JPH034388B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH034388B2 JPH034388B2 JP54031538A JP3153879A JPH034388B2 JP H034388 B2 JPH034388 B2 JP H034388B2 JP 54031538 A JP54031538 A JP 54031538A JP 3153879 A JP3153879 A JP 3153879A JP H034388 B2 JPH034388 B2 JP H034388B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- heat
- thermal energy
- liquid
- thermal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14016—Structure of bubble jet print heads
- B41J2/14088—Structure of heating means
- B41J2/14112—Resistive element
- B41J2/14129—Layer structure
Landscapes
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ノンインパクト記録方法を用いた記
録ヘツドに関し、特に液体記録噴射複写機やフア
クシミリプリンターの如き装置に用いるのに好適
な液滴を吐出噴射する形式の記録ヘツドに関する
ものである。
録ヘツドに関し、特に液体記録噴射複写機やフア
クシミリプリンターの如き装置に用いるのに好適
な液滴を吐出噴射する形式の記録ヘツドに関する
ものである。
ノンインパクト記録法は、記録時に於ける騒音
の発生が無視し得る程度に極めて小さいという点
に於いて、最近関心を集めている。その中で高速
記録が可能であり、しかも普通紙に特別の定着処
理を必要とせずに記録の行える所謂インクジエト
記録法は、極めて有力な記録法であつて、これま
でにも様々な方式が考案され改良が加えられて商
品化されたものもあれば、現在も尚実用化への努
力が続けられているものもある。
の発生が無視し得る程度に極めて小さいという点
に於いて、最近関心を集めている。その中で高速
記録が可能であり、しかも普通紙に特別の定着処
理を必要とせずに記録の行える所謂インクジエト
記録法は、極めて有力な記録法であつて、これま
でにも様々な方式が考案され改良が加えられて商
品化されたものもあれば、現在も尚実用化への努
力が続けられているものもある。
例えば記録液と吐出オリフイス前方に配置され
ている電極とに間に電界を設けて静電的に吐出オ
リフイスより記録液の液滴を発生させる所謂電界
制御方式がある。又別の方式で、記録液に連続振
動を与えて液滴を発生させるとともに、外部信号
に従つて液滴を耐電制御し、一様に電界が掛けら
れている偏向電極間を飛翔させて記録を行う耐電
量制御方式がある。又別の方法で、ノズルと耐電
電極間に掛ける電界強度を記録信号に応じて変調
することによつて液滴の霧化状態を制御する所謂
霧化制御方式もある、さらには、外部信号に与え
て液滴を発生させる所謂オンデマンドピエゾ振動
方式もある。
ている電極とに間に電界を設けて静電的に吐出オ
リフイスより記録液の液滴を発生させる所謂電界
制御方式がある。又別の方式で、記録液に連続振
動を与えて液滴を発生させるとともに、外部信号
に従つて液滴を耐電制御し、一様に電界が掛けら
れている偏向電極間を飛翔させて記録を行う耐電
量制御方式がある。又別の方法で、ノズルと耐電
電極間に掛ける電界強度を記録信号に応じて変調
することによつて液滴の霧化状態を制御する所謂
霧化制御方式もある、さらには、外部信号に与え
て液滴を発生させる所謂オンデマンドピエゾ振動
方式もある。
本発明出願人はこれ等従来とは根本的に思想を
異にする全く新規な記録液の発生及び装置を特開
昭54−59936号に於いて提案した。そのなかの１
つの方法は、記録ヘツドの液室内に存在する記録
液に記録情報を担つた熱エネルギーを作用させ、
該エネルギーにより記録液に状態変化（体積変化
或は気泡の発生等）を生ぜしめ、これによる圧力
変化を利用してオリフイスから記録液を吐出さ
せ、液滴として飛翔させるもの（所謂オンデマン
ド方式）である。
異にする全く新規な記録液の発生及び装置を特開
昭54−59936号に於いて提案した。そのなかの１
つの方法は、記録ヘツドの液室内に存在する記録
液に記録情報を担つた熱エネルギーを作用させ、
該エネルギーにより記録液に状態変化（体積変化
或は気泡の発生等）を生ぜしめ、これによる圧力
変化を利用してオリフイスから記録液を吐出さ
せ、液滴として飛翔させるもの（所謂オンデマン
ド方式）である。
この様な方式に使用される記録ヘツドは、構造
上極めてシンプルであつて、微細加工が容易にで
きる為に記録ヘツド自体を従来にくらべて格段に
小型化し得、又その構造上のシンプルさと加工上
の容易さから高速記録には不可欠なマルチノズル
化が極めて容易に実現し得いること、更に加うれ
ばマルチオリフイス化に於いて、その記録ヘツド
の吐出オリフイスのアレー（array）構造を所望
に従つて任意に設計し得、従つて、記録ヘツドを
バー状とすることも極めて容易に成し得ること、
等等本来顕著な特徴を有する。
上極めてシンプルであつて、微細加工が容易にで
きる為に記録ヘツド自体を従来にくらべて格段に
小型化し得、又その構造上のシンプルさと加工上
の容易さから高速記録には不可欠なマルチノズル
化が極めて容易に実現し得いること、更に加うれ
ばマルチオリフイス化に於いて、その記録ヘツド
の吐出オリフイスのアレー（array）構造を所望
に従つて任意に設計し得、従つて、記録ヘツドを
バー状とすることも極めて容易に成し得ること、
等等本来顕著な特徴を有する。
しかしながら、上記のような記録ヘツドを応答
周波数を10KHz程度、更には10KHz〜数10KHzと
いう様な高周波で駆動する為には高速記録時の熱
応答性を改善することが望ましい。
周波数を10KHz程度、更には10KHz〜数10KHzと
いう様な高周波で駆動する為には高速記録時の熱
応答性を改善することが望ましい。
本発明は上記発明の記録ヘツドに改良を加え、
高速記録時に於ける熱応答性、連続記録時の吐出
安定性などをより向上させ、更には駆動エネルギ
ーの省力化、装備の耐久性をより改善しこの種の
記録ヘツドが本来有している特徴を十分に発揮す
ることを目的としている。
高速記録時に於ける熱応答性、連続記録時の吐出
安定性などをより向上させ、更には駆動エネルギ
ーの省力化、装備の耐久性をより改善しこの種の
記録ヘツドが本来有している特徴を十分に発揮す
ることを目的としている。
上記の目的を達成する本発明とは、液室内の記
録液に熱エネルギーを作用させる為の熱エネルギ
ー発生手段を有し、該熱エネルギーの作用により
記録液を吐出オリフイスから吐出させ、液滴とし
て飛翔させて記録を行う記録装置に於いて、前記
熱エネルギー発生手段が、耐熱性有機高分子材料
からなる低熱伝導性の薄膜を有する基板上に設け
られていることを特徴とする記録装置である。
録液に熱エネルギーを作用させる為の熱エネルギ
ー発生手段を有し、該熱エネルギーの作用により
記録液を吐出オリフイスから吐出させ、液滴とし
て飛翔させて記録を行う記録装置に於いて、前記
熱エネルギー発生手段が、耐熱性有機高分子材料
からなる低熱伝導性の薄膜を有する基板上に設け
られていることを特徴とする記録装置である。
この様に熱エネルギー発生手段が、低熱伝導性
の薄膜が形成された基板上に設けられていると、
高速記録時の熱応答性、連続記録時の吐出安定
性、熱エネルギー効率等がより改善されるのみな
らず、又熱エネルギー発生手段への負荷がより軽
減され素子としての耐久性も向上する。
の薄膜が形成された基板上に設けられていると、
高速記録時の熱応答性、連続記録時の吐出安定
性、熱エネルギー効率等がより改善されるのみな
らず、又熱エネルギー発生手段への負荷がより軽
減され素子としての耐久性も向上する。
以下図面を参照しながら本発明の具体的な説明
を行う。
を行う。
一般に、記録ヘツドの高速記録時における特性
の良否が、立ち上がり及び立ち下がり時の応答性
により決定されることは言うまでもないが、特に
熱エネルギーの作用を利用した記録ヘツドに於い
ては、立ち上がり及び立ち下がり時の応答性が改
良される為には、相反する条件が満足されなくて
はならない。
の良否が、立ち上がり及び立ち下がり時の応答性
により決定されることは言うまでもないが、特に
熱エネルギーの作用を利用した記録ヘツドに於い
ては、立ち上がり及び立ち下がり時の応答性が改
良される為には、相反する条件が満足されなくて
はならない。
即ち、信号印加による立ち上がり時に、熱エネ
ルギー発生手段である発熱低抗体が発生する熱エ
ネルギーは、発熱低抗体表面から記録液にのみ効
率良く伝わり、基板或発熱抵抗体を形成する層等
その他の部分に拡散しないこと、又立ち下がり時
には、信号印加時に発生した熱エネルギーがすみ
やかに拡散することが要求される。
ルギー発生手段である発熱低抗体が発生する熱エ
ネルギーは、発熱低抗体表面から記録液にのみ効
率良く伝わり、基板或発熱抵抗体を形成する層等
その他の部分に拡散しないこと、又立ち下がり時
には、信号印加時に発生した熱エネルギーがすみ
やかに拡散することが要求される。
特に本発明係わる記録ヘツドでは、熱エネルギ
ーの作用による記録液の状態変化（体積変化或は
気泡の発生等）を利用して吐出エネルギーを得て
いる為に、高周波で記録を行う際には、次の様な
技術的な困難さが伴つている。
ーの作用による記録液の状態変化（体積変化或は
気泡の発生等）を利用して吐出エネルギーを得て
いる為に、高周波で記録を行う際には、次の様な
技術的な困難さが伴つている。
第１図は、発熱している物体の表面温度と液体
（例えば水）の沸点との温度差△Ｔを横軸に、発
熱面から水へ伝達されるエネルギー量EHを縦軸
に表した図（甲藤好郎著、「伝熱概論」P296、養
賢堂）である。
（例えば水）の沸点との温度差△Ｔを横軸に、発
熱面から水へ伝達されるエネルギー量EHを縦軸
に表した図（甲藤好郎著、「伝熱概論」P296、養
賢堂）である。
この図から明らかな様に、一般に発熱面から伝
達される熱エネルギー量には、発熱面と液体の沸
点との温度差△Ｔが数10℃のところで、極大値が
存在している。この原因の一つとして、△Ｔが数
10℃を越えると発熱面に蒸気膜が形成され、該膜
が発熱面から液体への熱エネルギーの移動を阻止
することが考えられる。
達される熱エネルギー量には、発熱面と液体の沸
点との温度差△Ｔが数10℃のところで、極大値が
存在している。この原因の一つとして、△Ｔが数
10℃を越えると発熱面に蒸気膜が形成され、該膜
が発熱面から液体への熱エネルギーの移動を阻止
することが考えられる。
発熱低抗体の表面温度がこの極大値附近に対応
する温度に保持されていると、液滴吐出の原動力
となる記録液の急激な状態変化、特に急激な気泡
の発生を伴わずに、多量のエネルギーが記録液に
移動してゆく。この様な場合には、良好な応答
性、エネルギー効率等が得られず、又状態変化が
安定に行われなくなり吐出安定性が低下しやす
い。
する温度に保持されていると、液滴吐出の原動力
となる記録液の急激な状態変化、特に急激な気泡
の発生を伴わずに、多量のエネルギーが記録液に
移動してゆく。この様な場合には、良好な応答
性、エネルギー効率等が得られず、又状態変化が
安定に行われなくなり吐出安定性が低下しやす
い。
従つて、応答性、エネルギー効率、吐出安定性
を改良する為には、発熱低抗体の表面温度が記録
液の沸点に対して数10℃〜100℃程度だけ高温に
なる状態（第１図Ｄ点以上）をできる限り短時間
に実現することが望ましく、立ち上がり時に発熱
低抗体の表面温度が、第１図のＥ〜Ｆ点に相当す
る温度まで急激に上昇し、又立ち上がり時には信
号印加中に発生した熱エネルギーが急速に拡散す
ることが重要である。従来から所謂熱記録で使用
されているサーマルヘツドでは基板上にガラス
（厚さ10μｍ程度）を蓄積層として形成し、信号
印加等の熱拡散を防いでいる。しかしこの様な構
成の発熱抵抗体を、従来のサーマルヘツドに比し
て10倍〜100倍以上の応答性を要求される本発明
の記録ヘツドに適用すると、高速記録時の応答
性・エネルギー効率・吐出安定性の低下、更には
寿命にも悪影響を及ぼすことがある。
を改良する為には、発熱低抗体の表面温度が記録
液の沸点に対して数10℃〜100℃程度だけ高温に
なる状態（第１図Ｄ点以上）をできる限り短時間
に実現することが望ましく、立ち上がり時に発熱
低抗体の表面温度が、第１図のＥ〜Ｆ点に相当す
る温度まで急激に上昇し、又立ち上がり時には信
号印加中に発生した熱エネルギーが急速に拡散す
ることが重要である。従来から所謂熱記録で使用
されているサーマルヘツドでは基板上にガラス
（厚さ10μｍ程度）を蓄積層として形成し、信号
印加等の熱拡散を防いでいる。しかしこの様な構
成の発熱抵抗体を、従来のサーマルヘツドに比し
て10倍〜100倍以上の応答性を要求される本発明
の記録ヘツドに適用すると、高速記録時の応答
性・エネルギー効率・吐出安定性の低下、更には
寿命にも悪影響を及ぼすことがある。
本発明の記録ヘツドは、熱伝導性の良い基板上
に、耐熱性有機高分子材料からなる低熱伝導性の
薄膜をコートし、更にその上に熱エネルギーを発
生する層を積層したものであり、この様な層構成
により上記の条件を満足することができる。
に、耐熱性有機高分子材料からなる低熱伝導性の
薄膜をコートし、更にその上に熱エネルギーを発
生する層を積層したものであり、この様な層構成
により上記の条件を満足することができる。
第２図は、本発明の記録ヘツドに使用される発
熱低抗体を示す説明図である。
熱低抗体を示す説明図である。
該発熱低抗体１は、熱伝導度の大きな気板２上
に、熱伝導度の小さな薄膜３をコートし、更に発
熱体層４及び外部から信号を印加する為の電極層
５を積層して形成される。図に於いてＨの部分が
発熱部となる。
に、熱伝導度の小さな薄膜３をコートし、更に発
熱体層４及び外部から信号を印加する為の電極層
５を積層して形成される。図に於いてＨの部分が
発熱部となる。
又、６は保護膜であり発熱体層・電極等の保護
或は記録媒体液が直接該発熱低抗体に接する場合
の絶縁等を目的として、必要に応じて設けられ
る。
或は記録媒体液が直接該発熱低抗体に接する場合
の絶縁等を目的として、必要に応じて設けられ
る。
基板２の材料としては、例えばAl、Cu等の金
属或はAl2O3等のセラミツクスが挙げられる。
属或はAl2O3等のセラミツクスが挙げられる。
基板に積層される薄膜用の材料としては、発熱
体層附近の上昇温度範囲内で、熱による変質を受
けないこと、均一な層形成を行い得ること、応答
性・エネルギー効率等の改良の為に0.1〜10μｍ程
度の層を容易に形成し得ること、積層した状態で
その他の層（発熱体層・基板等）と充分な密着性
を有していること等が要求される。又、常温附近
の温度でその熱伝導度の値が0.6Kcal／ｍhr℃以
下、好ましくは0.05Kcal〜0.4Kcal／ｍhr℃のも
のが使用される。
体層附近の上昇温度範囲内で、熱による変質を受
けないこと、均一な層形成を行い得ること、応答
性・エネルギー効率等の改良の為に0.1〜10μｍ程
度の層を容易に形成し得ること、積層した状態で
その他の層（発熱体層・基板等）と充分な密着性
を有していること等が要求される。又、常温附近
の温度でその熱伝導度の値が0.6Kcal／ｍhr℃以
下、好ましくは0.05Kcal〜0.4Kcal／ｍhr℃のも
のが使用される。
更に上記の条件を満足する材料を、発熱低抗体
に印加する信号エネルギー量、信号印加時間の間
隔等を考慮して通常は0.1〜10μｍ、好適には0.3
〜10μｍ、最適には１〜6μｍの厚さに層形成する
ことが望ましい。
に印加する信号エネルギー量、信号印加時間の間
隔等を考慮して通常は0.1〜10μｍ、好適には0.3
〜10μｍ、最適には１〜6μｍの厚さに層形成する
ことが望ましい。
使用される材料としては、これらの条件を満足
するかぎりに於いて、有機系の材料、場合によつ
ては無機及び有機系の材料から成る複合材料或は
積層された複数の材料等いずれのタイプでも良
い。特に軟化点又は融点が150℃以上、更には200
℃以上の耐熱性有機高分子材料は好適に使用され
る。
するかぎりに於いて、有機系の材料、場合によつ
ては無機及び有機系の材料から成る複合材料或は
積層された複数の材料等いずれのタイプでも良
い。特に軟化点又は融点が150℃以上、更には200
℃以上の耐熱性有機高分子材料は好適に使用され
る。
低熱伝導性の薄膜用の材料に有機材料が有効な
理由としては、一般に、薄膜を容易に形成し得る
こと、積層した状態でその他の層と密着性の高い
層が得られやすいこと、熱伝導度の値が充分低い
こと等が挙げられる。更に本発明記録ヘツドで使
用される発熱低抗体では、従来のサーマルヘツド
ほど高温度を要求されないこと、温度上昇の時間
が極めて短いこと等の為に、有機系の材料の汎用
性が生かされるという利点がある。
理由としては、一般に、薄膜を容易に形成し得る
こと、積層した状態でその他の層と密着性の高い
層が得られやすいこと、熱伝導度の値が充分低い
こと等が挙げられる。更に本発明記録ヘツドで使
用される発熱低抗体では、従来のサーマルヘツド
ほど高温度を要求されないこと、温度上昇の時間
が極めて短いこと等の為に、有機系の材料の汎用
性が生かされるという利点がある。
耐熱性有機材料の具体的な例としては、例え
ば、ポリエチレンテレフタレート、エポキシ樹
脂、シリコーン樹脂、フツ素樹脂例えばテフロ
ン、ｐ−ビニルフエノール樹脂、付加重合型又は
縮合型のポリイミド；トリアジン樹脂、ポリ−ｐ
−キシリレン、ビスマレイミドとトリアジンとを
付加重合させたBT樹脂等或はこれらの変性樹脂
等が挙げられ、これらの中でも、ポリ−ｐ−キシ
リレン、ポリイミド；トリアジン樹脂、BT樹脂
等は好ましいものである。
ば、ポリエチレンテレフタレート、エポキシ樹
脂、シリコーン樹脂、フツ素樹脂例えばテフロ
ン、ｐ−ビニルフエノール樹脂、付加重合型又は
縮合型のポリイミド；トリアジン樹脂、ポリ−ｐ
−キシリレン、ビスマレイミドとトリアジンとを
付加重合させたBT樹脂等或はこれらの変性樹脂
等が挙げられ、これらの中でも、ポリ−ｐ−キシ
リレン、ポリイミド；トリアジン樹脂、BT樹脂
等は好ましいものである。
尚、耐熱性有機高分子材料からなる低熱伝導性
の薄膜の材料は、上述の様にそれ自体積層した場
合に他の層との密着性が良好なものが望ましい
が、密着性が劣る場合でも、適当な下引き層を設
けて密着性を高めることにより本発明に使用され
て良い。
の薄膜の材料は、上述の様にそれ自体積層した場
合に他の層との密着性が良好なものが望ましい
が、密着性が劣る場合でも、適当な下引き層を設
けて密着性を高めることにより本発明に使用され
て良い。
発熱体層４には、Pd−Au等の厚膜、ZrB2、
HfB2等の金属硼化物、Ta2N、Ｗ、Ni−Cr、
SnO2等の薄膜等がいずれも使用されて良いが、
応答性の点から、薄膜状のZrB2、HfB2、Ta2N、
Ｗ、Ni−Cr、或はSnO2が好ましく使用される。
HfB2等の金属硼化物、Ta2N、Ｗ、Ni−Cr、
SnO2等の薄膜等がいずれも使用されて良いが、
応答性の点から、薄膜状のZrB2、HfB2、Ta2N、
Ｗ、Ni−Cr、或はSnO2が好ましく使用される。
尚、保護膜６は必要に応じて設けられるもので
あるが、絶縁性で且つ発熱低抗体の熱を効率良く
伝えることが要求され、例えばSiO2層等を利用
する場合には１〜2μｍ前後のみの厚みとされる。
あるが、絶縁性で且つ発熱低抗体の熱を効率良く
伝えることが要求され、例えばSiO2層等を利用
する場合には１〜2μｍ前後のみの厚みとされる。
以上の様にして構成される発熱低抗体を記録ヘ
ツドに設けた例を第３図に示す。
ツドに設けた例を第３図に示す。
図に於いてＨは、第２図な発熱低抗体の発熱部
を略式に示したものであり、基板２上に、図示さ
れない耐熱性有機薄膜層を介して形成されてい
る。
を略式に示したものであり、基板２上に、図示さ
れない耐熱性有機薄膜層を介して形成されてい
る。
該熱エネルギー発生手段に接して吐出オリフイ
８を有し、記録液を収容する為の管状又は溝状の
液室７が設けられる。液室内には、貯蔵槽１０か
らポンプ・フイルター或はバルブ等の中間処理手
段９を経て記録液が供給されている。
８を有し、記録液を収容する為の管状又は溝状の
液室７が設けられる。液室内には、貯蔵槽１０か
らポンプ・フイルター或はバルブ等の中間処理手
段９を経て記録液が供給されている。
今記録信号Ｓが信号処理手段１１（例えばパル
ス変換器）に入力されると、パルス状の信号に加
熱されて状態変化を起こす。該状態変化により信
号に応じた液滴１３が吐出オリフイス８より吐出
し、記録部材１２に付着して記録がなされる。
ス変換器）に入力されると、パルス状の信号に加
熱されて状態変化を起こす。該状態変化により信
号に応じた液滴１３が吐出オリフイス８より吐出
し、記録部材１２に付着して記録がなされる。
上述の層構成による記録ヘツドでは、信号印加
の立ち上がり時に熱エネルギーを基板方向に伝え
にくい為効率良く液滴の発生を行うとができる。
の立ち上がり時に熱エネルギーを基板方向に伝え
にくい為効率良く液滴の発生を行うとができる。
又、信号除去後の立ち下がり時には、信号印加
中に生じた大きな温度勾配によつて急速な熱拡散
を起こす。従つて殊に信号のパルス巾が50μsec以
下、更には１〜20μsec、周期が500μsec以下更に
は10〜500μsecという様な高速記録条件下で記録
液を熱エネルギーの作用で吐出させる装置に於い
ては極めて良好な熱応答性・エネルギー効率・吐
出安定性を示す。
中に生じた大きな温度勾配によつて急速な熱拡散
を起こす。従つて殊に信号のパルス巾が50μsec以
下、更には１〜20μsec、周期が500μsec以下更に
は10〜500μsecという様な高速記録条件下で記録
液を熱エネルギーの作用で吐出させる装置に於い
ては極めて良好な熱応答性・エネルギー効率・吐
出安定性を示す。
或は又別の観点からすれば、熱エネルギー効率
が良く、基板の面に沿う方向への熱拡散も少ない
為に、発熱低抗体を不要に高温度にする必要もな
く、印加信号のエネルギー量を小さくとることが
できること、同時に素子としての発熱低抗体部分
の寿命延長にも効果があるものである。
が良く、基板の面に沿う方向への熱拡散も少ない
為に、発熱低抗体を不要に高温度にする必要もな
く、印加信号のエネルギー量を小さくとることが
できること、同時に素子としての発熱低抗体部分
の寿命延長にも効果があるものである。
第４図には印加される信号パルスと、本発明で
使用される発熱低抗体の表面温度との関係が模式
的に示されている。
使用される発熱低抗体の表面温度との関係が模式
的に示されている。
本発明で使用される発熱低抗体の表面温度は、
パルスの印加時（t0）から除去時（t1）までのあ
いだに急激な立ち上がりを示し、t1後は直ちに立
ち下がる。一方従来のサーマルヘツドに於いて上
記の例と同一の発熱体温度を得る場合の例を比較
して破線で示す。
パルスの印加時（t0）から除去時（t1）までのあ
いだに急激な立ち上がりを示し、t1後は直ちに立
ち下がる。一方従来のサーマルヘツドに於いて上
記の例と同一の発熱体温度を得る場合の例を比較
して破線で示す。
第５図は、第３図に示す装置をマルチオリフイ
ス化した一例を示す。この図に於いて２′は第２
図の発熱低抗体が設けられている発熱体基板であ
り、その上部には、複数の液室を形成する為のブ
ロツク１６及び貯蔵槽１０から中間処理手段９を
経て記録液を供給する為の導入パイプ１７等が設
けられている。尚、８′は必要に応じて設けられ
るオリフイス板である。又、その後方には複数の
発熱低抗体（不図示）を選択的に駆動する為のリ
ードL1及びL2が設けられているリード基板１５
が一体化されている。外部からの信号Ｓは、信号
処理手段１１によりパルス状の信号に変換され、
リードL1及びL2を経て発熱低抗体に印加される。
ス化した一例を示す。この図に於いて２′は第２
図の発熱低抗体が設けられている発熱体基板であ
り、その上部には、複数の液室を形成する為のブ
ロツク１６及び貯蔵槽１０から中間処理手段９を
経て記録液を供給する為の導入パイプ１７等が設
けられている。尚、８′は必要に応じて設けられ
るオリフイス板である。又、その後方には複数の
発熱低抗体（不図示）を選択的に駆動する為のリ
ードL1及びL2が設けられているリード基板１５
が一体化されている。外部からの信号Ｓは、信号
処理手段１１によりパルス状の信号に変換され、
リードL1及びL2を経て発熱低抗体に印加される。
実施例
第５図に示す装置を次の要領で作成した。５mm
のAl基板上にスピンナーでポリイミド膜を3μｍ
コートした。次に基板を水冷しながら発熱体層と
してZrB2を800Å、電極としてAlを5000Å積層し
たあと、選択ホトエツチングで200μｍ×200μｍ
の発熱低抗体を形成した（抵抗値約100Ω）。
SiO2を1μｍスパツタリングして保護膜とした。
次に幅300μｍ、深さ150μｍの溝を発熱低抗体の
各々に対応する位置に接着し、オリフイス板、ブ
ロツク、インクに接着した。水を（溶媒の）主成
分とする記録液を用い、20μsのパルス幅で25Vの
電圧の短形波を100μsの周期で画像信号に従つて
印加したところ、鮮明な像が得られた。又、上記
のポリイミド膜の代りにポリ−ｐ−キシリレンを
Al基板上に蒸着する以外は同様にして行つたが、
優れた結果を得た。
のAl基板上にスピンナーでポリイミド膜を3μｍ
コートした。次に基板を水冷しながら発熱体層と
してZrB2を800Å、電極としてAlを5000Å積層し
たあと、選択ホトエツチングで200μｍ×200μｍ
の発熱低抗体を形成した（抵抗値約100Ω）。
SiO2を1μｍスパツタリングして保護膜とした。
次に幅300μｍ、深さ150μｍの溝を発熱低抗体の
各々に対応する位置に接着し、オリフイス板、ブ
ロツク、インクに接着した。水を（溶媒の）主成
分とする記録液を用い、20μsのパルス幅で25Vの
電圧の短形波を100μsの周期で画像信号に従つて
印加したところ、鮮明な像が得られた。又、上記
のポリイミド膜の代りにポリ−ｐ−キシリレンを
Al基板上に蒸着する以外は同様にして行つたが、
優れた結果を得た。
第１図は発熱している物体の表面温度と液体に
伝わるエネルギー量との関係を示す説明図、第２
図は発熱抵抗体の設置例を示す実施態様図、第３
図は記録ヘツドの模式図、第４図は印加パルスと
発熱低抗体表面温度との関係を示す説明図、第５
図は本発明の記録ヘツドの実施態様を示す模式図
である。 図に於いて、１……発熱抵抗体、２……基板、
２′……発熱体基板、３……有機薄膜、４……発
熱体層、５……電極、６……保護膜、７……液
室、８……吐出オリフイス、８′……オリフイス
板、９……中間処理手段、１０……貯蔵槽、１１
……信号処理手段、１２……記録部材、１３……
液滴、１４……溝つきプレート、１５……リード
基板、１６……ブロツク、１７……導入パイプ、
Ｓ……信号、Ｈ……発熱部、L1，L2……リード、
である。
伝わるエネルギー量との関係を示す説明図、第２
図は発熱抵抗体の設置例を示す実施態様図、第３
図は記録ヘツドの模式図、第４図は印加パルスと
発熱低抗体表面温度との関係を示す説明図、第５
図は本発明の記録ヘツドの実施態様を示す模式図
である。 図に於いて、１……発熱抵抗体、２……基板、
２′……発熱体基板、３……有機薄膜、４……発
熱体層、５……電極、６……保護膜、７……液
室、８……吐出オリフイス、８′……オリフイス
板、９……中間処理手段、１０……貯蔵槽、１１
……信号処理手段、１２……記録部材、１３……
液滴、１４……溝つきプレート、１５……リード
基板、１６……ブロツク、１７……導入パイプ、
Ｓ……信号、Ｈ……発熱部、L1，L2……リード、
である。
Claims (1)
- １ 液室内の記録液に熱エネルギーを作用させる
為の熱エネルギー発生手段を有し、該熱エネルギ
ーの作用により記録液を吐出オリフイスから吐出
させ液滴として飛翔させて記録を行う記録装置に
於いて、前記熱エネルギー発生手段が耐熱性有機
高分子材料からなる低熱伝導性の薄膜を有する基
板上に設けられていることを特徴とする記録ヘツ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3153879A JPS55123478A (en) | 1979-03-16 | 1979-03-16 | Recorder |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3153879A JPS55123478A (en) | 1979-03-16 | 1979-03-16 | Recorder |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55123478A JPS55123478A (en) | 1980-09-22 |
| JPH034388B2 true JPH034388B2 (ja) | 1991-01-22 |
Family
ID=12333962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3153879A Granted JPS55123478A (en) | 1979-03-16 | 1979-03-16 | Recorder |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55123478A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53101188A (en) * | 1977-02-15 | 1978-09-04 | Takao Hida | Sheet moving method in automatic plate punching machine |
-
1979
- 1979-03-16 JP JP3153879A patent/JPS55123478A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55123478A (en) | 1980-09-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4345262A (en) | Ink jet recording method | |
| JPS6159914B2 (ja) | ||
| US4660058A (en) | Viscosity switched ink jet | |
| JPH0225629Y2 (ja) | ||
| JPH0117862B2 (ja) | ||
| JP2810142B2 (ja) | インクジェット記録方法 | |
| JPH106504A (ja) | プリントヘッド及びプリントヘッド形成方法 | |
| JPH035151A (ja) | 液体噴射記録ヘッド | |
| JPH034388B2 (ja) | ||
| JPS6159913B2 (ja) | ||
| JPH0234785B2 (ja) | ||
| JP2001105590A (ja) | インクジェットヘッド | |
| JPH0234786B2 (ja) | ||
| JP3277203B2 (ja) | 液体噴射記録装置及び記録ヘッド | |
| JPS6342577B2 (ja) | ||
| JP2698418B2 (ja) | 液体噴射記録ヘッド | |
| JP2790844B2 (ja) | 液体噴射記録ヘッド | |
| JPH0237302B2 (ja) | Ekitaifunshakirokuho | |
| JPS647871B2 (ja) | ||
| JP3109729B2 (ja) | 液体噴射記録ヘッド | |
| JPS63230352A (ja) | インクジエツト記録ヘツド | |
| JPH0729436B2 (ja) | 液体噴射記録ヘツド | |
| JPH0444856A (ja) | インクジェット記録装置 | |
| JP2902137B2 (ja) | インク飛翔記録装置 | |
| JPH0343254A (ja) | 熱インクジェットの印字ヘッド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| EXPY | Cancellation because of completion of term |