JPH034482A - 薄膜ｅｌ素子の製造方法およびその装置 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子の製造方法およびその装置Info
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- JPH034482A JPH034482A JP1138075A JP13807589A JPH034482A JP H034482 A JPH034482 A JP H034482A JP 1138075 A JP1138075 A JP 1138075A JP 13807589 A JP13807589 A JP 13807589A JP H034482 A JPH034482 A JP H034482A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は電極間に電圧を印加することにより、発光する
薄膜エレクトロルミネッセンス素子（以下、″ｉｉｔ膜
ＥＬ素子と略称する）に係わり、特に発光体層を硫化亜
鉛にマンガンをドープした膜（以下、ＺｎＳ ： Ｍｎ
膜と略称する）とするＥＬ素子の製造方法およびその装
置に関する。
薄膜エレクトロルミネッセンス素子（以下、″ｉｉｔ膜
ＥＬ素子と略称する）に係わり、特に発光体層を硫化亜
鉛にマンガンをドープした膜（以下、ＺｎＳ ： Ｍｎ
膜と略称する）とするＥＬ素子の製造方法およびその装
置に関する。
［従来技術］
近年、分散型ＥＬ素子に代わり、高輝度の薄膜ＥＬ素子
が注目されてきている。
が注目されてきている。
従来このようなＥＬ素子の発光体層は、ＥＢ蒸着法、ス
パッタリング法などにより、成膜されているが、ＥＢ蒸
着法においては（１）蒸発ルツボからクラスター状のも
のが飛び出し、膜中に１〜１０μｍの欠陥が生じる。（
２）膜中にピンホールなどの欠陥が生じる。（３）蒸発
源が点なので、膜ムラができる等の欠点があり、スパッ
タリング法においては、１）ターゲット２次電子により
ＺｎＳ ： Ｍｎ膜（発光体層）が損傷を受ける。（２
）スパッタガスが膜中に混入する。（３）ターゲット表
面の組成がスパッタリング中に変化するなどの欠点があ
った。
パッタリング法などにより、成膜されているが、ＥＢ蒸
着法においては（１）蒸発ルツボからクラスター状のも
のが飛び出し、膜中に１〜１０μｍの欠陥が生じる。（
２）膜中にピンホールなどの欠陥が生じる。（３）蒸発
源が点なので、膜ムラができる等の欠点があり、スパッ
タリング法においては、１）ターゲット２次電子により
ＺｎＳ ： Ｍｎ膜（発光体層）が損傷を受ける。（２
）スパッタガスが膜中に混入する。（３）ターゲット表
面の組成がスパッタリング中に変化するなどの欠点があ
った。
また、有機亜鉛化合物、有機マンガン化合物と有機硫黄
化合物としてのジメチル硫黄、ジエチル硫黄、硫化水素
などの一種以上を含む原料ガスを気相成長させるいわゆ
るＭＯＣＶＤ法により成膜する方法が提案されている（
特開昭６２−９８５９６号）。
化合物としてのジメチル硫黄、ジエチル硫黄、硫化水素
などの一種以上を含む原料ガスを気相成長させるいわゆ
るＭＯＣＶＤ法により成膜する方法が提案されている（
特開昭６２−９８５９６号）。
しかしながら、ジメチル硫黄やジエチル硫黄を用いると
基板温度が５００℃以下では成膜できず、５００℃以上
とする必要があるが、成膜速度が遅いという欠点があり
、硫化水素を用いると気相中でジエチル硫黄タなどの有
機亜鉛化合物と反応し、粉を生じ膜質に悪影響を与える
ことは避けられないものであった。
基板温度が５００℃以下では成膜できず、５００℃以上
とする必要があるが、成膜速度が遅いという欠点があり
、硫化水素を用いると気相中でジエチル硫黄タなどの有
機亜鉛化合物と反応し、粉を生じ膜質に悪影響を与える
ことは避けられないものであった。
本出願人はかかる欠点を解消する目的でＭＯＣＶＤ法で
成膜する薄膜ＥＬ素子について出願（特願昭６３−１２
８２９１号）した。
成膜する薄膜ＥＬ素子について出願（特願昭６３−１２
８２９１号）した。
［発明の目的］
しかしながら、有機亜鉛化合物、ジシクロペンタジェニ
ルマンガン、および有機硫黄化合物としてメチルメルカ
プタンかエチルメルカプタンを含む混合ガスを同一ノズ
ルから反応器へ導入する従来の方法では、例えば数１０
ｃｍ角の大型基板に成膜すると膜厚が均一にならず、特
にＭｎのドープ量がばらつき、所望の発光輝度を得るこ
とができなかった・ そこで、本発明者らは、噴出口を多数設けたシャワー型
のノズルを使って成膜したが、前述の混合ガスを同一ノ
ズルから反応器へ導入すると、ノズル板の裏面に黒色の
膜が付着してしまい、その結果Ｍｎのドープ量が減って
薄膜ＥＬ素子の発光輝度を低下せしめることが判明した
。この原因を調べたところ、シクロペンタジェニルマン
ガンと有機硫黄化合物が反応してＭｎＳなどの化合物と
思われる黒色の膜が生成されたことによることを見いだ
した。
ルマンガン、および有機硫黄化合物としてメチルメルカ
プタンかエチルメルカプタンを含む混合ガスを同一ノズ
ルから反応器へ導入する従来の方法では、例えば数１０
ｃｍ角の大型基板に成膜すると膜厚が均一にならず、特
にＭｎのドープ量がばらつき、所望の発光輝度を得るこ
とができなかった・ そこで、本発明者らは、噴出口を多数設けたシャワー型
のノズルを使って成膜したが、前述の混合ガスを同一ノ
ズルから反応器へ導入すると、ノズル板の裏面に黒色の
膜が付着してしまい、その結果Ｍｎのドープ量が減って
薄膜ＥＬ素子の発光輝度を低下せしめることが判明した
。この原因を調べたところ、シクロペンタジェニルマン
ガンと有機硫黄化合物が反応してＭｎＳなどの化合物と
思われる黒色の膜が生成されたことによることを見いだ
した。
本発明はこの新しい知見に基づいてなされたもので、特
に大型基板に好適であって、しかも発光輝度の低下を防
止しうる薄膜ＥＬ素子の製造方法とその装置を提供する
ことを目的とする。
に大型基板に好適であって、しかも発光輝度の低下を防
止しうる薄膜ＥＬ素子の製造方法とその装置を提供する
ことを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、発光体層の両方の面に、その少なくとも一方
の面には誘電体層を介して、一対の電極を設けた薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法において、発光体層は、有機亜鉛化合
物とジシクロペンタジェニルマンガンを含む混合ガスを
同一ノズルから反応器に導入し、他方、′４ｉｔｌ！ｌ
硫黄化合物としてのメチルメルカブタかエチルメルカプ
タンを含む混合ガスを前記ノズルの噴出口上は前記混合
ガスと接触させないで、反応器に導入した後混合させる
ことにより、化学的に気相成長させて成膜するようにし
たことを特徴とする。
の面には誘電体層を介して、一対の電極を設けた薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法において、発光体層は、有機亜鉛化合
物とジシクロペンタジェニルマンガンを含む混合ガスを
同一ノズルから反応器に導入し、他方、′４ｉｔｌ！ｌ
硫黄化合物としてのメチルメルカブタかエチルメルカプ
タンを含む混合ガスを前記ノズルの噴出口上は前記混合
ガスと接触させないで、反応器に導入した後混合させる
ことにより、化学的に気相成長させて成膜するようにし
たことを特徴とする。
また、この方法を実施するための装置としては、発光体
層をＭＯＣＶＤ法により成膜するに際し、有機亜鉛化合
物とジシクロペンタジェニルマンガンを含む混合ガスを
導入するための複数の噴出口を有するノズルと有機硫黄
化合物としてのメチルメルカプタンかエチルメルカプタ
ンを含む混合ガスを反応器に導入するための複数の噴出
口を有するノズルを近接して配設するようにした構成と
すること、有機亜鉛化合物とジシクロペンタジェニルマ
ンガンを含む混合ガスを反応器に導入するための複数の
噴出口を有するノズルに、有機硫黄化合物としてのメチ
ルメルカプタンかエチルメルカプタンを含む混合ガスを
反応器に導入するための複数の細管を挿通し、前記複数
の噴出口とは異なる噴出口を形成するようにした構成と
することを特徴とする。
層をＭＯＣＶＤ法により成膜するに際し、有機亜鉛化合
物とジシクロペンタジェニルマンガンを含む混合ガスを
導入するための複数の噴出口を有するノズルと有機硫黄
化合物としてのメチルメルカプタンかエチルメルカプタ
ンを含む混合ガスを反応器に導入するための複数の噴出
口を有するノズルを近接して配設するようにした構成と
すること、有機亜鉛化合物とジシクロペンタジェニルマ
ンガンを含む混合ガスを反応器に導入するための複数の
噴出口を有するノズルに、有機硫黄化合物としてのメチ
ルメルカプタンかエチルメルカプタンを含む混合ガスを
反応器に導入するための複数の細管を挿通し、前記複数
の噴出口とは異なる噴出口を形成するようにした構成と
することを特徴とする。
［作用］
ジシクロペンタジェニルマンガン（以下、ＤＣＰＭと略
称する）と有機硫黄化合物としてのメチルメルカプタン
かエチルメルカプタンを同一ノズルから反応器へ導入す
ると、ノズル内で反応して黒色の膜を生じ、Ｍｎのドー
プ量を精密に制御できなきが、ノズルの噴出口迄はこれ
らの混合ガスを接触させないようにすることにより、こ
のような問題点を解消することができる。
称する）と有機硫黄化合物としてのメチルメルカプタン
かエチルメルカプタンを同一ノズルから反応器へ導入す
ると、ノズル内で反応して黒色の膜を生じ、Ｍｎのドー
プ量を精密に制御できなきが、ノズルの噴出口迄はこれ
らの混合ガスを接触させないようにすることにより、こ
のような問題点を解消することができる。
また、ＺｎＳへのＭｎのドープはＺｎ結晶格子の主とし
て格子点でＭｎがＺｎに置換ることにより行われるので
、有機亜鉛化合物とＤＣＰＭを同一ノズルに導入し、反
応器へ混合ガスを供給することにより、ノズル内で有機
亜鉛化合物粒子中に、ＤＣＰＭ粒子が均一に分散され、
その結果、基板、形成される発光体層ＺｎＳ：Ｍｎ膜の
Ｍｎドープも均一、９テゎれ、安定した発光輝度を得る
ことがテキル。
て格子点でＭｎがＺｎに置換ることにより行われるので
、有機亜鉛化合物とＤＣＰＭを同一ノズルに導入し、反
応器へ混合ガスを供給することにより、ノズル内で有機
亜鉛化合物粒子中に、ＤＣＰＭ粒子が均一に分散され、
その結果、基板、形成される発光体層ＺｎＳ：Ｍｎ膜の
Ｍｎドープも均一、９テゎれ、安定した発光輝度を得る
ことがテキル。
［実施例］
以下、・図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。
第１図、第２図は本発明の薄膜ＥＬ素子ノ発光体層を製
造するための装置の要部概略図、第３図は全体概略図で
あり、第４図は本発明により得られる薄膜ＥＬ素子を示
す断面図である。
造するための装置の要部概略図、第３図は全体概略図で
あり、第４図は本発明により得られる薄膜ＥＬ素子を示
す断面図である。
１ｍ
無アルカリガラスなどの透明基板１上に有機錫化合物と
フッ素化合物を含む加熱蒸気を原料としてＣＶＤ法によ
Ｓｎ０ｗ膜を形成し、その後エツチングしてストライブ
状の透明電極２とする。
フッ素化合物を含む加熱蒸気を原料としてＣＶＤ法によ
Ｓｎ０ｗ膜を形成し、その後エツチングしてストライブ
状の透明電極２とする。
次に図示しないプラズマＣＶＤ装置を用いて、まず、Ｓ
ｉＨ４ガスとＮ２０ガスを原料としてＳｉＯ□膜３を形
成、さらに、同装置によりＳｉＨ４ガスとＮ２ガスを原
料としてＳｉ３Ｎ、膜４を形成、２層からなる第１誘電
体層５とする。
ｉＨ４ガスとＮ２０ガスを原料としてＳｉＯ□膜３を形
成、さらに、同装置によりＳｉＨ４ガスとＮ２ガスを原
料としてＳｉ３Ｎ、膜４を形成、２層からなる第１誘電
体層５とする。
（発光体層成膜）
この過程の基板１を第３図に示すＭＯＣＶＤ装置設の反
応器２１に入れ、ホルダー２２で保持し、反応圧力３．
４ 丁ｏｒｒ、基板温度６００℃の条件で、有機亜鉛化
合物としてのジエチル亜鉛（以下、ＤＥＺと略称する）
とＤＣＰＭを含む混合ガスを第１図に示すような同一の
複数の噴出口２３ａを有するノズル２３からＤＥＺを２
．２Ｘ１０″″’ ｍｏｌ／ｓｉｎ ＳＤＣＰＭをキャ
リアガスで流量を！ｉｌｌながら少量、例えば６．５
ＸＩＯ”’−’ ｍｏｌ／ｗｉｎ反応器内に導入、有機
硫黄化合物としてのメチルメルカプタンガスをノズル２
３に近接して設けた、複数の噴出口２４ａを有するノズ
ル２４から１．１ ｘｉｏ−ａ ｍｏｌ／ｗｉｎ反応器
に導入し、反応時間約４０分でＭｎがドープされたＺｎ
Ｓ膜（ＺｎＳ：Ｍｎ膜）を所望厚さに形成、発光体層６
とする。
応器２１に入れ、ホルダー２２で保持し、反応圧力３．
４ 丁ｏｒｒ、基板温度６００℃の条件で、有機亜鉛化
合物としてのジエチル亜鉛（以下、ＤＥＺと略称する）
とＤＣＰＭを含む混合ガスを第１図に示すような同一の
複数の噴出口２３ａを有するノズル２３からＤＥＺを２
．２Ｘ１０″″’ ｍｏｌ／ｓｉｎ ＳＤＣＰＭをキャ
リアガスで流量を！ｉｌｌながら少量、例えば６．５
ＸＩＯ”’−’ ｍｏｌ／ｗｉｎ反応器内に導入、有機
硫黄化合物としてのメチルメルカプタンガスをノズル２
３に近接して設けた、複数の噴出口２４ａを有するノズ
ル２４から１．１ ｘｉｏ−ａ ｍｏｌ／ｗｉｎ反応器
に導入し、反応時間約４０分でＭｎがドープされたＺｎ
Ｓ膜（ＺｎＳ：Ｍｎ膜）を所望厚さに形成、発光体層６
とする。
その後、他の一面に、Ｓｉ３Ｎ４膜７．５ｉ０２膜８を
順次、前述のＣＶＤ法により形成、第２誘電体層９とし
、この上にＡＩ等よりなる背面電極１゜を透明電極２と
クロスするようにストライプ状に形成し、薄膜ＥＬ素子
とする。
順次、前述のＣＶＤ法により形成、第２誘電体層９とし
、この上にＡＩ等よりなる背面電極１゜を透明電極２と
クロスするようにストライプ状に形成し、薄膜ＥＬ素子
とする。
このようにして得られた薄膜ＥＬ素子は発光体層６にお
けるＭｎドープが所望の量（例えば１ｗｔ％）、均一に
行われるので、発光輝度のばらつきがなく、安定した高
輝度特性が得られた。
けるＭｎドープが所望の量（例えば１ｗｔ％）、均一に
行われるので、発光輝度のばらつきがなく、安定した高
輝度特性が得られた。
ｌ先九り
第２図に示すように、ＭＯＣＶＤ装置のノズル部分を変
えた以外は実施例１と同じ方法、装置によって薄膜ＥＬ
素子を得るものである。
えた以外は実施例１と同じ方法、装置によって薄膜ＥＬ
素子を得るものである。
ノズル２３は有機亜鉛化合物とＤＣＰＭを含む混合ガス
を反応器に導入するための複数の噴出口２３ａ形成する
一方、メチルメルカプタンあるいはエチルメルカプタン
などの有ｌｉｔ！黄化合物を含むガスを反応器に導入す
るための複数の細管２５をノズル２３に挿通し、前記噴
出口２３ａとは異なる噴出口２５ａを形成するものであ
る。
を反応器に導入するための複数の噴出口２３ａ形成する
一方、メチルメルカプタンあるいはエチルメルカプタン
などの有ｌｉｔ！黄化合物を含むガスを反応器に導入す
るための複数の細管２５をノズル２３に挿通し、前記噴
出口２３ａとは異なる噴出口２５ａを形成するものであ
る。
このようにすると、有機亜鉛化合物、ＤＣＰＭを含む混
合ガスはノズル２３内で接触してＭｎが分散されて反応
器に導入されるが、有機硫黄化合物とはノズル内で接触
せず反応器に導入されるので、黒色の膜（ＭｎＳなどの
化合＠１３）がノズル内部に生じて付着することはな（
、ＺｎＳにＭｎが所望の量、均一にドープされた発光体
層が形成される。
合ガスはノズル２３内で接触してＭｎが分散されて反応
器に導入されるが、有機硫黄化合物とはノズル内で接触
せず反応器に導入されるので、黒色の膜（ＭｎＳなどの
化合＠１３）がノズル内部に生じて付着することはな（
、ＺｎＳにＭｎが所望の量、均一にドープされた発光体
層が形成される。
以上、好適な実施例により説明したが、本発明はこれら
に限定されるものではなく、種々の応用が可能である。
に限定されるものではなく、種々の応用が可能である。
発光体層であるＺｎＳ ： Ｍｎ膜をＭＯＣＶＤ法によ
り成膜するためのノズルについて、各実施例のようにＤ
ＣＰＭと有機亜鉛化合物を導入するノズルは実施例１の
ように広面積にして、多数設けた噴出口から反応器に混
合ガスを導入させると、基板上に均一に供給゛されるの
で好ましく、有機硫黄化合物を導入するノズルは実施例
１のように、バイブに複数の噴出口を設けたノズルを基
板の大きさに対応してパイプ本数の増減を行えばよ（、
実施例２のように複数の細管をノズルに挿通してＤＣＰ
Ｍと有機亜鉛化合物が導入される噴出口とは異なる噴出
口を設けると、噴出口の配置を自在に分散できるので、
均一な発光体層を成膜する上で好ましい、なお、導入す
る混合ガスを実施例２と逆にすることも可能であるが、
有機硫黄化合物は基板まわりに充満しやすく、噴出口の
数を有機亜鉛化合物とＤＣＰＭの噴出口の数より減少し
うるので、実施例２のような構成にしたほうがよい。
り成膜するためのノズルについて、各実施例のようにＤ
ＣＰＭと有機亜鉛化合物を導入するノズルは実施例１の
ように広面積にして、多数設けた噴出口から反応器に混
合ガスを導入させると、基板上に均一に供給゛されるの
で好ましく、有機硫黄化合物を導入するノズルは実施例
１のように、バイブに複数の噴出口を設けたノズルを基
板の大きさに対応してパイプ本数の増減を行えばよ（、
実施例２のように複数の細管をノズルに挿通してＤＣＰ
Ｍと有機亜鉛化合物が導入される噴出口とは異なる噴出
口を設けると、噴出口の配置を自在に分散できるので、
均一な発光体層を成膜する上で好ましい、なお、導入す
る混合ガスを実施例２と逆にすることも可能であるが、
有機硫黄化合物は基板まわりに充満しやすく、噴出口の
数を有機亜鉛化合物とＤＣＰＭの噴出口の数より減少し
うるので、実施例２のような構成にしたほうがよい。
発光体層のＺｎＳ ： Ｍｎ膜について、有機亜鉛化合
物としてジエチル亜鉛以外にも、ジメチル亜鉛を用いて
も同等の特性を有する薄膜ＥＬ素子を得ることができる
。
物としてジエチル亜鉛以外にも、ジメチル亜鉛を用いて
も同等の特性を有する薄膜ＥＬ素子を得ることができる
。
誘電体層について、第１、第２誘電体とも５ｉ０２膜と
Ｓｉ３Ｎ４膜の二層構造にすると、互いにピンホール、
クラスターなどを埋め合うことにより、絶縁耐圧が向上
するので好ましいが、どちらか−層としてもよく、ある
いはその他の誘電体層、例えばＴｉ０□、＾１．０．な
どを用し１てもよい、また、第１誘電体層と第２誘電体
層を設けて発光体層を挟持する構造にする方が絶縁上好
ましいが、第２誘電体層のみの構造とすることも可能で
ある。
Ｓｉ３Ｎ４膜の二層構造にすると、互いにピンホール、
クラスターなどを埋め合うことにより、絶縁耐圧が向上
するので好ましいが、どちらか−層としてもよく、ある
いはその他の誘電体層、例えばＴｉ０□、＾１．０．な
どを用し１てもよい、また、第１誘電体層と第２誘電体
層を設けて発光体層を挟持する構造にする方が絶縁上好
ましいが、第２誘電体層のみの構造とすることも可能で
ある。
［発明の効果］
本発明によれば、複数の噴出口を育するノズルから混合
ガスを反応器に導入するので、大面積基板への発光体層
ＺｎＳ：Ｍｎ膜の均一な成膜を可能にするとともに、Ｄ
ＣＰＭと有機亜鉛化合物を含む混合ガスを同一ノズルか
ら反応器へ導入し、これらの混合ガスとメチルメルカプ
タンかエチルメルカプタンを含む混合ガスは前記ノズル
の噴出口迄は接触させないで、反応器に導入後混合する
ことにより、ＺｎＳ膜へのＯｎのドープ量のばらつきを
無くし、均一にすることができるので、高発光輝度の薄
膜ＥＬ素子を安定して得ることができるものである。
ガスを反応器に導入するので、大面積基板への発光体層
ＺｎＳ：Ｍｎ膜の均一な成膜を可能にするとともに、Ｄ
ＣＰＭと有機亜鉛化合物を含む混合ガスを同一ノズルか
ら反応器へ導入し、これらの混合ガスとメチルメルカプ
タンかエチルメルカプタンを含む混合ガスは前記ノズル
の噴出口迄は接触させないで、反応器に導入後混合する
ことにより、ＺｎＳ膜へのＯｎのドープ量のばらつきを
無くし、均一にすることができるので、高発光輝度の薄
膜ＥＬ素子を安定して得ることができるものである。
第１図、第２図は本発明の薄膜ＥＬ素子の発光体層を製
造するための装置の要部概略図、第３図は全体概略図で
あり、第４図は本発明により得られる薄膜ＥＬ素子を示
す断面図である。 ６・・・発光体層 ２０−Ｍｏ ＣＶ Ｄ装置２
１・・・反応器 ２３．２４・・・ノズル２
３ａ 、 ２４ａ・・・噴出口 ２５・・・細管第１
図 第２図
造するための装置の要部概略図、第３図は全体概略図で
あり、第４図は本発明により得られる薄膜ＥＬ素子を示
す断面図である。 ６・・・発光体層 ２０−Ｍｏ ＣＶ Ｄ装置２
１・・・反応器 ２３．２４・・・ノズル２
３ａ 、 ２４ａ・・・噴出口 ２５・・・細管第１
図 第２図
Claims (3)
- （１）発光体層の両方の面に、その少なくとも一方の面
には誘電体層を介して、一対の電極を設けた薄膜ＥＬ素
子の製造方法において、発光体層は、有機亜鉛化合物と
ジシクロペンタジエニルマンガンを含む混合ガスを同一
ノズルから反応器に導入し、他方、有機硫黄化合物とし
てのメチルメルカプタンかエチルメルカプタンを含む混
合ガスを前記ノズルの噴出口迄は前記混合ガスと接触さ
せないで、反応器に導入した後混合させることにより、
化学的に気相成長させて成膜するようにしたことを特徴
とする薄膜ＥＬ素子の製造方法。 - （２）発光体層の両方の面に、その少なくとも一方の面
には誘電体層を介して、一対の電極を設けた薄膜ＥＬ素
子の製造装置において、発光体層をＭＯＣＶＤ法により
成膜するに際し、有機亜鉛化合物とジシクロペンタジエ
ニルマンガンを含む混合ガスを導入するための複数の噴
出口を有するノズルと有機硫黄化合物としてのメチルメ
ルカプタンかエチルメルカプタンを含む混合ガスを反応
器に導入するための複数の噴出口を有するノズルを近接
して配設するようにしたことを特徴とする薄膜ＥＬ素子
の製造装置。 - （３）発光体層の両方の面に、その少なくとも一方の面
には誘電体層を介して、一対の電極を設けた薄膜ＥＬ素
子の製造装置において、発光体層をＭＯＣＶＤ法により
成膜するに際し、有機亜鉛化合物とジシクロペンタジエ
ニルマンガンを含む混合ガスを反応器に導入するための
複数の噴出口を有するノズルに、有機硫黄化合物として
のメチルメルカプタンかエチルメルカプタンを含む混合
ガスを反応器に導入するための複数の細管を挿通し、前
記複数の噴出口とは異なる噴出口を形成するようにした
ことを特徴とする薄膜ＥＬ素子の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1138075A JPH079829B2 (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1138075A JPH079829B2 (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法およびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH034482A true JPH034482A (ja) | 1991-01-10 |
| JPH079829B2 JPH079829B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=15213379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1138075A Expired - Lifetime JPH079829B2 (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079829B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0817575A (ja) * | 1994-04-26 | 1996-01-19 | Nippondenso Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び製造装置 |
| US6004618A (en) * | 1994-04-26 | 1999-12-21 | Nippondenso., Ltd. | Method and apparatus for fabricating electroluminescent device |
-
1989
- 1989-05-31 JP JP1138075A patent/JPH079829B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0817575A (ja) * | 1994-04-26 | 1996-01-19 | Nippondenso Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び製造装置 |
| US6004618A (en) * | 1994-04-26 | 1999-12-21 | Nippondenso., Ltd. | Method and apparatus for fabricating electroluminescent device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH079829B2 (ja) | 1995-02-01 |
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