JPH10107037A - 突起電極の形成方法 - Google Patents
突起電極の形成方法Info
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- JPH10107037A JPH10107037A JP8278617A JP27861796A JPH10107037A JP H10107037 A JPH10107037 A JP H10107037A JP 8278617 A JP8278617 A JP 8278617A JP 27861796 A JP27861796 A JP 27861796A JP H10107037 A JPH10107037 A JP H10107037A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 はんだからなるほぼ球状の突起電極の高さを
より高くしてもファインピッチ化を図ることができるよ
うにする。 【解決手段】 下地金属層１５上に第１及び第２メッキ
レジスト層１６、１８を形成し、はんだの電解メッキを
行う。すると、第２メッキレジスト層１８の開口部１９
が第１メッキレジスト層１６の開口部１７よりも大きい
ので、図１（Ｂ）において点線で示すように、第２メッ
キレジスト層１８の開口部１９内においてはんだメッキ
が等方的に堆積され、次いでこの等方的な堆積が続行さ
れることにより、第１及び第２メッキレジスト層１６、
１８の開口部１７、１９内に形成された突起電極２０の
上部が第２メッキレジスト層１８の開口部１９の上方に
盛り上がることになる。この場合、図１（Ｂ）において
点線で示すきのこ形状の傘の部分の周囲が第２メッキレ
ジスト層１８の開口部１９内壁によってそれ以上の広が
りを規制されることになる。
より高くしてもファインピッチ化を図ることができるよ
うにする。 【解決手段】 下地金属層１５上に第１及び第２メッキ
レジスト層１６、１８を形成し、はんだの電解メッキを
行う。すると、第２メッキレジスト層１８の開口部１９
が第１メッキレジスト層１６の開口部１７よりも大きい
ので、図１（Ｂ）において点線で示すように、第２メッ
キレジスト層１８の開口部１９内においてはんだメッキ
が等方的に堆積され、次いでこの等方的な堆積が続行さ
れることにより、第１及び第２メッキレジスト層１６、
１８の開口部１７、１９内に形成された突起電極２０の
上部が第２メッキレジスト層１８の開口部１９の上方に
盛り上がることになる。この場合、図１（Ｂ）において
点線で示すきのこ形状の傘の部分の周囲が第２メッキレ
ジスト層１８の開口部１９内壁によってそれ以上の広が
りを規制されることになる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、はんだ等の低融
点金属からなるほぼ球状の突起電極の形成方法に関す
る。
点金属からなるほぼ球状の突起電極の形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】例えばフリップチップ方式と呼ばれる半
導体チップの実装技術では、半導体チップの接続パッド
上に形成されたはんだ等の低融点金属からなるほぼ球状
の突起電極を回路基板上に形成された接続パッド上に載
置し、熱処理を行うことによりはんだをリフロー(reflo
w)してボンディングを行っている。したがって、半導体
チップにははんだ等の低融点金属からなるほぼ球状の突
起電極を形成する必要がある。
導体チップの実装技術では、半導体チップの接続パッド
上に形成されたはんだ等の低融点金属からなるほぼ球状
の突起電極を回路基板上に形成された接続パッド上に載
置し、熱処理を行うことによりはんだをリフロー(reflo
w)してボンディングを行っている。したがって、半導体
チップにははんだ等の低融点金属からなるほぼ球状の突
起電極を形成する必要がある。
【０００３】次に、従来のこのような突起電極の形成方
法について図８を参照しながら説明する。まず、図８
（Ａ）に示すように、シリコン基板１上に接続パッド２
が形成され、その上面において接続パッド２の中央部を
除く部分に保護膜３が形成され、接続パッド２の中央部
が保護膜３に形成された円形の開口部４を介して露出さ
れたものを用意する。次に、図８（Ｂ）に示すように、
上面全体に下地金属層５を形成する。次に、下地金属層
５の上面にメッキレジスト層６を形成するとともに、こ
のメッキレジスト層６の接続パッド２に対応する部分に
円形の開口部７を形成する。
法について図８を参照しながら説明する。まず、図８
（Ａ）に示すように、シリコン基板１上に接続パッド２
が形成され、その上面において接続パッド２の中央部を
除く部分に保護膜３が形成され、接続パッド２の中央部
が保護膜３に形成された円形の開口部４を介して露出さ
れたものを用意する。次に、図８（Ｂ）に示すように、
上面全体に下地金属層５を形成する。次に、下地金属層
５の上面にメッキレジスト層６を形成するとともに、こ
のメッキレジスト層６の接続パッド２に対応する部分に
円形の開口部７を形成する。
【０００４】次に、下地金属層５をメッキ電流路として
はんだの電解メッキを行うことにより、メッキレジスト
層６の開口部７内の下地金属層５の上面にはんだからな
る突起電極８を形成する。この場合、メッキレジスト層
６上においてはんだメッキが等方的に堆積される。この
ため、この段階における突起電極８の形状はきのこ形状
となる。この段階において突起電極８の形状をきのこ形
状とするのは、メッキレジスト層６の膜厚に限界があ
り、その上限が例えば５０μｍ程度であっても、このメ
ッキレジスト層６の膜厚を越えて堆積させてメッキ金属
の体積を大きくし、これにより後で説明する最終的な突
起電極の高さをより高くするためである。次に、メッキ
レジスト層６を剥離する。次に、突起電極８をマスクと
して下地金属層５の不要な部分をエッチングして除去す
ると、図８（Ｃ）に示すように、突起電極８下にのみ下
地金属層５が残存される。次に、図８（Ｄ）に示すよう
に、熱処理を行うと、きのこ形状の突起電極８が溶融し
た後表面張力により丸まってほぼ球状となり、この状態
で固化することにより、ほぼ球状の突起電極８ａが形成
される。このときに、突起電極８ａは熱処理によりほぼ
球状となるので、前述のメッキ金属の体積が大きいほど
この突起電極８ａの高さが高くなる。
はんだの電解メッキを行うことにより、メッキレジスト
層６の開口部７内の下地金属層５の上面にはんだからな
る突起電極８を形成する。この場合、メッキレジスト層
６上においてはんだメッキが等方的に堆積される。この
ため、この段階における突起電極８の形状はきのこ形状
となる。この段階において突起電極８の形状をきのこ形
状とするのは、メッキレジスト層６の膜厚に限界があ
り、その上限が例えば５０μｍ程度であっても、このメ
ッキレジスト層６の膜厚を越えて堆積させてメッキ金属
の体積を大きくし、これにより後で説明する最終的な突
起電極の高さをより高くするためである。次に、メッキ
レジスト層６を剥離する。次に、突起電極８をマスクと
して下地金属層５の不要な部分をエッチングして除去す
ると、図８（Ｃ）に示すように、突起電極８下にのみ下
地金属層５が残存される。次に、図８（Ｄ）に示すよう
に、熱処理を行うと、きのこ形状の突起電極８が溶融し
た後表面張力により丸まってほぼ球状となり、この状態
で固化することにより、ほぼ球状の突起電極８ａが形成
される。このときに、突起電極８ａは熱処理によりほぼ
球状となるので、前述のメッキ金属の体積が大きいほど
この突起電極８ａの高さが高くなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のこの
ような突起電極の形成方法では、ほぼ球状の突起電極８
ａの高さをより高くしようとする場合、きのこ形状の突
起電極８の傘の部分の高さをより高くして、メッキ体積
を大きくすることになる。しかしながら、きのこ形状の
突起電極８の傘の部分の高さをより高くすると、該傘の
部分の広がりもより大きくなるので、隣接する突起電極
８間でのショートを防止するためにこれらの間の間隔を
広げる必要があり、ひいてはファインピッチ化が困難に
なるという問題があった。この発明の課題は、突起電極
の高さをより高くしてもファインピッチ化を図ることが
できるようにすることである。
ような突起電極の形成方法では、ほぼ球状の突起電極８
ａの高さをより高くしようとする場合、きのこ形状の突
起電極８の傘の部分の高さをより高くして、メッキ体積
を大きくすることになる。しかしながら、きのこ形状の
突起電極８の傘の部分の高さをより高くすると、該傘の
部分の広がりもより大きくなるので、隣接する突起電極
８間でのショートを防止するためにこれらの間の間隔を
広げる必要があり、ひいてはファインピッチ化が困難に
なるという問題があった。この発明の課題は、突起電極
の高さをより高くしてもファインピッチ化を図ることが
できるようにすることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、上面に接続
パッドが形成された基板上に、前記接続パッドに対応す
る部分に開口部を有する第１メッキレジスト層を形成
し、該第１メッキレジスト層上に、該第１メッキレジス
ト層の開口部に対応する部分に該開口部よりも大きめの
開口部を有する第２メッキレジスト層を形成し、前記第
１及び第２メッキレジスト層の開口部内にメッキにより
低融点金属からなる突起電極を形成し、前記第１及び第
２メッキレジスト層を剥離し、熱処理により前記突起電
極の形状をほぼ球状とするようにしたものである。
パッドが形成された基板上に、前記接続パッドに対応す
る部分に開口部を有する第１メッキレジスト層を形成
し、該第１メッキレジスト層上に、該第１メッキレジス
ト層の開口部に対応する部分に該開口部よりも大きめの
開口部を有する第２メッキレジスト層を形成し、前記第
１及び第２メッキレジスト層の開口部内にメッキにより
低融点金属からなる突起電極を形成し、前記第１及び第
２メッキレジスト層を剥離し、熱処理により前記突起電
極の形状をほぼ球状とするようにしたものである。
【０００７】この発明によれば、第２メッキレジスト層
の開口部の大きさが第１メッキレジスト層の開口部の大
きさよりも大きいので、第２メッキレジスト層の開口部
内においてメッキが等方的に堆積されてきのこ形状とな
り、しかもこのきのこ形状の傘の部分の周囲が第２メッ
キレジスト層の開口部内壁によってそれ以上の広がりを
規制されることになり、したがって突起電極の高さをよ
り高くしてもファインピッチ化を図ることができる。
の開口部の大きさが第１メッキレジスト層の開口部の大
きさよりも大きいので、第２メッキレジスト層の開口部
内においてメッキが等方的に堆積されてきのこ形状とな
り、しかもこのきのこ形状の傘の部分の周囲が第２メッ
キレジスト層の開口部内壁によってそれ以上の広がりを
規制されることになり、したがって突起電極の高さをよ
り高くしてもファインピッチ化を図ることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれこ
の発明の第１実施形態における突起電極の各形成工程を
示したものである。そこで、これらの図を順に参照しな
がら、この第１実施形態における突起電極の形成方法に
ついて説明する。
の発明の第１実施形態における突起電極の各形成工程を
示したものである。そこで、これらの図を順に参照しな
がら、この第１実施形態における突起電極の形成方法に
ついて説明する。
【０００９】まず、図１（Ａ）に示すように、シリコン
基板１１上に接続パッド１２が形成され、その上面にお
いて接続パッド１２の中央部を除く部分に保護膜１３が
形成され、接続パッド１２の中央部が保護膜１３に形成
された円形の開口部１４を介して露出されたものを用意
する。次に、図１（Ｂ）に示すように、上面全体に下地
金属層１５を形成する。次に、下地金属層１５の上面に
ネガ型の第１メッキレジスト層１６を形成するととも
に、この第１メッキレジスト層１６の接続パッド１２に
対応する部分に円形の開口部１７を形成する。次に、第
１メッキレジスト層１６の上面にネガ型の第２メッキレ
ジスト層１８を形成するとともに、この第２メッキレジ
スト層１８において第１メッキレジスト層１６の開口部
１７に対応する部分に該開口部１７よりも所定量だけ大
きめの円形の開口部１９を形成する。
基板１１上に接続パッド１２が形成され、その上面にお
いて接続パッド１２の中央部を除く部分に保護膜１３が
形成され、接続パッド１２の中央部が保護膜１３に形成
された円形の開口部１４を介して露出されたものを用意
する。次に、図１（Ｂ）に示すように、上面全体に下地
金属層１５を形成する。次に、下地金属層１５の上面に
ネガ型の第１メッキレジスト層１６を形成するととも
に、この第１メッキレジスト層１６の接続パッド１２に
対応する部分に円形の開口部１７を形成する。次に、第
１メッキレジスト層１６の上面にネガ型の第２メッキレ
ジスト層１８を形成するとともに、この第２メッキレジ
スト層１８において第１メッキレジスト層１６の開口部
１７に対応する部分に該開口部１７よりも所定量だけ大
きめの円形の開口部１９を形成する。
【００１０】次に、下地金属層１５をメッキ電流路とし
てはんだ（低融点金属）の電解メッキを行う。すると、
まず、第１メッキレジスト層１６の開口部１７内の下地
金属層１５の上面にはんだメッキが堆積される。次に、
第２メッキレジスト層１８の開口部１９の大きさが第１
メッキレジスト層１６の開口部１７の大きさよりも大き
いので、図１（Ｂ）において点線で示すように、第２メ
ッキレジスト層１８の開口部１９内においてはんだメッ
キが等方的に堆積される。次に、この等方的な堆積が続
行されることにより、第１及び第２メッキレジスト層１
６、１８の開口部１７、１９内に形成された突起電極２
０の上部が第２メッキレジスト層１８の開口部１９の上
方に盛り上がることになる。この場合、第２メッキレジ
スト層１８の開口部１９内においてはんだメッキが等方
的に堆積されるとき、図１（Ｂ）において点線で示すき
のこ形状の傘の部分の周囲が第２メッキレジスト層１８
の開口部１９内壁によってそれ以上の広がりを規制され
ることになる。したがって、この段階における突起電極
２０の形状は、図８（Ｂ）に示す従来の場合とはやや異
なるが、一応きのこ形状となる。
てはんだ（低融点金属）の電解メッキを行う。すると、
まず、第１メッキレジスト層１６の開口部１７内の下地
金属層１５の上面にはんだメッキが堆積される。次に、
第２メッキレジスト層１８の開口部１９の大きさが第１
メッキレジスト層１６の開口部１７の大きさよりも大き
いので、図１（Ｂ）において点線で示すように、第２メ
ッキレジスト層１８の開口部１９内においてはんだメッ
キが等方的に堆積される。次に、この等方的な堆積が続
行されることにより、第１及び第２メッキレジスト層１
６、１８の開口部１７、１９内に形成された突起電極２
０の上部が第２メッキレジスト層１８の開口部１９の上
方に盛り上がることになる。この場合、第２メッキレジ
スト層１８の開口部１９内においてはんだメッキが等方
的に堆積されるとき、図１（Ｂ）において点線で示すき
のこ形状の傘の部分の周囲が第２メッキレジスト層１８
の開口部１９内壁によってそれ以上の広がりを規制され
ることになる。したがって、この段階における突起電極
２０の形状は、図８（Ｂ）に示す従来の場合とはやや異
なるが、一応きのこ形状となる。
【００１１】次に、第２メッキレジスト層１８及び第１
メッキレジスト層１６を剥離する。次に、突起電極２０
をマスクとして下地金属層１５の不要な部分をエッチン
グして除去すると、図１（Ｃ）に示すように、突起電極
２０下にのみ下地金属層１５が残存される。次に、図１
（Ｄ）に示すように、熱処理を行うと、きのこ形状の突
起電極２０が溶融した後表面張力により丸まってほぼ球
状となり、この状態で固化することにより、ほぼ球状の
突起電極２０ａが形成される。
メッキレジスト層１６を剥離する。次に、突起電極２０
をマスクとして下地金属層１５の不要な部分をエッチン
グして除去すると、図１（Ｃ）に示すように、突起電極
２０下にのみ下地金属層１５が残存される。次に、図１
（Ｄ）に示すように、熱処理を行うと、きのこ形状の突
起電極２０が溶融した後表面張力により丸まってほぼ球
状となり、この状態で固化することにより、ほぼ球状の
突起電極２０ａが形成される。
【００１２】ところで、図１（Ｂ）において、第２メッ
キレジスト層１８を設けずに、第１メッキレジスト層１
６のみを設けた場合には、図８（Ｂ）に示す従来の場合
と同様に、図１（Ｂ）において点線で示す突起電極が形
成されることになる。これに対して、第２メッキレジス
ト層１８を設けた場合には、図１（Ｂ）において点線で
示すきのこ形状の傘の部分の高さを第２メッキレジスト
層１８の厚さに相当する分だけ高くすることができる。
しかも、第２メッキレジスト層１８の開口部１９内にお
いてはんだメッキが等方的に堆積されとき、図１（Ｂ）
において点線で示すきのこ形状の傘の部分の周囲が第２
メッキレジスト層１８の開口部１８内壁によってそれ以
上の広がりを規制されることになる。このように、図１
（Ｂ）に示す突起電極２０の場合には、メッキ金属の体
積を大きくするためにきのこ形状の傘の部分の高さを高
くしても、この傘の部分が不要に広がらないようにする
ことができ、隣接する突起電極２０間でのショートを確
実に防止することができる。この結果、図１（Ｄ）に示
す突起電極２０ａの高さをより高くしても、ショートを
回避しながらファインピッチ化を図ることができること
になる。
キレジスト層１８を設けずに、第１メッキレジスト層１
６のみを設けた場合には、図８（Ｂ）に示す従来の場合
と同様に、図１（Ｂ）において点線で示す突起電極が形
成されることになる。これに対して、第２メッキレジス
ト層１８を設けた場合には、図１（Ｂ）において点線で
示すきのこ形状の傘の部分の高さを第２メッキレジスト
層１８の厚さに相当する分だけ高くすることができる。
しかも、第２メッキレジスト層１８の開口部１９内にお
いてはんだメッキが等方的に堆積されとき、図１（Ｂ）
において点線で示すきのこ形状の傘の部分の周囲が第２
メッキレジスト層１８の開口部１８内壁によってそれ以
上の広がりを規制されることになる。このように、図１
（Ｂ）に示す突起電極２０の場合には、メッキ金属の体
積を大きくするためにきのこ形状の傘の部分の高さを高
くしても、この傘の部分が不要に広がらないようにする
ことができ、隣接する突起電極２０間でのショートを確
実に防止することができる。この結果、図１（Ｄ）に示
す突起電極２０ａの高さをより高くしても、ショートを
回避しながらファインピッチ化を図ることができること
になる。
【００１３】なお、上記第１実施形態では、図１（Ｂ）
に示すように、第１メッキレジスト層１６と第２メッキ
レジスト層１８の各厚さをほぼ同じとした場合について
説明したが、これに限定されるものではない。例えば、
図２に示す第２実施形態のように、第１メッキレジスト
層１６の厚さを薄くしてもよい。このようにしても、第
２メッキレジスト層１８の厚さが図８（Ｂ）に示す従来
例におけるメッキレジスト層６の厚さと同じであれば、
突起電極２０の体積が大きくなり、ほぼ球状の突起電極
の高さをより高くすることができる。この場合、厚さの
薄い第１メッキレジスト層１６の材料として粘度の低い
安価なレジストを用いることもできる。なお、第１及び
第２メッキレジスト層１６、１８の材料として粘度や材
質等が異なるものを用いる場合には、同じ剥離液で剥離
されるものを用いる方が望ましい。また、例えば、図３
に示す第３実施形態のように、第２メッキレジスト層１
８をほぼ同じ厚さの２層のメッキレジスト層１８ａ、１
８ｂによって構成するようにしてもよい。この場合、２
層のメッキレジスト層１８ａ、１８ｂには同じ大きさの
開口部１９ａ、１９ｂが形成されている。
に示すように、第１メッキレジスト層１６と第２メッキ
レジスト層１８の各厚さをほぼ同じとした場合について
説明したが、これに限定されるものではない。例えば、
図２に示す第２実施形態のように、第１メッキレジスト
層１６の厚さを薄くしてもよい。このようにしても、第
２メッキレジスト層１８の厚さが図８（Ｂ）に示す従来
例におけるメッキレジスト層６の厚さと同じであれば、
突起電極２０の体積が大きくなり、ほぼ球状の突起電極
の高さをより高くすることができる。この場合、厚さの
薄い第１メッキレジスト層１６の材料として粘度の低い
安価なレジストを用いることもできる。なお、第１及び
第２メッキレジスト層１６、１８の材料として粘度や材
質等が異なるものを用いる場合には、同じ剥離液で剥離
されるものを用いる方が望ましい。また、例えば、図３
に示す第３実施形態のように、第２メッキレジスト層１
８をほぼ同じ厚さの２層のメッキレジスト層１８ａ、１
８ｂによって構成するようにしてもよい。この場合、２
層のメッキレジスト層１８ａ、１８ｂには同じ大きさの
開口部１９ａ、１９ｂが形成されている。
【００１４】ところで、突起電極を有する半導体チップ
は、図１（Ｄ）を参照しながら説明すると、直方体形状
のシリコン基板１１の所定の一面の周囲に複数の突起電
極２０ａが配列形成され、同所定の一面の他の部分に保
護膜１３が設けられた構造となっている。したがって、
例えば図１（Ｂ）に示す工程において下地金属層１５上
に第１メッキレジスト層１６のみを形成した状態におけ
るシリコン基板１１の所定の一面は、一例として、図４
に示すようになる。また、第２メッキレジスト層１８を
形成した状態におけるシリコン基板１１の所定の一面
は、図５に示すようになる。ただし、図５において、第
１メッキレジスト層１６の開口部１７は省略している。
ここで、寸法の一例について説明すると、開口部１７、
１９のピッチＡ（つまり、突起電極２２ａのピッチ）は
１５０〜２５０μｍ程度である。開口部１７の直径Ｂは
５０μｍ程度である。開口部１９の直径は、開口部１９
間の間隔Ｃが５０μｍ程度となる寸法である。
は、図１（Ｄ）を参照しながら説明すると、直方体形状
のシリコン基板１１の所定の一面の周囲に複数の突起電
極２０ａが配列形成され、同所定の一面の他の部分に保
護膜１３が設けられた構造となっている。したがって、
例えば図１（Ｂ）に示す工程において下地金属層１５上
に第１メッキレジスト層１６のみを形成した状態におけ
るシリコン基板１１の所定の一面は、一例として、図４
に示すようになる。また、第２メッキレジスト層１８を
形成した状態におけるシリコン基板１１の所定の一面
は、図５に示すようになる。ただし、図５において、第
１メッキレジスト層１６の開口部１７は省略している。
ここで、寸法の一例について説明すると、開口部１７、
１９のピッチＡ（つまり、突起電極２２ａのピッチ）は
１５０〜２５０μｍ程度である。開口部１７の直径Ｂは
５０μｍ程度である。開口部１９の直径は、開口部１９
間の間隔Ｃが５０μｍ程度となる寸法である。
【００１５】ところで、図５に示すように、第２メッキ
レジスト層１８の開口部１９の形状を円形としている
が、これに限定されるものではない。例えば、図６に示
す第４実施形態のように、第２メッキレジスト層１８の
開口部１９の形状を正方形としてもよい。このようにし
た場合には、正方形の開口部１９内の体積が円形の場合
よりも大きくなるので、突起電極２２ａの高さをより一
層高くすることができる。また、図７に示す第５実施形
態のように、第２メッキレジスト層１８の開口部１９の
形状を開口部１９の配列方向に対して直交する方向であ
ってチップ内側に延びる長方形としてもよい。この場
合、開口部１９の長辺の長さや開口部１９間の間隔は、
熱処理によりほぼ球状の突起電極を形成するとき、隣接
する突起電極同士が接触しないようにすることを条件と
して決定すればよい。
レジスト層１８の開口部１９の形状を円形としている
が、これに限定されるものではない。例えば、図６に示
す第４実施形態のように、第２メッキレジスト層１８の
開口部１９の形状を正方形としてもよい。このようにし
た場合には、正方形の開口部１９内の体積が円形の場合
よりも大きくなるので、突起電極２２ａの高さをより一
層高くすることができる。また、図７に示す第５実施形
態のように、第２メッキレジスト層１８の開口部１９の
形状を開口部１９の配列方向に対して直交する方向であ
ってチップ内側に延びる長方形としてもよい。この場
合、開口部１９の長辺の長さや開口部１９間の間隔は、
熱処理によりほぼ球状の突起電極を形成するとき、隣接
する突起電極同士が接触しないようにすることを条件と
して決定すればよい。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、第２メッキレジスト層の開口部内においてメッキが
等方的に堆積されるとき、きのこ形状の傘の部分の周囲
が第２メッキレジスト層の開口部内壁によってそれ以上
の広がりを規制されることになるので、突起電極の高さ
をより高くしてもファインピッチ化を図ることができ
る。
ば、第２メッキレジスト層の開口部内においてメッキが
等方的に堆積されるとき、きのこ形状の傘の部分の周囲
が第２メッキレジスト層の開口部内壁によってそれ以上
の広がりを規制されることになるので、突起電極の高さ
をより高くしてもファインピッチ化を図ることができ
る。
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれこの発明の第１実施
形態における突起電極の各形成工程を示す断面図。
形態における突起電極の各形成工程を示す断面図。
【図２】この発明の第２実施形態における図１（Ｂ）同
様の断面図。
様の断面図。
【図３】この発明の第３実施形態における図１（Ｂ）同
様の断面図。
様の断面図。
【図４】図１（Ｂ）に示す工程において下地金属層上に
第１メッキレジスト層のみを形成した状態の平面図。
第１メッキレジスト層のみを形成した状態の平面図。
【図５】図１（Ｂ）に示す工程において第２メッキレジ
スト層を形成した状態の平面図。
スト層を形成した状態の平面図。
【図６】この発明の第４実施形態における図５同様の平
面図。
面図。
【図７】この発明の第５実施形態における図５同様の平
面図。
面図。
【図８】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ従来の突起電極の各
形成工程を示す断面図。
形成工程を示す断面図。
１１ シリコン基板 １２ 接続パッド １３ 保護膜 １４ 開口部 １５ 下地金属層 １６ 第１メッキレジスト層 １７ 開口部 １８ 第２メッキレジスト層 １９ 開口部 ２０、２０ａ 突起電極
Claims (6)
- 【請求項１】 上面に接続パッドが形成された基板上
に、前記接続パッドに対応する部分に開口部を有する第
１メッキレジスト層を形成し、該第１メッキレジスト層
上に、該第１メッキレジスト層の開口部に対応する部分
に該開口部よりも大きめの開口部を有する第２メッキレ
ジスト層を形成し、前記第１及び第２メッキレジスト層
の開口部内にメッキにより低融点金属からなる突起電極
を形成し、前記第１及び第２メッキレジスト層を剥離
し、熱処理により前記突起電極の形状をほぼ球状とする
ことを特徴とする突起電極の形成方法。 - 【請求項２】 基板上に接続パッドが形成され、前記基
板の上面に前記接続パッドの所定の一部に対応する部分
に開口部を有する保護膜が形成され、これにより前記接
続パッドの所定の一部が前記保護膜の開口部を介して露
出されたものを用意した上、その上面全体に下地金属層
を形成し、該下地金属層上に、前記保護膜の開口部に対
応する部分に開口部を有する第１メッキレジスト層を形
成し、該第１メッキレジスト層上に、該第１メッキレジ
スト層の開口部に対応する部分に該開口部よりも大きめ
の開口部を有する第２メッキレジスト層を形成し、前記
第１及び第２メッキレジスト層の開口部内にメッキによ
り低融点金属からなる突起電極を形成し、前記第１及び
第２メッキレジスト層を剥離し、前記突起電極をマスク
としてエッチングを行うことにより前記下地金属層の不
要な部分を除去し、熱処理により前記突起電極の形状を
ほぼ球状とすることを特徴とする突起電極の形成方法。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の発明において、
前記第１及び第２メッキレジスト層の開口部内にメッキ
により形成された前記突起電極の上部は前記第２メッキ
レジスト層の開口部の上方に盛り上がっていることを特
徴とする突起電極の形成方法。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の発明に
おいて、前記第２メッキレジスト層は複数のメッキレジ
スト層からなることを特徴とする突起電極の形成方法。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の発明に
おいて、前記第１メッキレジスト層は前記第２メッキレ
ジスト層よりも薄い層からなることを特徴とする突起電
極の形成方法。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載の発明に
おいて、前記第１メッキレジスト層の開口部の形状は円
形であり、前記第２メッキレジスト層の開口部の形状は
円形または方形であることを特徴とする突起電極の形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8278617A JPH10107037A (ja) | 1996-10-01 | 1996-10-01 | 突起電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8278617A JPH10107037A (ja) | 1996-10-01 | 1996-10-01 | 突起電極の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10107037A true JPH10107037A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17599782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8278617A Pending JPH10107037A (ja) | 1996-10-01 | 1996-10-01 | 突起電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10107037A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005081064A1 (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Jsr Corporation | バンプ形成用二層積層膜、およびバンプ形成方法 |
-
1996
- 1996-10-01 JP JP8278617A patent/JPH10107037A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005081064A1 (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Jsr Corporation | バンプ形成用二層積層膜、およびバンプ形成方法 |
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