JPH051633B2 - - Google Patents

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JPH051633B2
JPH051633B2 JP59200885A JP20088584A JPH051633B2 JP H051633 B2 JPH051633 B2 JP H051633B2 JP 59200885 A JP59200885 A JP 59200885A JP 20088584 A JP20088584 A JP 20088584A JP H051633 B2 JPH051633 B2 JP H051633B2
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JP
Japan
Prior art keywords
thin film
electrode
gate
film transistor
gate electrode
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP59200885A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6179267A (ja
Inventor
Masahiko Oota
Masafumi Shinho
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments and Electronics Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Instruments and Electronics Ltd filed Critical Seiko Instruments and Electronics Ltd
Priority to JP59200885A priority Critical patent/JPS6179267A/ja
Publication of JPS6179267A publication Critical patent/JPS6179267A/ja
Publication of JPH051633B2 publication Critical patent/JPH051633B2/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
    • H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H10F30/28—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices being characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistors
    • H10F30/282—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET], e.g. MISFET [metal-insulator-semiconductor field-effect transistor] phototransistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30—Coatings
    • H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
    • H10F77/331—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H10F77/334—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers or cold shields for infrared detectors

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  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、イメージセンサなど光感応素子の
選択トランジスタとの一体化に関する。
〔従来の技術〕
従来、第２図に示すように光センサー部と素子
選択トランジスタを同基板上に作成する場合、光
センサー部は透明導電層５とそれとシヨツトキー
接合で接触しているキヤリア発生層８と対向電極
７によつて構成されており、薄膜トランジスタ部
は同様にゲート電極１とゲート絶縁膜２及びチヤ
ンネル領域８と遮光性絶縁膜６と電極金属４から
構成されている。以上の様な構造で光センサー部
と薄膜トランジスタ部を別領域に設け、金属電極
において両者を接続する方法が一般的に用いられ
ている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、従来の薄膜トランジスタオンチツプ化
光感応素子（たとえばイメージセンサ）では主要
領域が２つに別れているため集積化が困難で下面
積を必要とし、かつセンサー部と選択トランジス
タをつなぐ配線間のクロストークなどによつて検
出信号にノイズが載る可能性があつた。
そこで、この発明は、従来のこのような欠点を
解決するため、新たな工程及び手間を追加するこ
となく、より少ない面積の中に互いの信号同志影
響を与えることのない薄膜トランジスター体化光
感応素子を作り込むことを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点を解決するために、この発明は、薄
膜トランジスタのソースかドレイン少なくともど
ちらか一方の取り出し部に光センサ部を作り込ん
だ構成とし、小型化を図つた。
〔作 用〕
上記の様に構成された薄膜トランジスタ一体化
光感応素子は薄膜トランジスタ領域の一部を光セ
ンンサ部として用いているために、薄膜トランジ
スタ部と光センサ部を配線する必要が省け、結果
小型化が可能となり接続配線間のクロストーク等
も防ぐことができる。
〔実施例〕
以下にこの発明を図面に基づいて説明する。第
１図は本発明による、絶縁ゲート電界効果型薄膜
トランジスタ構造を有する光感応素子の縦断面図
である。第１図において、基板上に設けたゲート
電極１の上にゲート絶縁膜２を形成し、次に半導
体薄膜１０を積層して形成する。半導体薄膜１０
のゲート絶縁膜上には、ゲート電圧によつてチヤ
ネル領域３が形成される。次に、遮光性絶縁膜６
を堆積し、ソースおよびドレイン電極に相当する
部分を除去してパターンを形成する。次に、金属
から成るソース電極４（またはドレイン電極）を
半導体薄膜１０とオーミツク接触するようにして
形成する。ドレイン電極（またはソース電極）で
ある透明電極５をゲート電極１と重ならないよう
にギヤツプを設けて形成し、透明電極５と半導体
薄膜１０とはシヨツトキー接合となるように形成
する。このように、透明電極５とゲート電極１と
は重ならない、いわゆるオフセツトゲートとす
る。
光センサーとしての動作は、電圧を印加された
ゲート電極１上のチヤネル領域３にチヤネルを形
成し、上記オフセツトゲートの部分に照射された
光によつて、ソース電極４またはドレイン電極で
ある透明電極５に誘起される電荷量を電流または
電位を検出することによつて行う。
この様に薄膜トランジスタのソース・ドレイン
の少なくとも一方のチヤンネル領域と透明電極を
使つてシヨツトキーダイオード型光センサーを作
り込むことができる。
〔発明の効果〕
この発明は以上説明したように、薄膜トランジ
スタのソース・ドレイン少なくとも一方の取り出
し部を光センサとして使用するため、基本的構造
を変えずに小型化、微細化、耐ノイズ性を高める
効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は、この発明にかかる薄膜トランジスタ
一体化光感応素子の縦断面図、第２図は、従来の
光感応素子の縦断面図である。 １…ゲート、２…ゲート絶縁膜、３…チヤンネ
ル領域、５…透明電極。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ ゲート電極、ゲート絶縁膜および半導体薄膜
    が積層され、前記ゲート電極と反対側の前記半導
    体薄膜表面にソース電極とドレイン電極とが分離
    して形成され、前記ソース電極とドレイン電極の
    少なくとも一方の電極は、前記ゲート電極と積層
    方向に対して重ならないオフセツト領域を有する
    電界効果型薄膜トランジスタの構造であつて、前
    記オフセツト領域には外部からの光を遮蔽する光
    遮蔽膜がないことを特徴とする光感応素子。
JP59200885A 1984-09-26 1984-09-26 光感応素子 Granted JPS6179267A (ja)

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JPS6179267A JPS6179267A (ja) 1986-04-22
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KR101955336B1 (ko) * 2012-03-13 2019-03-07 삼성전자주식회사 광 센싱 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 채용한 디스플레이 패널

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Publication number Publication date
JPS6179267A (ja) 1986-04-22

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