス及びエッチング方法 エッチングに用いられるガスとしては、
【００１９】
【化７】
【００２０】がいずれも用いられ、これらは１種又は２
種以上を組み合わせて用いることができる。本発明のエ
ッチングガスには、Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｈ2，Ｎ2，Ｏ2
などの単体ガス、ＣＨ4，Ｃ2Ｈ6，ＮＨ3などの化合物ガ
スを適切な割合で混合して用いてもよい。
【００２１】本発明のエッチング方法は、プラズマエッ
チング、反応性イオンエッチング、マイクロ波エッチン
グなどの各種のドライエッチング条件下で行われる。本
発明のエッチング方法で加工される基板上の被加工膜と
しては、Ｓｉ膜、ＳｉＯ2膜、Ｓｉ3Ｎ4膜または高融点
金属シリサイト膜が挙げられる。
【００２２】本発明の３種のエッチングガスは、高精度
かつ高選択性であり、従来エッチングガスとして汎用さ
れていたＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ4Ｆ8、ＳＦ6の代替品として
実用的なレベルに達している。また、本発明の３種のエ
ッチングガスはＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ4Ｆ8、ＳＦ6に比較し
て地球温暖化係数が十分低い。
【００２３】具体的には、本発明のＣＦ3ＣＦ＝ＣＦ2を
公知の反応性イオンエッチングの条件下（例えば、圧力
＝５０ｍＴｏｒｒ、入力高周波電力＝２００Ｗ、ガス流
量＝２５ｃｃ／ｍｉｎ）にＳｉ膜、ＳｉＯ2膜、Ｓｉ3Ｎ
4膜または高融点金属シリサイト膜に使用すると、パタ
ーンの寸法精度が高く、かつ、被加工層に対する選択性
も高い。
【００２４】ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦ2に代えて
【００２５】
【化８】
【００２６】を使用しても、同様にパターンの寸法精度
が高く、かつ、被加工層に対する選択性も高いため、実
用上の支障なく使用することができる。
【００２７】ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦ2に代えて
【００２８】
【化９】
【００２９】を使用した場合にも、同様にパターンの寸
法精度が高く、かつ、被加工層に対する選択性も高いた
め、実用上の支障なく使用することができる。
【００３０】（２）チャンバクリーニングガス及びチャ
ンバクリーニング方法 チャンバクリーニングに用いられるガスとしては、
【００３１】
【化１０】
【００３２】がいずれも用いられ、これらは１種又は２
種以上を組み合わせて用いることができる。本発明のチ
ャンバクリーニングガスは、Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｈ2，
Ｎ2，Ｏ2などの単体ガスと併用してもよい。
【００３３】チャンバの素材としては、ステンレス、Ａ
ｌ合金等の公知の材料が挙げられる。本発明のチャンバ
クリーニングガスは、チャンバに用いられるこれら材料
にダメージを与えることなく、チャンバに付着した反応
副生成物を迅速に除去することができる。
【００３４】従って、本発明の３種のチャンバクリーニ
ングガスは、従来チャンバクリーニングガスとして用い
られているＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、ＳＦ6の代替品として十分実
用的に使用できるレベルにある。しかも、本発明のチャ
ンバクリーニングガスは、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、ＳＦ6に比較
して地球温暖化係数が十分低い。
【００３５】具体的には、本発明のＣＦ3ＣＦ＝ＣＦ2を
公知のチャンバクリーニングの条件下（圧力＝１００ｍ
Ｔｏｒｒ；入力高周波電力＝３００Ｗ；ガス流量＝５０
ｃｃ／ｍｉｎ）に３０分間使用すると、チャンバに付着
した反応副生成物を十分かつ迅速に取り除くことがで
き、かつ、チャンバにダメージを与えることはなく、十
分実用的に使用できる。
【００３６】ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦ2に代えて
【００３７】
【化１１】
【００３８】を使用しても、同様にチャンバに付着した
反応副生成物を十分かつ迅速に取り除くことができ、か
つ、チャンバにダメージを与えることはなく、実用上の
支障なく使用することができる。
【００３９】ＣＦ3ＣＦ＝ＣＦ2に代えて
【００４０】
【化１２】
【００４１】を使用した場合にも、同様にチャンバに付
着した反応副生成物を十分かつ迅速に取り除くことがで
き、かつ、チャンバにダメージを与えることはなく、実
用上の支障なく使用することができる。
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、地球温暖化係数が炭酸
ガスに比べ極めて高いＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ4Ｆ8、ＳＦ6を
用いることなく、良好なエッチング及びチャンバクリー
ニングを行うことができる。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】下記式 【化１】 からなる群から選ばれる少なくとも１種のガスを含むＳ
    ｉ膜、ＳｉＯ2膜、Ｓｉ3Ｎ4膜または高融点金属シリサ
    イト膜用のエッチングガス。
  2. 【請求項２】下記式 【化２】 からなる群から選ばれる少なくとも１種のガスを含むチ
    ャンバクリーニングガス。
JP8180518A 1996-07-10 1996-07-10 エッチングガスおよびクリーニングガス Pending JPH1027781A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8180518A JPH1027781A (ja) 1996-07-10 1996-07-10 エッチングガスおよびクリーニングガス
TW086109701A TW565629B (en) 1996-07-10 1997-07-09 CVD chamber cleaning gas
US09/214,708 US20030127118A1 (en) 1996-07-10 1997-07-09 Cleaning gas
KR10-1999-7000042A KR100497884B1 (ko) 1996-07-10 1997-07-09 세정기체
PCT/JP1997/002369 WO1998001899A1 (fr) 1996-07-10 1997-07-09 Gaz nettoyant

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8180518A JPH1027781A (ja) 1996-07-10 1996-07-10 エッチングガスおよびクリーニングガス

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1027781A true JPH1027781A (ja) 1998-01-27

Family

ID=16084672

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8180518A Pending JPH1027781A (ja) 1996-07-10 1996-07-10 エッチングガスおよびクリーニングガス

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20030127118A1 (ja)
JP (1) JPH1027781A (ja)
KR (1) KR100497884B1 (ja)
TW (1) TW565629B (ja)
WO (1) WO1998001899A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002021586A1 (en) * 2000-09-07 2002-03-14 Daikin Industries, Ltd. Dry etching gas and method for dry etching
JP2006024709A (ja) * 2004-07-07 2006-01-26 Taiyo Nippon Sanso Corp チャンバーのクリーニング方法
WO2008001844A1 (en) * 2006-06-30 2008-01-03 Showa Denko K.K. Process for producing high-purity hexafluoropropylene and cleaning gas
WO2018159368A1 (ja) * 2017-02-28 2018-09-07 セントラル硝子株式会社 ドライエッチング剤、ドライエッチング方法及び半導体装置の製造方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6540930B2 (en) * 2001-04-24 2003-04-01 3M Innovative Properties Company Use of perfluoroketones as vapor reactor cleaning, etching, and doping gases
JP2005142198A (ja) * 2003-11-04 2005-06-02 Taiyo Nippon Sanso Corp クリーニングガス及びクリーニング方法
WO2005081302A1 (ja) * 2004-02-19 2005-09-01 Tokyo Electron Limited 基板処理装置における処理室のクリーニング方法およびクリーニングの終点検出方法
JP2011517328A (ja) * 2008-03-07 2011-06-02 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 非選択性酸化物エッチング湿式洗浄組成物および使用方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4260649A (en) * 1979-05-07 1981-04-07 The Perkin-Elmer Corporation Laser induced dissociative chemical gas phase processing of workpieces
JPS6077429A (ja) * 1983-10-04 1985-05-02 Asahi Glass Co Ltd ドライエツチング方法
JPH0456770A (ja) * 1990-06-25 1992-02-24 Hitachi Electron Eng Co Ltd プラズマｃｖｄ装置のクリーニング方法
JP3154128B2 (ja) * 1991-05-24 2001-04-09 ソニー株式会社 ドライエッチング方法
DE4202158C1 (ja) * 1992-01-27 1993-07-22 Siemens Ag, 8000 Muenchen, De
US5445712A (en) * 1992-03-25 1995-08-29 Sony Corporation Dry etching method
JPH06163476A (ja) * 1992-11-18 1994-06-10 Sony Corp ドライエッチング方法
JP2904723B2 (ja) * 1995-04-21 1999-06-14 セントラル硝子株式会社 クリーニングガス
JPH0936091A (ja) * 1995-07-20 1997-02-07 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP3062589B2 (ja) * 1995-08-24 2000-07-10 名古屋大学長 ラジカル制御による薄膜形成方法
JPH09129612A (ja) * 1995-10-26 1997-05-16 Tokyo Electron Ltd エッチングガス及びエッチング方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002021586A1 (en) * 2000-09-07 2002-03-14 Daikin Industries, Ltd. Dry etching gas and method for dry etching
US7931820B2 (en) 2000-09-07 2011-04-26 Daikin Industries, Ltd. Dry etching gas and method for dry etching
JP5407101B2 (ja) * 2000-09-07 2014-02-05 ダイキン工業株式会社 ドライエッチングガスおよびドライエッチング方法
JP2006024709A (ja) * 2004-07-07 2006-01-26 Taiyo Nippon Sanso Corp チャンバーのクリーニング方法
WO2008001844A1 (en) * 2006-06-30 2008-01-03 Showa Denko K.K. Process for producing high-purity hexafluoropropylene and cleaning gas
JP5132555B2 (ja) * 2006-06-30 2013-01-30 昭和電工株式会社 高純度ヘキサフルオロプロピレンの製造方法及びクリーニングガス
WO2018159368A1 (ja) * 2017-02-28 2018-09-07 セントラル硝子株式会社 ドライエッチング剤、ドライエッチング方法及び半導体装置の製造方法
JP2018141146A (ja) * 2017-02-28 2018-09-13 セントラル硝子株式会社 ドライエッチング剤、ドライエッチング方法及び半導体装置の製造方法
KR20190124258A (ko) * 2017-02-28 2019-11-04 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 드라이 에칭제, 드라이 에칭 방법 및 반도체 장치의 제조방법
US11566177B2 (en) 2017-02-28 2023-01-31 Central Glass Company, Limited Dry etching agent, dry etching method and method for producing semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
WO1998001899A1 (fr) 1998-01-15
KR20000023596A (ko) 2000-04-25
TW565629B (en) 2003-12-11
US20030127118A1 (en) 2003-07-10
KR100497884B1 (ko) 2005-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3878972B2 (ja) 反応器の内部をクリーニングするため、ならびにケイ素含有化合物の膜をエッチングするためのガス組成物
JP2002500444A (ja) フッ素化されたカルボニル化合物を用いるエッチング及びクリニングの方法
JPH10223614A (ja) エッチングガスおよびクリーニングガス
CN105097485B (zh) 腔室环境调控方法
CN1225938A (zh) 去除沉积物的气体和使用该气体的去除方法
JP2002158181A (ja) クリーニングガス及びエッチングガス
JPH1027781A (ja) エッチングガスおよびクリーニングガス
JP6281507B2 (ja) 希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料及び希土類元素オキシフッ化物溶射部材の製造方法
JPS6012779B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2005060827A (ja) 耐プラズマ部材
US6360754B2 (en) Method of protecting quartz hardware from etching during plasma-enhanced cleaning of a semiconductor processing chamber
JPS62127397A (ja) 三フッ化窒素を使用して半導体ウエハを洗浄する方法
JP2004266077A (ja) Ｃｖｄチャンバーのクリーニング方法およびそれに用いるクリーニングガス
JPH0612765B2 (ja) エ ッ チ ン グ 方 法
US7624742B1 (en) Method for removing aluminum fluoride contamination from aluminum-containing surfaces of semiconductor process equipment
JPH11279761A (ja) 耐食性部材
JP3611729B2 (ja) エッチングガス
JPH05144779A (ja) シリコン酸化膜のドライエツチング方法
JP6620793B2 (ja) 希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料、及び希土類元素オキシフッ化物溶射部材の製造方法
JP2003229365A (ja) 混合クリーニングガス組成物
JP3865113B2 (ja) クリーニングガス及びエッチングガス
JPH04114428A (ja) 洗浄法
JP2002184765A (ja) クリーニングガス
JPH11236561A (ja) クリーニングガス
EP1475822A1 (en) Cleaning gas and etching gas

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060322

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060712