JPH0343789B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0343789B2 JPH0343789B2 JP59074910A JP7491084A JPH0343789B2 JP H0343789 B2 JPH0343789 B2 JP H0343789B2 JP 59074910 A JP59074910 A JP 59074910A JP 7491084 A JP7491084 A JP 7491084A JP H0343789 B2 JPH0343789 B2 JP H0343789B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- section
- reading
- multilayer wiring
- reading device
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は光学的読取装置に関し、特に読取手段
の構造に特徴を有する読取装置に関する。
の構造に特徴を有する読取装置に関する。
従来、フアクシミリや文字読取装置等の画像信
号処理用光学的読取装置の読取手段として用いら
れる光電変換装置において、結晶シリコンからな
る１次元のフオトダイオード型長尺フオトセンサ
ーが用いられていた。しかして、このフオトセン
サーは、作製できるシリコン単結晶に大きさ及び
加工精度の点から、その長さに限度があり且つ作
製時の歩留りが低いという欠点があつた。従つ
て、読取原稿の幅が大きい場合（たとえばA4版
で幅210mm）には、レンズ系を用いて原画をフオ
トセンサー上に縮小結像して読取りが行なわれて
いた。しかしながら、この様な縮小光学系を用い
ると、受光部の小型化が困難になり、また個々の
受光面積（画素面積）が大きくとれないために十
分な信号電流を得るためには大きな光量を必要と
する。このため、上記の如きフオトセンサーは読
取時間を長くした低スピードタイプの読取装置又
は高解像力を要求されない読取装置に使用されて
いるのが現状である。
号処理用光学的読取装置の読取手段として用いら
れる光電変換装置において、結晶シリコンからな
る１次元のフオトダイオード型長尺フオトセンサ
ーが用いられていた。しかして、このフオトセン
サーは、作製できるシリコン単結晶に大きさ及び
加工精度の点から、その長さに限度があり且つ作
製時の歩留りが低いという欠点があつた。従つ
て、読取原稿の幅が大きい場合（たとえばA4版
で幅210mm）には、レンズ系を用いて原画をフオ
トセンサー上に縮小結像して読取りが行なわれて
いた。しかしながら、この様な縮小光学系を用い
ると、受光部の小型化が困難になり、また個々の
受光面積（画素面積）が大きくとれないために十
分な信号電流を得るためには大きな光量を必要と
する。このため、上記の如きフオトセンサーは読
取時間を長くした低スピードタイプの読取装置又
は高解像力を要求されない読取装置に使用されて
いるのが現状である。
これに対し、最近ではアモルフアスシリコンを
用いたフオトセンサーが提案されている。このフ
オトセンサーは真空堆積法でアモルフアスシリコ
ン薄層を形成することにより作製されるので、大
面積のものや長尺のものが容易に得られる。かく
して、アモルフアスシリコンを用いたフオトセン
サーによれば、原稿の幅が大きい場合にも等倍に
て読取ることができ、密着型のイメージセンサー
が可能となる。これにより読取装置を小型化する
ことができる。
用いたフオトセンサーが提案されている。このフ
オトセンサーは真空堆積法でアモルフアスシリコ
ン薄層を形成することにより作製されるので、大
面積のものや長尺のものが容易に得られる。かく
して、アモルフアスシリコンを用いたフオトセン
サーによれば、原稿の幅が大きい場合にも等倍に
て読取ることができ、密着型のイメージセンサー
が可能となる。これにより読取装置を小型化する
ことができる。
ところで、この様な読取装置における駆動方式
としては直接駆動方式とマトリツクス駆動方式と
が提案されている。このうちマトリツクス駆動方
式は駆動ICの数が少なくてすむので、安価に読
取装置を作製することができる。第１図にマトリ
ツクス駆動方式の読取装置の読取部近傍の概略部
分平面図を示し、第２図にその−断面図を示
す。図において、１は基板であり、２は該基板１
上に設けられたアモルフアスシリコン光導電層で
あり、３は共通電極であり、４は個別電極であ
る。各個別電極４が共通電極３と対向させる間隙
部分が各画素部分（即ちセンサー部）に相当す
る。図において、画素は７×５（＝35）個アレイ
状に配列されている。該画素は７個にブロツク化
され、各ブロツクには５個の画素が含まれてい
る。共通電極３は各ブロツク毎に１つ設けられて
いる。また、個別電極４のセンサー部と反対側の
部分には絶縁層５が付されており、該絶縁層５に
はスルーホール６が形成され、該絶縁層５上に設
けられた５本の信号取出し配線７の各々に各ブロ
ツクの１つの個別電極が上記スルーホール部にお
いて接続されている。従つて、共通電極３の７個
の端子と取出し配線の５個の端子とを駆動回路に
接続してマトリツクス駆動を行なうことができ
る。
としては直接駆動方式とマトリツクス駆動方式と
が提案されている。このうちマトリツクス駆動方
式は駆動ICの数が少なくてすむので、安価に読
取装置を作製することができる。第１図にマトリ
ツクス駆動方式の読取装置の読取部近傍の概略部
分平面図を示し、第２図にその−断面図を示
す。図において、１は基板であり、２は該基板１
上に設けられたアモルフアスシリコン光導電層で
あり、３は共通電極であり、４は個別電極であ
る。各個別電極４が共通電極３と対向させる間隙
部分が各画素部分（即ちセンサー部）に相当す
る。図において、画素は７×５（＝35）個アレイ
状に配列されている。該画素は７個にブロツク化
され、各ブロツクには５個の画素が含まれてい
る。共通電極３は各ブロツク毎に１つ設けられて
いる。また、個別電極４のセンサー部と反対側の
部分には絶縁層５が付されており、該絶縁層５に
はスルーホール６が形成され、該絶縁層５上に設
けられた５本の信号取出し配線７の各々に各ブロ
ツクの１つの個別電極が上記スルーホール部にお
いて接続されている。従つて、共通電極３の７個
の端子と取出し配線の５個の端子とを駆動回路に
接続してマトリツクス駆動を行なうことができ
る。
このマトリツクス駆動方式によれば上記の如く
駆動回路部分を小型化することができるが、一方
で配線部の構造が複雑となる。第１図及び第２図
においては画素数が35個の場合を例示したが、高
画素密度の長尺フオトセンサーにおいてはこの画
素数がたとえば1728個であり、このため多層の配
線部の構造は極めて複雑なものとなる。
駆動回路部分を小型化することができるが、一方
で配線部の構造が複雑となる。第１図及び第２図
においては画素数が35個の場合を例示したが、高
画素密度の長尺フオトセンサーにおいてはこの画
素数がたとえば1728個であり、このため多層の配
線部の構造は極めて複雑なものとなる。
従来この種の読取装置においては、第１図及び
第２図に示される如く、同一基板上に読取部とマ
トリツクス化のための多層配線部と形成されてい
たので、その読取手段の製造歩留りは読取部の製
造歩留りと配線部の製造歩留りとを乗じたものに
なる。このため、従来のこの種の読取装置の製造
歩留りはかなり低く、従つて製造コストがかさむ
という難点があつた。
第２図に示される如く、同一基板上に読取部とマ
トリツクス化のための多層配線部と形成されてい
たので、その読取手段の製造歩留りは読取部の製
造歩留りと配線部の製造歩留りとを乗じたものに
なる。このため、従来のこの種の読取装置の製造
歩留りはかなり低く、従つて製造コストがかさむ
という難点があつた。
本発明は、以上の如き従来技術に鑑み、光学的
読取装置の読取手段の製造歩留りを向上させ読取
装置の製造コスト低減をはかることを目的とす
る。
読取装置の読取手段の製造歩留りを向上させ読取
装置の製造コスト低減をはかることを目的とす
る。
本発明によれば、以上の如き目的は、読取部、
駆動回路部、及び該読取部と駆動回路部とを接続
する多層配線部とを有する光学的読取装置におい
て、前記読取部、前記多層配線部、及び前記駆動
回路部とが別々の基板上に形成され、前記読取部
と前記多層配線部とが形成される基板が同一支持
体の同一面上に並列配置されており、且つ前記駆
動回路部が前記多層配線部とフレキシブルな配線
部材を用いて電気的に接続され、前記読取部及び
前記多層配線部の上方に設けられていることを特
徴とする光学的読取装置により達成される。
駆動回路部、及び該読取部と駆動回路部とを接続
する多層配線部とを有する光学的読取装置におい
て、前記読取部、前記多層配線部、及び前記駆動
回路部とが別々の基板上に形成され、前記読取部
と前記多層配線部とが形成される基板が同一支持
体の同一面上に並列配置されており、且つ前記駆
動回路部が前記多層配線部とフレキシブルな配線
部材を用いて電気的に接続され、前記読取部及び
前記多層配線部の上方に設けられていることを特
徴とする光学的読取装置により達成される。
以下、図面を参照しながら本発明の実施例を説
明する。
明する。
第３図は本発明の光学的読取装置の実施例を示
す概略一部切欠部分斜視図であり、第４図はその
−断面図である。図において、１１は読取装
置の読取手段であり、該読取手段１１には長尺の
第１の基板１２と長尺の第２の基板１３が設けら
れている。第１基板１２の下方にはフアイバーレ
ンズアレイ１４が設けられており、その両側には
LEDアレイ１５が設けられている。第１基板１
２には読取センサー部即ちアモルフアスシリコン
光導電層及び該導電層に接続された共通電極と個
別電曲とが形成されている。一方、第２基板１３
上には第１基板１２の共通電極と個別電極とに接
続された多層配線部が形成されている。この多層
配線部の構造は第１図及び第２図に関し説明した
通りである。第１基板１２上に設けられた読取部
と第２基板１３上に設けられた配線部との電気的
接続はアルミニウムワイヤボンデイング２０によ
りなされている。尚、１６は駆動回路部であり、
該駆動回路部１６は上記配線部と電気的に接続さ
れている。この接続はフレキシブルな配線部とし
ての導電材料を用いて行なうことができる。１７
は読取原稿であり、１８はその送りローラであ
る。
す概略一部切欠部分斜視図であり、第４図はその
−断面図である。図において、１１は読取装
置の読取手段であり、該読取手段１１には長尺の
第１の基板１２と長尺の第２の基板１３が設けら
れている。第１基板１２の下方にはフアイバーレ
ンズアレイ１４が設けられており、その両側には
LEDアレイ１５が設けられている。第１基板１
２には読取センサー部即ちアモルフアスシリコン
光導電層及び該導電層に接続された共通電極と個
別電曲とが形成されている。一方、第２基板１３
上には第１基板１２の共通電極と個別電極とに接
続された多層配線部が形成されている。この多層
配線部の構造は第１図及び第２図に関し説明した
通りである。第１基板１２上に設けられた読取部
と第２基板１３上に設けられた配線部との電気的
接続はアルミニウムワイヤボンデイング２０によ
りなされている。尚、１６は駆動回路部であり、
該駆動回路部１６は上記配線部と電気的に接続さ
れている。この接続はフレキシブルな配線部とし
ての導電材料を用いて行なうことができる。１７
は読取原稿であり、１８はその送りローラであ
る。
尚、上記実施例においては読取部と配線部との
電気的接続をアルミニウムワイヤボンデイングに
より行なつたが、本発明読取装置におけるこの電
気的接続はその他適宜の手段により行なうことが
でき、ヒートシール、テープキヤリア等のフレキ
シブルな導電材料を用いて行なうことも可能であ
る。
電気的接続をアルミニウムワイヤボンデイングに
より行なつたが、本発明読取装置におけるこの電
気的接続はその他適宜の手段により行なうことが
でき、ヒートシール、テープキヤリア等のフレキ
シブルな導電材料を用いて行なうことも可能であ
る。
以上の本発明読取装置によれば、読取手段の読
取部と多層配線部、更に駆動回路部とを別々に製
造し、その良品のみを実装することができるの
で、製造効率が良く且つ歩留りが向上し、また読
取部、多層配線部及び駆動回路部の各々を多数個
取りで製造できる。従つて、製品コストを低下せ
しめることができる。更に、本発明読取装置によ
れば、読取部、多層配線部、及び駆動回路部のい
づれかに故障が発生した場合、故障部分のみを基
板毎取替えることにより容易に修復可能である。
加えて、読取部と多層配線部が同一支持体上の同
一面上に並列配置されていることから両者の電気
的接続が容易にしかも安定して行える上、駆動回
路部が読取部及び多層配線部の上方に設けられて
いることから読取装置の小型化が図れる。
取部と多層配線部、更に駆動回路部とを別々に製
造し、その良品のみを実装することができるの
で、製造効率が良く且つ歩留りが向上し、また読
取部、多層配線部及び駆動回路部の各々を多数個
取りで製造できる。従つて、製品コストを低下せ
しめることができる。更に、本発明読取装置によ
れば、読取部、多層配線部、及び駆動回路部のい
づれかに故障が発生した場合、故障部分のみを基
板毎取替えることにより容易に修復可能である。
加えて、読取部と多層配線部が同一支持体上の同
一面上に並列配置されていることから両者の電気
的接続が容易にしかも安定して行える上、駆動回
路部が読取部及び多層配線部の上方に設けられて
いることから読取装置の小型化が図れる。
第１図は従来の読取装置の読取部近傍の部分平
面図であり、第２図はその−断面図である。
第３図は本発明読取装置の一部切欠部分斜視図で
あり、第４図はその−断面図である。 １：基板、２：光導電層、３：共通電極、４：
個別電極、５：絶縁層、６：スルーホール、７：
配線、１１：読取手段、１２，１３：基板、１
４：フアイバーレンズアレイ、１５：LEDアレ
イ、１６：駆動回路部、２０：ワイヤボンデイン
グ。
面図であり、第２図はその−断面図である。
第３図は本発明読取装置の一部切欠部分斜視図で
あり、第４図はその−断面図である。 １：基板、２：光導電層、３：共通電極、４：
個別電極、５：絶縁層、６：スルーホール、７：
配線、１１：読取手段、１２，１３：基板、１
４：フアイバーレンズアレイ、１５：LEDアレ
イ、１６：駆動回路部、２０：ワイヤボンデイン
グ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 読取部、駆動回路部、及び該読取部と駆動回
路部とを接続する多層配線部とを有する光学的読
取装置において、 前記読取部、前記多層配線部、及び前記駆動回
路部とが別々の基板上に形成され、前記読取部と
前記多層配線部とが形成される基板が同一支持体
の同一面上に並列配置されており、且つ前記駆動
回路部が前記多層配線部とフレキシブルな配線部
材を用いて電気的に接続され、前記読取部及び前
記多層配線部の上方に設けられていることを特徴
とする光学的読取装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59074910A JPS60218871A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 光学的読取装置 |
| US06/718,338 US4675534A (en) | 1984-04-16 | 1985-04-01 | Optical reader with two substrates |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59074910A JPS60218871A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 光学的読取装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60218871A JPS60218871A (ja) | 1985-11-01 |
| JPH0343789B2 true JPH0343789B2 (ja) | 1991-07-03 |
Family
ID=13561011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59074910A Granted JPS60218871A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 光学的読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60218871A (ja) |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP59074910A patent/JPS60218871A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60218871A (ja) | 1985-11-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |