JPH046086B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH046086B2 JPH046086B2 JP57089894A JP8989482A JPH046086B2 JP H046086 B2 JPH046086 B2 JP H046086B2 JP 57089894 A JP57089894 A JP 57089894A JP 8989482 A JP8989482 A JP 8989482A JP H046086 B2 JPH046086 B2 JP H046086B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- rotation speed
- coated
- film thickness
- seconds
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は半導体装置の製造に好適なレジスト塗
布方法の改良に関する。
布方法の改良に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
一般に各種電子部品などの回路を形成するのに
感光剤としてのレジストを塗布し、露光、現像処
理をして所望パターンの電気回路を形成すること
が行なわれている。これを半導体装置の製造の場
合を例に説明すると、第１図において、チヤンバ
ー１の中に、回転する真空チヤツク２が設けられ
ていて、その上面に被塗布面３をもつた円板状の
ウエハ４が吸着保持されている。そしてその回転
中心部に適量のレジスト５を滴下した後ウエハ４
を回転させて、レジスト５を広げ、その表面にレ
ジスト被膜６を形成する。この回転速度の時間的
変化は、第２図に示すようにレジスト４滴下後t1
秒まで低速回転R1（例えば直径３インチのウエハ
４に対しては約500r.p.m）で回転させ、被塗布面
３に広げる。その後所定の厚さにするために、t3
秒まで膜厚に応じた一定回転数R2（例えば4000r.
p.m）で回転させて被塗布面３上に所定の厚さの
レジスト被膜６を形成する。上述の場合のレジス
ト被膜６の膜厚ｈと回転時間ｔとの関係は回転数
を一定に保つた場合には第３図の曲線Ａのように
なる。すなわちレジスト滴下後時間とともに膜厚
は減少し、所定の回転数になつた後は変化しない
で安定する。従つて通常は一定な膜厚になる時間
t3だけウエハ４を回転させて膜厚が一定なレジス
ト被膜を形成している。
感光剤としてのレジストを塗布し、露光、現像処
理をして所望パターンの電気回路を形成すること
が行なわれている。これを半導体装置の製造の場
合を例に説明すると、第１図において、チヤンバ
ー１の中に、回転する真空チヤツク２が設けられ
ていて、その上面に被塗布面３をもつた円板状の
ウエハ４が吸着保持されている。そしてその回転
中心部に適量のレジスト５を滴下した後ウエハ４
を回転させて、レジスト５を広げ、その表面にレ
ジスト被膜６を形成する。この回転速度の時間的
変化は、第２図に示すようにレジスト４滴下後t1
秒まで低速回転R1（例えば直径３インチのウエハ
４に対しては約500r.p.m）で回転させ、被塗布面
３に広げる。その後所定の厚さにするために、t3
秒まで膜厚に応じた一定回転数R2（例えば4000r.
p.m）で回転させて被塗布面３上に所定の厚さの
レジスト被膜６を形成する。上述の場合のレジス
ト被膜６の膜厚ｈと回転時間ｔとの関係は回転数
を一定に保つた場合には第３図の曲線Ａのように
なる。すなわちレジスト滴下後時間とともに膜厚
は減少し、所定の回転数になつた後は変化しない
で安定する。従つて通常は一定な膜厚になる時間
t3だけウエハ４を回転させて膜厚が一定なレジス
ト被膜を形成している。
しかし膜厚が一定になるまでには時間がかかり
その間はレジスト５が被塗布面３の中心部から被
塗布面３の全面に供給されながら周囲から飛散し
続け、次第に安定していくため、レジスト５中に
含まれる溶剤は、かなり早く蒸発してしまい、中
心から周辺に広がる間には、かなりの溶剤が失な
われてレジスト５の特性が変化する。従つて局部
的な膜厚のばらつきを放射状に生じることにな
る。このような局部部膜厚の変化は、パターンの
微細化や、隣接した部分で一定の特性が要求され
る半導体製品の製作を不可能にするので、早急な
解決が要望されていた。
その間はレジスト５が被塗布面３の中心部から被
塗布面３の全面に供給されながら周囲から飛散し
続け、次第に安定していくため、レジスト５中に
含まれる溶剤は、かなり早く蒸発してしまい、中
心から周辺に広がる間には、かなりの溶剤が失な
われてレジスト５の特性が変化する。従つて局部
的な膜厚のばらつきを放射状に生じることにな
る。このような局部部膜厚の変化は、パターンの
微細化や、隣接した部分で一定の特性が要求され
る半導体製品の製作を不可能にするので、早急な
解決が要望されていた。
［発明の目的］
本発明は上述の不都合を除去するためになされ
たもので、被塗布面全面にわたりほぼ一様な膜厚
にレジストを塗布する方法を提供することを目的
とする。
たもので、被塗布面全面にわたりほぼ一様な膜厚
にレジストを塗布する方法を提供することを目的
とする。
［発明の概要］
本発明は所望の膜厚に対応した所定の回転速度
より大なる回転速度で被塗布面を回転させた後上
記所定の回転速度で回転させることを特徴とする
レジスト塗布方法で、大なる回転速度により速か
にレジストを広げ、溶剤の蒸発による不均一を防
止したレジスト塗布方法である。
より大なる回転速度で被塗布面を回転させた後上
記所定の回転速度で回転させることを特徴とする
レジスト塗布方法で、大なる回転速度により速か
にレジストを広げ、溶剤の蒸発による不均一を防
止したレジスト塗布方法である。
［発明の実施例］
本発明の詳細を図面を参照しながら各実施例に
より説明する。
より説明する。
第１の実施例を第４図を参照して説明する。本
図は縦軸に回転数を、横軸に経過時間をとつた線
図で使用した装置は従来例において述べたものと
同じで、第１図をそのまま使用し、被塗布物は半
導体ウエハである。ウエハ４を真空チヤツク２で
チヤツクした後、適量のレジスト５を滴下する。
なお所望の膜厚に対応する所定の回転速度を
4000r・ｐ・ｍ・とする。最初に所定の回転速度
より遅い回転速度、例えば500r・ｐ・ｍで被塗布
面３をt1′秒まで回転させ、全面にレジスト５を
広げる。その後t2′秒まで所定の回転速度より大
なる回転速度例えば6500r・ｐ・ｍで回転させる。
この間に不要なレジスト４を短時間でウエハ４表
面３から排出させる。その後均一の所望の膜厚に
対応した所定の回転速度、例えば4000r・ｐ・ｍ
でt3′秒まで回転させ、所望のレジスト被膜６を
得る。
図は縦軸に回転数を、横軸に経過時間をとつた線
図で使用した装置は従来例において述べたものと
同じで、第１図をそのまま使用し、被塗布物は半
導体ウエハである。ウエハ４を真空チヤツク２で
チヤツクした後、適量のレジスト５を滴下する。
なお所望の膜厚に対応する所定の回転速度を
4000r・ｐ・ｍ・とする。最初に所定の回転速度
より遅い回転速度、例えば500r・ｐ・ｍで被塗布
面３をt1′秒まで回転させ、全面にレジスト５を
広げる。その後t2′秒まで所定の回転速度より大
なる回転速度例えば6500r・ｐ・ｍで回転させる。
この間に不要なレジスト４を短時間でウエハ４表
面３から排出させる。その後均一の所望の膜厚に
対応した所定の回転速度、例えば4000r・ｐ・ｍ
でt3′秒まで回転させ、所望のレジスト被膜６を
得る。
第５図に示したものは、第２の実施例を説明す
る線図で、最切に所定の回転速度R2″より少し大
なる回転速度でt1″秒まで回転させ速かに全面に
レジスト５を広げ、次にさらに大なる回転速度
R3″でt2″秒まで回転させ速かに余分なレジスト５
を排出した後、所定の回転速度R2″でt3″秒まで回
転させ所望のレジスト被膜６を得る方法である。
る線図で、最切に所定の回転速度R2″より少し大
なる回転速度でt1″秒まで回転させ速かに全面に
レジスト５を広げ、次にさらに大なる回転速度
R3″でt2″秒まで回転させ速かに余分なレジスト５
を排出した後、所定の回転速度R2″でt3″秒まで回
転させ所望のレジスト被膜６を得る方法である。
第６図に示したものは、第３の実施例を説明す
る線図で、最初に最も大きい回転速度R1でt1
秒まで回転させ、次にこれより小なる回転速度
R2でt2秒まで回転させて余分なレジスト５を
排除し、次に回転速度を落して所定の回転速度
R2でt3秒まで回転させて所望の厚さのレジス
ト被膜６を得る。
る線図で、最初に最も大きい回転速度R1でt1
秒まで回転させ、次にこれより小なる回転速度
R2でt2秒まで回転させて余分なレジスト５を
排除し、次に回転速度を落して所定の回転速度
R2でt3秒まで回転させて所望の厚さのレジス
ト被膜６を得る。
［発明の効果］
以上詳述したように、本発明のレジスト塗布方
法は、所定の回転速度で回転させる前に、これよ
り高速に回転させて速かに余分なレジストを除去
排出するように構成したので、膜厚の変化は第３
図の曲線Ｂに示すように余分なレジストは急速に
排出され短時間で所望の厚さのレジスト被膜が得
られるので、溶剤の蒸発などによる悪影響がはる
かに少なく、膜厚の不均一を示す放射線状のしま
を測定するストリエーシヨン検査においては約半
分に減少し、著しく良好なレジスト被膜を得るこ
とができ、回路パターンの微細化が可能となり、
また隣接した部分で一定した特性が要求されるよ
うな半導体製品の製造が可能となつた。またレジ
スト塗布時間が短縮されて生産性が向上するなど
種々な効果を奏するものである。
法は、所定の回転速度で回転させる前に、これよ
り高速に回転させて速かに余分なレジストを除去
排出するように構成したので、膜厚の変化は第３
図の曲線Ｂに示すように余分なレジストは急速に
排出され短時間で所望の厚さのレジスト被膜が得
られるので、溶剤の蒸発などによる悪影響がはる
かに少なく、膜厚の不均一を示す放射線状のしま
を測定するストリエーシヨン検査においては約半
分に減少し、著しく良好なレジスト被膜を得るこ
とができ、回路パターンの微細化が可能となり、
また隣接した部分で一定した特性が要求されるよ
うな半導体製品の製造が可能となつた。またレジ
スト塗布時間が短縮されて生産性が向上するなど
種々な効果を奏するものである。
なお本実施例においては半導体装置の製造につ
いて記載したが、これに限定されるものではな
い。
いて記載したが、これに限定されるものではな
い。
第１図は従来例および本発明の各実施例におい
て使用するレジスト塗布装置の説明断面図、第２
図は従来例におけるレジスト塗布方法を説明する
線図、第３図は従来例と本発明の実施例とにおけ
る膜厚変化を比較する線図、第４図は本発明の第
１の実施例を説明する線図、第５図は同じく第２
の実施例を説明する線図、第６図は同じく第３の
実施例を説明する線図である。 ３……被塗布面、５……レジスト、６……レジ
スト被膜。
て使用するレジスト塗布装置の説明断面図、第２
図は従来例におけるレジスト塗布方法を説明する
線図、第３図は従来例と本発明の実施例とにおけ
る膜厚変化を比較する線図、第４図は本発明の第
１の実施例を説明する線図、第５図は同じく第２
の実施例を説明する線図、第６図は同じく第３の
実施例を説明する線図である。 ３……被塗布面、５……レジスト、６……レジ
スト被膜。
Claims (1)
- １ 基板の表面中央に滴下したレジストを上記基
板の回転でこの基板表面に広げて塗布するレジス
ト塗布方法において、上記回転を開始してから上
記滴下したレジストが上記表面の全面に行渡つた
後、所望する膜厚に全面均一化する所定の回転速
度に切換える前に、この所定の回転速度よりも速
くかつレジストを塗布面から除去する回転速度で
回転する工程を付加したことを特徴とするレジス
ト塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57089894A JPS58207631A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | レジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57089894A JPS58207631A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | レジスト塗布方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58207631A JPS58207631A (ja) | 1983-12-03 |
| JPH046086B2 true JPH046086B2 (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=13983441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57089894A Granted JPS58207631A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | レジスト塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58207631A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6334925A (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-15 | Nec Corp | フオトレジスト膜の形成方法 |
| JP2697226B2 (ja) * | 1990-02-21 | 1998-01-14 | 三菱電機株式会社 | 塗布液の塗布方法 |
| JP4745358B2 (ja) * | 2008-03-04 | 2011-08-10 | 株式会社東芝 | 回転塗布方法、および回転塗布装置 |
| JP2015223556A (ja) * | 2014-05-28 | 2015-12-14 | 株式会社ディスコ | 保護被膜の被覆方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50136333A (ja) * | 1974-04-17 | 1975-10-29 | ||
| JPS6057774B2 (ja) * | 1978-08-25 | 1985-12-17 | 株式会社日立製作所 | 論理演算型ディジタル圧伸器 |
-
1982
- 1982-05-28 JP JP57089894A patent/JPS58207631A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58207631A (ja) | 1983-12-03 |
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