JPH0346590Y2 - - Google Patents

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JPH0346590Y2
JPH0346590Y2 JP15545684U JP15545684U JPH0346590Y2 JP H0346590 Y2 JPH0346590 Y2 JP H0346590Y2 JP 15545684 U JP15545684 U JP 15545684U JP 15545684 U JP15545684 U JP 15545684U JP H0346590 Y2 JPH0346590 Y2 JP H0346590Y2
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mos transistor
mos
mos transistors
transistor
conductance
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、例えばPLLの位相比較回路に用
いられる台形波発生回路に関し、特に、MOSト
ランジスタを用いて台形波を発生させる構成に係
わるものである。
[Detailed description of the invention] [Industrial application field] This invention relates to a trapezoidal wave generation circuit used, for example, in a PLL phase comparison circuit, and in particular relates to a configuration that generates a trapezoidal wave using MOS transistors. be.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来の技術において、PLLの位相比較回路と
して台形波発生回路が用いられている。PLLは、
入力パルスを台形波発生回路で台形波とし、この
台形波の傾斜部分をサンプリングパルスによつて
サンプリングし、位相差に比例した誤差電圧を
VCOに供給することによりVCOの発振周波数を
制御し、その出力を分周し、それを再びサンプリ
ングパルスとしてサンプリングゲートに供給する
ことで、入力パルスと同期した整数倍の出力を発
生させるものである。
In the conventional technology, a trapezoidal wave generation circuit is used as a phase comparison circuit of a PLL. PLL is
The input pulse is made into a trapezoidal wave by a trapezoidal wave generation circuit, the slope part of this trapezoidal wave is sampled by a sampling pulse, and an error voltage proportional to the phase difference is generated.
It controls the oscillation frequency of the VCO by supplying it to the VCO, divides its output, and supplies it again to the sampling gate as a sampling pulse to generate an output that is an integral multiple of the input pulse. .

〔考案が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention attempts to solve]

しかし、台形波発生回路により形成される台形
波が第3図に示すように、その立上がり及び立下
がりが同じように傾斜したものであると、このよ
うな台形波をPLLに用いた場合、PLLがロツク
する位相が立上がりの傾斜区間及び立下がりの傾
斜区間の両者にある。このため、入力パルスの整
数倍でVCOが発振せず、数倍で発振したり、
PLLのロツクの位相が正規のものとならない恐
れがある。
However, if the trapezoidal wave formed by the trapezoidal wave generating circuit has the same slope in its rise and fall as shown in Figure 3, when such a trapezoidal wave is used in the PLL, the PLL The phase at which the signal is locked is present in both the rising slope section and the falling slope section. For this reason, the VCO may not oscillate at an integer multiple of the input pulse, but may oscillate at several times the input pulse.
There is a possibility that the PLL lock phase may not be normal.

従つて、この考案の目的は、PLLの位相比較
回路に用いた場合において、VCOが入力パルス
の整数倍で発振するような台形波を形成し、然
も、その回路構成が簡単な台形波発生回路を提供
することにある。
Therefore, the purpose of this invention is to form a trapezoidal wave in which the VCO oscillates at an integral multiple of the input pulse when used in a PLL phase comparison circuit, and to generate a trapezoidal wave with a simple circuit configuration. The purpose is to provide circuits.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この考案は、第1の導電形式の第1、第2、第
3のMOSトランジスタ1,2,3と、第2の導
電形式の第4のMOSトランジスタ4とを有し、 第1の基準電位点と第2の基準電位点間に第1
及び上記第2のMOSトランジスタ1,2が直列
接続され、第1の基準電位点と第2の基準電位点
間に第3及び第4のMOSトランジスタ3,4が
直列接続され、第1及び第4のMOSトランジス
タ1,4のゲートが方形波が供給される入力端子
7に接続され、第2及び第3のMOSトランジス
タ2,3のゲートが共通接続され、この共通接続
点が第1及び第2のMOSトランジスタ1,2の
接続点に接続され、第4及び第3のMOSトラン
ジスタ3,4の接続点と第1又は第2の基準電位
点間にコンデンサ5が接続され、第4のMOSト
ランジスタ4のコンダクタンスを第3のMOSト
ランジスタ3のコンダクタンスに比べて大とした
ことを特徴とする台形波発生回路である。
This device has first, second, and third MOS transistors 1, 2, and 3 of a first conductivity type, and a fourth MOS transistor 4 of a second conductivity type, and has a first reference potential. point and the second reference potential point.
and the second MOS transistors 1 and 2 are connected in series, and the third and fourth MOS transistors 3 and 4 are connected in series between the first reference potential point and the second reference potential point. The gates of the four MOS transistors 1 and 4 are connected to an input terminal 7 to which a square wave is supplied, the gates of the second and third MOS transistors 2 and 3 are commonly connected, and this common connection point is connected to the first and third MOS transistors. A capacitor 5 is connected between the connection point of the fourth and third MOS transistors 3 and 4 and the first or second reference potential point. This trapezoidal wave generating circuit is characterized in that the conductance of the transistor 4 is made larger than the conductance of the third MOS transistor 3.

〔作用〕[Effect]

入力パルスにより、Nチヤンネル型MOSトラ
ンジスタ1,2,3及びPチヤンネル型MOSト
ランジスタ4を交互に導通させ、MOSトランジ
スタ3及び4に接続されたコンデンサ5を、
MOSトランジスタ3に比べてそのコンダクタン
スが大きなMOSトランジスタ4により充電し、
また、MOSトランジスタ3によりコンデンサ5
の電荷を放電させ、これにより出力端子から立上
がりが急峻で且つ立下がりが傾斜した台形波が出
力される。
The input pulse alternately turns on the N-channel MOS transistors 1, 2, and 3 and the P-channel MOS transistor 4, and the capacitor 5 connected to the MOS transistors 3 and 4.
Charge is performed by MOS transistor 4 whose conductance is larger than that of MOS transistor 3,
Also, the capacitor 5 is connected by the MOS transistor 3.
As a result, a trapezoidal wave with a steep rise and a sloped fall is output from the output terminal.

〔実施例〕〔Example〕

以下、この考案の一実施例を図面を参照して説
明する。第1図において、1,2,3がNチヤン
ネル型MOSトランジスタであり、4がPチヤン
ネル型MOSトランジスタである。
An embodiment of this invention will be described below with reference to the drawings. In FIG. 1, 1, 2, and 3 are N-channel MOS transistors, and 4 is a P-channel MOS transistor.

MOSトランジスタ1のドレインが電源端子6
に接続され、ソースがMOSトランジスタ2のド
レインと接続される。MOSトランジスタ2のソ
ースは接地され、ゲートはMOSトランジスタ3
のゲートと接続され、この接続点と、MOSトラ
ンジスタ1のソースとMOSトランジスタ2のド
レインとの接続点とが接続される。MOSトラン
ジスタ3のソースは接地される。MOSトランジ
スタ4のソースが電源端子6に接続され、ゲート
が入力端子7に接続され、ドレインがMOSトラ
ンジスタ3のドレインと接続される。このMOS
トランジスタ4のドレインとMOSトランジスタ
3のドレインとの接続点にコンデンサ5の一端が
接続され、他端が接地され、また、この接続点か
ら出力端子8が導出される。
The drain of MOS transistor 1 is the power supply terminal 6
The source is connected to the drain of the MOS transistor 2. The source of MOS transistor 2 is grounded, and the gate is connected to MOS transistor 3.
This connection point is connected to the connection point between the source of MOS transistor 1 and the drain of MOS transistor 2. The source of MOS transistor 3 is grounded. The source of the MOS transistor 4 is connected to the power supply terminal 6, the gate is connected to the input terminal 7, and the drain is connected to the drain of the MOS transistor 3. This MOS
One end of a capacitor 5 is connected to a connection point between the drain of the transistor 4 and the drain of the MOS transistor 3, and the other end is grounded, and an output terminal 8 is led out from this connection point.

MOSトランジスタ4のコンダクタンスは、
MOSトランジスタ3のコンダクタンスと比べて
大とされている。MOSトランジスタのコンダク
タンスは、そのゲート幅W及びゲート長Lにより
決定され、そのコンダクタンスはW/Lに比例す
るものである。即ち、MOSトランジスタ4のゲ
ートは、MOSトランジスタ3のゲートと比べて、
そのゲート幅Wが大またはゲート長Lが小なもの
とされている。
The conductance of MOS transistor 4 is
It is said to be larger than the conductance of MOS transistor 3. The conductance of a MOS transistor is determined by its gate width W and gate length L, and the conductance is proportional to W/L. That is, compared to the gate of MOS transistor 3, the gate of MOS transistor 4 is
The gate width W is large or the gate length L is small.

電源端子6には、直流電源から電圧VDDなる電
圧が供給され、接地レベルはVSSとされている。
入力端子7には、第2図Aに示すような、そのハ
イレベルが電圧VDDで、そのローレベルが電圧
VSSである入力パルスが供給される。
A voltage V DD is supplied to the power supply terminal 6 from a DC power supply, and the ground level is set to V SS .
The input terminal 7 has a voltage V DD at its high level and a voltage V DD at its low level, as shown in Figure 2A.
An input pulse is provided that is at V SS .

入力パルスによりMOSトランジスタ1及び4
のゲートがローレベルとされると、MOSトラン
ジスタ1はNチヤンネル型MOSトランジスタで
あるから導通せず、MOSトランジスタ4はPチ
ヤンネル型MOSトランジスタであるから導通し、
オン状態となる。この時、MOSトランジスタ2
及び3は、MOSトランジスタ1が非導通のため
共にオフ状態である。
MOS transistors 1 and 4 are activated by the input pulse.
When the gate of is set to a low level, MOS transistor 1 is not conductive because it is an N-channel type MOS transistor, and MOS transistor 4 is conductive because it is a P-channel type MOS transistor.
Turns on. At this time, MOS transistor 2
and 3 are both off because the MOS transistor 1 is non-conductive.

MOSトランジスタ4がオン状態となると同時
に、MOSトランジスタ4を流れる電流により、
コンデンサ5が充電される。このため出力端子8
に発生する電圧は、MOSトランジスタ4がオン
すると同時に、第2図Bに示すように立上がり、
電源電圧VDDと等しくなるまで上昇する。
At the same time as the MOS transistor 4 turns on, the current flowing through the MOS transistor 4 causes
Capacitor 5 is charged. Therefore, output terminal 8
At the same time as the MOS transistor 4 turns on, the voltage generated rises as shown in FIG.
It increases until it becomes equal to the power supply voltage V DD .

入力パルスによりMOSトランジスタ1及び4
のゲートがハイレベルとされると、MOSトラン
ジスタ4はPチヤンネル型であるから導通せず、
MOSトランジスタ1はNチヤンネル型であるか
ら導通し、オン状態となる。MOSトランジスタ
1がオンすると同時に、ダイオード接続のMOS
トランジスタ2によりMOSトランジスタ3が導
通する。
MOS transistors 1 and 4 are activated by the input pulse.
When the gate of MOS transistor 4 is set to a high level, it does not conduct because it is a P channel type.
Since the MOS transistor 1 is an N-channel type, it becomes conductive and turns on. At the same time that MOS transistor 1 turns on, the diode-connected MOS
Transistor 2 makes MOS transistor 3 conductive.

MOSトランジスタ3がオン状態となると同時
に、コンデンサ5に著えられていた電荷がMOS
トランジスタ3を介して電流として放電される。
このため、出力端子8に発生する電圧は、MOS
トランジスタ3がオンすると同時に、第2図Bに
示すように立下がり、接地レベルVSSと等しくな
るまで下降する。
At the same time as the MOS transistor 3 turns on, the charge accumulated in the capacitor 5 is transferred to the MOS transistor 3.
It is discharged as a current through the transistor 3.
Therefore, the voltage generated at the output terminal 8 is MOS
At the same time as transistor 3 turns on, the voltage falls as shown in FIG. 2B until it becomes equal to the ground level V SS .

入力端子7に第2図Aに示すような連続的な入
力パルスが供給され、上述の動作が交互に繰り返
されることにより、第2図Bに示すような連続的
な台形波が出力端子8に出力される。また、前述
したようにMOSトランジスタ4のコンダクタン
スがMOSトランジスタ3のコンダクタンスと比
べて大であるため、出力端子8から出力(第2図
B)の立上がりは急峻なものであり、立下がりは
緩やかなものとされる。
A continuous input pulse as shown in FIG. 2A is supplied to the input terminal 7, and the above-mentioned operation is repeated alternately, so that a continuous trapezoidal wave as shown in FIG. 2B is generated at the output terminal 8. Output. Furthermore, as mentioned above, the conductance of the MOS transistor 4 is larger than that of the MOS transistor 3, so the rise of the output from the output terminal 8 (Fig. 2B) is steep, and the fall is gradual. be taken as a thing.

尚、この考案の一実施例において、コンデンサ
5をMOSトランジスタ3のドレインとMOSトラ
ンジスタ4のドレインとの接続点と、電源端子6
との間に接続する構成としても良い。
In one embodiment of this invention, the capacitor 5 is connected between the connection point between the drain of the MOS transistor 3 and the drain of the MOS transistor 4, and the power supply terminal 6.
It may also be configured such that it is connected between.

また、MOSトランジスタ1,2,3の夫々を
Pチヤンネル型のものとし、MOSトランジスタ
4をNチヤンネル型のものとしても良い。
Furthermore, each of the MOS transistors 1, 2, and 3 may be of a P channel type, and the MOS transistor 4 may be of an N channel type.

更に、MOSトランジスタ1のコンダクタンス
をMOSトランジスタ2のコンダクタンスと比べ
て小とし、出力の立上がり時に傾斜を持たせ、立
下がり時を急峻なものとするようにしても良い。
Furthermore, the conductance of the MOS transistor 1 may be made smaller than the conductance of the MOS transistor 2, so that the output has a slope at the rise time and a steep fall time.

〔考案の効果〕[Effect of idea]

この考案に依れば、Nチヤンネル型トランジス
タ3個、Pチヤンネル型トランジスタ1個、コン
デンサ1個という簡易な回路構成で方形波入力を
台形波出力とすることができる。また、この台形
波の立上がり又は立下がりの一方は、MOSトラ
ンジスタのコンダクタンスの値により急峻なもの
であるため、PLLに用いた場合、所定入力パル
スの整数倍以外でVCOが発振したり、PLLのロ
ツクの位相が正規のものとならないことを防止す
ることができる。
According to this invention, a square wave input can be converted into a trapezoidal wave output with a simple circuit configuration of three N-channel transistors, one P-channel transistor, and one capacitor. Also, since either the rise or fall of this trapezoidal wave is steep depending on the conductance value of the MOS transistor, when used in a PLL, the VCO may oscillate at a pulse other than an integral multiple of the predetermined input pulse, or the PLL may It is possible to prevent the lock phase from becoming incorrect.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの考案の一実施例の接続図、第2図
はこの考案の一実施例の説明に用いる波形図、第
3図は従来の台形波発生回路の説明に用いる波形
図である。 1,2,3:Nチヤンネル型トランジスタ、
4:Pチヤンネル型トランジスタ、5:コンデン
サ、7:入力端子、8:出力端子。
FIG. 1 is a connection diagram of an embodiment of this invention, FIG. 2 is a waveform diagram used to explain an embodiment of this invention, and FIG. 3 is a waveform diagram used to explain a conventional trapezoidal wave generating circuit. 1, 2, 3: N-channel transistor,
4: P-channel transistor, 5: capacitor, 7: input terminal, 8: output terminal.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 第1の導電形式の第1、第2、第3のMOSト
ランジスタと、第2の導電形式の第4のMOSト
ランジスタとを有し、 第1の基準電位点と第2の基準電位点間に上記
第1及び上記第2のMOSトランジスタが直列接
続され、上記第1の基準電位点と上記第2の基準
電位点間に上記第3及び上記第4のMOSトラン
ジスタが直列接続され、上記第1及び上記第4の
MOSトランジスタのゲートが方形波が供給され
る入力端子に接続され、上記第2及び上記第3の
MOSトランジスタのゲートが共通接続され、こ
の共通接続点が上記第1及び上記第2のMOSト
ランジスタの接続点に接続され、上記第4及び上
記第3のMOSトランジスタの接続点と上記第1
又は上記第2の基準電位点間にコンデンサが接続
され、上記第4のMOSトランジスタのコンダク
タンスを上記第3のMOSトランジスタのコンダ
クタンスに比べて大としたことを特徴とする台形
波発生回路。
[Claims for Utility Model Registration] It has first, second, and third MOS transistors of a first conductivity type, and a fourth MOS transistor of a second conductivity type; The first and second MOS transistors are connected in series between the second reference potential point, and the third and fourth MOS transistors are connected between the first reference potential point and the second reference potential point. are connected in series, the first and fourth
The gate of the MOS transistor is connected to an input terminal to which a square wave is supplied, and the gate of the second and third
The gates of the MOS transistors are commonly connected, this common connection point is connected to the connection point of the first and second MOS transistors, and the connection point of the fourth and third MOS transistors is connected to the connection point of the first and second MOS transistors.
Alternatively, a trapezoidal wave generating circuit characterized in that a capacitor is connected between the second reference potential points, and the conductance of the fourth MOS transistor is made larger than the conductance of the third MOS transistor.
JP15545684U 1984-10-15 1984-10-15 Expired JPH0346590Y2 (en)

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Publication Number Publication Date
JPS6170430U JPS6170430U (en) 1986-05-14
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