JPH0346233A - バンプの製造方法 - Google Patents
バンプの製造方法Info
- Publication number
- JPH0346233A JPH0346233A JP1181336A JP18133689A JPH0346233A JP H0346233 A JPH0346233 A JP H0346233A JP 1181336 A JP1181336 A JP 1181336A JP 18133689 A JP18133689 A JP 18133689A JP H0346233 A JPH0346233 A JP H0346233A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bump
- photoresist
- bumps
- substrate
- barrier metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体チップのような半導体装置を基板に取り
付ける際に使用されるバンプの製造方法に関するもので
ある。
付ける際に使用されるバンプの製造方法に関するもので
ある。
（従来の技術）
テープキャリア方式、７リツプチツプ方式等にかいてチ
ップを基板に取り付ける際バンプが使用されてかり、通
常はチップのパッド上に形成されているが、フィンガー
の先端に形成される場合もある。
ップを基板に取り付ける際バンプが使用されてかり、通
常はチップのパッド上に形成されているが、フィンガー
の先端に形成される場合もある。
第２図及び第８図はチップのパッド上に形成し九例であ
って、第２図はバンプの断面形状がマツシュルーム形状
の場合であり、第３図はバンプの断面の壁面が垂直の場
合である。両図に訃いて、例えばシリコンのような基板
１の表面には回路が形成され、端子の部分には例えばＡ
ｔのような金属によりパッド８が設けられ、その上にバ
リヤ金属４を介してメツキによりバンプ５が形成される
。
って、第２図はバンプの断面形状がマツシュルーム形状
の場合であり、第３図はバンプの断面の壁面が垂直の場
合である。両図に訃いて、例えばシリコンのような基板
１の表面には回路が形成され、端子の部分には例えばＡ
ｔのような金属によりパッド８が設けられ、その上にバ
リヤ金属４を介してメツキによりバンプ５が形成される
。
前記のバンプの形状は、メツキ形成するときの７オトレ
ジストの膜厚で決定される。すなわち、フォトレジスト
の膜厚がバンプの高さより小さい場合は、＠２図のよう
なマツシュルーム状となり、７オトレジストの膜厚がバ
ンプの高さより大きいと第８図のような壁面が垂直のも
のとなる。なおバンプ以外の部分は絶ａ！２によって覆
われている。
ジストの膜厚で決定される。すなわち、フォトレジスト
の膜厚がバンプの高さより小さい場合は、＠２図のよう
なマツシュルーム状となり、７オトレジストの膜厚がバ
ンプの高さより大きいと第８図のような壁面が垂直のも
のとなる。なおバンプ以外の部分は絶ａ！２によって覆
われている。
（発明が解決しようとする課題）
バンプの高さは、外部回路と接続のため、約２０μｍ必
要であるが、５第２図のようなマツシュルーム状のもの
を形成するときは、フォトレジストの厚さが通常２〜３
μｍ位であり、バンプの高さより小さい。従って、パッ
ド上のフォトレジストを除去し、メツキによりバンプを
形成すると、パッド上に高さ方向に成長するが、フォト
レジストの表面にも横方向に成長する。このため、隣の
バンプとのシ璽−トを防ぐには、横方向の成長弁だけ、
すなわち、バンプ高さ２０ ／７ ｍ、フォトレジスト
厚２μｍとして横方向の成長弁１８μｍの２倍以上の約
４０ｐｍ、隣のバンプとの間を離す必要がある。従って
、バンブ電極数が多くなると、チップサイズが大きくな
り不利である。また、フォトレジストが薄いため、工程
の途中で摩擦により剥離が生じる虞れがある。
要であるが、５第２図のようなマツシュルーム状のもの
を形成するときは、フォトレジストの厚さが通常２〜３
μｍ位であり、バンプの高さより小さい。従って、パッ
ド上のフォトレジストを除去し、メツキによりバンプを
形成すると、パッド上に高さ方向に成長するが、フォト
レジストの表面にも横方向に成長する。このため、隣の
バンプとのシ璽−トを防ぐには、横方向の成長弁だけ、
すなわち、バンプ高さ２０ ／７ ｍ、フォトレジスト
厚２μｍとして横方向の成長弁１８μｍの２倍以上の約
４０ｐｍ、隣のバンプとの間を離す必要がある。従って
、バンブ電極数が多くなると、チップサイズが大きくな
り不利である。また、フォトレジストが薄いため、工程
の途中で摩擦により剥離が生じる虞れがある。
第８図のような壁面が垂直のバンプは、通常ネガタイプ
の７オトレジストの厚さをバンプの高さより大きくして
形成する。バンプの高さを２０μｍとすると、フォトレ
ジストの厚さは２５〜８０μｍ必要となる。この厚いフ
ォトレジストに穴ヲ明けてパッドの上にメツキするので
あるが、このとき、メツキ液が穴明けされた部分に十分
に入り込めず、メツキが付着しないことがある。またフ
ォトレジストを現像し不要な部分を除去して穴を明ける
とき、フォトレジストがう１く除去されず、スカムと呼
ばれるレジスト残渣が残る。そのため、現像の後に通常
スカム除去工程が必要となる。
の７オトレジストの厚さをバンプの高さより大きくして
形成する。バンプの高さを２０μｍとすると、フォトレ
ジストの厚さは２５〜８０μｍ必要となる。この厚いフ
ォトレジストに穴ヲ明けてパッドの上にメツキするので
あるが、このとき、メツキ液が穴明けされた部分に十分
に入り込めず、メツキが付着しないことがある。またフ
ォトレジストを現像し不要な部分を除去して穴を明ける
とき、フォトレジストがう１く除去されず、スカムと呼
ばれるレジスト残渣が残る。そのため、現像の後に通常
スカム除去工程が必要となる。
以上のようにマツシュルーム状のバンプは、接続される
部分の面積は広くなるが、チップサイズが大きくなり、
工程上の事故の危険性があり、壁面垂直のバンプは横方
向に成長しないので、チップサイズは小さくなるが、工
程が多くなりかつ事故の危険性がある。
部分の面積は広くなるが、チップサイズが大きくなり、
工程上の事故の危険性があり、壁面垂直のバンプは横方
向に成長しないので、チップサイズは小さくなるが、工
程が多くなりかつ事故の危険性がある。
（課題を解決するための手段）
バンプを形成するとき基板上に塗布する７オトレジスト
の厚さを５μｍ以上でかつバンプの高さより小さくした
。
の厚さを５μｍ以上でかつバンプの高さより小さくした
。
（作 用）
以上のようにすることにより、バンプの横方向の成長を
小さくすることができ、しかもマツシュルーム状のバン
プを形成することができる。
小さくすることができ、しかもマツシュルーム状のバン
プを形成することができる。
（実施例）
ｗ、１図は本発明の一実施例の断面図である。基板真の
表面のパッド８及びパシベイシ璽ン用の絶縁膜２の表面
に例えばスパッタリングによりバリヤ金Ｍ４の被膜を設
ける。次にポジタイプ又はネガタイプの７オトレジスト
６を全面に例えば１５μｍの厚さに塗布し、フォトリン
グラフィによりパッド８の上部にバリヤ金属４に達する
穴を明け、この部分にバンブ金属例えばＡｕを２０μｍ
の厚さにメツキする。その後点線で示されるフォトレジ
スト６及びバンプ以外の部分のバリヤ金属４を除去する
と、第１図の実線で示されるようなバンプ５が形成され
る。この場合マツシュルーム状のバンプ５の頂部の張り
出しは約５μｍとなる。張り出しの大きさが小さ過ぎる
と、接触面積が小さくなるので、約５μｍ以上が望まし
い。
表面のパッド８及びパシベイシ璽ン用の絶縁膜２の表面
に例えばスパッタリングによりバリヤ金Ｍ４の被膜を設
ける。次にポジタイプ又はネガタイプの７オトレジスト
６を全面に例えば１５μｍの厚さに塗布し、フォトリン
グラフィによりパッド８の上部にバリヤ金属４に達する
穴を明け、この部分にバンブ金属例えばＡｕを２０μｍ
の厚さにメツキする。その後点線で示されるフォトレジ
スト６及びバンプ以外の部分のバリヤ金属４を除去する
と、第１図の実線で示されるようなバンプ５が形成され
る。この場合マツシュルーム状のバンプ５の頂部の張り
出しは約５μｍとなる。張り出しの大きさが小さ過ぎる
と、接触面積が小さくなるので、約５μｍ以上が望まし
い。
（発明の効果）
従来の方法であれば、マツシュルーム状のバンプを形成
するとき、隣のバンプとの間隔を約５μｍ以上離さなけ
ればならなかったものを、本発明によれば約５μｍ以上
迄短かくすることができる。また、本発明によれば、７
オトレジストの厚さが比較的大きいため、剥離すること
が少なく、また、穴が浅いのでメツキ液が穴に入り易く
、また、スカム除去の必要もなくなる。
するとき、隣のバンプとの間隔を約５μｍ以上離さなけ
ればならなかったものを、本発明によれば約５μｍ以上
迄短かくすることができる。また、本発明によれば、７
オトレジストの厚さが比較的大きいため、剥離すること
が少なく、また、穴が浅いのでメツキ液が穴に入り易く
、また、スカム除去の必要もなくなる。
更に、現在主流であるマツシュルーム状バンプ用のポジ
タイプフォトレジストの既存設備がその１１使用できる
。すなわち、フォトレジストの厚さを２０μｍ以上とす
る場合、レジストの種類はネガタイプとなるが、１５１
ｔ ｍ程度筐でであればポジタイプのレジストで対応で
きる。従って、従来のマツシュルーム状のバンプ形成に
用いられていたポジタイプ用の設備が利用できる。
タイプフォトレジストの既存設備がその１１使用できる
。すなわち、フォトレジストの厚さを２０μｍ以上とす
る場合、レジストの種類はネガタイプとなるが、１５１
ｔ ｍ程度筐でであればポジタイプのレジストで対応で
きる。従って、従来のマツシュルーム状のバンプ形成に
用いられていたポジタイプ用の設備が利用できる。
な釦、本発明によれば、例えば４００ビンのチップでは
、チップサイズが一辺あたり約３ＩＩＩＩ＋も小さくで
き、大幅なコストダウンとなる。
、チップサイズが一辺あたり約３ＩＩＩＩ＋も小さくで
き、大幅なコストダウンとなる。
第１図は本発明の一実施例によるバンプの断面図、第２
図及び第３図は従来のバンプの断面図である。
図及び第３図は従来のバンプの断面図である。
Claims (1)
- １、バンプを形成するとき、基板上に塗布するフォトレ
ジストの厚さを５μｍ以上でかつバンプの高さより小さ
くしたことを特徴とするバンプの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01181336A JP3027586B2 (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | バンプの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01181336A JP3027586B2 (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | バンプの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0346233A true JPH0346233A (ja) | 1991-02-27 |
| JP3027586B2 JP3027586B2 (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=16098917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01181336A Expired - Fee Related JP3027586B2 (ja) | 1989-07-13 | 1989-07-13 | バンプの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3027586B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100382377B1 (ko) * | 1999-06-10 | 2003-05-01 | 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 | 범프 전사 기판, 그 제조방법, 반도체 장치, 및 그제조방법 |
| KR100534219B1 (ko) * | 1999-07-02 | 2005-12-08 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62266851A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-19 | Nec Corp | 半田バンプ電極の形成方法 |
| JPS6329940A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-08 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63119550A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-24 | Seiko Instr & Electronics Ltd | はんだバンプの形成方法 |
| JPS63237445A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6417449A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | Fuji Electric Co Ltd | Formation of bump electrode of semiconductor device |
-
1989
- 1989-07-13 JP JP01181336A patent/JP3027586B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62266851A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-19 | Nec Corp | 半田バンプ電極の形成方法 |
| JPS6329940A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-08 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63119550A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-24 | Seiko Instr & Electronics Ltd | はんだバンプの形成方法 |
| JPS63237445A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6417449A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | Fuji Electric Co Ltd | Formation of bump electrode of semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100382377B1 (ko) * | 1999-06-10 | 2003-05-01 | 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 | 범프 전사 기판, 그 제조방법, 반도체 장치, 및 그제조방법 |
| KR100534219B1 (ko) * | 1999-07-02 | 2005-12-08 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3027586B2 (ja) | 2000-04-04 |
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Legal Events
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