JPS5911505A - 磁気再生装置 - Google Patents
磁気再生装置Info
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- JPS5911505A JPS5911505A JP11953882A JP11953882A JPS5911505A JP S5911505 A JPS5911505 A JP S5911505A JP 11953882 A JP11953882 A JP 11953882A JP 11953882 A JP11953882 A JP 11953882A JP S5911505 A JPS5911505 A JP S5911505A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- tuning
- inductance element
- tuning circuit
- circuit
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、磁気記録媒体が形成する磁界の変化による
磁性体の特性変化を利用して再生を行なう磁気再生装置
に関する。
磁性体の特性変化を利用して再生を行なう磁気再生装置
に関する。
磁気記録媒体に記録された信号を再生する磁気再生装置
は従来、リング型の磁気ヘッドを用い、これに誘起され
る起電力を再生出力として取出す構成となっている。し
かし、この方式は再生出力レベルおよびそのＳ／Ｎが記
録トラック幅に犬きく依存するため、高密度記録再生に
不利でちり、現状では記録トラック幅が２０μ、Ｓ／Ｎ
が４３ ｄＢ程度が限界とされている。
は従来、リング型の磁気ヘッドを用い、これに誘起され
る起電力を再生出力として取出す構成となっている。し
かし、この方式は再生出力レベルおよびそのＳ／Ｎが記
録トラック幅に犬きく依存するため、高密度記録再生に
不利でちり、現状では記録トラック幅が２０μ、Ｓ／Ｎ
が４３ ｄＢ程度が限界とされている。
そこで、発明者らは既に特願昭５５−１１０３４０号に
おいて新しい原理に基づく磁気再生装置を提案している
。この装置は磁気記録媒体からの磁界の変化を透磁率や
高周波損失等の特性変化として検出する磁性体を設け、
この磁性体を含むインダクタンス素子またはキャパシタ
ンス素子等のインピーダンス素子のインピーダンス変化
を利用して再生を行なうものである。即ち、上記インピ
ーダンス素子を同調素子の一部として同調回路を構成す
るとともに、このインピーダンス素子に高周波発振器か
らの高周波励振信号を供給する。この場合、磁気記録媒
体からの磁界によって上記磁性体の特性が変化し、これ
によってインピーダンス素子のインピーダンスが変化す
ると、これに伴い同調回路の共振同波数やＱ（尖鋭度）
が変化するので、同調回路よりの高周波信号出力が変化
する。従ってこの高周波信号出力の変化を検波回路を通
して検出することにより、磁気記録媒体に記録された信
号に対応した再生出力が得られる。
おいて新しい原理に基づく磁気再生装置を提案している
。この装置は磁気記録媒体からの磁界の変化を透磁率や
高周波損失等の特性変化として検出する磁性体を設け、
この磁性体を含むインダクタンス素子またはキャパシタ
ンス素子等のインピーダンス素子のインピーダンス変化
を利用して再生を行なうものである。即ち、上記インピ
ーダンス素子を同調素子の一部として同調回路を構成す
るとともに、このインピーダンス素子に高周波発振器か
らの高周波励振信号を供給する。この場合、磁気記録媒
体からの磁界によって上記磁性体の特性が変化し、これ
によってインピーダンス素子のインピーダンスが変化す
ると、これに伴い同調回路の共振同波数やＱ（尖鋭度）
が変化するので、同調回路よりの高周波信号出力が変化
する。従ってこの高周波信号出力の変化を検波回路を通
して検出することにより、磁気記録媒体に記録された信
号に対応した再生出力が得られる。
この方式によれば、磁気記録媒体が形成する磁界のわず
かな変化も磁性体の特性変化として検出され、再生出力
として取出されるとともに、再生出力エネルギーが高周
波発振器から供給されるので、高レベルかつＳ／Ｎの良
好な再生出力を得ることができ、記録トラック幅を２０
μ以下にまで狭くしても十分に再生を行なうことが可能
となる。
かな変化も磁性体の特性変化として検出され、再生出力
として取出されるとともに、再生出力エネルギーが高周
波発振器から供給されるので、高レベルかつＳ／Ｎの良
好な再生出力を得ることができ、記録トラック幅を２０
μ以下にまで狭くしても十分に再生を行なうことが可能
となる。
以上のように、特願昭５５−１１０３４０号等で提案し
た方式は原理的に従来の磁気再生装置に比べ高密度記録
再生に適しているが、その高密度化にはやはり限界があ
る。即ち、記録密度を上げるには記録トラック幅を狭く
するとともに、記録波長を短くすればよいが、その場合
上記の方式で再生を行なおうとすると、記録トラック幅
に合せて磁性体の幅を小さくシ、かつ短い記録波長に合
せて磁性体の厚さも小さくする必要がある。磁性体の厚
さを小さくする理由は、磁気記録媒体が形成する磁界が
表面近傍根強く、シかも記録波長が短い程、つまり記録
信号周波数が高い程その傾向が強いためで、この厚さが
大きくなると磁界が磁性体の一部にしか及ばず、磁界の
変化による磁性体の特性変化が小さくなるからである。
た方式は原理的に従来の磁気再生装置に比べ高密度記録
再生に適しているが、その高密度化にはやはり限界があ
る。即ち、記録密度を上げるには記録トラック幅を狭く
するとともに、記録波長を短くすればよいが、その場合
上記の方式で再生を行なおうとすると、記録トラック幅
に合せて磁性体の幅を小さくシ、かつ短い記録波長に合
せて磁性体の厚さも小さくする必要がある。磁性体の厚
さを小さくする理由は、磁気記録媒体が形成する磁界が
表面近傍根強く、シかも記録波長が短い程、つまり記録
信号周波数が高い程その傾向が強いためで、この厚さが
大きくなると磁界が磁性体の一部にしか及ばず、磁界の
変化による磁性体の特性変化が小さくなるからである。
このように、より高密度記録再生を行なおうとすると磁
性体の寸法を極力小さくする必要があり、それに伴いこ
の磁性体を含むインピーダンス素子の寸法も小さくしな
ければならない。
性体の寸法を極力小さくする必要があり、それに伴いこ
の磁性体を含むインピーダンス素子の寸法も小さくしな
ければならない。
ところが、このインピーダンス素子の寸法を小さくして
ゆくと、その浮遊容量の影響が無視できなくなシ、この
浮遊容量のためインピーダンス素子に高周波励振信号を
安定に供給するととが困難となるとともに、同調回路の
Ｑが低下する。この結果、磁気記録媒体からの磁界によ
る磁性体の特性変化を安定に効率よく電気信号に変換す
ることが困難となってくる。
ゆくと、その浮遊容量の影響が無視できなくなシ、この
浮遊容量のためインピーダンス素子に高周波励振信号を
安定に供給するととが困難となるとともに、同調回路の
Ｑが低下する。この結果、磁気記録媒体からの磁界によ
る磁性体の特性変化を安定に効率よく電気信号に変換す
ることが困難となってくる。
この発明の目的は、記録トラック幅が非常に狭い場合で
も十分レベルの大きい再生出力をＳ／Ｎよく得ることが
できる磁気再生装置を提供することである。
も十分レベルの大きい再生出力をＳ／Ｎよく得ることが
できる磁気再生装置を提供することである。
この発明は、磁気記録媒体が形成する磁界を検出する導
電性磁性体を電極間物質として含むインダクタンス素子
を形成するとともに、このインダクタンス素子を電極間
に保持したキャパシタンス素子を形成して、このキャパ
シタンス素子を介して上記インダクタンス素子に高周波
励振信号を結合させることにキリ、上記インダクタンス
素子を同調素子の一部として構成した同調回路に高周波
励振信号を供給し、上記磁性体によυ検出された磁界の
変化による磁性体の特性変化に伴うこの同調回路の高周
波信号出力の変化を検出して、磁気記録媒体に記録され
た信号を再生するようにしたことを特徴としている。
電性磁性体を電極間物質として含むインダクタンス素子
を形成するとともに、このインダクタンス素子を電極間
に保持したキャパシタンス素子を形成して、このキャパ
シタンス素子を介して上記インダクタンス素子に高周波
励振信号を結合させることにキリ、上記インダクタンス
素子を同調素子の一部として構成した同調回路に高周波
励振信号を供給し、上記磁性体によυ検出された磁界の
変化による磁性体の特性変化に伴うこの同調回路の高周
波信号出力の変化を検出して、磁気記録媒体に記録され
た信号を再生するようにしたことを特徴としている。
〔発明の効果〕
この発明によれば、磁気記録媒体が形成する信号磁界を
検出する導電性磁性体を電極間物質として含むインダク
タンス素子に対し、これを電極間に保持、つまシこのイ
ンダクタンス素子を包囲するように設けられたキャｉ’
？シタンスを介して高周波励振信号を結合させるため、
超高密度記録再生に対応すべく磁性体の寸法を小さくし
ても、インダクタンス素子の浮遊容量の影響は上記キャ
パシタン３素子の容量によって無視できるようになる。
検出する導電性磁性体を電極間物質として含むインダク
タンス素子に対し、これを電極間に保持、つまシこのイ
ンダクタンス素子を包囲するように設けられたキャｉ’
？シタンスを介して高周波励振信号を結合させるため、
超高密度記録再生に対応すべく磁性体の寸法を小さくし
ても、インダクタンス素子の浮遊容量の影響は上記キャ
パシタン３素子の容量によって無視できるようになる。
このため、インダクタンス素子への高周波励振信号の結
合を安定に行なうことができるとともに、同調回路のＱ
を低下させることがなくなる。さらに、上記キヤ・ヤシ
タンス素子が信号磁界以外の電磁界をシールドし、イン
ダクタンス素子に作用するのを防止する効果もある。
合を安定に行なうことができるとともに、同調回路のＱ
を低下させることがなくなる。さらに、上記キヤ・ヤシ
タンス素子が信号磁界以外の電磁界をシールドし、イン
ダクタンス素子に作用するのを防止する効果もある。
従って、記録トラック幅が２０μｍ以下というような超
高密度記録再生においても再生感度の低下がなく、高レ
ベルかつＳ／Ｎの良好な再生出力を得ることができる。
高密度記録再生においても再生感度の低下がなく、高レ
ベルかつＳ／Ｎの良好な再生出力を得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例を示すものである。図にお
いて、インダクタンス素子１は板状の導電性磁性体２の
両面に板状金属電極３ａ。
いて、インダクタンス素子１は板状の導電性磁性体２の
両面に板状金属電極３ａ。
３ｂを被着して形成されたもので・、このインダクタン
ス素子１はキャパシタンス素子４の声極６ｈ、６ｂ間の
誘電体５内に埋め込まれた形で設けられている。インダ
クタンス素子１は同調用キャパシタンス素子７と共に第
１のＬＣ並列同調回路８を構成する。一方、キヤ・ヤシ
タンス素子４も同様に同調用インダクタンス素子９とと
もに第２の同調回路１０を構成する。この第２の同調回
路１θは整合回路１１を介して高周波発振器１２に接続
されている。従って、インダクタンス素子１には高周波
発振器１２からの高周波励振信号がキャパシタンス素子
４を介して供給されることになる。そして、第１の同調
回路８はダイオード１３と抵抗１４及びコンデンサ１５
からなるピーク検波回路１６に接続されている。
ス素子１はキャパシタンス素子４の声極６ｈ、６ｂ間の
誘電体５内に埋め込まれた形で設けられている。インダ
クタンス素子１は同調用キャパシタンス素子７と共に第
１のＬＣ並列同調回路８を構成する。一方、キヤ・ヤシ
タンス素子４も同様に同調用インダクタンス素子９とと
もに第２の同調回路１０を構成する。この第２の同調回
路１θは整合回路１１を介して高周波発振器１２に接続
されている。従って、インダクタンス素子１には高周波
発振器１２からの高周波励振信号がキャパシタンス素子
４を介して供給されることになる。そして、第１の同調
回路８はダイオード１３と抵抗１４及びコンデンサ１５
からなるピーク検波回路１６に接続されている。
このように構成された磁気再生装置において、信号が記
録された磁気記録媒体′１８にインダクタンス素子１お
よびキャパシタンス素子４を図のように対向させると、
磁気記録媒体１８からの記録信号に応じて変化する磁界
（信号磁界）が磁性体２に加わり、これにより磁性体２
の透磁率あるいは高周波損失が変化する。ここで磁性体
２として磁界変化に対し透磁率や高周波損失の変化が大
きい材料２例えば薄膜化した・臂−マロイ、センダスト
、１アモルファス磁ｉ合金ｓを用いると、磁性体２の透
磁率や高周波損失の変化によって、この磁性体２を電極
間物質とするインダクタンス素子１の見掛けのインダク
タンスが大きく変化し、これによってこのインダクタン
ス素子１とキャパシタンス素子７とで構成される第１の
同調回路８のインピーダンスが変化するので、この第１
の同調回路８の両端電圧も変化する。即ち、高周波発振
器１２よシインダクタンス素子１に結合された高周波励
振信号は、第１の同調回路８において磁気記録媒体１８
からの信号磁界によシ振幅変調を受けることになる。従
って、この変調を受けた第１の同調回路８からの高周波
信号出力を検波回路１６で検波することによって、信号
再生出力Ｖ。ｕｔを得ることができる。
録された磁気記録媒体′１８にインダクタンス素子１お
よびキャパシタンス素子４を図のように対向させると、
磁気記録媒体１８からの記録信号に応じて変化する磁界
（信号磁界）が磁性体２に加わり、これにより磁性体２
の透磁率あるいは高周波損失が変化する。ここで磁性体
２として磁界変化に対し透磁率や高周波損失の変化が大
きい材料２例えば薄膜化した・臂−マロイ、センダスト
、１アモルファス磁ｉ合金ｓを用いると、磁性体２の透
磁率や高周波損失の変化によって、この磁性体２を電極
間物質とするインダクタンス素子１の見掛けのインダク
タンスが大きく変化し、これによってこのインダクタン
ス素子１とキャパシタンス素子７とで構成される第１の
同調回路８のインピーダンスが変化するので、この第１
の同調回路８の両端電圧も変化する。即ち、高周波発振
器１２よシインダクタンス素子１に結合された高周波励
振信号は、第１の同調回路８において磁気記録媒体１８
からの信号磁界によシ振幅変調を受けることになる。従
って、この変調を受けた第１の同調回路８からの高周波
信号出力を検波回路１６で検波することによって、信号
再生出力Ｖ。ｕｔを得ることができる。
このような構成とすれば、インダクタンス素子１の浮遊
容量はキャパシタンス素子４０大きい容量によって無視
するこ゛とができる。また、キャパシタンス素子４の浮
遊容量は本来の容量に比べ十分小さいため、これも無視
できる。従って高周波発振器１２からインダクタンス素
子１への高周波励振信号の結合、供給を安定に行なえる
ようになるとともに、インダクタンス素子１の浮遊変量
の影響による第１の同調回路８のＱの低下を抑えること
ができるので、非常に狭いトンツクに高密度記録された
信号も、十分なレベルでＳ／Ｎよく再生することが可能
となる。
容量はキャパシタンス素子４０大きい容量によって無視
するこ゛とができる。また、キャパシタンス素子４の浮
遊容量は本来の容量に比べ十分小さいため、これも無視
できる。従って高周波発振器１２からインダクタンス素
子１への高周波励振信号の結合、供給を安定に行なえる
ようになるとともに、インダクタンス素子１の浮遊変量
の影響による第１の同調回路８のＱの低下を抑えること
ができるので、非常に狭いトンツクに高密度記録された
信号も、十分なレベルでＳ／Ｎよく再生することが可能
となる。
第２図はこの発明の他の実施例を示すもので、第１図に
おけるインダクタンス素子１の一方の［極３ｂをキャノ
（シタンス素子４の一方の電極６ｂと共通とすることに
より、構造の簡略化と製造工程数の減少を図ったもので
ある。
おけるインダクタンス素子１の一方の［極３ｂをキャノ
（シタンス素子４の一方の電極６ｂと共通とすることに
より、構造の簡略化と製造工程数の減少を図ったもので
ある。
この発明は特に、複数の記録トラックから同時に再生を
行なう多チヤンネル磁気再生装置に適用した場合、極め
て有利である。第３図〜第６図はその実施例を示すもの
で、１つのキャパシタンス素子４内にインダクタンス素
子１を複数個設けている。この場合、インダクタンス素
子１の各々は共通のキャパシタンス素子４を介して高周
波励振信号の供給を受けることになる。
行なう多チヤンネル磁気再生装置に適用した場合、極め
て有利である。第３図〜第６図はその実施例を示すもの
で、１つのキャパシタンス素子４内にインダクタンス素
子１を複数個設けている。この場合、インダクタンス素
子１の各々は共通のキャパシタンス素子４を介して高周
波励振信号の供給を受けることになる。
従って、インダクタンス素子１に個別に高周波励振信号
を結合させて供給する場合に比べて、チャンネル毎の結
合度のバラツキがなく、再生出力レベルのバラツキも抑
えることができる。
を結合させて供給する場合に比べて、チャンネル毎の結
合度のバラツキがなく、再生出力レベルのバラツキも抑
えることができる。
しかも、結合部や高周波発振器１２を含む励振回路の構
造が簡単で済むとともに、配線が簡略化されるので、工
程上有利となシ、ＬＳＩ等の集積回路技術を有効に生か
すことができるという利点がある。
造が簡単で済むとともに、配線が簡略化されるので、工
程上有利となシ、ＬＳＩ等の集積回路技術を有効に生か
すことができるという利点がある。
第３図に示す実施例は、第１図の実施例の構成をほぼそ
の−１ま多チャンネル化したものであるのに対し、第４
図に示す実施例は第３図におけるインダクタンス素子Ｊ
の各々の磁性体２を一体に形成したものである。
の−１ま多チャンネル化したものであるのに対し、第４
図に示す実施例は第３図におけるインダクタンス素子Ｊ
の各々の磁性体２を一体に形成したものである。
第５図に示す実施例は、第２図の実施例と同様にインダ
クタンス素＋′１の一方の電極３ｂをキャパシタンス素
子４の一方の電極６ｂと共通にして、多チャンネル化し
たものである。
クタンス素＋′１の一方の電極３ｂをキャパシタンス素
子４の一方の電極６ｂと共通にして、多チャンネル化し
たものである。
第６図に示す実施例は、さらに第５図におけるインダク
タンス素子１の各々の磁性体２を一体に形成したもので
ある。
タンス素子１の各々の磁性体２を一体に形成したもので
ある。
図から明らかなように１．構造および製造工程は第３図
、第４図、第５図、第６図の順で順次簡略化される。
、第４図、第５図、第６図の順で順次簡略化される。
第１図はこの発明の一実施例の構成を示す図。
第２図はこの発明の他の実施例の要部構成を示す断面図
、第３図はこの発明を多チヤンネル磁気再生装置に適用
した実施例を示す図、第４図〜第６図は同じくこの発明
を多チヤンネル磁気再生装置に適用した場合の他の実施
例の要部構成を示す断面図である。 ！・−・インダクタンス素子、２・・・導電性磁性体、
３ｍ 、３ｂ・・・電極、４・・・キャパシタンス素子
、５、・・・誘電体、６ａ、６ｂ・・・電極、８・・・
第１の同調回路、１θ・・・第２の同調回路１．１２・
・・高周波発振器、１６・・・ピーク検波回路。
、第３図はこの発明を多チヤンネル磁気再生装置に適用
した実施例を示す図、第４図〜第６図は同じくこの発明
を多チヤンネル磁気再生装置に適用した場合の他の実施
例の要部構成を示す断面図である。 ！・−・インダクタンス素子、２・・・導電性磁性体、
３ｍ 、３ｂ・・・電極、４・・・キャパシタンス素子
、５、・・・誘電体、６ａ、６ｂ・・・電極、８・・・
第１の同調回路、１θ・・・第２の同調回路１．１２・
・・高周波発振器、１６・・・ピーク検波回路。
Claims (4)
- （１）磁気記録媒体が形成する磁界の変化を検出する導
電性磁性体を電極間物質として含むインダクタンス素子
と、このインダクタンス素子を同調素子の一部として構
成した同調回路と、前記インダクタンス素子をその電極
間に保持したキャパシタンス素子と、このキャパシタン
ス素子を介して前記インダクタンス素子に高周波励振信
号を結合せしめる励振手段と、前記磁界の変化による前
記磁性体の特性変化に伴う前記同調回路の高周波信号出
力の変化を検出して前記磁気記録媒体に記録された信号
を再生する手段とを備えることを特徴とする磁気再生装
置。 - （２） インダクタンス素子とキャパシタンス素子の
各々一方の電極を共通にしたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の磁気再生装置。 - （３） キヤ・そシタンス素子の電極間にインダクタ
ンス素子を複数個設けたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項または第２項記載の磁気再生装置。 - （４）励振手段はキャパシタンス素子を同調素子の一部
とする同調回路を介してインダクタンス素子に高周波励
振信号を結合せしめるものであることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の磁気再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11953882A JPS5911505A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 磁気再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11953882A JPS5911505A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 磁気再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5911505A true JPS5911505A (ja) | 1984-01-21 |
| JPH0344363B2 JPH0344363B2 (ja) | 1991-07-05 |
Family
ID=14763761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11953882A Granted JPS5911505A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 磁気再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5911505A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02291373A (ja) * | 1989-05-02 | 1990-12-03 | Hitachi Elevator Eng & Service Co Ltd | エレベータの制御装置 |
-
1982
- 1982-07-09 JP JP11953882A patent/JPS5911505A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02291373A (ja) * | 1989-05-02 | 1990-12-03 | Hitachi Elevator Eng & Service Co Ltd | エレベータの制御装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0344363B2 (ja) | 1991-07-05 |
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