JPH0345677U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0345677U JPH0345677U JP9320090U JP9320090U JPH0345677U JP H0345677 U JPH0345677 U JP H0345677U JP 9320090 U JP9320090 U JP 9320090U JP 9320090 U JP9320090 U JP 9320090U JP H0345677 U JPH0345677 U JP H0345677U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- buffer layer
- type
- type inp
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
Description
第１図はｐ型インジウム・リン基板を使用した
従来の逆メサ構造の半導体レーザの断面図、第２
図はｐ型インジウム・リン基板を使用してダブル
へテロ構造に形成した状態の断面図、第３図は第
２図の構造をメサ状にエツチングした状態の斜視
図、第４図は第３図の構造から活性層だけを選択
的にエツチングした状態の断面図、第５図は本考
案の一実施例の半導体レーザの断面図である。第
６図は第１図の構造の半導体レーザと第５図の構
造の半導体レーザの電流−出力特性を示す図であ
る。 ２１……基板、２２……バツフア層、２３……
活性層、２４……クラツド層、２５……絶縁膜、
２６ａ，２６ｂ……エツチング溝、２７……第１
の埋め込み層、２８……第２の埋め込み層。
従来の逆メサ構造の半導体レーザの断面図、第２
図はｐ型インジウム・リン基板を使用してダブル
へテロ構造に形成した状態の断面図、第３図は第
２図の構造をメサ状にエツチングした状態の斜視
図、第４図は第３図の構造から活性層だけを選択
的にエツチングした状態の断面図、第５図は本考
案の一実施例の半導体レーザの断面図である。第
６図は第１図の構造の半導体レーザと第５図の構
造の半導体レーザの電流−出力特性を示す図であ
る。 ２１……基板、２２……バツフア層、２３……
活性層、２４……クラツド層、２５……絶縁膜、
２６ａ，２６ｂ……エツチング溝、２７……第１
の埋め込み層、２８……第２の埋め込み層。
補正 平２．１０．４
実用新案登録請求の範囲を次のように補正する
。
。
【実用新案登録請求の範囲】
ｐ型ＩｎＰ基板２１上にｐ型ＩｎＰのバツフア
層２２を有し、該バツフア層２２の上にＩｎＧａ
ＡｓＰの活性層２３およびｎ型ＩｎＰのクラツド
層２４とを有し、前記活性層２３が前記バツフア
層２２の上方部分およびクラツド層２４との境界
面の幅より幅狭に形成され、前記バツフア層２２
の活性層２３およびクラツド層２４が＜０１１＞
方向のストライプ状に形成された順メサ構造から
成る半導体レーザにおいて、 前記順メサ構造が前記バツフア層２２の上方部
分まで末広がりに広がつて形成され、且つ前記順
メサ構造の周囲が前記バツフア層２２上のｎ型Ｉ
ｎＰの第１の埋め込み層２７、該第１の埋め込み
層２７上のｐ型ＩｎＰの第２の埋め込み層２８で
覆われたことを特徴とする半導体レーザ。
層２２を有し、該バツフア層２２の上にＩｎＧａ
ＡｓＰの活性層２３およびｎ型ＩｎＰのクラツド
層２４とを有し、前記活性層２３が前記バツフア
層２２の上方部分およびクラツド層２４との境界
面の幅より幅狭に形成され、前記バツフア層２２
の活性層２３およびクラツド層２４が＜０１１＞
方向のストライプ状に形成された順メサ構造から
成る半導体レーザにおいて、 前記順メサ構造が前記バツフア層２２の上方部
分まで末広がりに広がつて形成され、且つ前記順
メサ構造の周囲が前記バツフア層２２上のｎ型Ｉ
ｎＰの第１の埋め込み層２７、該第１の埋め込み
層２７上のｐ型ＩｎＰの第２の埋め込み層２８で
覆われたことを特徴とする半導体レーザ。
Claims (1)
- ｐ型ＩｎＰ基板２１上にｐ型のバツフア層２２
を有し、その上に活性層２３を有し、さらにその
上にｎ型のクラツド層２４を有し、前記バツフア
層２２の上方部分、活性層２３、クラツド層２４
が上方へ向かつて次第に幅狭になつた順メサ構造
部が＜０１１＞方向に形成され、且つ前記活性層
２３が前記バツフア層２２の上方部分及びクラツ
ド層２４との境界面の幅より幅狭に形成され、該
順メサ構造部の周囲が前記バツフア層２２上のｎ
型ＩｎＰの第１の埋め込み層２７、該第１の埋め
込み層２７上のｐ型ＩｎＰの第２の埋め込み層２
８で覆われた半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9320090U JPH0345677U (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9320090U JPH0345677U (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0345677U true JPH0345677U (ja) | 1991-04-26 |
Family
ID=31642596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9320090U Pending JPH0345677U (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0345677U (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5496386A (en) * | 1978-01-14 | 1979-07-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of buried optical semiconductor device |
| JPS55140286A (en) * | 1979-04-18 | 1980-11-01 | Toshiba Corp | Buried heterogeneous structure semiconductor for use in laser |
| JPS59145590A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-21 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
-
1990
- 1990-09-05 JP JP9320090U patent/JPH0345677U/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5496386A (en) * | 1978-01-14 | 1979-07-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of buried optical semiconductor device |
| JPS55140286A (en) * | 1979-04-18 | 1980-11-01 | Toshiba Corp | Buried heterogeneous structure semiconductor for use in laser |
| JPS59145590A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-21 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
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