JPH0345529B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0345529B2 JPH0345529B2 JP57126415A JP12641582A JPH0345529B2 JP H0345529 B2 JPH0345529 B2 JP H0345529B2 JP 57126415 A JP57126415 A JP 57126415A JP 12641582 A JP12641582 A JP 12641582A JP H0345529 B2 JPH0345529 B2 JP H0345529B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- substrate
- film thickness
- rotating
- seconds
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レジストの塗布方法、特に、半導体
装置の製造工程におけるフオトレジストの塗布方
法に関する。
装置の製造工程におけるフオトレジストの塗布方
法に関する。
本導体装置の製造工程においては、その半導体
装置の完成までに、フオトレジストを基体の上に
塗布してフオトレジストの薄膜を形成し、露光し
て所定のパターンを形成するというフオトレジス
ト工程が、通常数回実施される。
装置の完成までに、フオトレジストを基体の上に
塗布してフオトレジストの薄膜を形成し、露光し
て所定のパターンを形成するというフオトレジス
ト工程が、通常数回実施される。
従来、このフオトレジストの塗布方法として
は、先ず塗布すべき基体をスピナーの回転台に載
置し、この基体の表面に少量のフオトレジストを
滴下した後、前記回転台を数百回転／分の低速回
転で回転することによつて、フオトレジストを基
体の表面全体に拡がらせるとともに、余分のフオ
トレジストを振り切つて除去し、次いで、3000〜
5000回転／分の高速回転によつて膜厚を均一化さ
せるとともに膜厚を制御するという方法が行われ
ている。
は、先ず塗布すべき基体をスピナーの回転台に載
置し、この基体の表面に少量のフオトレジストを
滴下した後、前記回転台を数百回転／分の低速回
転で回転することによつて、フオトレジストを基
体の表面全体に拡がらせるとともに、余分のフオ
トレジストを振り切つて除去し、次いで、3000〜
5000回転／分の高速回転によつて膜厚を均一化さ
せるとともに膜厚を制御するという方法が行われ
ている。
ところが、フオトレジストの膜厚を厚くしたい
とき、前記の塗布方法で、前記高速回転の回転数
を下げて膜厚を厚くすると、フオトレジストの膜
厚が、前記基体の表面で約100μｍの周期で周期
的に数百Åの変化をして、膜厚むらが生じる。こ
の膜厚むらをストリエーシヨンと呼ぶ。
とき、前記の塗布方法で、前記高速回転の回転数
を下げて膜厚を厚くすると、フオトレジストの膜
厚が、前記基体の表面で約100μｍの周期で周期
的に数百Åの変化をして、膜厚むらが生じる。こ
の膜厚むらをストリエーシヨンと呼ぶ。
一般に、フオトレジストを所定のパターンに現
像したときに、残されるフオトレジストの断面は
台形をしているので、フオトレジスト膜の厚い部
分では、フオトレジストが被覆される寸法が大き
くなる。したがつて、前記のストリエーシヨンが
発生すると半導体装置のパターン寸法にばらつき
が生じることになる。たとえばMOSトランジス
タのゲート長にばらつきが生じると、しきい値電
圧VTにばらつきを生じる。固体撮像素子の場合
は、ホトダイオードの面積のばらつきや、前記の
ゲート長のばらつきにもとづくしきい電圧VTの
ばらつきにより、再生画像に固定パターンノイズ
を生じる。
像したときに、残されるフオトレジストの断面は
台形をしているので、フオトレジスト膜の厚い部
分では、フオトレジストが被覆される寸法が大き
くなる。したがつて、前記のストリエーシヨンが
発生すると半導体装置のパターン寸法にばらつき
が生じることになる。たとえばMOSトランジス
タのゲート長にばらつきが生じると、しきい値電
圧VTにばらつきを生じる。固体撮像素子の場合
は、ホトダイオードの面積のばらつきや、前記の
ゲート長のばらつきにもとづくしきい電圧VTの
ばらつきにより、再生画像に固定パターンノイズ
を生じる。
本発明は、前記のストリエーシヨンの発生を抑
制し、膜厚が均一でしかも厚いフオトレジスト膜
を得るためのフオトレジストの塗布方法を提供す
るものである。
制し、膜厚が均一でしかも厚いフオトレジスト膜
を得るためのフオトレジストの塗布方法を提供す
るものである。
本発明は、基体表面にフオトレジストを滴下
し、低速回転で前記フオトレジストを前記基体表
面に拡げた後、高速回転で短時間前記基体を回転
し、余分なフオトレジストを一気に振り切る。最
後に前記低速回転と前記高速回転の間の速度の中
速回転で膜厚を均一にする方法である。
し、低速回転で前記フオトレジストを前記基体表
面に拡げた後、高速回転で短時間前記基体を回転
し、余分なフオトレジストを一気に振り切る。最
後に前記低速回転と前記高速回転の間の速度の中
速回転で膜厚を均一にする方法である。
以下本発明のフオトレジストの塗布方法の実施
例について説明する。
例について説明する。
まず、回転台上に、シリコン基板を載置し、前
記シリコン基板を静止させたまま、フオトレジス
トを２秒間滴下した。次に300回転／分の回転速
度で１秒間前記回転台とともに前記シリコン基板
を回転し、続いて、5000回転／分の回転速度で１
秒間、前記シリコン基板を回転し、さらに引き続
いて2000回転／分の回転速度で25秒間回転した。
こうして、フオトレジスト膜厚が155μｍ、膜厚
のばらつき幅が50Åという結果を得た。
記シリコン基板を静止させたまま、フオトレジス
トを２秒間滴下した。次に300回転／分の回転速
度で１秒間前記回転台とともに前記シリコン基板
を回転し、続いて、5000回転／分の回転速度で１
秒間、前記シリコン基板を回転し、さらに引き続
いて2000回転／分の回転速度で25秒間回転した。
こうして、フオトレジスト膜厚が155μｍ、膜厚
のばらつき幅が50Åという結果を得た。
なお、前記低速回転は、200〜600回転／分で１
〜３秒間程度が好ましい。回転速度が高過ぎた
り、回転時間が長過ぎると、フオトレジストの一
部が、基体の裏面にまわり込む。また、前記高速
回転は、4000〜8000回転／分で２秒間以内が好ま
しい。膜厚のばらつき幅を100Å以下に抑えるに
は4000回転以上であることが必要である。時間が
長過ぎると、膜厚が薄くなつてしまう。前記中速
回転は、1000〜5000回転／分で10〜30秒間程度が
好ましい。この回転速度の範囲で適当に回転速度
を選ぶことによつて膜厚を決定することができ
る。
〜３秒間程度が好ましい。回転速度が高過ぎた
り、回転時間が長過ぎると、フオトレジストの一
部が、基体の裏面にまわり込む。また、前記高速
回転は、4000〜8000回転／分で２秒間以内が好ま
しい。膜厚のばらつき幅を100Å以下に抑えるに
は4000回転以上であることが必要である。時間が
長過ぎると、膜厚が薄くなつてしまう。前記中速
回転は、1000〜5000回転／分で10〜30秒間程度が
好ましい。この回転速度の範囲で適当に回転速度
を選ぶことによつて膜厚を決定することができ
る。
以上詳しく述べたように、本発明のレジストの
塗布方法は低速回転でフオトレジストを基体表面
全体に拡げたのち、高速回転で短時間回転し、最
後に中速回転で膜厚を均一化するフオトレジスト
の塗布方法であつて、この方法によれば、膜厚が
厚くてもストリエーシヨンの極めて小さい膜厚の
均一なフオトレジスト膜が形成できる。
塗布方法は低速回転でフオトレジストを基体表面
全体に拡げたのち、高速回転で短時間回転し、最
後に中速回転で膜厚を均一化するフオトレジスト
の塗布方法であつて、この方法によれば、膜厚が
厚くてもストリエーシヨンの極めて小さい膜厚の
均一なフオトレジスト膜が形成できる。
Claims (1)
- １ 回転台上に載置された基体の表面にレジスト
液を滴下させたのち、前記基体を200〜600回転／
分で１〜３秒間回転させる第１の回転塗布工程
と、前記基体を4000〜8000回転／分で１〜２秒間
回転させる第２の回転塗布工程と、前記基体を
1000〜5000回転／分の前記第２工程での回転より
低速で10〜30秒間回転させる第３の回転塗布工程
とを、順次連続して行うレジストの塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57126415A JPS5916333A (ja) | 1982-07-19 | 1982-07-19 | レジストの塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57126415A JPS5916333A (ja) | 1982-07-19 | 1982-07-19 | レジストの塗布方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5916333A JPS5916333A (ja) | 1984-01-27 |
| JPH0345529B2 true JPH0345529B2 (ja) | 1991-07-11 |
Family
ID=14934596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57126415A Granted JPS5916333A (ja) | 1982-07-19 | 1982-07-19 | レジストの塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5916333A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101515510B1 (ko) * | 2013-12-09 | 2015-04-27 | 전자부품연구원 | 태양광 모듈에 적층된 부유물 측정 시스템 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6197923A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6334925A (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-15 | Nec Corp | フオトレジスト膜の形成方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5226214A (en) * | 1975-08-25 | 1977-02-26 | Hitachi Ltd | Method for coating resist |
-
1982
- 1982-07-19 JP JP57126415A patent/JPS5916333A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101515510B1 (ko) * | 2013-12-09 | 2015-04-27 | 전자부품연구원 | 태양광 모듈에 적층된 부유물 측정 시스템 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5916333A (ja) | 1984-01-27 |
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