JPH0344847A

JPH0344847A - 光磁気メモリ装置

Info

Publication number: JPH0344847A
Application number: JP1179557A
Authority: JP
Inventors: Yukinori Okazaki; 之則岡崎; Ryoichi Imanaka; 良一今中
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1989-07-11
Filing date: 1989-07-11
Publication date: 1991-02-26
Anticipated expiration: 2013-09-17
Also published as: JP2797476B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、光磁気デイヌク装置等の光磁気効果を用いた
情報記憶装置に関し、特に磁界変調を用いた光磁気メモ
リ装置に関する。

従来の技術近年、大容量の情報の蓄積に光ディスクを用いた情報記
憶装置が用いられ始めてかり、特に最近は、光磁気記録
膜を用いた、情報の消去書換え可能な光記憶装置の開発
が活発に行われている。

光磁気配ｆｆｌ媒体は媒体寿命や再生信号特性の点で優
れた記憶媒体であシ、１た、最近、磁気ディスフ等で実
現されている情報の重ね書きによるオーバーライドを実
現するいくつかの方法が提案され、一部実用化もされる
ようになってきている。

光磁気メモリ装置でオーバーライドを実現する最も確実
な方法は、光磁気膜への印加磁界を情報信号で変調する
磁界変調方式である。

磁界変調方式を用いた光磁気膜の情報の記録の仕組みを
、図を用いて説明する。第３図は磁界変調を用いた光磁
気ディスク装置の従来の構成を示した図であり、第４図
は信号記録時の磁界の変化と照射する光の強度の変化、
及び形成される情報記録領域（以下情報ビットと呼ぶ）
の形状を示した図である。

第３図に示すように、従来用いられている磁界変調を用
いた光磁気メモリ装置では、情報の記録時に集光レンズ
３で光源からの光を光磁気膜２上へ集光して光磁気膜の
温度を信号記録可能な所定の臨界温度以上に上昇させ、
この間に磁界発生源１８の発生磁界の方向を記録する情
報信号６で変調させることによシ、以前に記録された信
号の状態に関わらず、新しい信号の記録が行なわれる。

この１１．１に光磁気膜上に形成される情報ビットの形
状を第４図を用いて説明する。第４図で磁界発生源から
発生される磁界は情報信号で変調されている。この時、
光記録膜上に照射される光の強度は、膜の温度が記録に
必要な臨界温度以上に誰持されるように比較的強い強度
で一定の強度にホ（Ｌ持される。従って、光記録膜上の
温度分布は光記録膜上の光ヌボッ１−の形状で決する分
布となり、形成される記録膜上の情報ビットの形状は光
ヌボソトの形状を反映した砲仰型の情報ビット２０とな
る。

発明が解決しようとする課題しかしながら、このような従来の磁界変調方式では、記
録された情報ビットの形状が光スポットの形状を反映し
たものになり、特に高い記録１所皮で信号を記録した場
合には、情報ピノｌ−の先端部で形状が急激に１ｌｌｌ
＋　＜なシ、信号の再生振中畠の低下が著しくなる。

再生される信号振備は情報ビットの大きさ、形状、再生
時の光ヌポットの形状等で決するが、情報ビットの大き
さは、記録密度が上昇した場合に４゛目対的にピット先
端部の幅の狭い部分が増加する。

この幅の狭い部分の磁化反転領域は、幅の広い部分に比
べ磁化が安定に存在しにくく、この部分よシ得られる再
生信号振幅は低下が著しくなる。

このように従来の磁界変調を用いた光磁気記録膜のオー
バライドは情報の記録密度を上げた場合、十分な再生信
号振幅が得られないという問題点を有していた。

本発明は上記問題点に鑑み、磁界変調を用いた光磁気記
録膜のオーバライド方式において、情報の記録密度を上
げた場合でも十分な再生信号振１幅を得られる光磁気メ
モリを提供することを目的とするものである。

課題を解決するための手段上記課題を解決するために、本発明の光磁気メモリ装置
では、光源と、光磁気記録膜を有する情報記録担体と、
情報記録担体上に光源から出た光を集光する光学系と、
情報記録担体上の情報記録位置に所定の方向の磁界を発
生する磁界発生源とを留１え、情報記録色１１′ｌの内
で、磁界発生源からの磁界で情報記録できる範囲の温度
を信号の記録可能な臨界温度以上に１推持するような１
１６成にしている。

史に、本発明の光磁気メモリ装置では、光磁気記録膜の
情報記録色１１１の温度を臨界温度以上に、↑１ｆｌｌ
持する手段として、信号記録方向に長・１ｊ１１方ビリ
を右する１略１イ１円形状の光ヌボットを情報記録特に
用いる１１７１成としている。

また災に、木兄］す１の光磁気メモリ装置では、略杆１
円形上の光ヌボットとして、磁界発生源が発生する記録
に必要な磁界の発生範囲以上のヌボット径を信号記録方
向に右し、信号記録方向と垂直方向に回折限界のヌポッ
ト径を有するヌボットを使用する１１＋４戒としている
。

更に、本発明の光磁気メモリ装置では、磁界発生源によ
って光磁気記録膜上に作成される記録磁界の分布形状が
、信写−の記録方向に狭く、Ｉａ　’；ｊ’記録方向と
垂直方向に）陥広いＪＩ１７成にしている。

作　　　用本発明は、上記構成によって、光磁気記録膜上の情報の
記録領域（情報ピット）が光ヌボットの形状ではなく、
磁界で決定される形状となり、高密度に情報を記録した
場合でも、光スポットで決定される場合の形状と比べて
情報ビットの幅を一様に形成でき、高密度記録に適した
記録装置が提供できる。

実施例以下、本発明の光磁気メモリ装置の一実施例について、
図を参横しながら説明する。第１図は本発明の光磁気メ
モリ装置の一実施例の構成を示した図である。

第１図で、基板１に作成された光磁気記録膜２上にレン
ズ３で集光された略梢円形状の光スポット４が情報記録
トラック６に沿って信号記録方向に長袖方向を有するよ
うに照射され、光磁気記録膜２の温度を情報が記録でき
る臨界温度以上に保っている。光磁気記録膜２に記録さ
れる情報信号６は磁界発生源変調駆動回路７を介して磁
界発生汽（８に加えられ、情報信号６によって方向が変
化する記録磁界９を１ｒＪ記光スポット４の朋射位置と
中心を略同−にして照１．ｔされている。この峙、記録
磁界９のＮｕ射される範囲は光ヌボノｌ−４の長袖方向
の長さよシも信号方向に短く、トラック方向に棉広くな
っている。

第１図の４’１ｌＩＪ戒の場合に光磁気記録膜上に記録
される情報ピットの形状を第２図を用いて説明する。

第２図は情報信号の変化とそのときの記録磁界の変化、
及び光ヌポットの位置の変化から本発明によって形成さ
れる情報ピントの形状を説明した図である。情報信号に
よって変調された磁界は記録膜上での分布が情報の信号
方向に狭く信号記録方向と垂直方向に棉広く設定できる
ため、光磁気記録膜２上に発生する磁界の形状は第２図
に示したようになり、一方前記記録膜２上に■射される
光スポットの形状は信号記録方向に長軸を有する略キイ
１円形状をとることができるため、同じく第２図に示し
たようになる。

従って、形成される情報ピットの形状は信号記録方向の
幅が発生磁界で決定され、トラック方向の幅が光スポッ
トで決定される形状となり、高密度記録時に於いてもビ
ット幅の一様な情報ピッ（・を安定に形成することがで
き、再生される信号の劣化しない情報ピット形状とする
ことができる。

以上のように、本実施例によると、情報記録位置の内で
磁界発生源からの磁界で情報記録できる範囲の温度を信
号の記録可能な臨界温度以上に維持する手段として、記
録に必要な磁界の発生範囲以上のヌポット径を信号記録
方向に有し、信号記録方向と垂直方向に回折限界のヌボ
ット径を有する路材ｉ円形状の光ヌボットを情報記録時
に用い、光磁気記録膜上にできる記録磁界の分布形状が
信号の記録方向に狭く、信号記録方向と垂直方向に幅広
い磁界発生源を設けることにより、光磁気記録膜上の情
報の記録領域（情報ビット）が光スボ、１−の形状では
なく、磁界で決定される形状となり、高密度に情報を記
録した場合でも、光スポットで決定される場合の形状と
比べて、情報ピッ１−の幅を一様に形成でき、高密度記
録に適した記録方式を実現することができる。

発明の効果以上のように、本発明によれば、光源と、光磁気記録膜
を右する情報記録担体と、情報記録担体上に光源から出
た光を集光する光学系と、「）１１把情報記録担体上の
情報記録位置に所定の方向の磁界を発生する磁界発生源
とを備え、その情報記録膜１１Ｑの内で、磁界発生源か
らの磁界で情報記録できる範囲の温度を信号の記録可能
な臨界温度以上に維持する手段を設けもたものであるの
で、光磁気メモリ装置に於て、光磁気記録膜上の情報の
記録領域（情報ピント）が光ヌボノトの形状ではなく、
磁界で決定される形状となシ、高品度に情報を記録した
場合、光スポットで決定される場合の形状と比べて、情
報ピットの大きさを大きくでき、高密度記録に適した記
録方式を実現することができる。

史に、本発明は、前記光磁気記録膜の記録膜ｆｉｆｆの
震度を臨界温度以上に推持する手段として、信号記録方
向に長：ｌｌ＋方尚を’（Ｔする１１８　Ｒ１円形状の
光ヌポットを情報記録時に用い、更に、前記略梢円形上
の光ヌポットとして前記磁界発生源が発生する記録に必
要な磁界の発生範囲以上のスポット径を信号記録方向に
有し、信号記録方向と垂直方向に回折限界のスポット径
を有するスポットを使用し、更に、光磁気記録膜上にで
きる記録磁界の分布形状が信号の記録方向に狭く、信号
記録方向と垂直方向に幅広い磁界発生源を使用すること
によシ、容易に、光磁気メモリ装置にお・いて高密度記
録に適した記録方式を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の光磁気メモリ装置を説明す
る斜視図、第２図は形成される情報ビットの形状を説明
する模式図、第３図は従来例の光磁気メモリ装置を示す
斜視図、第４図は従来例の情報ビットの形状を示す模式
図である。１・・・・・・情報記録担体の基板、２・・・・・・光
磁気記録膜、３・・・・・・集光レンズ、４・・・・・
・光スポツ＋−１５・・・・・・記録トラック、６・・
・・・・情報信号、７・・・・・・磁界発生源変調駆動
回路、８・・・・・・磁界発生源、９・・・・・・記録
磁界１！０射領域、１０・・・・・・情報ピット。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）光源と、光磁気記録膜を有する情報記録担体と、
前記情報記録担体上に光源から出た光を集光する光学系
と、前記情報記録担体上の情報記録位置に所定の方向の
磁界を発生する磁界発生源とを備え、前記情報記録位置
の内で前記磁界発生源からの磁界で情報記録できる範囲
の温度を信号の記録可能な臨界温度以上に維持するよう
にしたことを特徴とする光磁気メモリ装置。
（２）光磁気記録膜の情報記録位置の温度を臨界温度以
上に維持する手段として、情報記録時に信号記録方向に
長軸方向を有する略楕円形状の光スポットを照射するこ
とを特徴とする請求項１記載の光磁気メモリ装置。
（３）略楕円形状の光スポットとして、磁界発生源が発
生する記録に必要な磁界の発生範囲以上のスポット径を
信号記録方向に有し、信号記録方向と垂直方向に回折限
界のスポット径を有するものを用いることを特徴とする
請求項２記載の光磁気メモリ装置。
（４）磁界発生源によって光磁気記録膜上に作成される
記録磁界の分布形状が、信号の記録方向に狭く、信号記
録方向と垂直方向に幅広いものであることを特徴とする
特許項１記載の光磁気メモリ装置。