JPH0344073A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH0344073A JPH0344073A JP1179262A JP17926289A JPH0344073A JP H0344073 A JPH0344073 A JP H0344073A JP 1179262 A JP1179262 A JP 1179262A JP 17926289 A JP17926289 A JP 17926289A JP H0344073 A JPH0344073 A JP H0344073A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polysilicon electrodes
- electrode
- polysilicon
- light
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像素子、特に遮光膜における光漏れ込み
を防止できる構造に関する。
を防止できる構造に関する。
従来の固体撮像素子の平面図を第３図に示す。
１はホトダイオード領域、２は垂直ＣＯＤレジスタ領域
、３は垂直ＣＯＤレジスタの第１のポリシリコン電極、
４は第２ポリシリコン電極、５はホトダイオード領域１
以外を覆う遮光膜、６はチャネルストッパ領域である。
、３は垂直ＣＯＤレジスタの第１のポリシリコン電極、
４は第２ポリシリコン電極、５はホトダイオード領域１
以外を覆う遮光膜、６はチャネルストッパ領域である。
第３図のＩ−Ｉ’の断面図を第４図に示す。
Ｐ型半導体基板１の表面にＮ型ホトダイオード領域１１
〜１３とＰ＋型チャネルストッパ領域６１〜６２が形成
されている。更に絶縁膜７を介して第１ポリシリコン電
極３１〜３２及び第２ポリシリコン電極４１〜４２、更
に例えばアルミニウムからなる遮光膜５１〜５２が形成
されている。
〜１３とＰ＋型チャネルストッパ領域６１〜６２が形成
されている。更に絶縁膜７を介して第１ポリシリコン電
極３１〜３２及び第２ポリシリコン電極４１〜４２、更
に例えばアルミニウムからなる遮光膜５１〜５２が形成
されている。
光は遮光膜の開口から入射して光電変換され、ホトダイ
オード領域１１〜１３に電荷が蓄積される。
オード領域１１〜１３に電荷が蓄積される。
上述した従来の固体撮像素子では、２つのポリシリコン
電極が同一寸法で重なり合い、更にその上に絶縁膜７が
形成されている為、基板表面からの高さは約１μｍ位に
もなる。従ってアルミニウムの遮光膜５を付着する際に
は第１ポリシリコン電極の側面では段切れが生じて、遮
光膜５が付着しない部分８が生ずる。そうすると、この
遮光膜５が付着しない部分８からも光が入射する為、ホ
トダイオード領域１１はホトダイオード領域１２および
１３と比較してあたかも感度が高くなった様になる。こ
の様にして各ホトダイオード１１〜１３の感度にバラツ
キが出てくる。
電極が同一寸法で重なり合い、更にその上に絶縁膜７が
形成されている為、基板表面からの高さは約１μｍ位に
もなる。従ってアルミニウムの遮光膜５を付着する際に
は第１ポリシリコン電極の側面では段切れが生じて、遮
光膜５が付着しない部分８が生ずる。そうすると、この
遮光膜５が付着しない部分８からも光が入射する為、ホ
トダイオード領域１１はホトダイオード領域１２および
１３と比較してあたかも感度が高くなった様になる。こ
の様にして各ホトダイオード１１〜１３の感度にバラツ
キが出てくる。
本発明の目的は、各フォトダイオードの感度を均一に揃
えることが可能となる構造め固体撮像素子を提供するこ
とにある。
えることが可能となる構造め固体撮像素子を提供するこ
とにある。
本発明によれば、半導体基板に配列された複数個のホト
ダイオード領域とこれらホトダイオード領域に蓄積され
た信号電荷を第１の電極と第２の電極に位相の異なる電
圧を加えて読出すシフトレジスタ領域とが形成され、更
にこれらホトダイオード領域のそれぞれの間にシフトレ
ジスタ領域の第１の電極と第２の電極及び遮光膜が重畳
して形威されており且つ第１の電極と第２の電極の端禽
は階段状になっている固体撮像素子を得る。
ダイオード領域とこれらホトダイオード領域に蓄積され
た信号電荷を第１の電極と第２の電極に位相の異なる電
圧を加えて読出すシフトレジスタ領域とが形成され、更
にこれらホトダイオード領域のそれぞれの間にシフトレ
ジスタ領域の第１の電極と第２の電極及び遮光膜が重畳
して形威されており且つ第１の電極と第２の電極の端禽
は階段状になっている固体撮像素子を得る。
次に、図面を参照して本発明をより詳細に説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図である。各
符号のもつ意味は第４図と同じである。
符号のもつ意味は第４図と同じである。
本実施例においては、第１ポリシリコン電極３１〜３２
が幅が広く、第２ポリシリコン電極４１〜４２が第１ポ
リシリコン電極より幅が狭く形威しである。この様な構
成をとることで、２つのポリシリコン電極による側面が
階段状となり、絶縁膜７０表面も階段状になる。従って
、図示の様にアルミニウムの遮光膜５１〜５２が第１ポ
リシリコン電極の側面で切れる事なく付着する。
が幅が広く、第２ポリシリコン電極４１〜４２が第１ポ
リシリコン電極より幅が狭く形威しである。この様な構
成をとることで、２つのポリシリコン電極による側面が
階段状となり、絶縁膜７０表面も階段状になる。従って
、図示の様にアルミニウムの遮光膜５１〜５２が第１ポ
リシリコン電極の側面で切れる事なく付着する。
第２図は本発明の第２の実施例を示す断面図である。本
実施例では第１の実施例とは逆に第２ポリシリコン電極
４１〜４２を第１ポリシリコン電極３１〜３２より幅を
広くとり、第２ポリシリコン電極４１〜４２が第１ポリ
シリコン電極３１〜３２を完全に覆う様に形成しである
。
実施例では第１の実施例とは逆に第２ポリシリコン電極
４１〜４２を第１ポリシリコン電極３１〜３２より幅を
広くとり、第２ポリシリコン電極４１〜４２が第１ポリ
シリコン電極３１〜３２を完全に覆う様に形成しである
。
この場合も、第１の実施例と同様に２つのポリシリコン
電極３１〜３２．４１〜４２により、側面の段差が緩和
され、アルミニウムの遮光膜５１〜５２が連続的に形状
よく付着する。
電極３１〜３２．４１〜４２により、側面の段差が緩和
され、アルミニウムの遮光膜５１〜５２が連続的に形状
よく付着する。
以上の様に本発明は、２つのポリシリコン電極の幅を異
ならせることによりそれらによって作られる段を階段状
に形成する。従ってアルミニウム等の遮光膜が２つのポ
リシリコン電極の側面を連続的に覆うことができ、その
為従来起きていた各ホトダイオード間の感度バラツキを
なくすことができる。
ならせることによりそれらによって作られる段を階段状
に形成する。従ってアルミニウム等の遮光膜が２つのポ
リシリコン電極の側面を連続的に覆うことができ、その
為従来起きていた各ホトダイオード間の感度バラツキを
なくすことができる。
第１図及び第２図はそれぞれ本発明の第１および第２の
実施例を示す縦断面図、第３図は従来例を示す平面図、
第４図は第３図のＩ−Ｉ’の縦断面図である。 − １・・・・・・ホトダイオード領域、２・・・・・・垂
直レジスタ領域、３・・・・・・第１ポリシリコン電極
、４・・・・・・第２ポリシリコン電極、５・・・・・
・遮光膜、６・・・・・・チャネルストッパ領域、７・
・・・・・絶縁膜、８・・・・・・遮光膜の非被覆部、
９・・・・・・半導体基板。
実施例を示す縦断面図、第３図は従来例を示す平面図、
第４図は第３図のＩ−Ｉ’の縦断面図である。 − １・・・・・・ホトダイオード領域、２・・・・・・垂
直レジスタ領域、３・・・・・・第１ポリシリコン電極
、４・・・・・・第２ポリシリコン電極、５・・・・・
・遮光膜、６・・・・・・チャネルストッパ領域、７・
・・・・・絶縁膜、８・・・・・・遮光膜の非被覆部、
９・・・・・・半導体基板。
Claims (1)
- 半導体基板に配列された複数個のホトダイオード領域と
、前記ホトダイオード領域に蓄積された信号電荷を第１
の電極と第２の電極に位相の異なる電圧を加えることに
より読出すシフトレジスタ領域とが形成され、前記ホト
ダイオード領域のそれぞれの間には前記シフトレジスタ
領域の前記第１の電極と前記第２の電極及び遮光膜が重
畳して形成されており、前記第１の電極と前記第２の電
極とは、その端部が階段状に形成されていることを特徴
とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1179262A JP2546380B2 (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1179262A JP2546380B2 (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0344073A true JPH0344073A (ja) | 1991-02-25 |
| JP2546380B2 JP2546380B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=16062777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1179262A Expired - Lifetime JP2546380B2 (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2546380B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5615593A (en) * | 1979-07-17 | 1981-02-14 | Nippon Electric Co | Microwave heater |
| JPS633457A (ja) * | 1986-06-24 | 1988-01-08 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
-
1989
- 1989-07-11 JP JP1179262A patent/JP2546380B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5615593A (en) * | 1979-07-17 | 1981-02-14 | Nippon Electric Co | Microwave heater |
| JPS633457A (ja) * | 1986-06-24 | 1988-01-08 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2546380B2 (ja) | 1996-10-23 |
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Legal Events
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