JPH0345933B2 - - Google Patents
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- JPH0345933B2 JPH0345933B2 JP58039324A JP3932483A JPH0345933B2 JP H0345933 B2 JPH0345933 B2 JP H0345933B2 JP 58039324 A JP58039324 A JP 58039324A JP 3932483 A JP3932483 A JP 3932483A JP H0345933 B2 JPH0345933 B2 JP H0345933B2
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- output
- gate
- transistors
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
- H03K19/094—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
- H03K19/09425—Multistate logic
- H03K19/09429—Multistate logic one of the states being the high impedance or floating state
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/003—Modifications for increasing the reliability for protection
- H03K19/00315—Modifications for increasing the reliability for protection in field-effect transistor circuits
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/01—Modifications for accelerating switching
- H03K19/017—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits
- H03K19/01707—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits
- H03K19/01721—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits by means of a pull-up or down element
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- H03K19/09425—Multistate logic
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明の技術分野
本発明は、一般的には、駆動回路に係り、更に
具体的には、3つの異なるレベルのの信号を容量
性負荷に供給する能力を有する、謂ゆる3状態駆
動回路に係る。
具体的には、3つの異なるレベルのの信号を容量
性負荷に供給する能力を有する、謂ゆる3状態駆
動回路に係る。
従来技術
論理回路の設計に3状態駆動回路を用いること
は、謂ゆる母線機構を用いたコンピユータ及びデ
ータ処理システムの設計に於て有利であることが
知られている。
は、謂ゆる母線機構を用いたコンピユータ及びデ
ータ処理システムの設計に於て有利であることが
知られている。
今日の3状態母線機構は、高い漂遊母線キヤパ
シタンス、高速度データ転送条件、及び高いDC
スタテイツク・レシーバ電流により、低インピー
ダンス及び高電流の駆動回路を必要とする。その
様な3状態駆動回路の使用が、母線機構、コンピ
ユータ及びデータ処理システムの設計に於て有利
であることは周知であるが、それらは従来広く用
いられていない。
シタンス、高速度データ転送条件、及び高いDC
スタテイツク・レシーバ電流により、低インピー
ダンス及び高電流の駆動回路を必要とする。その
様な3状態駆動回路の使用が、母線機構、コンピ
ユータ及びデータ処理システムの設計に於て有利
であることは周知であるが、それらは従来広く用
いられていない。
一般的に、チツプの入出力(I/O)ピンの数
に於ける制約により、製品の設計に於ては、用い
られ得るI/Oピンを最も効果的に用いるため
に、2方向性母線が用いられている。この2方向
性母線の使用は、任意の所与の時間に於て、単一
のチツプがシステム内の他のチツプに情報を送る
という前提に基づいている。しかしながら、その
様な3状態駆動回路は母線機構に於て単一の母線
に複数が接続されており、幾つかの条件下では、
2つ以上の駆動回路が反対の論理レベルに不利に
同時にスイツチングされ得る。例えば、第1チツ
プが母線を1の状態にしようとし、同一線上に結
合されている第2チツプがその同一の線を0の状
態にしようとする。これは、母線上の情報を破壊
させるだけでなく、その母線に結合されている駆
動回路を焼損させてしまう。従つて、システムの
故障及びプログラミングのエラーが駆動回路を破
壊させ得ることにより、母線機構にその様な駆動
回路を用いることが従来抑制されている。
に於ける制約により、製品の設計に於ては、用い
られ得るI/Oピンを最も効果的に用いるため
に、2方向性母線が用いられている。この2方向
性母線の使用は、任意の所与の時間に於て、単一
のチツプがシステム内の他のチツプに情報を送る
という前提に基づいている。しかしながら、その
様な3状態駆動回路は母線機構に於て単一の母線
に複数が接続されており、幾つかの条件下では、
2つ以上の駆動回路が反対の論理レベルに不利に
同時にスイツチングされ得る。例えば、第1チツ
プが母線を1の状態にしようとし、同一線上に結
合されている第2チツプがその同一の線を0の状
態にしようとする。これは、母線上の情報を破壊
させるだけでなく、その母線に結合されている駆
動回路を焼損させてしまう。従つて、システムの
故障及びプログラミングのエラーが駆動回路を破
壊させ得ることにより、母線機構にその様な駆動
回路を用いることが従来抑制されている。
2つのチツプが同一の2方向性母線上に異なる
即ち反対の論理データを同時に送ろうとするこの
状態は、直交状態(orthogonality condition)
と称される。勿論、理想的には、その様な直交状
態はシステム内で決して生じるべきではなく、シ
ステム内の厳密な通信プロトコルによつて除かれ
得る。しかしながら、プロトコル・ソフトウエア
に於けるプログラムの欠陥は全システムを物理的
に損傷させ得る。更に、その様なシステムに於て
は、直交状態を生ぜしめずにはテストされ得ない
欠陥がテスト不可能になる。従つて、幾つかの条
件の下では、システムを完全にテストするため
に、そのプロトコルをバイパスさせることが必要
となり得る。通信プロトコル回路内の欠陥はその
チツプに於ける3状態駆動回路を損傷させるだけ
でなく、他のチツプに於ける他の3状態駆動回路
をも損傷させ、損傷された素子の1つが修理され
ても、元の欠陥が完全に診断されて除かれなけれ
ば問題は何ら解決されないので、上記の如き損傷
はシステムの機構に特に重大な影響を与える。
即ち反対の論理データを同時に送ろうとするこの
状態は、直交状態(orthogonality condition)
と称される。勿論、理想的には、その様な直交状
態はシステム内で決して生じるべきではなく、シ
ステム内の厳密な通信プロトコルによつて除かれ
得る。しかしながら、プロトコル・ソフトウエア
に於けるプログラムの欠陥は全システムを物理的
に損傷させ得る。更に、その様なシステムに於て
は、直交状態を生ぜしめずにはテストされ得ない
欠陥がテスト不可能になる。従つて、幾つかの条
件の下では、システムを完全にテストするため
に、そのプロトコルをバイパスさせることが必要
となり得る。通信プロトコル回路内の欠陥はその
チツプに於ける3状態駆動回路を損傷させるだけ
でなく、他のチツプに於ける他の3状態駆動回路
をも損傷させ、損傷された素子の1つが修理され
ても、元の欠陥が完全に診断されて除かれなけれ
ば問題は何ら解決されないので、上記の如き損傷
はシステムの機構に特に重大な影響を与える。
本発明の概要
本発明の目的は、反対の論理レベルにスイツチ
ングされている他の駆動回路に母線を経て結合さ
れた場合に損傷されない、改良された駆動回路を
提供することである。本発明の駆動回路は又、速
いスイツチング速度及び低電力消費を可能にし、
そして信号の遷移中に母線のキヤパシタンスを充
電させるに充分な大きさの電流を初めに供給して
から、該母線に供給され得る電流を、同一線上の
他の駆動回路が反対の論理レベルにターン・オン
された場合でも、該母線上のDC負荷を駆動させ
るためだけには充分であるが、出力素子を損傷さ
せるには不充分である値迄低下させる様に設計さ
れている。従つて、実際に於て、この駆動回路
は、損傷を防ぐ、本来的電流制限素子を有してい
る。
ングされている他の駆動回路に母線を経て結合さ
れた場合に損傷されない、改良された駆動回路を
提供することである。本発明の駆動回路は又、速
いスイツチング速度及び低電力消費を可能にし、
そして信号の遷移中に母線のキヤパシタンスを充
電させるに充分な大きさの電流を初めに供給して
から、該母線に供給され得る電流を、同一線上の
他の駆動回路が反対の論理レベルにターン・オン
された場合でも、該母線上のDC負荷を駆動させ
るためだけには充分であるが、出力素子を損傷さ
せるには不充分である値迄低下させる様に設計さ
れている。従つて、実際に於て、この駆動回路
は、損傷を防ぐ、本来的電流制限素子を有してい
る。
本発明の他の目的は、直交状態による損傷が最
小限にされ又は除かれる、その様な母線機構に於
て用いられる駆動回路を提供することである。本
発明の他の目的は、通信プロトコル・ソフトウエ
アの欠陥が、3状態駆動回路が用いられているシ
ステムを物理的に損傷させない様にすることであ
る。本発明の更に他の目的は、直交状態を必要と
するシステムに於ける欠陥が容易にテストされ得
る、3状態回路を提供することである。
小限にされ又は除かれる、その様な母線機構に於
て用いられる駆動回路を提供することである。本
発明の他の目的は、通信プロトコル・ソフトウエ
アの欠陥が、3状態駆動回路が用いられているシ
ステムを物理的に損傷させない様にすることであ
る。本発明の更に他の目的は、直交状態を必要と
するシステムに於ける欠陥が容易にテストされ得
る、3状態回路を提供することである。
上記及び他の目的は、本発明に従つて、初めの
信号の遷移中に母線キヤパシタンスを充電させる
に充分に大きい初めの遷移電流を供給し、それか
ら駆動回路に於ける電流を、同一の母線の線に結
合されている同様な駆動回路が反対の論理レベル
に同時にターン・オンされた場合に出力素子を損
傷させ得る過度の電流を供給することなく母線上
のDC負荷を駆動させるためだけに充分な値迄低
下させる、ダイナミツク出力インピーダンス手段
を設けられた3状態論理回路を設けることによつ
て、達成され得る。
信号の遷移中に母線キヤパシタンスを充電させる
に充分に大きい初めの遷移電流を供給し、それか
ら駆動回路に於ける電流を、同一の母線の線に結
合されている同様な駆動回路が反対の論理レベル
に同時にターン・オンされた場合に出力素子を損
傷させ得る過度の電流を供給することなく母線上
のDC負荷を駆動させるためだけに充分な値迄低
下させる、ダイナミツク出力インピーダンス手段
を設けられた3状態論理回路を設けることによつ
て、達成され得る。
本発明の好実施例
第1図に於て、本願の第1の発明に従つて形成
された、電界効果型トランジスタ(FET)素子
を用いている、3状態駆動回路が示されている。
された、電界効果型トランジスタ(FET)素子
を用いている、3状態駆動回路が示されている。
本発明の駆動回路は、正又は負のデータ信号が
供給され得る第1入力10及び不能化(disable)
信号が供給され得る第2入力12を有する。3状
態回路の出力信号が引出され、母線に接続され得
る、出力14が設けられている。
供給され得る第1入力10及び不能化(disable)
信号が供給され得る第2入力12を有する。3状
態回路の出力信号が引出され、母線に接続され得
る、出力14が設けられている。
第1入力10の端子は、インバータFET16
のゲート及び低電流、高インピーダンス、正出力
の出力トランジスタ17のゲートに直接接続され
ており、そしてキヤパシタC1を経て高電流、低
インピーダンス、正出力の出力トランジスタ18
のゲートに容量結合されている。トランジスタ1
6のソースは接地され、そのドレインはFET負
荷素子19を経て正電圧供給源20に結合されて
いる。トランジスタ16のドレインは又、低電
流、高インピーダンス、負出力の出力トランジス
タ21のゲートに直接結合されており、キヤパシ
タC2を経て高電流、低インピーダンス、負出力
のトランジスタ22のゲートに容量結合されてい
る。
のゲート及び低電流、高インピーダンス、正出力
の出力トランジスタ17のゲートに直接接続され
ており、そしてキヤパシタC1を経て高電流、低
インピーダンス、正出力の出力トランジスタ18
のゲートに容量結合されている。トランジスタ1
6のソースは接地され、そのドレインはFET負
荷素子19を経て正電圧供給源20に結合されて
いる。トランジスタ16のドレインは又、低電
流、高インピーダンス、負出力の出力トランジス
タ21のゲートに直接結合されており、キヤパシ
タC2を経て高電流、低インピーダンス、負出力
のトランジスタ22のゲートに容量結合されてい
る。
又、トランジスタ17及び18のドレインは正
電圧供給源20に結合されており、それらのソー
スは出力14に結合されている。反対に、トラン
ジスタ21及び22のドレインは出力14に結合
されており、それらのソースは接地されている。
更に、高電流トランジスタ18及び22のゲート
は、各々接地抵抗R1及びR2を経て接地されて
いる。不能化入力12は不能化トランジスタ23
及び24のゲートに接続されており、それらのト
ランジスタのソースは接地され、ドレインは各々
出力トランジスタ17及び18並びに21及び2
2のゲートに結合されている。
電圧供給源20に結合されており、それらのソー
スは出力14に結合されている。反対に、トラン
ジスタ21及び22のドレインは出力14に結合
されており、それらのソースは接地されている。
更に、高電流トランジスタ18及び22のゲート
は、各々接地抵抗R1及びR2を経て接地されて
いる。不能化入力12は不能化トランジスタ23
及び24のゲートに接続されており、それらのト
ランジスタのソースは接地され、ドレインは各々
出力トランジスタ17及び18並びに21及び2
2のゲートに結合されている。
上記回路の動作を述べるために、入力10に加
えられる入力データ信号はOVから+5Vに上昇す
るパルスであると仮定する。しかしながら、回路
設計の分野に於て周知の如く、他の電圧及び範囲
も用いられ得ることを理解されたい。入力信号が
+5Vに上昇したとき、トランジスタ16,17
及び18のすべてがターン・オンされる。その入
力信号はトランジスタ16及び17のゲートに直
接加えられるが、トランジスタ18のゲートに
は、DCブロツキング・キヤパシタC1によつて、
その信号のAC成分だけが加えられる。トランジ
スタ16がターン・オンされると、トランジスタ
21及び22のゲート上の電圧が接地電位へ引下
げられ、OVに於てトランジスタ21及び22が
ターン・オフされる。トランジスタ17及び18
は、ターン・オンされると、出力14に電流を供
給し始めて、出力14を正に駆動し始める。トラ
ンジスタ18は、出力14を正しい新しい電圧レ
ベルに駆動させるために必要な高出力電流サージ
を供給するための高電力素子である。出力14に
設けられている母線の主要な負荷は、キヤパシタ
CLによつて表わされており、その電圧レベルを
変化させるための高い初めの電流サージを示して
いる。この高い初めの電流サージが充たされて、
出力14が所望の電圧に充電されると、その電圧
レベルを保つために、極めて小さな定常状態電流
しか必要とされず、従つて高電流素子18がシヤ
ツト・オフされ得る。キヤパシタC1及び抵抗R
1より成る回路網は、R1及びC1の大きさに依
存する或る既知速度でトランジスタ18のゲート
電圧を低下させることによつて、これを行う。ト
ランジスタ18はターン・オフされるが、ゲート
に定常状態データ信号を加えられているトランジ
スタ17はオン状態のままであり、出力14に於
ける所望の電圧レベル保つために必要な低レベル
の定常状態電流を供給する。従つて、トランジス
タ18は、初めの電流サージのための低インピー
ダンス及び高電流の径路を与え、その径路は初め
の電流サージが低下されると自動的に終了する。
えられる入力データ信号はOVから+5Vに上昇す
るパルスであると仮定する。しかしながら、回路
設計の分野に於て周知の如く、他の電圧及び範囲
も用いられ得ることを理解されたい。入力信号が
+5Vに上昇したとき、トランジスタ16,17
及び18のすべてがターン・オンされる。その入
力信号はトランジスタ16及び17のゲートに直
接加えられるが、トランジスタ18のゲートに
は、DCブロツキング・キヤパシタC1によつて、
その信号のAC成分だけが加えられる。トランジ
スタ16がターン・オンされると、トランジスタ
21及び22のゲート上の電圧が接地電位へ引下
げられ、OVに於てトランジスタ21及び22が
ターン・オフされる。トランジスタ17及び18
は、ターン・オンされると、出力14に電流を供
給し始めて、出力14を正に駆動し始める。トラ
ンジスタ18は、出力14を正しい新しい電圧レ
ベルに駆動させるために必要な高出力電流サージ
を供給するための高電力素子である。出力14に
設けられている母線の主要な負荷は、キヤパシタ
CLによつて表わされており、その電圧レベルを
変化させるための高い初めの電流サージを示して
いる。この高い初めの電流サージが充たされて、
出力14が所望の電圧に充電されると、その電圧
レベルを保つために、極めて小さな定常状態電流
しか必要とされず、従つて高電流素子18がシヤ
ツト・オフされ得る。キヤパシタC1及び抵抗R
1より成る回路網は、R1及びC1の大きさに依
存する或る既知速度でトランジスタ18のゲート
電圧を低下させることによつて、これを行う。ト
ランジスタ18はターン・オフされるが、ゲート
に定常状態データ信号を加えられているトランジ
スタ17はオン状態のままであり、出力14に於
ける所望の電圧レベル保つために必要な低レベル
の定常状態電流を供給する。従つて、トランジス
タ18は、初めの電流サージのための低インピー
ダンス及び高電流の径路を与え、その径路は初め
の電流サージが低下されると自動的に終了する。
同様に、トランジスタ16のゲートに加えられ
た電圧が0Vに低下されると、トランジスタ16
はターン・オフされ、素子19が正電圧パルスを
トランジスタ21及び22のゲート電圧に加え得
る様にして、トランジスタ21及び22がター
ン・オンされる。トランジスタ22がターン・オ
ンされると、大きな電流サージがトランジスタ2
2を経て接地電位迄低下されて、出力14が所望
の値へ迅速に引下げられる。この場合にも、キヤ
パシタC2及び抵抗R2より成る回路網のため
に、トランジスタ22のゲート電圧が接地電位に
されて、トランジスタ22がターン・オフされ、
トランジスタ19を経てトランジスタ21のゲー
トに加えられた定常状態電流がトランジスタ21
をオン状態に保つて、出力14を低レベルに保
つ。前述の如く、トランジスタ22は、出力14
が低レベルにスイツチングされる間に生じる、必
要な高電流遷移のための低インピーダンス径路を
有している。不能化入力12に正信号が加えられ
ると、トランジスタ23及び24がターン・オン
され、出力トランジスタ17及び21のゲートが
接地されて、それらの素子がターン・オフされ、
出力14が分離される。これは、出力14が出力
素子17,18,21又は22のいずれかによつ
て或る電圧にクランプされることを防ぎ、その結
果出力14は負荷CLに依存して上下に浮動する。
従つて、出力14は、その第3レベル即ち高イン
ピーダンス(undeterminate)状態にあると考え
られる。
た電圧が0Vに低下されると、トランジスタ16
はターン・オフされ、素子19が正電圧パルスを
トランジスタ21及び22のゲート電圧に加え得
る様にして、トランジスタ21及び22がター
ン・オンされる。トランジスタ22がターン・オ
ンされると、大きな電流サージがトランジスタ2
2を経て接地電位迄低下されて、出力14が所望
の値へ迅速に引下げられる。この場合にも、キヤ
パシタC2及び抵抗R2より成る回路網のため
に、トランジスタ22のゲート電圧が接地電位に
されて、トランジスタ22がターン・オフされ、
トランジスタ19を経てトランジスタ21のゲー
トに加えられた定常状態電流がトランジスタ21
をオン状態に保つて、出力14を低レベルに保
つ。前述の如く、トランジスタ22は、出力14
が低レベルにスイツチングされる間に生じる、必
要な高電流遷移のための低インピーダンス径路を
有している。不能化入力12に正信号が加えられ
ると、トランジスタ23及び24がターン・オン
され、出力トランジスタ17及び21のゲートが
接地されて、それらの素子がターン・オフされ、
出力14が分離される。これは、出力14が出力
素子17,18,21又は22のいずれかによつ
て或る電圧にクランプされることを防ぎ、その結
果出力14は負荷CLに依存して上下に浮動する。
従つて、出力14は、その第3レベル即ち高イン
ピーダンス(undeterminate)状態にあると考え
られる。
従つて、第1図に示された3状態駆動回路は、
その出力インピーダンスが出力の電圧遷移中にダ
イナミツク型に変化する回路である。ダイナミツ
ク出力トランジスタ18及び22は、出力線を所
望の電圧レベルに迅速に充電又は放電させるため
に要する高い電流サージのための低インピーダン
ス径路を与え、低電流及び高インピーダンスの定
常状態素子17及び21は出力14を所望のレベ
ルに保つために要する定常状態電流を維持する。
上述の支持回路に関連して述べた如く形成された
回路はすべて、前述の如く、謂ゆる直交状態に於
て焼損を生じる不利な点を有することなく、3状
態駆動回路に適用され得る。システム内の論理的
欠陥は、本発明に従つて形成された3状態駆動回
路を焼損させず、他の損傷も与えない。更に、テ
スト・パターンにより発生された出力に関係なく
欠陥がテストされ得るため、その様なシステムの
テスト範囲が増加され得る。
その出力インピーダンスが出力の電圧遷移中にダ
イナミツク型に変化する回路である。ダイナミツ
ク出力トランジスタ18及び22は、出力線を所
望の電圧レベルに迅速に充電又は放電させるため
に要する高い電流サージのための低インピーダン
ス径路を与え、低電流及び高インピーダンスの定
常状態素子17及び21は出力14を所望のレベ
ルに保つために要する定常状態電流を維持する。
上述の支持回路に関連して述べた如く形成された
回路はすべて、前述の如く、謂ゆる直交状態に於
て焼損を生じる不利な点を有することなく、3状
態駆動回路に適用され得る。システム内の論理的
欠陥は、本発明に従つて形成された3状態駆動回
路を焼損させず、他の損傷も与えない。更に、テ
スト・パターンにより発生された出力に関係なく
欠陥がテストされ得るため、その様なシステムの
テスト範囲が増加され得る。
第2図は、選択された定常状態電流出力トラン
ジスタがターン・オンされる前に、選択された高
電流及び低インピーダンスの出力トランジスタが
ターン・オンされ得る、本願の第2の発明に係る
実施例による回路を示す。第2図の実施例に於て
も、FETトランジスタが用いられている。この
回路には、データ入力30、不能化入力32、及
びキヤパシタCLとして表わされている容量性負
荷が結合されている出力34が設けられている。
ジスタがターン・オンされる前に、選択された高
電流及び低インピーダンスの出力トランジスタが
ターン・オンされ得る、本願の第2の発明に係る
実施例による回路を示す。第2図の実施例に於て
も、FETトランジスタが用いられている。この
回路には、データ入力30、不能化入力32、及
びキヤパシタCLとして表わされている容量性負
荷が結合されている出力34が設けられている。
この回路に於ては、データ入力30が、ソース
が接地されているトランジスタ35,51及び5
4のゲートに直接結合されている。それらの各素
子のドレインは、各々FET負荷素子33,50
及び53を経て正電圧供給源31に結合されてい
る。トランジスタ35のドレインは又、トランジ
スタ38,42,44及び47のゲートにも結合
されている。
が接地されているトランジスタ35,51及び5
4のゲートに直接結合されている。それらの各素
子のドレインは、各々FET負荷素子33,50
及び53を経て正電圧供給源31に結合されてい
る。トランジスタ35のドレインは又、トランジ
スタ38,42,44及び47のゲートにも結合
されている。
これらのトランジスタ38,42,44及び4
7のソースは各々接地されている。トランジスタ
38,44及び47のドレインは各々FET負荷
素子39,43及び46を経て正電圧供給源31
に結合されている。トランジスタ38のドレイン
は又、定常状態、高インピーダンス出力トランジ
スタ41のゲート及び不能化トランジスタ40の
ドレインにも結合されている。トランジスタ42
も高インピーダンス出力トランジスタであるが、
そのドレインが出力34に接続されている。トラ
ンジスタ44のドレインは又、トランジスタ45
のゲートにも結合されており、トランジスタ45
のドレインはトランジスタ47及び48のドレイ
ン並びに低インピーダンス、高電流出力トランジ
スタ49のゲートに接続されている。
7のソースは各々接地されている。トランジスタ
38,44及び47のドレインは各々FET負荷
素子39,43及び46を経て正電圧供給源31
に結合されている。トランジスタ38のドレイン
は又、定常状態、高インピーダンス出力トランジ
スタ41のゲート及び不能化トランジスタ40の
ドレインにも結合されている。トランジスタ42
も高インピーダンス出力トランジスタであるが、
そのドレインが出力34に接続されている。トラ
ンジスタ44のドレインは又、トランジスタ45
のゲートにも結合されており、トランジスタ45
のドレインはトランジスタ47及び48のドレイ
ン並びに低インピーダンス、高電流出力トランジ
スタ49のゲートに接続されている。
トランジスタ51のドレインは又、トランジス
タ52のゲートに接続されており、トランジスタ
52のソースは接地され、そのドレインはトラン
ジスタ54及び55のドレイン並びに低インピー
ダンス、高電流出力トランジスタ56のゲートに
接続されており、トランジスタ56のドレインが
出力34に接続されている。
タ52のゲートに接続されており、トランジスタ
52のソースは接地され、そのドレインはトラン
ジスタ54及び55のドレイン並びに低インピー
ダンス、高電流出力トランジスタ56のゲートに
接続されており、トランジスタ56のドレインが
出力34に接続されている。
不能化入力32は不能化トランジスタ36,4
0,48及び55のゲートに接続されている。
0,48及び55のゲートに接続されている。
この回路は次の如く動作する。正の信号がトラ
ンジスタ35,51及び54のゲートに加えられ
て、それらの素子がターン・オンされる。これ
は、トランジスタ38,42,44,47,52
及び56のゲートを接地電位に引下げて、それら
の素子をターン・オフさせる。トランジスタ42
及び56がターン・オフされると、出力34はも
はや接地されておらず、正電圧に上昇する状態に
ある。
ンジスタ35,51及び54のゲートに加えられ
て、それらの素子がターン・オンされる。これ
は、トランジスタ38,42,44,47,52
及び56のゲートを接地電位に引下げて、それら
の素子をターン・オフさせる。トランジスタ42
及び56がターン・オフされると、出力34はも
はや接地されておらず、正電圧に上昇する状態に
ある。
素子47がターン・オフされると、トランジス
タ49のゲートが負荷素子46を経て正のレベル
に上昇する。これは、高電流、低インピーダンス
出力トランジスタ49をターン・オンさせて、出
力34が正電圧になる。
タ49のゲートが負荷素子46を経て正のレベル
に上昇する。これは、高電流、低インピーダンス
出力トランジスタ49をターン・オンさせて、出
力34が正電圧になる。
トランジスタ45は、遅延をもたらす素子44
が完全にターン・オフされるために要する期間の
間、オフ状態に維持されている。素子44が完全
にターン・オフされると、トランジスタ45がタ
ーン・オンされ、トランジスタ49のゲートは接
地されてオフ状態になる。
が完全にターン・オフされるために要する期間の
間、オフ状態に維持されている。素子44が完全
にターン・オフされると、トランジスタ45がタ
ーン・オンされ、トランジスタ49のゲートは接
地されてオフ状態になる。
従つて、トランジスタ49はトランジスタ41
の前にターン・オンされる。トランジスタ38及
び44は一緒にターン・オフされるため、それら
のソース・フアロア・トランジスタ41及び45
が一緒にターン・オンされ、トランジスタ41
は、トランジスタ49がトランジスタ45のター
ン・オンによりそのゲートが接地されることによ
つてターン・オフされ始めると同時に、出力34
を保つために定常状態電流を供給する。
の前にターン・オンされる。トランジスタ38及
び44は一緒にターン・オフされるため、それら
のソース・フアロア・トランジスタ41及び45
が一緒にターン・オンされ、トランジスタ41
は、トランジスタ49がトランジスタ45のター
ン・オンによりそのゲートが接地されることによ
つてターン・オフされ始めると同時に、出力34
を保つために定常状態電流を供給する。
従つて、この回路は、定常状態、高インピーダ
ンス出力トランジスタ41がターン・オンされる
前に、高電流、低インピーダンス出力トランジス
タ49がターン・オンされることを可能にする。
従つて、過電流による低インピーダンス出力トラ
ンジスタ49の焼損が除かれる。
ンス出力トランジスタ41がターン・オンされる
前に、高電流、低インピーダンス出力トランジス
タ49がターン・オンされることを可能にする。
従つて、過電流による低インピーダンス出力トラ
ンジスタ49の焼損が除かれる。
負の電圧信号がトランジスタ35,51及び5
4のゲートに加えられると、それらはシヤツト・
オフされて、トランジスタ38,42,44,4
7,52及び56のゲートがすべて正になり、こ
れらのトランジスタ38,42,44,47,5
2及び56のすべてがターン・オンされ始める。
高電流、低インピーダンス素子であるトランジス
タ56は、出力34を初めに放電させるに充分な
期間の間、オン状態に維持されねばならないた
め、素子52は素子56よりも遅くターン・オン
される様に設計されるべきである。
4のゲートに加えられると、それらはシヤツト・
オフされて、トランジスタ38,42,44,4
7,52及び56のゲートがすべて正になり、こ
れらのトランジスタ38,42,44,47,5
2及び56のすべてがターン・オンされ始める。
高電流、低インピーダンス素子であるトランジス
タ56は、出力34を初めに放電させるに充分な
期間の間、オン状態に維持されねばならないた
め、素子52は素子56よりも遅くターン・オン
される様に設計されるべきである。
適当な素子が設計され得ない場合には、トラン
ジスタ52のターン・オンが遅延され得る様に、
トランジスタ51及び52の間に更に素子が設け
られ得る。
ジスタ52のターン・オンが遅延され得る様に、
トランジスタ51及び52の間に更に素子が設け
られ得る。
トランジスタ52がターン・オンされると、ト
ランジスタ56がターン・オフされる。
ランジスタ56がターン・オフされる。
正の不能化信号が入力32上に存在していると
きには、トランジスタ36,40,48及び55
がすべてターン・オンされ、出力素子41,4
2,49及び56がターン・オフされ、出力34
がクランプされることが防がれて、出力34が該
出力34に接続されている負荷CLに依存して浮
動し、その第3の状態である高インピーダンス状
態にされる。
きには、トランジスタ36,40,48及び55
がすべてターン・オンされ、出力素子41,4
2,49及び56がターン・オフされ、出力34
がクランプされることが防がれて、出力34が該
出力34に接続されている負荷CLに依存して浮
動し、その第3の状態である高インピーダンス状
態にされる。
本発明の原理はバイポーラ・トランジスタにも
用いられ得ることを理解されたい。
用いられ得ることを理解されたい。
第1図は本発明によるダイナミツク出力インピ
ーダンスを設けられた3状態駆動回路の一実施例
を示す概略図であり、第2図は本発明のもう1つ
の実施例を示す概略図である。 CL……容量性負荷、10,30……第1入力
(データ入力)、12,32……第2入力(不能化
入力)、14,34……出力、16……インバー
タFET、17……低電流、高インピーダンス、
正出力トランジスタ、18……高電流、低インピ
ーダンス、正出力トランジスタ、19,33,3
9,43,46,50,53……FET負荷素子、
20,31……正電圧供給源、21……低電流、
高インピーダンス、負出力トランジスタ、22…
…高電流、低インピーダンス、負出力トランジス
タ、23,24,36,40,48,55……不
能化トランジスタ、41,42……定常状態、高
インピーダンス出力トランジスタ、49,56…
…高電流、低インピーダンス出力トランジスタ。
ーダンスを設けられた3状態駆動回路の一実施例
を示す概略図であり、第2図は本発明のもう1つ
の実施例を示す概略図である。 CL……容量性負荷、10,30……第1入力
(データ入力)、12,32……第2入力(不能化
入力)、14,34……出力、16……インバー
タFET、17……低電流、高インピーダンス、
正出力トランジスタ、18……高電流、低インピ
ーダンス、正出力トランジスタ、19,33,3
9,43,46,50,53……FET負荷素子、
20,31……正電圧供給源、21……低電流、
高インピーダンス、負出力トランジスタ、22…
…高電流、低インピーダンス、負出力トランジス
タ、23,24,36,40,48,55……不
能化トランジスタ、41,42……定常状態、高
インピーダンス出力トランジスタ、49,56…
…高電流、低インピーダンス出力トランジスタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 入力信号手段と、 ゲートが上記入力信号手段へ接続され、ドレイ
ンが電源へ接続され、ソースが容量性負荷へ接続
されている第1のトランジスタと、 ドレインが上記電源へ接続され、ソースが上記
容量性負荷へ接続された、上記第1のトランジス
タと並列に配置された第2のトランジスタと、 上記第2のトランジスタのゲートと上記信号入
力手段との間に設けられた容量と上記第2のトラ
ンジスタのゲートと接地との間に設けられた抵抗
とを有し、上記第2のトランジスタのゲートへの
信号が印加されてから所定時間後に上記第2のト
ランジスタのゲートへの入力信号を減ずるタイミ
ング信号変更手段と、 を有する駆動回路。 2 入力信号手段と、 ゲートが上記入力信号手段へ接続され、ドレイ
ンが電源へ接続され、ソースが容量性負荷へ接続
されている第1のトランジスタと、 ゲートが負荷素子を介して上記電源に接続さ
れ、ドレインが上記電源へ接続され、ソースが上
記容量性負荷へ接続された、上記第1のトランジ
スタと並列に配置された第2のトランジスタと、 上記第2のトランジスタのゲートと接地との間
に設けられて上記入力信号手段からの信号により
オフして第2のトランジスタのゲートを上記電源
に接続した状態とする第1のスイツチ手段と、上
記第2のトランジスタのゲートと接地との間に設
けられた第2のスイツチ手段と、上記第2のスイ
ツチ手段と上記入力信号手段との間に設けられて
上記入力信号手段から入力される信号を遅延させ
て上記第2のスイツチ手段に入力させる遅延素子
とを有し、上記第2のトランジスタのゲートへの
電圧が印加されてから所定時間後に上記第2のス
イツチ手段をオンさせることにより上記第2のト
ランジスタのゲートを接地へ接続するタイミング
信号変更手段と、 を有する駆動回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/362,828 US4477741A (en) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | Dynamic output impedance for 3-state drivers |
| US362828 | 1982-03-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58172022A JPS58172022A (ja) | 1983-10-08 |
| JPH0345933B2 true JPH0345933B2 (ja) | 1991-07-12 |
Family
ID=23427698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58039324A Granted JPS58172022A (ja) | 1982-03-29 | 1983-03-11 | 駆動回路 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4477741A (ja) |
| EP (1) | EP0090255B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58172022A (ja) |
| DE (1) | DE3372244D1 (ja) |
Families Citing this family (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1210961B (it) * | 1982-12-17 | 1989-09-29 | Ates Componenti Elettron | Interfaccia d'uscita per circuito logico a tre stati in circuito integrato a transistori "mos". |
| JPS59171138A (ja) * | 1983-03-17 | 1984-09-27 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| NL8303835A (nl) * | 1983-11-08 | 1985-06-03 | Philips Nv | Digitale signaalomkeerschakeling. |
| US4712021A (en) * | 1985-06-28 | 1987-12-08 | Deutsche Itt Industries Gmbh | Cmos inverter |
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| JPS62193316A (ja) * | 1986-02-19 | 1987-08-25 | Sony Corp | 出力回路 |
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| TWI278800B (en) * | 2004-10-28 | 2007-04-11 | Au Optronics Corp | Current-driven OLED panel and related pixel structure |
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| JP6982127B2 (ja) * | 2020-04-20 | 2021-12-17 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体記憶装置 |
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| US4178620A (en) * | 1977-10-11 | 1979-12-11 | Signetics Corporation | Three state bus driver with protection circuitry |
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-
1982
- 1982-03-29 US US06/362,828 patent/US4477741A/en not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-03-11 JP JP58039324A patent/JPS58172022A/ja active Granted
- 1983-03-15 EP EP83102543A patent/EP0090255B1/de not_active Expired
- 1983-03-15 DE DE8383102543T patent/DE3372244D1/de not_active Expired
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| EP0090255A3 (en) | 1984-10-17 |
| EP0090255A2 (de) | 1983-10-05 |
| JPS58172022A (ja) | 1983-10-08 |
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