JPS60218967A - 光学的読取装置 - Google Patents
光学的読取装置Info
- Publication number
- JPS60218967A JPS60218967A JP59074913A JP7491384A JPS60218967A JP S60218967 A JPS60218967 A JP S60218967A JP 59074913 A JP59074913 A JP 59074913A JP 7491384 A JP7491384 A JP 7491384A JP S60218967 A JPS60218967 A JP S60218967A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- section
- reading
- substrate
- reading device
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- Prior art date
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- Pending
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Image Input (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は光学的読取装置に関し、特に読取手段の構造に
特徴を有する読取装置に関する。
特徴を有する読取装置に関する。
従来、ファクシミリや文字読取装置等の画像信号処理用
光学的読取装置の読取手段として用いられる光電変換装
置において、結晶シリコンからなる１次元のフォトダイ
オード型長尺７オトセンサーが用いられていた。しかし
て、このフォトセンサーは、作製できるシリコン単結晶
の大きさ及び加工精度の点から、その長さに限度があり
且つ作製時の歩留りが低いという欠点があった。従って
、読取原稿の幅が大きい場合（たとえばＡ４版で幅２１
０１１１）には、レンズ系を用いて原画をフォトセンサ
ー上に縮小結像して読取りが行なわれていた。しかしな
がら、この様な縮小光学系を用いると、受光部の小型化
が困難に碌シ、また個々の受光面積（画素面積）が大き
くとれないために十分な信号電流を得るためには大きな
光量を必要とする。とのため、上記の如きフォトセンサ
ーは読取時間を長くした低スピードタイプの読取装置又
は高解像力１要求されない読取装置に使用されているの
が現状である。
光学的読取装置の読取手段として用いられる光電変換装
置において、結晶シリコンからなる１次元のフォトダイ
オード型長尺７オトセンサーが用いられていた。しかし
て、このフォトセンサーは、作製できるシリコン単結晶
の大きさ及び加工精度の点から、その長さに限度があり
且つ作製時の歩留りが低いという欠点があった。従って
、読取原稿の幅が大きい場合（たとえばＡ４版で幅２１
０１１１）には、レンズ系を用いて原画をフォトセンサ
ー上に縮小結像して読取りが行なわれていた。しかしな
がら、この様な縮小光学系を用いると、受光部の小型化
が困難に碌シ、また個々の受光面積（画素面積）が大き
くとれないために十分な信号電流を得るためには大きな
光量を必要とする。とのため、上記の如きフォトセンサ
ーは読取時間を長くした低スピードタイプの読取装置又
は高解像力１要求されない読取装置に使用されているの
が現状である。
これに対し、最近ではアモルファスシリコンを用いたフ
ォトセンサーが提案されている。このフォトセンサーは
真空堆積法でアモルファスシリコン薄層を形成すること
により作製されるので、大面積のもの中長尺のものが容
易に得られる。かくして、アモルファスシリコンを用い
たフォトセンサーによれば、原稿の幅が大きい場合にも
等信にて読取ることができ、密着型のイメージセンサ−
が可能となる。これにより読取装置を小型化することが
できる。
ォトセンサーが提案されている。このフォトセンサーは
真空堆積法でアモルファスシリコン薄層を形成すること
により作製されるので、大面積のもの中長尺のものが容
易に得られる。かくして、アモルファスシリコンを用い
たフォトセンサーによれば、原稿の幅が大きい場合にも
等信にて読取ることができ、密着型のイメージセンサ−
が可能となる。これにより読取装置を小型化することが
できる。
ところで、この様な読取装置における駆動方式としては
直接駆動方式とマ） ＩＪワックス動方式とが提案され
ている。このうちマトリ、クス駆動方式は駆動ＩＣの数
が少なくてすむので、安価に読取装置を作製することが
できる。第１図にマトリックス駆動方式の読取装置の読
取部近傍の概略部分平面図を示し、第２図にその■−■
断面図を示す。
直接駆動方式とマ） ＩＪワックス動方式とが提案され
ている。このうちマトリ、クス駆動方式は駆動ＩＣの数
が少なくてすむので、安価に読取装置を作製することが
できる。第１図にマトリックス駆動方式の読取装置の読
取部近傍の概略部分平面図を示し、第２図にその■−■
断面図を示す。
図において、１は基板であシ、２は該基板１上に設けら
れたアモルファスシリコン光導電層でアリ、３は共通電
極であシ、４は個別電極である。各個別電極４が共通電
極３と対向せる間隙部分が各画素部分（即ちセンサー部
）に相当する。図において、画素は７Ｘ７（＝３５）個
アレイ状に配列されている。該画素は７個にブロック化
され、各ブロックには５個の画素が含まれている。共通
電極３は各ブロック毎に１つ設けられている。また、個
別電極４のセンサー部と反対側の部分には絶縁層５が付
されており、該絶縁層５にはスルーホール６が形成され
、該絶縁層５上に設けられた５本の信号読取し配線７の
各々に各ブロックの１つの個別電極が上記スルーホール
部において接続されている。従って、共通電極３の７個
の端子と読取し配線の５個の端子とを駆動回路に接続し
てマトリックス駆動を行なうことができる。
れたアモルファスシリコン光導電層でアリ、３は共通電
極であシ、４は個別電極である。各個別電極４が共通電
極３と対向せる間隙部分が各画素部分（即ちセンサー部
）に相当する。図において、画素は７Ｘ７（＝３５）個
アレイ状に配列されている。該画素は７個にブロック化
され、各ブロックには５個の画素が含まれている。共通
電極３は各ブロック毎に１つ設けられている。また、個
別電極４のセンサー部と反対側の部分には絶縁層５が付
されており、該絶縁層５にはスルーホール６が形成され
、該絶縁層５上に設けられた５本の信号読取し配線７の
各々に各ブロックの１つの個別電極が上記スルーホール
部において接続されている。従って、共通電極３の７個
の端子と読取し配線の５個の端子とを駆動回路に接続し
てマトリックス駆動を行なうことができる。
このマ） ＩＪワックス動方式によれば上記の如く駆動
回路部分を小型化することができるが、一方で配線部の
構造が複雑となる。第１図及び第２図においては画素数
が３５個の場合を例示したが、高画素密度の長尺フォト
センサーにおいてはこの画素数がたとえば１７２８個で
あり、このため多層の配線部の構造は極めて複雑なもの
となる。
回路部分を小型化することができるが、一方で配線部の
構造が複雑となる。第１図及び第２図においては画素数
が３５個の場合を例示したが、高画素密度の長尺フォト
センサーにおいてはこの画素数がたとえば１７２８個で
あり、このため多層の配線部の構造は極めて複雑なもの
となる。
従来のこの種の読取装置においては、第１図及び第２図
に示される如く、同一基板上に読取部とマトリックス化
のための多層配線部とが形成されていたので、その読取
手段の製造歩留りは読取部の製造歩留シと配線部の製造
歩留りとを乗じたものになる。このため、従来のこの種
の読取装置の製造歩留りはかなシ低く、従って製造コス
トがかさむという難点があった。
に示される如く、同一基板上に読取部とマトリックス化
のための多層配線部とが形成されていたので、その読取
手段の製造歩留りは読取部の製造歩留シと配線部の製造
歩留りとを乗じたものになる。このため、従来のこの種
の読取装置の製造歩留りはかなシ低く、従って製造コス
トがかさむという難点があった。
本発明は、以上の如き従来技術に鑑み、光学的読取装置
の読取手段の製造歩留シを向上させ読取装置の製造コス
ト低減をはかることを目的とする。
の読取手段の製造歩留シを向上させ読取装置の製造コス
ト低減をはかることを目的とする。
本発明によれば、以上の如き目的は、読取部と配線部と
を実質上同一の厚さを有する別々の基板上に形成するこ
とにより達成される。
を実質上同一の厚さを有する別々の基板上に形成するこ
とにより達成される。
以下、図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。
第３図は本発明の光学的読取装置の実施例を示す概略一
部切欠部分斜視図であシ、第４図はそのＷ−ＩＶ断面図
である。図において、１１は読取装置の読取手段であり
、該読取手段１１には長尺の第１の基板１２と該第１の
基板１１とほぼ平行に同一平面状に配置された長尺の第
２の基板１３が設けられている。第１基板１２の下方に
はファイバーレンズアレイ１４が設けられており、その
両側にはＩＪＤアレイ１５が設けられている。第１基板
１２には読取センサー部即ちアモルファスシリコン光導
電層及び該導電層に接続された共通電極と個別電極とが
形成されている。一方、第２基板１３上には第１基板１
２の共通電極と個別電極とに接続された多層配線部が形
成されている。この多層配線部の構造は第１図及び第２
図に関し説明した通りである。第１基板１２上に設けら
れた読取部と第２基板１３上に設けられた配線部との電
気的接続はアルミニウムワイヤがンディング２０によシ
なされている。尚、１６は駆動回路部であり、該駆動回
路部１６は上記配線部と電気的に接続されている。この
接続はフレキシブルな導電材料を用いて行なうことがで
きる。１７は読取原稿であシ、１８はその送シローラで
ある。
部切欠部分斜視図であシ、第４図はそのＷ−ＩＶ断面図
である。図において、１１は読取装置の読取手段であり
、該読取手段１１には長尺の第１の基板１２と該第１の
基板１１とほぼ平行に同一平面状に配置された長尺の第
２の基板１３が設けられている。第１基板１２の下方に
はファイバーレンズアレイ１４が設けられており、その
両側にはＩＪＤアレイ１５が設けられている。第１基板
１２には読取センサー部即ちアモルファスシリコン光導
電層及び該導電層に接続された共通電極と個別電極とが
形成されている。一方、第２基板１３上には第１基板１
２の共通電極と個別電極とに接続された多層配線部が形
成されている。この多層配線部の構造は第１図及び第２
図に関し説明した通りである。第１基板１２上に設けら
れた読取部と第２基板１３上に設けられた配線部との電
気的接続はアルミニウムワイヤがンディング２０によシ
なされている。尚、１６は駆動回路部であり、該駆動回
路部１６は上記配線部と電気的に接続されている。この
接続はフレキシブルな導電材料を用いて行なうことがで
きる。１７は読取原稿であシ、１８はその送シローラで
ある。
第５図は第４図の部分拡大図である。本実施例において
、第１基板１２と第２基板１３とは実質上同一の厚さを
有する。第１基板１２上には個別電極４が形成されてお
し、一方第２基板１３上には第１基板１２側の個別電極
４と電気的に接続される電極配線４′が形成されている
。電気的接続はワイヤｄぐンディング２０により性力わ
れるが、基板１２及び１３の厚みが実質上同一であるの
でがンディング作業は容易且つ確実に行なわれ電気的接
続の信頼性は向上する。
、第１基板１２と第２基板１３とは実質上同一の厚さを
有する。第１基板１２上には個別電極４が形成されてお
し、一方第２基板１３上には第１基板１２側の個別電極
４と電気的に接続される電極配線４′が形成されている
。電気的接続はワイヤｄぐンディング２０により性力わ
れるが、基板１２及び１３の厚みが実質上同一であるの
でがンディング作業は容易且つ確実に行なわれ電気的接
続の信頼性は向上する。
尚、上記実施例においては読取部と配線部との電気的接
続をアルミニウムワイヤデンディングにより行なったが
、本発明読取装置におけるこの電気的接続はその他適宜
の手段により行なうことができ、ヒートシール、テープ
キャリア等のフレキシブルが導電材料を用いて行表うこ
とも可能である。
続をアルミニウムワイヤデンディングにより行なったが
、本発明読取装置におけるこの電気的接続はその他適宜
の手段により行なうことができ、ヒートシール、テープ
キャリア等のフレキシブルが導電材料を用いて行表うこ
とも可能である。
以上の本発明読取装置によれば、読取手段の読取部と配
線部とを別々に製造しその良品のみを実装することがで
きるので、製造効率が良く且つ歩留りが向上し、また読
取部及び配線部の夫々を多数個取りで製造でき、従って
製品コストを低下せしめることができる。更に、本発明
読取装置によれば、読取部及び配線部のいづれかに故障
が発生した場合、故障部分のみを基板毎取替えることに
より容易に修復可能である。加えて、本発明読取装置に
おいては読取部の基板と配線部の基板とが実質上同一の
厚さを有するので、読取部と配線部との電気的接続の信
頼性は十分高いものとなり、製造時及び修復時の電気的
接続作業が容易である。
線部とを別々に製造しその良品のみを実装することがで
きるので、製造効率が良く且つ歩留りが向上し、また読
取部及び配線部の夫々を多数個取りで製造でき、従って
製品コストを低下せしめることができる。更に、本発明
読取装置によれば、読取部及び配線部のいづれかに故障
が発生した場合、故障部分のみを基板毎取替えることに
より容易に修復可能である。加えて、本発明読取装置に
おいては読取部の基板と配線部の基板とが実質上同一の
厚さを有するので、読取部と配線部との電気的接続の信
頼性は十分高いものとなり、製造時及び修復時の電気的
接続作業が容易である。
第１図は従来の読取装置の読取部近傍の部分平面図であ
り、第２図はその■−■断面図である。 第３図は本発明読取装置の一部切欠部分斜視図であり、
第４図はその■−ＩＶ断面図であり、第５図は第４図の
部分拡大図である。 １：基板、２：光導電層、３：共通電極、４：個別電極
、５：絶縁層、６：スルーホール、７：配線、１１：読
取手段、１２，１３：基板、１４：ファイバーレンズア
レイ、１５：ＬＥＤアレイ、１６：駆動回路部、２０：
ワイヤデンディング。 ｆａ Ｉ 図 第２図 １ｇ３図 ｍ ５ 図
り、第２図はその■−■断面図である。 第３図は本発明読取装置の一部切欠部分斜視図であり、
第４図はその■−ＩＶ断面図であり、第５図は第４図の
部分拡大図である。 １：基板、２：光導電層、３：共通電極、４：個別電極
、５：絶縁層、６：スルーホール、７：配線、１１：読
取手段、１２，１３：基板、１４：ファイバーレンズア
レイ、１５：ＬＥＤアレイ、１６：駆動回路部、２０：
ワイヤデンディング。 ｆａ Ｉ 図 第２図 １ｇ３図 ｍ ５ 図
Claims (1)
- （１）読取部、駆動回路部、及び該読取部と駆動回路部
とを接続せる配線部とを有する光学的読取装置において
、読取部と配線部とが実質上同一の厚さを有する別々の
基板上に形成されていることを特徴とする、光学的読取
装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59074913A JPS60218967A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 光学的読取装置 |
| US06/718,338 US4675534A (en) | 1984-04-16 | 1985-04-01 | Optical reader with two substrates |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59074913A JPS60218967A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 光学的読取装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60218967A true JPS60218967A (ja) | 1985-11-01 |
Family
ID=13561099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59074913A Pending JPS60218967A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 光学的読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60218967A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0239955A3 (en) * | 1986-03-31 | 1991-01-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid state image sensor with cell array of amorphous semiconductor photoelectric converting elements |
| US5214273A (en) * | 1990-03-20 | 1993-05-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Contact image sensor |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP59074913A patent/JPS60218967A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0239955A3 (en) * | 1986-03-31 | 1991-01-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid state image sensor with cell array of amorphous semiconductor photoelectric converting elements |
| US5214273A (en) * | 1990-03-20 | 1993-05-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Contact image sensor |
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