JPH0344985A - 光信号の検出方法 - Google Patents
光信号の検出方法Info
- Publication number
- JPH0344985A JPH0344985A JP1179854A JP17985489A JPH0344985A JP H0344985 A JPH0344985 A JP H0344985A JP 1179854 A JP1179854 A JP 1179854A JP 17985489 A JP17985489 A JP 17985489A JP H0344985 A JPH0344985 A JP H0344985A
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- Japan
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- light
- input
- intensity
- amplifier
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の概要〕
光信号の検出方法、特に光通信で用いられる波長１．３
μｍ帯または１．５５μｍ帯の微弱な光信号の検出方法
に関し、 光を吸収することなく光の強度を検出することを目的と
し、 半導体レーザ光増幅器を定電流駆動し、光信号入力時の
該増幅器の端子間電圧を取出してこれを、該光信号の強
度を表わす電気信号とするよう構成する。
μｍ帯または１．５５μｍ帯の微弱な光信号の検出方法
に関し、 光を吸収することなく光の強度を検出することを目的と
し、 半導体レーザ光増幅器を定電流駆動し、光信号入力時の
該増幅器の端子間電圧を取出してこれを、該光信号の強
度を表わす電気信号とするよう構成する。
〔産業上の利用分野］
本発明は光信号の検出方法、特に光通信で用いられる波
長１．３μｍ帯または１．５５μｍ帯の微弱な光信号の
検出方法に関する。
長１．３μｍ帯または１．５５μｍ帯の微弱な光信号の
検出方法に関する。
光通信の光の検出方法としてはフォトダイオードを用い
る方法が一般的である。これはＰｉＮ構造のフォトダイ
オードに逆バイアスをかけ、ｉ層で人力光を吸収させて
電子正孔対に変え、これを電流信号として取出すという
ものである。
る方法が一般的である。これはＰｉＮ構造のフォトダイ
オードに逆バイアスをかけ、ｉ層で人力光を吸収させて
電子正孔対に変え、これを電流信号として取出すという
ものである。
フォトダイオードのｉ層に入力光を吸収させ、電流信号
として入力光を検出するという方法でも、入力光の強度
は検出できるが、１回の測定で人力光の情報は全く失な
われてしまう。従って何回も光を検出したい場合には不
具合である。
として入力光を検出するという方法でも、入力光の強度
は検出できるが、１回の測定で人力光の情報は全く失な
われてしまう。従って何回も光を検出したい場合には不
具合である。
本発明はか＼る点を改善し、光を吸収することなく光の
強度を検出することを目的とするものである。
強度を検出することを目的とするものである。
第１図に示すように本発明では半導体レーザ光増幅器１
０を定電流駆動し、光信号入力時の該増幅器の端子間電
圧■を取出し、これを入力光の強度を示す電気信号とす
る。
０を定電流駆動し、光信号入力時の該増幅器の端子間電
圧■を取出し、これを入力光の強度を示す電気信号とす
る。
定電流源１２は第１図では高抵抗であるが、これはトラ
ンジスタ回路などで構成してもよい。
ンジスタ回路などで構成してもよい。
半導体レーザ光増幅器１０は、その駆動電流（定電流源
の出力電流）を、レーザが発振する手前の状態にセット
しておく。この状態で入力光があると素子ＩＯは人力光
より強い（増幅した）出力光を生じる。
の出力電流）を、レーザが発振する手前の状態にセット
しておく。この状態で入力光があると素子ＩＯは人力光
より強い（増幅した）出力光を生じる。
［作用〕
半導体レーザ光増幅器１０を定電流駆動し、それに人力
光を与えると、該増幅器１０の端子電圧■は入光の強度
を示す。これを第２図で説明すると、（ａ）は光が入力
していない場合の半導体レーザ光増幅器のバンド構造、
Φ）は光が入力している場合のそれである。活性層のエ
レクトロン擬フエルミレベルＥＦＬとホール擬フェルミ
レベルＨＦＬＯ差が素子の端子間電圧■になる。人力光
がない場合これは■。であり、活性層に光入力があると
誘導放出により活性層のキャリア密度が下がり、■１に
なる（■。〉■１）。従って素子の端子電圧Ｖを監視し
、ΔＶ＝Ｖ、−Ｖ、を求めることにより、該ΔＶとして
入力光強度を検出することができる。
光を与えると、該増幅器１０の端子電圧■は入光の強度
を示す。これを第２図で説明すると、（ａ）は光が入力
していない場合の半導体レーザ光増幅器のバンド構造、
Φ）は光が入力している場合のそれである。活性層のエ
レクトロン擬フエルミレベルＥＦＬとホール擬フェルミ
レベルＨＦＬＯ差が素子の端子間電圧■になる。人力光
がない場合これは■。であり、活性層に光入力があると
誘導放出により活性層のキャリア密度が下がり、■１に
なる（■。〉■１）。従って素子の端子電圧Ｖを監視し
、ΔＶ＝Ｖ、−Ｖ、を求めることにより、該ΔＶとして
入力光強度を検出することができる。
半導体レーザ光増幅器をレーザ発振する手前の状態にし
ておき、これに入力光を与えると人力光を増幅した出力
光を生じる。又この出力光の位相と入力光の位相は同じ
であるから、この光検出で位相情報が失なわれることは
ない。即ちこの光検出によれば、光信号を増幅しながら
入力光強度を検出してそれに含まれている情報を読出す
ことができる。また増幅した光から位相情報を読出すこ
ともできる。
ておき、これに入力光を与えると人力光を増幅した出力
光を生じる。又この出力光の位相と入力光の位相は同じ
であるから、この光検出で位相情報が失なわれることは
ない。即ちこの光検出によれば、光信号を増幅しながら
入力光強度を検出してそれに含まれている情報を読出す
ことができる。また増幅した光から位相情報を読出すこ
ともできる。
半導体レーザ光増幅器としては、通常のファプリペロー
型半導体レーザの端面に二酸化シリコンなどで反射防止
膜を施したものを用いることができる。この半導体レー
ザを第１図のように結線し、光信号を入力すると、光は
増幅されて外部へ出て行き、その結果、素子活性層のキ
ャリア密度が減少し、端子間電圧Ｖが下がる。
型半導体レーザの端面に二酸化シリコンなどで反射防止
膜を施したものを用いることができる。この半導体レー
ザを第１図のように結線し、光信号を入力すると、光は
増幅されて外部へ出て行き、その結果、素子活性層のキ
ャリア密度が減少し、端子間電圧Ｖが下がる。
半導体レーザ光増幅器を定電流駆動してその端子電圧Ｖ
を監視する代りに、該増幅器を定電圧駆動してその電流
を監視しても、光入力の強度検出が可能である。定電流
、定電圧でなく、その両方が変わる場合は、光入力の強
度検出には電流、電圧の両者を求めて演算する処理が必
要である。
を監視する代りに、該増幅器を定電圧駆動してその電流
を監視しても、光入力の強度検出が可能である。定電流
、定電圧でなく、その両方が変わる場合は、光入力の強
度検出には電流、電圧の両者を求めて演算する処理が必
要である。
第３図、第４図に本発明の実施例を示す。第３図は本発
明を用いた通信ネットワークを示し、２１．２２．・・
・・・・はＬＤ（レーザダイオード）アンプ、３１，３
２．・・・・・・は端末装置、４１．４２゜・・・・・
・は光ケーブルである。各ＬＤアンプは入力光を増幅し
て出力し、この際前記の端子電圧Ｖとして入力光に含ま
れる情報を取出し、端末へ出力する。従来方式では分岐
で光エネルギを少し抽出するため、挿入できる端末数が
限られているが、本発明では増幅が行なわれるから原理
的に幾らでも端末を挿入できる。
明を用いた通信ネットワークを示し、２１．２２．・・
・・・・はＬＤ（レーザダイオード）アンプ、３１，３
２．・・・・・・は端末装置、４１．４２゜・・・・・
・は光ケーブルである。各ＬＤアンプは入力光を増幅し
て出力し、この際前記の端子電圧Ｖとして入力光に含ま
れる情報を取出し、端末へ出力する。従来方式では分岐
で光エネルギを少し抽出するため、挿入できる端末数が
限られているが、本発明では増幅が行なわれるから原理
的に幾らでも端末を挿入できる。
第４図は、本発明を光計測に用いた例を示す。
第３図と同様にＬＤアンプ２１，２２．・・・・・・は
入力光を増幅して出力し、また前記端子電圧■を電圧計
５１．５２．・・・・・・が測定する。各電圧計の振れ
は人力光の強度を示すが、本回路ではこれを加算器５０
で加算し、その結果を入力光強度の計測値とする。本発
明では同し信号を壊さずに何度も測定できるので、１回
の測定では精度が得られない場合でも測定を第４図のよ
うに繰り返すことにより、測定精度を向上させることが
できる。
入力光を増幅して出力し、また前記端子電圧■を電圧計
５１．５２．・・・・・・が測定する。各電圧計の振れ
は人力光の強度を示すが、本回路ではこれを加算器５０
で加算し、その結果を入力光強度の計測値とする。本発
明では同し信号を壊さずに何度も測定できるので、１回
の測定では精度が得られない場合でも測定を第４図のよ
うに繰り返すことにより、測定精度を向上させることが
できる。
以上説明したように本発明によれば、光は検出素子で吸
収されず、増幅されて出て行くので、光の位相情報を失
わずに光強度を検出できる利点が得られる。又光は、吸
収されないため、何度でも光強度を検出できる。
収されず、増幅されて出て行くので、光の位相情報を失
わずに光強度を検出できる利点が得られる。又光は、吸
収されないため、何度でも光強度を検出できる。
第ｉ図は本発明の原理図、
第２図は光強度検出原理の説明図、
第３図、第４図は本発明の実施例を示す説明図である。
第１図で１０は半導体レーザ光増幅器、１２は定電流源
、■は端子間電圧である。
、■は端子間電圧である。
Claims (1)
- １、半導体レーザ光増幅器（１０）を定電流駆動し、光
信号入力時の該増幅器の端子間電圧（Ｖ）を取出してこ
れを、該光信号の強度を表わす電気信号とすることを特
徴とする光信号の検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1179854A JPH0344985A (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 光信号の検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1179854A JPH0344985A (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 光信号の検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0344985A true JPH0344985A (ja) | 1991-02-26 |
Family
ID=16073079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1179854A Pending JPH0344985A (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 光信号の検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0344985A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8113514B2 (en) | 2007-06-22 | 2012-02-14 | Ricoh Company, Limited | Sheet decurling device and image forming apparatus |
-
1989
- 1989-07-12 JP JP1179854A patent/JPH0344985A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8113514B2 (en) | 2007-06-22 | 2012-02-14 | Ricoh Company, Limited | Sheet decurling device and image forming apparatus |
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