JPH0346438B2 - - Google Patents

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JPH0346438B2
JPH0346438B2 JP2813388A JP2813388A JPH0346438B2 JP H0346438 B2 JPH0346438 B2 JP H0346438B2 JP 2813388 A JP2813388 A JP 2813388A JP 2813388 A JP2813388 A JP 2813388A JP H0346438 B2 JPH0346438 B2 JP H0346438B2
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JP
Japan
Prior art keywords
gas
carbon
diamond
substrate
temperature
Prior art date
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Expired
Application number
JP2813388A
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English (en)
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JPH01203297A (ja
Inventor
Jusuke Moryoshi
Shoji Futaki
Seiichiro Matsumoto
Takamasa Ishigaki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KAGAKU GIJUTSUCHO MUKIZAISHITSU KENKYUSHOCHO
Original Assignee
KAGAKU GIJUTSUCHO MUKIZAISHITSU KENKYUSHOCHO
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Filing date
Publication date
Application filed by KAGAKU GIJUTSUCHO MUKIZAISHITSU KENKYUSHOCHO filed Critical KAGAKU GIJUTSUCHO MUKIZAISHITSU KENKYUSHOCHO
Priority to JP2813388A priority Critical patent/JPH01203297A/ja
Priority to US07/307,942 priority patent/US4981671A/en
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は燃焼炎によるダイヤモンドの合成法に
関する。
従来技術 従来、高温高圧を用いない気相合成法によるダ
イヤモンドの合成法としては次のような方法が知
られている。
(1) 放電により炭素イオンあるいは炭化水素イオ
ンを作り、これを電位勾配によつて加速し基板
上に衝突させてダイヤモンドを析出させる所謂
イオンビーム蒸着法、イオンプレーテイング
法。
(2) プラズマ、熱、光を用いて炭化水素と水素の
混合ガスを活性化させて基板表面にダイヤモン
ドを析出させる所謂プラズマ法、熱タングステ
ンフイラメント法、光CVD法、高周波熱プラ
ズマ法、直流アーク法。などである。
しかしながら、上記の方法の高周波熱プラズマ
法及び直流アーク法以外は、ダイヤモンド生成速
度が0.1〜1μm/hr、と遅いばかりでなく、得ら
れる析出面積も小さい。また装置も非常に高価で
ある。高周波熱プラズマ法及び直流アーク法で
は、ダイヤモンド生成速度は数μm/minと速い
が、装置が極めて高価である問題点がある。
発明の目的 本発明は前記従来法における問題点を解決すべ
くなされたもので、その目的は簡単で安価な装置
を用い、ダイヤモンドの生成速度が数μm/min
と速いダイヤモンドの合成法を提供するにある。
発明の構成 本発明者は前記目的を達成すべく鋭意研究の結
果、炭化水素もしくは水素またはその混合ガスと
酸素または空気の燃焼によつて得られる600℃以
上の高温燃焼炎中で有機化合物または炭素材を分
解・蒸発・解離させて炭素を励起させ、これに炭
素に対し50倍容量以上の水素を混合した気体を、
600゜〜1200℃に保持した基板に当てるかあるいは
その気体中でダイヤモンドを析出させることに成
功し、この方法によると0.1〜数μm/minの生成
速度でダイヤモンドを合成し得られることを知見
し得た。この知見に基づいて本発明を完成した。
本発明の要旨は、 炭化水素、水素の単独または混合ガスと酸素ガ
スまたは空気の600℃以上の燃焼炎中で有機化合
物または炭素材を分解・蒸発・解離させて炭素を
励起し、これにこの炭素に対し50倍容量以上の水
素を混合した気体を600゜〜1200℃に保持した基板
に当てるかあるいはその気相中でダイヤモンドを
析出させることを特徴とするダイヤモンドの合成
法、にある。
本発明の方法における高温燃焼炎中で有機化合
物または炭素材を分解・蒸発・解離させる方法と
しては、高温燃焼炎を発生させ、その中に有機化
合物または炭素材を導入してもよく、あるいは燃
焼原料と同時に有機化合物または炭素材を導入し
てもよい。
本発明の高温燃焼炎を発生させるガスとして
は、炭化水素もしくは水素またはその混合ガスと
酸素または空気が用いられる。その燃焼炎温度は
使用するガスの種類・濃度とシースガス、冷却用
ガス、例えば水素、不活性ガスの単独またはこれ
らの混合ガスを導入することによつて調整し得ら
れる。燃焼炎の温度は600℃以上であることが必
要で、この温度より低いと単原子の炭素が生成し
得なく、ダイヤモンドを合成し得ない。
有機化合物としては、燃焼中で分解し、炭素を
含むイオン種、ラジカル種を生成し得るものであ
れば、気体、液体、固体のいずれの形態でもよ
い。例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタ
ン、エチレン、ベンゼン等の炭化水素、メタノー
ル、エタノール、プロパノール等のアルコール
類、ポリエチレン、ポリプロピレン等の高分子物
質、油脂、ビリジン、チオフエンのような分子中
に窒素、硫黄等を含むものであつてもよい。
炭素材としては、例えば電極用黒鉛が挙げられ
る。
励起された炭素雰囲気中に炭素に対し50倍容量
以上のH2を導入、混合する。この水素は炭素の
単原子を安定化し、Sp3の励起状態を保持する作
用をする。水素量が炭素に対し50倍容量より少な
いとグラフアイトとなるので、それ以上の量であ
ることが必要である。しかし、多過ぎると、水素
が無駄になるので50〜100倍容量程度であること
が好ましい。
基板の温度を600゜〜1200℃に保つ、600℃以下
ではダイヤモンドは析出しなく、1200℃を越える
とガスとなりダイヤモンドは析出しない。基板を
除き、その気相中でダイヤモンドを粉末として析
出させることもできる。
本発明の方法を図面に基づいて説明すると、第
1図は本発明の方法を実施する一実施概要図であ
る。図中1は同心円三重管、2は反応容器、3は
基板、4は冷却ガス導入口、5は点火用プラグ、
6はシースガス吹出しリング、7は排ガス処理装
置、8は真空ポンプを示す。
同心円状三重管1(石英製)の各管より、燃焼
用原料ガスまたはこれと同時または後に有機化合
物または炭素材を、反応容器2中に導入し、点火
用プラグ5により点火して高温燃焼炎を発生さ
せ、また有機化合物または炭素材を、分解・蒸
発・解離させる。これに炭素に対し50倍容量以上
の水素をシースガス吹出しリング6から導入す
る。ダイヤモンド膜合成の際には、基体3を反応
容器2の内部に設置し、冷却用のガスを冷却ガス
導入口4から導入して基板3の温度を600゜〜1200
℃に調整し、前記基体を当て基板3上にダイヤモ
ンド膜を析出させる。ダイヤモンド粉末合成の際
には、基体3を取り外し、反応容器2内の温度
を、冷却ガス導入口4から冷却ガスを導入して、
ダイヤモンド生成領域の前記温度に調整して気相
中でダイヤモンド粉末を析出させる。
発明の効果 本発明の方法によると、有機化合物または炭素
材を分解・蒸発・解離させて炭素を励起したもの
を作るのに、炭化水素、水素の単独または混合ガ
スと酸素の燃焼炎を使用するため、従来の高価な
装置を使用する必要がない。またダイヤモンド生
成速度は0.1〜数μm/minと速い効果を有する。
実施例 1 第1図に示した装置を用い、石英製三重管の中
心部より酸素10/min、中間部よりプロパンガ
ス10ml/min、外側の管よりメタン2ml/minを
流して点火し約3000℃の燃焼炎を発生させた。さ
らにシースガス(吹き出し口6)として水素50
/minを流した。水冷のホルダー上に直径20mm
のモリブデン基板を置き光温度計により基板表面
が1200℃の温度になる位置に10分間置いて反応を
行わせた。反応後、室温に下がつたモリブデン基
板を取り出して調べてみると約10μmの灰色がか
つた多結晶の膜が生成していることがわかつた。
X線回折及びラマン散乱スペクトルにより立方晶
ダイヤモンドであることが確認された。
実施例 2 中心部より酸素2/min、中間部より水素10
/min、外管よりメタン100ml/minを流して
点火し1500℃以上の燃焼炎を発生させた。さらに
シースガスとして水素5/minを流した。水冷
のホルダー上に直径20mmのモリブデン基板を置
き、光温度計により基板表面が1000℃の温度にな
る位置に10分間置いて反応を行わせた。反応後、
室温に下がつた基板を取り出して調べてみると
35μmのダイヤモンド膜が得られていることが確
認された。
実施例 3 中心部より酸素4/min、中間の管より水素
を10/min、外管よりメタン40ml/minを流し
て点火し1500℃以上の燃焼炎を発生させた。予め
基板を置いた際1200℃となる空間を見いだしてお
き基体を置かず、その内壁面より円周状に冷却用
ガスとして水素10/minを吹き込んだ。1時間
の反応の後、反応容器壁面および低部ち堆積した
灰色がかつた粉末0.03gを回収して調べてみたと
ころ、0.1μm程度の立方晶ダイヤモンドであるこ
とが確認された。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の方法を実施する装置の一態様図
である。 1:同心円状三重管、2:反応容器、3:基
板、4:冷却ガス導入口、5:点火用プラグ、
6:シースガス吹き出しリング、7:排ガス処理
装置、8:真空ポンプ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 炭化水素、水素の単独または混合ガスと酸素
    ガスまたは空気の600℃以上の燃焼炎中で有機化
    合物または炭素材を分解・蒸発・解離させて炭素
    を励起し、これに炭素に対し50倍容量以上の水素
    を混合した気体を600゜〜1200℃に保持した基板に
    当てるかあるいはその気相中でダイヤモンドを析
    出させることを特徴とするダイヤモンドの合成
    法。
JP2813388A 1988-02-09 1988-02-09 燃焼炎によるダイヤモンドの合成法 Granted JPH01203297A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2813388A JPH01203297A (ja) 1988-02-09 1988-02-09 燃焼炎によるダイヤモンドの合成法
US07/307,942 US4981671A (en) 1988-02-09 1989-02-09 Method for preparing diamond or diamond-like carbon by combustion flame

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2813388A JPH01203297A (ja) 1988-02-09 1988-02-09 燃焼炎によるダイヤモンドの合成法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01203297A JPH01203297A (ja) 1989-08-16
JPH0346438B2 true JPH0346438B2 (ja) 1991-07-16

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JP2813388A Granted JPH01203297A (ja) 1988-02-09 1988-02-09 燃焼炎によるダイヤモンドの合成法

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Families Citing this family (4)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0794360B2 (ja) * 1989-01-24 1995-10-11 住友電気工業株式会社 ダイヤモンドの気相合成法
WO1991004353A1 (fr) * 1989-09-22 1991-04-04 Showa Denko Kabushiki Kaisha Procede de synthese de diamant depose en phase vapeur sur un substrat traite par voie electrochimique
JPH0440770U (ja) * 1990-08-01 1992-04-07
JP2619557B2 (ja) * 1990-07-26 1997-06-11 昭和電工株式会社 気相法ダイヤモンドの合成法

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JPH01203297A (ja) 1989-08-16

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