JPH0344687B2 - - Google Patents
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- JPH0344687B2 JPH0344687B2 JP59190309A JP19030984A JPH0344687B2 JP H0344687 B2 JPH0344687 B2 JP H0344687B2 JP 59190309 A JP59190309 A JP 59190309A JP 19030984 A JP19030984 A JP 19030984A JP H0344687 B2 JPH0344687 B2 JP H0344687B2
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45479—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
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- Power Engineering (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明は、差動接続された第1及び第2トラン
ジスタのベースバイアスを供給する為のバイアス
回路に関するもので、特に前記第1及び第2トラ
ンジスタのベース間オフセツト電圧を電源電圧に
無関係に設定することが出来るバイアス回路に関
する。Detailed Description of the Invention (a) Field of Industrial Application The present invention relates to a bias circuit for supplying base bias to differentially connected first and second transistors, and particularly relates to a bias circuit for supplying base bias to differentially connected first and second transistors. The present invention relates to a bias circuit that can set the offset voltage between the bases of two transistors regardless of the power supply voltage.
(ロ) 従来の技術
従来から特公昭45−29246号公報第1図に示す
如き差動増幅回路が公知である。しかして、前記
差動増幅回路は、差動接続されたトランジスタを
能動領域で動作させれば、増幅器として作動し、
飽和領域で動作させれば比較器として作動する。
第2図は、前記差動増幅回路を比較器として使用
する場合の一例を示すもので、第1トランジスタ
1のベースに入力信号源2を、第2トランジスタ
3のベースに基準電圧源4をそれぞれ接続し、前
記第1トランジスタ1のコレクタにPNP型の出
力トランジスタ5を接続したものである。いま基
準電圧源4の電圧をV0とし、第1トランジスタ
1のベースにバイアス電圧が印加されていないと
すれば、入力信号源2の出力信号ViがVi<V0の
とき第1トランジスタ1がオフ、第2トランジス
タ3がオンになり、Vi>V0のとき第1トランジ
スタ1がオオン、第2トランジスタ3がオフにな
る。また、第1トランジスタ1のベースにV1の
バイアスが印加されているとすれば、入力信号源
2の出力信号ViがVi<V0−V1のとき第1トラン
ジスタ1がオフ、第2トランジスタ3がオンにな
り、Vi>V0−V0のとき第1トランジスタ1がオ
ン、第2トランジスタ3がオフになる。そして、
第1トランジスタ1がオンになると、負荷抵抗6
に電圧降下が生じ、出力トランジスタ5もオンに
なつて、出力端子7に出力信号が発生する。従つ
て、第2図の比較器においては、基準電圧V0も
しくは、基準電圧とバイアス電圧との差電圧V0
−V1を越える入力信号の印加時に出力信号が発
生することになり、前記差電圧V0もしくはV0−
V1が前記比較器のオフセツト電圧となる。(b) Prior Art A differential amplifier circuit as shown in FIG. 1 of Japanese Patent Publication No. 45-29246 has been known. Therefore, the differential amplifier circuit operates as an amplifier by operating the differentially connected transistors in the active region.
When operated in the saturation region, it operates as a comparator.
FIG. 2 shows an example in which the differential amplifier circuit is used as a comparator, in which an input signal source 2 is connected to the base of the first transistor 1, and a reference voltage source 4 is connected to the base of the second transistor 3. A PNP type output transistor 5 is connected to the collector of the first transistor 1. Now, if the voltage of the reference voltage source 4 is V 0 and no bias voltage is applied to the base of the first transistor 1, when the output signal Vi of the input signal source 2 is Vi<V 0 , the first transistor 1 off, the second transistor 3 is on, and when Vi>V 0 , the first transistor 1 is on and the second transistor 3 is off. Furthermore, if a bias of V 1 is applied to the base of the first transistor 1, when the output signal Vi of the input signal source 2 is Vi<V 0 −V 1 , the first transistor 1 is turned off, and the second transistor 3 is turned on, and when Vi>V 0 -V 0 , the first transistor 1 is turned on and the second transistor 3 is turned off. and,
When the first transistor 1 is turned on, the load resistor 6
A voltage drop occurs, the output transistor 5 is also turned on, and an output signal is generated at the output terminal 7. Therefore, in the comparator of FIG. 2, the reference voltage V 0 or the difference voltage between the reference voltage and the bias voltage V 0
An output signal will be generated when an input signal exceeding −V 1 is applied, and the difference voltage V 0 or V 0 −
V 1 becomes the offset voltage of the comparator.
(ハ) 発明が解決しようとする問題点
ところで、前記基準電圧V0及びバイアス電圧
V1は、集積回路化された比較器の場合、その内
部回路により設定されるので、通常電源電圧に依
存するものとなる。その為、電源電圧が変動した
時等において、特性が変化するという欠点を有す
る
(ニ) 問題点を解決するための手段
本発明は、上述の点に鑑み成されたもので、ベー
ス及びエミツタが互いに共通接続された第1及び
第2バイアストランジスタと、該第1及び第2ト
ランジスタの共通ベースに抵抗を介してエミツタ
が接続された第3バイアストランジスタとを備え
るバイアス回路を配置し、差動接続された第1ト
ランジスタのベースバイアス電圧を前記第1バイ
アストランジスタのコレクタ電流に応じて設定
し、差動接続された第2トランジスタのベースバ
イアス電圧を前記第3バイアストランジスタのベ
ース電圧に応じて設定せんとするものである。(c) Problems to be solved by the invention By the way, the reference voltage V 0 and the bias voltage
In the case of an integrated circuit comparator, V 1 is set by its internal circuit, so it usually depends on the power supply voltage. Therefore, there is a drawback that the characteristics change when the power supply voltage fluctuates. A bias circuit including first and second bias transistors commonly connected to each other and a third bias transistor whose emitters are connected to the common base of the first and second transistors via a resistor is disposed, and a differential connection is made. The base bias voltage of the differentially connected first transistor is set according to the collector current of the first bias transistor, and the base bias voltage of the differentially connected second transistor is set according to the base voltage of the third bias transistor. That is.
(ホ) 作用
本発明に依れば、差動接続された第1及び第2
トランジスタのベースバイアス電圧が単一のバイ
アス回路から供給されるので、オフセツト電圧が
前記バイアス回路内の抵抗の値に応じて設定され
る。(E) Effect According to the present invention, the first and second differentially connected
Since the transistor base bias voltage is provided by a single bias circuit, the offset voltage is set depending on the value of the resistor within said bias circuit.
(ヘ) 実施例
第1図は、本発明の一実施例を示すもので、8
はベースに入力端子9が接続された第1トランジ
スタ10と、該第1トランジスタ10のエミツタ
にエミツタが共通接続された第2トランジスタ1
1と、前記第1トランジスタ10のコレクタにベ
ースが接続された出力トランジスタ12とによつ
て構成される比較器、13はコレクタが抵抗14
を介して前記第1トランジスタ10のベースに接
続された第1バイアストランジスタ15と、ベー
ス及びエミツタが前記第1バイアストランジスタ
15と共通接続された第2バイアストランジスタ
16と、前記第1及び第2バイアストランジスタ
15及び16の共通ベースとアース間に接続され
た第1抵抗17と、エミツタが第2抵抗18を介
して前記第1及び第2バイアストランジスタ15
及び16の共通ベースに接続された第3バイアス
トランジスタ19と、該第3バイアストランジス
タ19のベースと前記第2バイアストランジスタ
16のコレクタとの間に接続されたダイオード2
0と、前記第3バイアストランジスタ19のコレ
クタと電源(+Vc.c.)との間に直列接続された第
3及び第4抵抗21及び22とから成るバイアス
回路である。そして、比較器8の第1トランジス
タ10のベースは、前記第1バイアストランジス
タ15のコレクタ電流に応じてバイアスされ、前
記比較器8の第2トランジスタ11のベースは、
前記第3バイアストランジスタ19のベース電圧
に応じて前記第3及び第4抵抗21及び22の接
続中点に得られる電圧によつてバイアスされる。(F) Embodiment FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. 8
A first transistor 10 whose base is connected to the input terminal 9, and a second transistor 1 whose emitter is commonly connected to the emitter of the first transistor 10.
1, and an output transistor 12 whose base is connected to the collector of the first transistor 10; 13 , whose collector is a resistor 14;
a first bias transistor 15 connected to the base of the first transistor 10 via a second bias transistor 16 whose base and emitter are commonly connected to the first bias transistor 15; A first resistor 17 is connected between the common base of the transistors 15 and 16 and ground, and the emitter is connected to the first and second bias transistors 15 via a second resistor 18.
and a third bias transistor 19 connected to the common base of the transistors 16 and 16, and a diode 2 connected between the base of the third bias transistor 19 and the collector of the second bias transistor 16.
0, and third and fourth resistors 21 and 22 connected in series between the collector of the third bias transistor 19 and the power supply (+Vc.c.). The base of the first transistor 10 of the comparator 8 is biased according to the collector current of the first bias transistor 15, and the base of the second transistor 11 of the comparator 8 is biased according to the collector current of the first bias transistor 15.
It is biased by a voltage obtained at the connection midpoint of the third and fourth resistors 21 and 22 in accordance with the base voltage of the third bias transistor 19.
次に動作を説明する。電源(+Vc.c.)を投入す
ると、バイアス回路13の各部に動作電流が流
れ、第3バイアストランジスタ19のベース電圧
VB1は、
VB1=2VBE+R2/R1VBE ……(1)
〔ただし、VBEは第2及び第3バイアストラン
ジスタ16及び19のベース・エミツタ間電圧、
R1は第1抵抗17の抵抗値、R2は第2抵抗18
の抵抗値〕
となる。その為、比較器8の第2トランジスタ1
1のベース電圧V22は、
VB2=VB1+R4/R3+R4(Vc.c.−VB1)……(2)
〔ただし、R3は第3抵抗21の抵抗値、R4は
第4抵抗22の抵抗値〕
となる。一方、比較器8の第1トランジスタ10
のベース電圧VB3は、バイアス用の電源23の端
子電圧をVBEとすれば、
VB3=VBE+R5I1 ……(3)
〔ただし、R5は抵抗14の抵抗値、I1は第1バ
イアストランジスタ15のコレクタ電流〕
となる。ところで、第1及び第2バイアストラン
ジスタ15及び16のベース及びエミツタは共通
接続されている為に、前記第1バイアストランジ
スタ15のコレクタ電流と前記第2バイアストラ
ンジスタ16のコレクタ電流とは等しくなり、前
記第2バイアストランジスタ16のコレクタ電流
I2は、
I2=Vc.c.−VB1/R3+R4 ……(4)
となる。その為、前記第1トランジスタ10のベ
ース電圧VB3は、第(3)及び(4)式から
VB3=VBE+R5/R3+R4(Vc.c.−VB1)……(5)
となる。従つて、第4抵抗22の値R4と抵抗1
4の値R5とを等しく設定すれば、比較器8の第
1及び第2トランジスタ10及び11のベース間
電圧、すなわちオフセツト電圧ΔVは、
ΔV=VB2−VB3=VBE+R2/R1VBE ……(6)
となり、第1及び第2抵抗17及び18の抵抗値
に応じて決まることになる。そして、第1図の場
合、入力端子9に印加される電圧が前記オフセツ
ト電圧ΔVを越えると、第1トランジスタ10が
オンし、出力トランジスタ12もオンして出力端
子24に出力信号が発生するので、比較器8は前
記オフセツト電圧ΔVに応じた作動を行う。 Next, the operation will be explained. When the power supply (+Vc.c.) is turned on, an operating current flows through each part of the bias circuit 13 , and the base voltage of the third bias transistor 19 increases.
V B1 is: V B1 = 2V BE + R 2 /R 1 V BE (1) [However, V BE is the base-emitter voltage of the second and third bias transistors 16 and 19,
R 1 is the resistance value of the first resistor 17, R 2 is the second resistor 18
resistance value]. Therefore, the second transistor 1 of the comparator 8
1 base voltage V 22 is V B2 = V B1 + R 4 / R 3 + R 4 (Vc.c.-V B1 )...(2) [However, R 3 is the resistance value of the third resistor 21, R 4 is the resistance value of the fourth resistor 22]. On the other hand, the first transistor 10 of the comparator 8
If the terminal voltage of the bias power supply 23 is V BE , then the base voltage V B3 of is the collector current of the first bias transistor 15]. By the way, since the bases and emitters of the first and second bias transistors 15 and 16 are commonly connected, the collector current of the first bias transistor 15 and the collector current of the second bias transistor 16 are equal to each other. Collector current of second bias transistor 16
I 2 becomes I 2 =Vc.c.−V B1 /R 3 +R 4 (4). Therefore, the base voltage V B3 of the first transistor 10 is calculated from equations (3) and (4) as follows: V B3 = V BE + R 5 /R 3 + R 4 (Vc.c.-V B1 )...(5 ) becomes. Therefore, the value R 4 of the fourth resistor 22 and the resistor 1
4 and R5 are set equal, the voltage between the bases of the first and second transistors 10 and 11 of the comparator 8 , that is, the offset voltage ΔV, is as follows: ΔV=V B2 −V B3 = V BE +R 2 /R 1 V BE (6), which is determined according to the resistance values of the first and second resistors 17 and 18. In the case of FIG. 1, when the voltage applied to the input terminal 9 exceeds the offset voltage ΔV, the first transistor 10 is turned on, the output transistor 12 is also turned on, and an output signal is generated at the output terminal 24. , the comparator 8 operates according to the offset voltage ΔV.
先に述べた如く、比較器8のオフセツト電圧
ΔVは、第1及び第2抵抗17及び18の値R1及
びR2に応じて決まるから、第1抵抗17の値R1
を固定し、第2抵抗18の値R2を可変すれば、
前記第2抵抗18の抵抗値R2に応じたオフセツ
ト電圧を得ることが出来る。その場合、前記第2
抵抗18の値を大にすると、比較器8の第2トラ
ンジスタ11のベースバイアス電圧が上昇し、第
1トランジスタ10のベースバイアス電圧が低下
する。また、前記第2抵抗18の値を小にする
と、逆に第2トランジスタ11のベースバイアス
電圧が低下し、第1トランジスタ10のベースバ
イアス電圧が上昇する。従つて、前記第2抵抗1
8の小さな変化でオフセツト電圧を大きく変化さ
せることが出来る。また、第(6)式から明らかな如
く、オフセツト電圧は、電源電圧に無関係に設定
出来るので、電源電圧の変動に強いバイアス回路
を提供出来る。 As mentioned earlier, the offset voltage ΔV of the comparator 8 is determined according to the values R 1 and R 2 of the first and second resistors 17 and 18, so the value R 1 of the first resistor 17
is fixed and the value R 2 of the second resistor 18 is varied,
An offset voltage corresponding to the resistance value R2 of the second resistor 18 can be obtained. In that case, the second
When the value of the resistor 18 is increased, the base bias voltage of the second transistor 11 of the comparator 8 increases, and the base bias voltage of the first transistor 10 decreases. Furthermore, when the value of the second resistor 18 is made small, the base bias voltage of the second transistor 11 decreases and the base bias voltage of the first transistor 10 increases. Therefore, the second resistor 1
The offset voltage can be changed greatly by a small change of 8. Furthermore, as is clear from equation (6), the offset voltage can be set independently of the power supply voltage, so it is possible to provide a bias circuit that is resistant to fluctuations in the power supply voltage.
尚、ダイオード20を挿入し、第1及び第2バ
イアストランジスタ15及び16のコレクタ電圧
が等しくなる様に設定している為に、アーリー効
果が防止出来、前記第1及び第2バイアストラン
ジスタ15及び16のコレクタ電流の整合度合が
一層向上する。 Incidentally, since the diode 20 is inserted and the collector voltages of the first and second bias transistors 15 and 16 are set to be equal, the Early effect can be prevented, and the collector voltages of the first and second bias transistors 15 and 16 can be prevented. The degree of matching of the collector currents is further improved.
(ト) 発明の効果
以上述べた如く、本発明に依れば、差動接続さ
れた一対のトランジスタのベースを電源電圧と無
関係にバイアスし得るバイアス回路を提供出来
る。また、本発明に依れば、抵抗値を変えるだけ
で差動接続された一対のトランジスタのオフセツ
ト電圧を任意に設定出来るバイアス回路を提供出
来る。更に本発明に依れば、被バイアストランジ
スタと一体に集積回路化可能なバイアス回路を提
供出来る。(g) Effects of the Invention As described above, according to the present invention, it is possible to provide a bias circuit that can bias the bases of a pair of differentially connected transistors regardless of the power supply voltage. Furthermore, according to the present invention, it is possible to provide a bias circuit that can arbitrarily set the offset voltage of a pair of differentially connected transistors simply by changing the resistance value. Further, according to the present invention, it is possible to provide a bias circuit that can be integrated into a circuit with a transistor to be biased.
第1図は、本発明の一実施例を示す回路図、及
び第2図は従来の差動増幅回路を示す回路図であ
る。
主な図番の説明、8……比較器、10……第1
トランジスタ、11……第2トランジスタ、13
……バイアス回路、15……第1バイアストラン
ジスタ、16……第2バイアストランジスタ、1
7……第1抵抗、18……第2抵抗、19……第
3バイアストランジスタ。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram showing a conventional differential amplifier circuit. Explanation of main figure numbers, 8 ... Comparator, 10... 1st
Transistor, 11...Second transistor, 13
...Bias circuit, 15...First bias transistor, 16...Second bias transistor, 1
7...first resistor, 18...second resistor, 19...third bias transistor.
Claims (1)
ベースを所定のオフセツトを持たせてバイアスす
る為のバイアス回路であつて、コレクタが抵抗を
介して前記第1トランジスタのベースに接続され
た第1バイアストランジスタと、ベース及びエミ
ツタが該第1バイアストランジスタのベース及び
エミツタとそれぞれ共通接続された第2バイアス
トランジスタと、前記第1バイアストランジスタ
のベース・エミツタ間に接続された第1抵抗と、
エミツタが第2抵抗を介して前記第1バイアスト
ランジスタのベースに接続された第3バイアスト
ランジスタと、電源と前記第3バイアストランジ
スタとの間に直列接続された第3及び第4抵抗
と、該第3及び第4抵抗の接続点を第2トランジ
スタのベースに接続する手段とから成り、前記抵
抗及び第4抵抗の値を略等しく設定することによ
り、前記第1及び第2トランジスタのベース間オ
フセツト電圧を前記第2抵抗の値に応じて設定す
る様にしたことを特徴とするバイアス回路。1 A bias circuit for biasing the bases of differentially connected first and second transistors with a predetermined offset, the first transistor having a collector connected to the base of the first transistor via a resistor. a bias transistor, a second bias transistor whose base and emitter are commonly connected to the base and emitter of the first bias transistor, and a first resistor connected between the base and emitter of the first bias transistor;
a third bias transistor whose emitter is connected to the base of the first bias transistor via a second resistor; third and fourth resistors connected in series between a power supply and the third bias transistor; and means for connecting the connection point of the third and fourth resistors to the base of the second transistor, and by setting the values of the resistor and the fourth resistor to be substantially equal, the offset voltage between the bases of the first and second transistors can be adjusted. A bias circuit characterized in that: is set according to the value of the second resistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59190309A JPS6167308A (en) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | Bias circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59190309A JPS6167308A (en) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | Bias circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6167308A JPS6167308A (en) | 1986-04-07 |
| JPH0344687B2 true JPH0344687B2 (en) | 1991-07-08 |
Family
ID=16256014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59190309A Granted JPS6167308A (en) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | Bias circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6167308A (en) |
-
1984
- 1984-09-11 JP JP59190309A patent/JPS6167308A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6167308A (en) | 1986-04-07 |
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