JPH0344363B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、磁気記録媒体が形成する磁界の変
化による磁性体の特性変化を利用して再生を行な
う磁気再生装置に関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

磁気記録媒体に記録された信号を再生する磁気
再生装置は従来、リング型の磁気ヘツドを用い、
これに誘起される起電力を再生出力として取出す
構成となつている。しかし、この方式は再生出力
レベルおよびそのＳ／Ｎが記録トラツク幅に大き
く依存するため、高密度記録再生に不利であり、
現状では記録トラツク幅が20μ、Ｓ／Ｎが43dB程
度が限界とされている。

そこで、発明者らは既に特願昭55−110340号に
おいて新しい原理に基づく磁気再生装置を提案し
ている。この装置は磁気記録媒体からの磁界の変
化を透磁率や高周波損失等の特性変化として検出
する磁性体を設け、この磁性体を含むインダクタ
ンス素子またはキヤパシタンス素子等のインピー
ダンス素子のインピーダンス変化を利用して再生
を行なうものである。即ち、上記インピーダンス
素子を同調素子の一部として同調回路を構成する
とともに、このインピーダンス素子に高周波発振
器からの高周波励振信号を供給する。この場合、
磁気記録媒体からの磁界によつて上記磁性体の特
性が変化し、これによつてインピーダンス素子の
インピーダンスが変化すると、これに伴い同調回
路の共振周波数やＱ（尖鋭度）が変化するので、
同調回路よりの高周波信号出力が変化する。従つ
てこの高周波信号出力の変化を検波回路を通して
検出することにより、磁気記録媒体に記録された
信号に対応した再生出力が得られる。

この方式によれば、磁気記録媒体が形成する磁
界のわずかな変化も磁性体の特性変化として検出
され、再生出力として取出されるとともに、再生
出力エネルギーが高周波発振器から供給されるの
で、高レベルかつＳ／Ｎの良好な再生出力を得る
ことができ、記録トラツク幅を20μ以下にまで狭
くしても十分に再生を行なうことが可能となる。

以上のように、特願昭55−110340号等で提案し
た方式は原理的に従来の磁気再生装置に比べ高密
度記録再生に適しているが、その高密度化にはや
はり限界がある。即ち、記録密度を上げるには記
録トラツク幅を狭くするとともに、記録波長を短
くすればよいが、その場合上記の方式で再生を行
なおうとすると、記録トラツク幅に合せて磁性体
の幅を小さくし、かつ短い記録波長に合せて磁性
体の厚さも小さくする必要がある。磁性体の厚さ
を小さくする理由は、磁気記録媒体が形成する磁
界が表面近傍程強く、しかも記録波長が短い程、
つまり記録信号周波数が高い程その傾向が強いた
めで、この厚さが大きくなると磁界が磁性体の一
部にしか及ばず、磁界の変化による磁性体の特性
変化が小さくなるからである。

このように、より高密度記録再生を行なおうと
すると磁性体の寸法を極力小さくする必要があ
り、それに伴いこの磁性体を含むインピーダンス
素子の寸法も小さくしなければならない。ところ
が、このインピーダンス素子の寸法を小さくして
ゆくと、その浮遊容量の影響が無視できなくな
り、この浮遊容量のためインピーダンス素子に高
周波励振信号を安定に供給することが困難となる
とともに、同調回路のＱが低下する。この結果、
磁気記録媒体からの磁界による磁性体の特性変化
を安定に効率よく電気信号に変換することが困難
となつてくる。

〔発明の目的〕

この発明の目的は、記録トラツク幅が非常に狭
い場合でも十分レベルの大きい再生出力をＳ／Ｎ
よく得ることができる磁気再生装置を提供するこ
とである。

〔発明の概要〕

この発明は、磁気記録媒体が形成する磁界を検
出する導電性磁性体を電極間物質として含むイン
ダクタンス素子を形成するとともに、このインダ
クタンス素子を電極間に保持したキヤパシタンス
素子を形成して、このキヤパシタンス素子を介し
て上記インダクタンス素子に高周波励振信号を結
合させることにより、上記インダクタンス素子を
同調素子の一部として構成した同調回路に高周波
励振信号を供給し、上記磁性体により検出された
磁界の変化による磁性体の特性変化に伴うこの同
調回路の高周波信号出力の変化を検出して、磁気
記録媒体に記録された信号を再生するようにした
ことを特徴としている。

〔発明の効果〕

この発明によれば、磁気記録媒体が形成する信
号磁界を検出する導電性磁性体を電極間物質とし
て含むインダクタンス素子に対し、これを電極間
に保持、つまりこのインダクタンス素子を包囲す
るように設けられたキヤパシタンスを介して高周
波励振信号を結合させるため、超高密度記録再生
に対応すべく磁性体の寸法を小さくしても、イン
ダクタンス素子の浮遊容量の影響は上記キヤパシ
タンス素子の容量によつて無視できるようにな
る。このため、インダクタンス素子への高周波励
振信号の結合を安定に行なうことができるととも
に、同調回路のＱを低下させることがなくなる。
さらに、上記キヤパシタンス素子が信号磁界以外
の電磁界をシールドし、インダクタンス素子に作
用するのを防止する効果もある。

従つて、記録トラツク幅が20μm以下というよ
うな超高密度記録再生においても再生感度の低下
がなく、高レベルかつＳ／Ｎの良好な再生出力を
得ることができる。

〔発明の実施例〕

第１図はこの発明の一実施例を示すものであ
る。図において、インダクタンス素子１は板状の
導電性磁性体２の両面に板状金属電極３ａ，３ｂ
を被着して形成されたもので、このインダクタン
ス素子１はキヤパシタンス素子４の電極６ａ，６
ｂ間の誘電体５内に埋め込まれた形で設けられて
いる。インダクタンス素子１は同調用キヤパシタ
ンス素子７と共に第１のLC並列同調回路８を構
成する。一方、キヤパシタンス素子４も同様に同
調用インダクタンス素子９とともに第２の同調回
路１０を構成する。この第２の同調回路１０は整
合回路１１を介して高周波発振器１２に接続され
ている。従つて、インダクタンス素子１には高周
波発振器１２からの高周波励振信号がキヤパシタ
ンス素子４を介して供給されることになる。そし
て、第１の同調回路８はダイオード１３と抵抗１
４及びコンデンサ１５からなるピーク検波回路１
６に接続されている。

このように構成された磁気再生装置において、
信号が記録された磁気記録媒体１８にインダクタ
ンス素子１およびキヤパシタンス素子４を図のよ
うに対向させると、磁気記録媒体１８からの記録
信号に応じて変化する磁界（信号磁界）が磁性体
２に加わり、これにより磁性体２の透磁率あるい
は高周波損失が変化する。ここで磁性体２として
磁界変化に対し透磁率や高周波損失の変化が大き
い材料、例えば薄膜化したパーマロイ、センダス
ト、アモルフアス磁性合金等を用いると、磁性体
２の透磁率や高周波損失の変化によつて、この磁
性体２を電極間物質とするインダクタンス素子１
の見掛けのインダクタンスが大きく変化し、これ
によつてこのインダクタンス素子１とキヤパシタ
ンス素子７とで構成される第１の同調回路８のイ
ンピーダンスが変化するので、この第１の同調回
路８の両端電圧も変化する。即ち、高周波発振器
１２よりインダクタンス素子１に結合された高周
波励振信号は、第１の同調回路８において磁気記
録媒体１８からの信号磁界により振幅変調を受け
ることになる。従つて、この変調を受けた第１の
同調回路８からの高周波信号出力を検波回路１６
で検波することによつて、信号再生出力Voutを
得ることができる。

このような構成とすれば、インダクタンス素子
１の浮遊容量はキヤパシタンス素子４の大きい容
量によつて無視することができる。また、キヤパ
シタンス素子４の浮遊容量は本来の容量に比べ十
分小さいため、これも無視できる。従つて高周波
発振器１２からインダクタンス素子１への高周波
励振信号の結合、供給を安定に行なえるようにな
るとともに、インダクタンス素子１の浮遊変量の
影響による第１の同調回路８のＱの低下を抑える
ことができるので、非常に狭いトラツクに高密度
記録された信号も、十分なレベルでＳ／Ｎよく再
生することが可能となる。

第２図はこの発明の他の実施例を示すもので、
第１図におけるインダクタンス素子１の一方の電
極３ｂをキヤパシタンス素子４の一方の電極６ｂ
と共通とすることにより、構造の簡略化と製造工
程数の減少を図つたものである。

この発明は特に、複数の記録トラツクから同時
に再生を行なう多チヤンネル磁気再生装置に適用
した場合、極めて有利である。第３図〜第６図は
その実施例を示すもので、１つのキヤパシタンス
素子４内にインダクタンス素子１を複数個設けて
いる。この場合、インダクタンス素子１の各々は
共通のキヤパシタンス素子４を介して高周波励振
信号の供給を受けることになる。

従つて、インダクタンス素子１に個別に高周波
励振信号を結合させて供給する場合に比べてチヤ
ンネル毎の結合度のバラツキがなく、再生出力レ
ベルのバラツキも抑えることができる。しかも、
結合部や高周波発振器１２を含む励振回路の構造
が簡単で済むとともに、配線が簡略化されるの
で、工程上有利となり、LSI等の集積回路技術を
有効に生かすことができるという利点がある。

第３図に示す実施例は、第１図の実施例の構成
をほぼそのまま多チヤンネル化したものであるの
に対し、第４図に示す実施例は第３図におけるイ
ンダクタンス素子１の各々の磁性体２を一体に形
成したものである。

第５図に示す実施例は、第２図の実施例と同様
にインダクタンス素子１の一方の電極３ｂをキヤ
パシタンス素子４の一方の電極６ｂと共通にし
て、多チヤンネル化したものである。

第６図に示す実施例は、さらに第５図における
インダクタンス素子１の各々の磁性体２を一体に
形成したものである。

図から明らかなように、構造および製造工程は
第３図、第４図、第５図、第６図の順で順次簡略
化される。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例の構成を示す図、
第２図はこの発明の他の実施例の要部構成を示す
断面図、第３図はこの発明を多チヤンネル磁気再
生装置に適用した実施例を示す図、第４図〜第６
図は同じくこの発明を多チヤンネル磁気再生装置
に適用した場合の他の実施例の要部構成を示す断
面図である。 １…インダクタンス素子、２…導電性磁性体、
３ａ，３ｂ…電極、４…キヤパシタンス素子、５
…誘電体、６ａ，６ｂ…電極、８…第１の同調回
路、１０…第２の同調回路、１２…高周波発振
器、１６…ピーク検波回路。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 磁気記録媒体が形成する磁界の変化を検出す
   る導電性磁性体を電極間物質として含むインダク
   タンス素子と、このインダクタンス素子を同調素
   子の一部として構成した同調回路と、前記インダ
   クタンス素子をその電極間に保持したキヤパシタ
   ンス素子と、このキヤパシタンス素子を介して前
   記インダクタンス素子に高周波励振信号を結合せ
   しめる励振手段と、前記磁界の変化による前記磁
   性体の特性変化に伴う前記同調回路の高周波信号
   出力の変化を検出して前記磁気記録媒体に記録さ
   れた信号を再生する手段とを備えることを特徴と
   する磁気再生装置。 ２ インダクタンス素子とキヤパシタンス素子の
   各々一方の電極を共通にしたことを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の磁気再生装置。 ３ キヤパシタンス素子の電極間にインダクタン
   ス素子を複数個設けたことを特徴とする特許請求
   の範囲第１項または第２項記載の磁気再生装置。 ４ 励振手段はキヤパシタンス素子を同調素子の
   一部とする同調回路を介してインダクタンス素子
   に高周波励振信号を結合せしめるものであること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気再
   生装置。