JPH0344050A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 口、従来技術 近年、半導体集積回路の高集積化、多機能化に伴い半導
体素子が大型化し、かつ半導体装置の入出力端子が多ビ
ン化する傾向にある。このため、小型の半導体装置を提
供するためには、半導体素子を高密度に実装するパッケ
ージ技術が必要とされる。

従来の半導体素子を実装する技術として、例えば、いわ
ゆるフラットバンク型と呼ばれる表面実装法を用いた半
導体装置について説明する。これは、プリント社板への
実装密度を尚くするためのものであって、例えばエポキ
シ樹脂等のモールド樹脂から突出している端子（後述す
るアウターリード部４１ｂ）間幅を狭くし、この端子を
モール１′樹脂の対向辺（或いは４辺）に出して後述す
る第１６図に示すように、プリント払扱５ｏに平面付け
するタイプのものである。

即ち、例えば第１６図に示すように、バノゲージ４５に
設けられたり一ド４１は、インナーリード部４１ａとア
ウターリード部４１ｂからなる。

インナーリード部４１ａは、マウント部４４上にマウン
Ｉ・された半導体素子（例えばグイナミノクＲＡＭ等を
含むＩＣチップ）４７上のバンド４８にボンディングワ
イヤ（例えば金）４９によって半導体素子４７と電気的
に接続され、更に全体がトランスファモールドにより樹
脂（例えばエポキシ樹脂）４６でモールドされている。

また、アウターリード部４１ｂは、図に示すように、折
曲した状態に底形されていて、その端部がプリント基板
５０上のＣ１１の導体パターン４２に例えば半田によっ
て電気的に接続された状態で固定されている。

上述したように、第１６図に示すＩＣパッケージ構造に
よれば、ＩＣチップ４７をマウンＩ・部４４上にマウン
Ｉ−Ｌ、ＩＣチップ４７の各ポンディングパッド４８を
対応するインナーリード部４１ａに個々にワイヤ４９で
ボンディングし、更に樹脂モールド４６で全体をパッケ
ージングしている。

しかしながら、こうしたホンディング（ワイヤホンティ
ング）方式では、４．５にＩｃの多ビン化に伴い、Ｉｃ
チップとリードとの接続が非常に困難となる。即ち、主
にインナーリート部４１ａ及びアウターリート部４１ｂ
からなるリード４１はその製造上、及びワイヤボンディ
ングの都合上、最小ピッチに物理的限界がある。このた
め、ＩＣチップ４７に形成されるアクチイブ領域自体は
小さくてもポンディングパッド４８相互の間隔は小さく
できず、結果としてＩＣチップ４７の面積を小さくでき
ない。また、チップ４７の面積を小さくしようとすれば
、バンド４８とインナーリート部４１ａとの距離が長く
なってワイヤ４９が垂れ下がったり、樹脂の流し込み峙
に切断し易くなる。

また、第１６図に示すＩＣパ、ケージ（１１６造によれ
ば、どうしてもＩＣチップ４７上のパッド４８とインナ
ーリード部４１ａとの間に段差を生してしまう。このこ
とは、ワイヤ４９がＩＣチップ４７のエツジに接触した
りしてワイヤ４９を切断させてしまう可能性をも住しる
ことになる。

これらの問題点を解消するために、第１７図に示すよう
な、いわゆるＴＡ　Ｂ　（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅ
ｄＢｏｎｄｉｎｇ　）方式が一般に知られている。この
ＴＡＢは、ファインパターン化が可能であって多ピン化
を実現でき、かつパターンを自在に設けることができる
等、優れたパッケージング方法である。

即ち、ＴＡＢ方式を用いたパッケージ構造は、第１７図
に示すように、ボリイＳ　Ｆフィルム基板６０上にリー
ド６１が夫々所定パターン形成されており、このリード
６１のうちインナーリード部６２がキャラクタホール６
３内へ夫々突出している。半導体素子６４はキャラクタ
ボール６３内にて配置され、この半導体素子６４の回路
形成面上の所定の接合領域２０に設けられたハンプ６５
が、インナーリード部６２と熱圧着等により接続される
。その後、半導体素子６４及び各インナーリード部６２
はボッティングにより樹脂６６をもって封止される。

従って、ＴＡＢを用いたパッケージ構造の場合、インナ
ーリード部とＩＣチップとの２１ζンデイングに特定め
ハンプ６５等のインナーリードボンダーが必要であり、
しかもハンプ６５は半導体素子６４上の接合領域２０に
バンプ６５を形成する各工程（露光及びエンチング工程
等）が必要である。このためＴＡＢ方式による半導体装
置は、その製造に際して上記ウェファプロセスが増える
ためにコスト高となり、例えば液晶デイスプレィ用トラ
イバＩＣや腕時計用のＬＳＩパンケージ等といった特殊
な用途への適用に限られるという欠点がある。

ハ１発明の目的 本発明の目的は、実装に要するコストを低減し、かつワ
イヤボンディング法等による不都合を解消して実装密度
及び信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供す
ることにある。

二０発明の構成 即ち、本発明は、アウターリード部と半導体素子に接続
されるべきインナーリード部とを有し、前記半導体素子
及び前記インナーリート部の接合領域において前記イン
ナーリード部に切除部分が形成され、前記半導体素子と
前記インナーツー１部とが前記切除部分に被着された接
合材によって接続されている半導体装置に係るものであ
る。

また、本発明は、上記半導体装置を製造する方形成する
工程と、接合材供給部を有するボンディング手段によっ
て前記半導体素子及びインナーリド部の接合領域に接合
刊を供給して１１１１記半導体素子と前記インナーリー
ド部とを接合する工程とを有する半導体装置の製造方法
も提（Ｊｔするものである。

ホ、実施例 以下、本発明の詳細な説明する。

第１図〜第９図は、本発明の第１の実施例を示すもので
ある。

まず、第１図〜第４図において本例による半導体装置の
主な構造について説明する。ここで、第１図は本例によ
る半導体装置の構造を示す断面図（但し、説明の都合上
、この図では所定の部分を適宜拡大図示してあり、後述
の第２図のＩ−Ｉ線断面図である。）、第２図は樹脂封
止前の状態を示す第１図の平面図（但し、この図ではボ
ンディングパットは省略しである。）、第３図はインナ
ーリート部をパットに接合する前の状態を示す一部破断
斜視図、第４図はインナーリート部をパッドに接合した
状態を示す一部破断斜視図である。

第１図及び第２図に示すように、本実施例による半導体
装置は、複数の回路素子によって所定の回路が形成され
た（図示省略）半導体素子（ＩＣチップ）１と、半導体
素子１の回路形成面」二に配置されて接合領域２０にお
いて半導体素子１にパソ１−７を介して接続されるイン
ナーリード部２２及びアリクーリー１部２１からなるリ
ート２と、絶縁基板３と、半導体素子１及びインナーリ
ード部２２を樹脂封止するモールド樹脂４等によって構
成されている。

本実施例の場合、絶縁基板３は、耐熱性及び可撓性に優
れたボリイミＩＸ樹脂が用いられ、その中央部にはパン
チング又はエンチング時工により打ち抜かれた矩形状の
所定の開口部５が形成されている。

リード２の形成は、通常のＴＡＢ方式におけるフィルム
作成工程を用いて行うことができる。即ち、リード２は
、絶縁基板３上にエポキシ系接着剤を介して積層された
銅箔をエツチングすることにより所定パターンに形成さ
れ、かかる銅箔に金メツキ（図示省略）が要部に施され
る。リート２のうちアウターリード部２１ば夫々その下
面（半導体素子１側に面する面）を絶縁基板３によって
支持され、インナーリード部２２は夫々絶縁基板３の開
口部５内へ向けで突設されている。

インナーリード部２２は、第３図に示すように、幅Ａが
約６０μｍ、厚さＴが１８μｍ、夫々のインナリート部
２２のピッチ間隔は約９０μｍであり、インナーリード
部２２の先端部の所定領域には半径約１０μｍの貫通孔
６が夫々形成されている。この貫通孔６は前述したり一
ト２のエンチング時ど同時に形成される。また、ポンデ
ィングパッド（この例では例えばＡｆ）７は正方形状で
あり、その−辺Ｂは約６０μｍである。

そして、第１図及び第４図に示すように、例えば、金等
の接合材１０を熱圧着等により貫通孔６に被着すること
によって、接合領域２０においてインナーリート部２２
と半導体素子１　（バノＦ’　７　）とが夫々接続され
ている。即ち、接合領域２０において、接合材１０（こ
の例では金）とバノ１−７（この例ではＡｆｉ）との間
の接合面において共晶結合による合金接合（Ａｕ〜Ａｆ
ｆｉ）や熱圧着笠によって接合材１０がインナーリード
部２２にお＆Ｊる貫通孔６に、いわばカシメられた状態
で被着されてしっかりと固定されている。

ここで、」二連した図及びその説明においては省略した
が、本例では、インナーリード部２２とポンディングパ
ッド７との間に好適な間隙を得るために、パッド７を含
む半導体素子１の表面に疫ってボリイ旦ド等の絶縁膜３
４を所定の厚さにコーティングしてから、ボンディング
パット７の表面を露出させるため、周知のエツチング技
術により半導体素子１のボンディングパソｌ”　７をの
ぞ（全域にはボリイミ１′コートされて絶縁処理が施さ
れており、上述したようにインナーリード部２２とボン
ディングバンド７が上述したカシメ構造で接合されて、
仮にインナーリート部２２が半導体素子１に接触しても
半導体素子１は絶縁処理済であるので不具合は生しない
事となる。

以上に説明したように、本例による半導体装置によれば
、アウターリード部２１と半導体素子１に接続されるべ
きインナーリード部２２とを有し、半導体素子１及びイ
ンナーリード部２２の接合領域２０においてインナーリ
ート部２２に貫通孔６を形威し、半導体素子１とインナ
ーリード部２２とを貫通孔６に被着した接合材（この例
では金）１０によって接続しているので、上述した第１
８図に示す従来のＴＡＢ方式によるパンケージ構造（１
１） をもった半導体装置におけるように、特別に用意された
ハンプ６５を用いることなく、金（ＡＩＪ）１０ｂ等の
接合材によりインナーリート部２２と半導体素子１の接
続を容易に行うことができる。

また、上述した第１７図に示すフランドパツク型のパン
ケージ構造をもつ半導体装置におけるように、ワイヤボ
ンディング法による接続を行っていないので、上述した
ボンディングの際の段差等といったワイヤボンディング
を行う際にどうしても必要となる余分な領域を節約する
ことができる（しかも、パッケージ内部において必要な
り−ト長も十分に確保できる。）。そして実際に、従来
のワイヤボンディング接続による半導体装置と比較する
と、そのモール１ζ・す”イズは、従来のリードフレー
ム支配による制約から解放され、半導体素子支配による
設計が可能となる。即ち、」二連した第１図に示すパン
ケージ構造を有する半導体装置によれは、半導体素子１
外周より約０．５　ｍｍ　（従来は約１．．７ｍｍ）の
ところをパッケージ外周とすることができる。また、ボ
ンディングピンチ９０１Ｉｍ（１２） （従来は１６０μｍ）を実現できる。

従って、上述したように、本例による半導体装置によれ
ば、ハンプ６５（ごのハンプの形成には上述したウェフ
ァプロセスが必要となり、コストアンプを免れ得ない。

）を用いずにＴＡＢ方式等におけるような特長を生かし
つつその実装に要するコス１〜をイ氏滅することができ
る。更に、−１−述したワイヤボンディングにおける不
都合を解消して実装密度の高い半導体装置を提供できる
。

次に、第５図〜第９図において第１図の半導体装置の主
要な製造方法について説明する。

第８図及び第９図には、ワイヤボンディング方式の１つ
であるいわゆるザーモソニノク方式のボンディング方法
及びその装置が示されている。このサーモソニックボン
ダー２３のボンディングスａ ケージは、Ｘ、Ｙ方式（水平方向）に動作するＸＹステ
ケー２４とＺ方向（上下方向）に動作する２ステージ２
５とからなる３軸に動作する部分と、絶縁基板３を搬送
するトランスポーター２６と、このＩ・ランスポーター
上にて絶縁基板３を保（１３） 持するガイドレール２７と、ボンディング時にリードフ
レーム２及び絶縁基板３を上方から押圧固定するデバイ
スクランプ２８と、半導体ＩＣチ。

プ１の底面に接触せしめられるヒーターブロック２９と
、このヒーターブロックを上下動させる駆動製置３０と
によって４１１．５成され−（いる。Ｚステージ２５に
設４）た超音波ホーン３１の先’：ｌｉ、即らキャピラ
リー８にボンディングワイヤ９が通され、ボンディング
（ホールボンディング）に供される。

また、電気的素子（半導体ＩＣチップ）１は絶縁基板３
と共にトランスポークー２６によってボンディングステ
ージに搬送され、デバイスクランプ２８等によって位置
が固定保持される。

ボンディングに際しては、ヒーターブロック２９を下方
から半導体ＴＣチンブ１に接触させることによって、ボ
ンディングに必要な熱エネルギーを供給する。アライン
メントと称される位置補正を行った後、Ｘ−Ｙステージ
２４を作動さ−ｌ゛、ボンディングを適正な位置に移動
させ、更に２ステージ２５に取付けられたボンディング
ワイヤ９を（１４） 半導体素子１上のホンディングバンド７　（第８図では
図示省略）にボンディングする（ボンデインクの詳細に
ついては後述する。）。このとき、Ｚ軸の超音波ホーン
３１から供給される振動エネルギーと、ヒーターブロッ
ク２９から供給される熱エネルギー等とによって、十分
なホンディング（接合）強度が得られる。次に、３軸方
向に各ステージ２４及び２５を夫り作動させ、ボンディ
ングヘットをそのままリート２側に移動させ、ここで再
度ボンディングを行った後にワイヤ９を切断する。こう
した動作を繰り返すことによって、目的とする箇所のす
べてのボンディングを終了する。

そして、デバイスクランプ２８等による固定を解除し、
かつヒーターブロック２９を接触解除してから、トラン
スポーター２６によってホンデインダステージからリー
ドフレーム２及び絶縁基板１を１般出する。

第５図において上述した第１図の半導体装置の主要な製
造方法について説明すると、まず、上述したように、所
定の工程を経た後パターニング等（１５） によって所定パターンのり−１・２を絶縁基板３上の所
定領域に形成した状態で、第５Ａ図に示すよう乙こ、ヒ
ータブロック２９等により半導体素子１を絶縁基板３の
開口部５内へ上述したように、接合領域２０においてイ
ンナーリード部２２と半導体素子１との間に所定の間隙
をもって配し、かつ半導体素子１上の各ポンディングパ
ッド７が各インナーリード部２２の先’ＪＷ部に設けら
れた貫通孔６のほぼ真下にくるように位置決めする。次
に、ボールボンディング装置２３のボンディング用キャ
ピラリー８の下端から繰り出される金線９（直径約２５
μｍ）を第７図に示すように、トーチ３２との間に電圧
を印加してワイヤ下端を溶解し、ボール１０（直径約５
０μｍ程度）を放電加工により形成する。次いで、第５
Ｂ図に示すように、キャピラリー８を所定の被ボンデイ
ング位置（即ち、ＩＣチップのパッド上）に下降させ、
ヒータ台２９により約３００度前後の加熱下及び超音波
の作用下でボール１０を第５Ｃ図に示すように徐々に押
しつぶしてゆく。

（１６） これによって、第５Ｄ図に示すように、Ａｕポル１０は
貫通孔６の中に充填され、かつ、貫通孔６からはみだし
た金はボンディングバンド７の表面に熱圧着される。そ
して、Ａｕボール１０の押圧による接続が終了後、次の
インナーリード部の接続を行うため、キャピラリー８を
前後又は左右に移動し、同時にＡｕボール１０を金線９
から切断する（第６図参照）。

」二連した各操作を繰り返すごとによってすべてのイン
ナーリード部２２の半導体ＩＣチップへの接続を完了し
た後、全体をモールド樹脂４により封止することによっ
て第１図に示す半導体装置を完成させる。

以上に説明した製造方法からも明らかなように、本例に
よる半導体装置及びその製造方法によれば、インナーリ
ード部２２に貫通孔６を設けた後に、通常のワイヤボン
ディング等に用いられるキャピラリ８によってワイヤボ
ール（この例では金）１０を貫通孔６に被着させて半導
体素子（実際にはパッド７）１とインナーリード部２２
を接続するこ（１７） とができるので、従来のＴＡＢ方式によるようなバンプ
を用いる必要がなく、容易に半導体素子１とインナーリ
ード部２２との接続を行なえる。その結果、上述したバ
ンプ形成プロセスに要するコストを低減できる。

また、上述した接続は、ワイヤボンディング法によらず
にキャピラリ８によって供給したワイヤボール１０によ
り一度の操作で容易に行うことができる。従って、上述
したワイヤボンディングによる不都合を解消してＴＡＢ
方式等におけるような特長を生かしつつ実装密度の向上
を容易に図ることができる。

また、上述したように、インナーリード部２２に貫通孔
６を設けているので、接合の際における接合材（ワイヤ
ボール）１０の接合面積を増やすことができ、その接合
強度を十分に確保できて信頼性の高い実装が行なえる。

第１０図及び第１１図は本発明の他の実施例を示すもの
である。

即ち、第１０Ａ図は貫通孔の形状を３５（長方（１８） 形）、第１０Ｅ１図は貫通孔の形状を上述の例と同様の
円形としてその径を上述の例よりも小さくして図に示す
ように貫通孔３６の数を変形したものである（この例で
は４個）。また、第１０Ｃ図の例は上述した例のように
貫通孔を設けるのではなく、半円形の切欠き部７をイン
ナーリード部２２の先端部に設けたものであり、第１０
Ｄ図の例は第１０Ｃ図と同様の切欠き部３７をインナー
リード部２２の端部における側方に２ｍｍ没設たもので
ある。また、第１０Ｅ図の例はインナーリード部２２の
端部においてそのインナーリード部２２の幅がその先端
に向かって細くなるような切欠き部３８を設けたもので
ある。

従って、上述した各側においても、上述した各利点をも
っていることは明らかであると共に、接合材１０とイン
ナーリード部２２との接触面積をより大きくとれること
がある。なお、第１１図は第１０Ｄ図のＸＩ−ＸＩ線断
面図である。

第１２図及び第１３図は本発明の更に他の例を示すもの
であって、第１３図に示すように、所定（１９） の台７０−ににおいて、上述した第５図で行ったように
してインナーリード部２２に設けた貫通孔６（、こ予め
接合材３９を被着させておくことによって通常のＴＡＢ
方弐におけるようにギヤングボンディング（−括ボンデ
ィング）を行うことができる。

従って、この例でも」二連した各側における同様の利点
をもっていると共に、ボンディングの自動化をＴＡＢ方
式と同様に促進できる。

第１４図は上述したボンディング装置とは多少異なり、
本出願人により特開昭６２　１３０５３２寸公報におい
て開示されたボンディング方法及びその装置を用いた例
である。即ち、図に示すように、所定のビーム照射手段
７３によりレーザービーム７２等の加熱用ビームをボン
ディングされるべき所定の箇所に照射することによって
選択的に加熱を行っているものである。なお、」二連の
ボンディング装置の例と同様の箇所には説明の都合上同
一符号を付してあり、それらを併用してももちろんよい
。

従って、上述したボンディング方法及びその装置を用い
ることによって熱エネルギーを所定箇所（２０） のみに局部的かつ短時間に非接触で供給でき、機械的な
条件である接触状態に起因する温度ムラ等がな（なり、
信頼性の高い接合を行えるので本発明にとって非常に好
都合となる。

第１５Ａ図〜第１５Ｃ図は夫々本発明による半導体装置
をプリント基板等に実装した例を示す各断面図である。

第１５Ａ図は上述した第１図の例による半導体装置をガ
ラスエポキシボードに実装した例を示すものであって、
この半導体装置は約１７０度の温度雰囲気下において硬
化した熱硬化性樹脂５１によりガラスエポキシボード５
０に接着され、そして、アウターリード部２１は絶縁基
板（ポリイミド基板）３に支持されて内側にほぼコ字状
に折曲され、パターン５３上のハンダメツキ５２に弾接
される。

この様な状態からアウターリード部２１とハンダメツキ
５２の接着部分付近に不活性ガスからなる熱風を供給す
る。これによって、半田リフローが行われ、半導体装置
が図に示すように実装される。

なお、ハンダクリームは接着性を有するので、こ（２１
） れを用いる場合には、熱硬化性樹脂５１を必ずしも用い
なくても良い。

上述したような実装例では、アウターリード部２１はポ
リイミド基板３によってパターン５３に付勢されていて
、かつアウターリード部の強度を補強し、良好なりフロ
ー実装が行なえる。

第１５８図は上述した第１５Ａ図と同様に第１図の半導
体装置をガラスエポキシボード上にＺば実装した状態を
示すが、この例で第１５Ａ図の例と異なる点は、第１図
における半導体装置を」二下逆にした状態で、図に示す
ようにアウターリード部２１を２箇所で折曲させ、上述
の例と同様にハンダメツキ５２を介して基板５０上の配
線パターン５３に夫々接続されていることである。この
タイプの実装は、いわゆるガルウィングタイプと呼ばれ
るものである。

第１５Ｃ図は本発明による半導体装置の他の実装方法を
示すものである。なお、」二連した例と同様の部分につ
いては同一符号を用いである。

この例は、図に示すようにガラス基板５０Ｊ二に（２２
） ヒームリード化された半導体装置を示しており、半導体
素子１はアウターリード部２１を介して基板５０上に形
成されたパターン５３に接続され、上述した第１８図の
例と同様のボッティングによりモールド樹脂６３によっ
て封止される。従って、本例のような実装方法を用いた
場合にはいわゆるＣ　ＯＧ　（ｃｈｉｐ　ｏｎ　ｇｌａ
ｓｓ　）と呼ばれるより高密度な実装が行なえる。

以上、本発明を例示したが、−にｊホした例は本発明の
技術的使用に基ついて更に変形可能である。

例えば上述したインナーリード部におｉＪる貫通孔等の
切除部の形状、数、位置等は適宜であってよく、その切
除部分に被着された接合材は金の他にも、例えばアルミ
ニウム、半田、又は銅であっても良い。アルミニウム等
を用いてボール形成をする場合には、酸化防止のため不
活性ガスの雰囲気中で行うことが望ましく、また、ボー
ルの接続は超音波接続方式によることが望ましい。

また、上述したアウターリード部に形成された絶縁基板
にはポリイミド樹脂を用いたが、これに（２３） 代わる可撓性の耐熱性樹脂或いは金属ヘースを用いても
良い。また、その他の各部分の材質等も種々のものを用
いることができる。

また、」二連したボンディング手段も適宜のものを採用
できるし、また、ホンディングの際の雰囲気温度は常温
であっても良く、好ましくは２２０度前後である。

へ１発明の作用効果 本発明は、上述したように、インナーリード部に切除部
分を形成してから、接合材供給部を有するボンディング
手段によって上記切除部に接合材を被着させて半導体素
子と上記インナーリード部とを接続しているので、従来
のＴＡＢ方式におけるようなハンプ等を用いる必要がな
い。従って、通常のワイヤボンディング等に用いられる
ボンディング手段等を用いて容易に上記接続を行え、実
装に要するコストを低減することができる。

また、上述したように、ワイヤボンディング法等による
上記接続を行っていないので、その不都合を解消して実
装密度を向上させることができる。

（２４） 更に、上記インナーリート部に上部切除部が設けられて
いるので、接合面積を稼くことができ、その接合強度を
十分に確保できる信頼性の高い半導体装置及びその製造
方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第１５図は本発明の実施例を示すものであって
、 第１図は本発明の第１の実施例による半導体装置の断面
図（後述の第２図のＩ−１線断面図、但し、この図では
接合材１０等の部分は拡大図示しである。）、 第２図は第１図における樹脂封止前の状態を示す平面図
、 第３図は接合材を被着する前の状態を示す要部拡大斜視
図、 第４図は接合材を被着した後の状態を示す第３図と同様
の要部拡大斜視図、 第５Ａ図、第５Ｂ図、第５Ｃ図、第５Ｄ図は夫々第１図
に示す半導体装置の製造方法を主要段階について順次示
す各断面図、 （２５） 第６図は第１図に示す半導体装置の要部拡大断面図、 第７図はボール形成時の要部拡大図、 第８図はザーモソニックボンダーの要部斜視図、第９図
は同ボンダーの概略側面図、 第１０Ａ図、第１０Ｂ図、第１０Ｃ図、第１０Ｄ図、第
１０Ｅ図は夫々本発明の他の例を示す要部平面図、 第１１図は第１０Ｄ図のｘｒ−ｘｒ線断面図、第１２図
は本発明の更に他の例を示す半導体装置の実装前の状態
を示す要部拡大断面図、第１３図は第１２図におけるイ
ンナーリート部の貫通孔に接合材を予め被着させる工程
を説明する断面図、 第１４図は他のボンディング装置によるボンディング方
法を説明するための要部概略図、第１５Ａ図は第１図の
例による半導体装置のプリント基板への実装形態を示す
断面図、第１５Ｂ図は同半導体装置のプリント基板への
他の実装形態を示す断面図、 （２６） である。 第１６図及び第１７図は従来例を示すものであって、 第１６図は従来のフラットパック型パッケージによる半
導体装置を示す断面図、 第１７図は従来のＴＡＢ方式による半導体装置を示す断
面図 である。 なお、図面に示す符号において、 １・・・・・・・・・半導体素子 ２・・・・・・・・・リード ３・・・・・・・・・絶縁基板 ４・・・・・・・・・モールド樹脂 ６．３７．３８・・・・・・・・・貫通孔又は切欠き部
７・・・・・・・・・ポンディングパッド８・・・・・
・・・・キャピラリ ９．１０・・・・・・・・・接合材 ２０・・・・・・・・・接合領域 （２７） ２１・・・・・・・・・アウターリード部２２・・・・
・・・・・インナーリード部２３・・・・・・・・・ポ
ンディング装置である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アウターリード部と半導体素子に接続されるべきイ
   ンナーリード部とを有し、前記半導体素子及び前記イン
   ナーリード部の接合領域において前記インナーリード部
   に切除部分が形成され、前記半導体素子と前記インナー
   リード部とが前記切除部分に被着された接合材によって
   接続されている半導体装置。 ２、アウターリード部と半導体素子に接続されるべきイ
   ンナーリード部と所定パターンに形成する工程と、接合
   材供給部を有するボンディング手段によって前記半導体
   素子及びインナーリード部の接合領域に接合材を供給し
   て前記半導体素子と前記インナーリード部とを接合する
   工程とを有する半導体装置の製造方法。