JPH0346659A - レジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 レジスト組成物に関し、 高感度でありかつハーフミクロンパターンヲ解像可能な
レジスト組成物を提供することを目的とし、 フェノール系樹脂の少くとも一部の水酸基が次式により
表わされるシリコン化合物： ２ ■ に４ （２） に４ （上式において、 Ｘはハロゲン原子を表わし、 Ｒ３はメチレン基またはアルキレン基を表わし、Ｒ２、
Ｒ３およびＲ４は互いに同一もしくは異なっていてもよ
く、アルキル基、アルケニル基またはフェニル基を表わ
し、そしてＲ２、Ｒ３及びＲ４のうちの少くとも１つは
それに付加した少くとも１個のビニル基またはクロロメ
チル基を有し、ｎは０または１以上の整数であり、モし
てｍは正の整数である）で置換されたシリコン変性フェ
ノール系樹脂からなるように構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明はレジスト組成物に関し、さらに詳しく述べると
、半導体用船ＬＳＩのパターン形成に有利に用いること
のできるシリコン変性フェノール系樹脂からなるレジス
ト組成物に関する。本発（３〉 明のレジスト組成物は、例えばＸ線リングラフィ、電子
線リングラフィなどのような電離放射線リングラフィな
らびに遠紫外線リソグラフィに適用することができる。

〔従来の技術〕

周知の通り、ＬＳＩの高集積化を実現するためには配線
線幅および配線間隔の微細化が必要である。現在市販さ
れているＩＭｂｉｔ−ＤＲＡＭの最小線幅は１．２印で
あり、またサンプル出荷され始めた４Ｍｂｉｔ−ＤＲＡ
Ｍの最小線幅は０．８１Ｍである。次世代の１６Ｍｂｉ
ｔ−ＤＲＡＭの最小線幅は０．５ｎｌであり、ハーフミ
クロンパターンが形成できるリングラフィ技術およびレ
ジスト材料が研究されている。

Ｘ線リソグラフィは、使用する露光波長が現在使用され
ている光の波長に比べて大幅に短いため、回折現象や干
渉効果が無視できるので０．５印以下の微細パターンの
形成に有利であり、各研究機関で開発が行われている。

また、電子線リソグラフィは、ゲートアレイ型ＬＳＩに
代表されるように（４） セミカスタム型ＬＳＩの製造には不可欠なパターン形成
方法であり、より微細なパターンがより高感度で形成で
きるレジスト材料の開発が続けられている。

従来の電子線レジスト材料の典型としては、ポジ型では
ポリメチルメタクリラート（ＰＭＭＡ）レジストが知ら
れており、またネガ型としてはポリクロロメチルスチレ
ン（ＣＭＳ）　　レジストが知られている。ＰＭＭＡレ
ジストは解像性は良いが感度が悪いこと、ＣＭＳレジス
トは感度は良いが解像性が良くない。また、高感度、高
解像性のレジストとして、ノボラック型クレゾール樹脂
を主体とし、これに架橋剤および感光剤を併用したもの
、例えばシラプレー社から商業的に入手可能な５ＡＬ−
６０１８Ｒ−７がある。しかし、このレジスト材料は、
レジスト溶液の形で保存した場合の安定性に乏しく、使
用のたびごとに感度が変化するという問題点を有する。

さらに、最近のＬＳＩの配線構造は高集積化された多層
配線構造となっており、下層配線の形成により生じた上
層配線部分の凸凹はますます激しく５〉 いものとなり、上層配線部分に微細なパターンを形成す
ることはますます難しくなりつつある。さらに、上記し
たようにＬＭ−ｂｉｔ　ＤＲＡＭでの最小線幅（ま１．
２−であり、４Ｍ−ｂｉｔ　ＤＲＡＭでは０．８Ｊａと
パターンの線幅もますます微細となってきている。この
ような高段差基板上でもハーフミクロンのパターン形成
の可能性が期待できる方法として２層構造レジストプロ
セスが提案されている。

また、露光光源としては、水銀灯のｇ線を使用する現在
のリングラフィでは、光の干渉や回折現象が生じるため
、実用的な解像度（最小線幅）は０．６ハであり、解像
度を高めるためには使用する光の短波長化が必要である
との一般的見解から、３００ｎｍ以下の波長を使用する
遠紫外線露光方法が提案されている。すなわち、約２０
０〜３００ｎｍの波長を使用するエキシマレーザリング
ラフィがそれである。

本発明者らは、遠紫外線リソグラフィに適用できる２層
構造レジストプロセス用上層レジスト材料として、ラダ
ー型シリコーン樹脂にベンゾフエ（６） ノンまたは２．２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフ
ェノンを添加してなるネガ型しジスト組底物を見い出し
、先に特許出願した（特開昭６３−２７９２４５号公報
参照）。しかし、このレジスト組成物も、サブミクロン
パターンの形成に適しているというものの、最近の技術
の進歩に対応するため、より一層の改良が望まれている
。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明の目的は、したがって、高感度でありかつハーフ
ミクロンパターンを解像可能なレジスト組成物を提供す
ることにある。

さらに詳しく述べると、本発明の第１の目的は、上記の
ようなレジスト組成物であって特に例えばＸ線、電子線
などのリソ、グラフィに適用できるものを提供すること
にある。

また、本発明の第２の目的は、上記のようなレジスト組
成物であって特に遠紫外線リングラフィに適用できかつ
好ましくは高段差基板上でもノ＼−フミクロンパターン
を形成可能な、換言すると、（７〉 ２層構造レジストプロセスの上層レジスト材料として有
用なものを提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記した目的は、本発明によれば、フェノール系樹脂の
少くとも一部の水酸基が次式により表わされるシリコン
化合物二 Ｒう ４ または Ｔ？、。

４ （上式において、 Ｘは例えば塩素、臭素などのハロゲン原子を表わし、 ＲＩはメチレン基または炭素数２以上のアルキレン基を
表わし、 Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は互いに同一もしくは異なってい
てもよく、好ましくは炭素数１〜５のア（ＬＡ） ルキル基、好ましくは炭素数１〜５のアルケニル基また
はフェニル基を表わし、そしてＲ２、Ｒ。

及びＲ１のうちの少くとも１つはそれに付加した少くと
も１個のビニル基またはクロロメチル基を有し、 ｎは０または１以上の整数であり、モしてｍは正の整数
である）で置換されたシリコン変性フェノール系樹脂か
らなることをさらに有する、レジスト組成物によって達
成することができる。

ここで、レジスト組成物の主剤たる“フェノール系樹脂
″とは、従来からレジスト材料として用いられているフ
ェノール基含有のポリマーを指し、ポリビニルフェノー
ル樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、ノボラック型ク
レゾール樹脂、キシレノール樹脂、その他を言う。

本発明のレジスト組成物は電離放射線用ネガ型しジスト
組底物であり、したがって、Ｘ線あるいは電子線リング
ラフィに有利に適用することができる。このレジスト組
成物を例えばエキシマレーザ（波長２００〜３００ｎｍ
）などを用いた遠紫外線す（９） ソグラフィに適用するためには、そのような短波長の光
に対して感度を有するようにするため、感光剤を添加す
ることが好ましい。感光剤は、２２−ジメトキシ−２−
フェニルアセトフェノンおよび過酸化物（ジクミルパー
オキシドなど〉からなる群から選ばれ、遠紫外線域に感
度を有するに十分な量でレジスト組成物中に加えられる
。

さらに、本発明のレジスト組成物は通常単層レジストプ
ロセスにおいて有利に用いられる。かかるレジスト組成
物は、例えば、シリコン変性フェノールＷｉｄｅｒ脂を
テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの２．４重量％
水溶液に溶解することによって、有利に調製することが
できる。

本発明のレジスト組成物は、単層レジストプロセスにお
いてばかりでなくて、２層構造レジストプロセスにおい
ても上層レジスト材料として有利に用いられる。上層レ
ジスト材料として使用する場合には、材料中のシリコン
含有量を増加せしめるため、アルケニル基を含有するシ
リコーン樹脂をレジスト組成物に添加してもよい。

（１０） 〔作　用〕 本発明のレジストはＸ線リングラフィに使用してもまた
電子線リングラフィに使用しても高感度、高解像性を実
現できるレジスト組成物である。本発明で使用するレジ
ストの基本的材料はフェノール系樹脂であり、また、こ
れらの樹脂はアルカリ水溶液に溶解するため、アルカリ
現像ができ、高解像性が期待できる。しかし、これらの
樹脂は、Ｘ線または電子線に対する官能基を持たないた
め、これら電離放射線に対する感度が極めて低い。クロ
ロメチル基あるいはビニル基は電離放射線に対して感度
が高いことが知られている。一方、フェノール系樹脂が
有する水酸基はハロゲン化アルキル基或いはハロゲン化
シリル基と置換反応を起こすことが知られている。さら
にシリコン原子は炭素原子より原子番号が大きいのでＸ
線を吸収し易いことが知られている。このような知見に
もとづいて本発明を完成するに至った。即ち、フェノー
ル系樹脂を前式（Ｉ）及び（Ｉ［）で示すシリコン化合
物と反応させることにより、感度の高いＸ線（１１） または電子線ネガ型レジストが得られる。

ここで、前式（Ｉ）及び（ＩＩ）中のｎ　ｌＯＪ＜　Ｏ
と１以上とでは変性方法が異なる。

〈１）ｎがＯの場合のシリコン化合物（ハロゲン原子と
シリコン原子が直接結合している化合物）でフェノール
系樹脂の水酸基を変性する場合：有機溶媒にシリコン化
合物とフェノール系樹脂を溶解し、さらにトリエチルア
ミンまたはピリジンを溶解して、室温または加温して１
〜１０時間撹拌する。反応終了後、反応溶液を数回水洗
した後、反応溶液を蒸発させ、その後凍結乾燥させて変
性物を得る。

（２）ｎが１以上の場合のシリコン化合物（シリコン原
子とハロゲン原子の間にアルキレン基などが存在するシ
リコン化合物〉によりフェノール系樹脂の水酸基を変性
する場合：水または有機溶媒中にシリコン化合物とフェ
ノール系樹脂を混在させ、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、ｔブトキシカリウムなどのアルカリ触媒を用い
て、加温しながら１〜５０時間撹拌を行う。反応終了後
、（１９） 反応溶液を数回水洗した後、反応溶液を蒸発させ、その
後凍結乾燥させて変性物を得る。

上記（１）または（２〉の方法によりシリコン変性した
フェノール系樹脂は変性率が多すぎるとフェノール性水
酸基が少なくなり、アルカリ水溶液に溶解しなくなり、
アルカリ現像できなくなる。

それ故、変形樹脂がアルカリ水溶液に溶解する程度に変
性を行うことが重要となる。変性樹脂がアルカリ水溶液
に溶解する範囲は水酸基の変性率が０〜４０％である。

感度の点からは変性率は大きければ大きいほど良いので
あるが、アルカリ水溶液への溶解性を考慮に入れると１
０〜４０％が適切である。変性率の制御は主に変性反応
の時のフェノール系樹脂の仕込み量とシリコン化合物の
仕込み量および触媒の仕込み量の三者の比率で決定され
る。

通常フェノール系樹脂の水酸基量１００ｇ当量に対して
シリコン化合物を５０ｇ当量および触媒を５０ｇ当量添
加して反応させることにより、約２５％の変性率を有す
るシリコン変性樹脂を得ることがてできる。また変性率
の定量は原子吸光分析によるシ（１３） リコン原子の定量を行うことにより求めることができる
。

シリコン変性したフェノール系樹脂をレジストとして用
いるには例えば次のようにする。まず本変性樹脂をメチ
ルエチルケトンやメチルイソブチルケトンやエチルセロ
ソルブアセテートなどの有機溶媒に溶解する。次に、・
シリコン基板上に膜厚が１〜２ＪＪｍになるように変性
樹脂を回転塗布する。

約８０℃で２０分プリベークした後、Ｘ線照射あるいは
電子線露光を行い、パターンの潜像を形成する。

次に、例えばＭｌ−３１２（シラプレー社製）のような
アルカリ現像液により現像し、純水でリンスする。

ボストベークを行い、レジストパターンの形成が終了す
る。

第１図は、２層構造レジストプロセスを工程（Ａ＞、　
　（Ｂ）及び（Ｃ）の順序で略本したものである。配線
２を有する基板１は、図示の通り、平坦化層として働く
下層レジスト３及び上層レジスト４を順次有する。

２層構造レジストプロセスの場合には、通常の（１４） 単層レジストプロセスにおける高感度高解像性特性の他
に、平坦化層を酸素プラズマによりエツチングしてレジ
ストパターンを形成する工程を経るため、酸素プラズマ
耐性が必要である。レジスト材料中にシリコン原子を有
する化合物が存在すると酸素プラズマ耐性は向上するこ
とが知られている。またフェノール系樹脂はフェノール
性水素基を持っているためハロゲン化アルキル或いはハ
ロゲン化シリル化合物と化学反応を起こしやすい。

そこで本発明ではまず、フェノール系樹脂をシリコン原
子を有するハロゲン化アルキルあるいはハロゲン化シリ
ル化合物（ここでは総称してシリコン化合物と呼ぶ）に
より変性する。フェノール系樹脂の変性方法（２方法）
は前記した。

さて、通常、２層構造用レジストの酸素プラズマ耐性は
平坦化層の２０倍以上が必要であるとされる。すなわち
、酸素プラズマ衝撃中でエツチングされる速度が、平坦
化層がエツチングされる速度の１／２０以下である必要
がある。酸素プラズマ耐性は酸素プラズマによってエツ
チングする条件（１５） （酸素ガス流量、ガス圧力、印加電力密度など）により
、大き（異なるが、シリコン変性されたフェノール系樹
脂は、平坦化層としてしばしば使用されるハードベーク
したノボラック型ポジ型フォトレジストの酸素プラズマ
耐性に比較して１０倍程度のことが多い。このような場
合には酸素プラズマ耐性を向上させるために、シリコン
変性されたフェノール系樹脂にシリコーン樹脂を添加し
たものをレジスト材料とするのが良い。適用できるシリ
コーン樹脂としては、側鎖にビニル基やアリル基などの
アルケニル基を有する直鎮またはラダー型のシリコーン
樹脂が好適である。この樹脂はシリコーン変性されたフ
ェノール系樹脂と混じり合いかつ遠紫外線の照射を受け
た時互いに架橋して現像液に対して不溶化するからであ
る。

シリコン変性フェノール樹脂単独でまたはシリコーン樹
脂が添加されたシリコン変性フェノール樹脂は感光剤を
使用しなくても遠紫外線に対して感度を有するが、さら
に感度を上げるため、本発明では遠紫外線用の感光剤の
併用を推奨する。適（１６） 当な感光剤としては、前記した通り、２．２−ジメトキ
シ−２−フェニルアセトフェノンや過酸化物（その代表
例としてジクミルパーオキシドがある〉などがあげられ
る。

記載の桐材を用いて、次のようにしてレジスト溶液の調
製を行う。シリコン変性したフェノール樹脂またはこれ
にシリコーン樹脂および必要に応じて感光剤を添加した
レジスト材料をエチレングリコールモノメチルアセテー
トやジメチルケトンなどの有機溶媒に溶解し、レジスト
溶液とする。

次に、平坦化層が形成しであるシリコン基板などの上に
このレジスト溶液を回転塗布する。プリベークを行った
後、フォトマスクを通過した遠紫外線を照射する。次に
、アルカリ水溶液あるいは有機溶剤で現像し、ポストベ
ークを行い、レジストパターンを形成する。次に、この
レジストパターンをマスクとして酸素プラズマエツチン
グにより平坦化層のパターンを形成する。配線部分をパ
ターニングするにはくレジスト＋平坦化層）のパターン
をマスクとして塩素系あるいはふっ素糸のガ（１７） スによるドライエツチングあるいはウェットエツチング
を行い、配線パターンが形成できる（第１図参照）。

〔実施例〕

調製例１ 次の組成により、シリコン変性したノボラック型フェノ
ール樹脂を調製した。

水酸化ナトリウム　　　　　　　　　　　　　１．９ｇ
エチレンクリコールモノメチルエーテル　　１００−上
記組成物を三つロフラスコに入れ、１００℃で６時間撹
拌した。これを大量の水に投入して沈殿物を生成せしめ
、沈澱をテトラヒドロフラン（ＴＩＩＦ）水で３回水洗
した。次に、ＴＨＦ−ｎヘキサノで沈澱させ、１．４−
ジオキサンで凍結乾燥し、シリコン変性ノボラック型フ
ェノール樹脂を得た。

この変性樹脂はアルカリ現像液であるＭＰ−３１２（↑
８） （シラプレー社製）に溶解した。また、原子吸光分析に
よれば、シリコン原子の量は５．２重量％であり、この
結果から変性率は２６％と計算された。

調製例２ 次の組成により、シリコン変性したポリビニルフェノー
ル樹脂を調製した。

ポリビニルフェノールＩ脂２０．０ｇ （リンカ−Ｍ　丸善石油化学製〉 ピリジン　　　　　　　　　　　　　　　　６．６ｇメ
チルイソブチルケトン　　　　　　　　　　２０〇−ポ
リビニルフェノールをメチルイソブチルケトンに溶解し
、シリコン化合物とピリジンを順次滴下した。その後、
６０℃で３時間反応させた。ピリジン塩酸塩を濾別した
後、水で５回洗いさらに反応液をエバポレータで蒸発さ
せ、１．４ジオキサンで凍結乾燥させ、シリコン変性ポ
リビニルフェノール樹脂を得た。

この変性樹脂も調製例１と同様にアルカリ現像液に可溶
であり、また原子吸光分析によるシリコ（１９） ン原子量は５，４重量％であり、この結果から変性率は
２９％と計算できた。

調製例３ 次の組成により、シリコン変性したノボラック型フェノ
ール樹脂を調製した。

水酸化ナトリウム　　　　　　　　　　　　　３．８ｇ
エチレングリコールモノメチルエーテル　　１０ｈ＋４
！上記組成物を三つロフラスコに入れ、１００℃で６時
間撹拌した。これを大量の水に投入して沈澱物を生成せ
しめ、沈澱をＴＨＦ−水で３回水洗した。

次に、ＴＨＦ−ｎヘキサンで沈澱させ、１，４−ジオキ
サンで凍結乾燥し、シリコン変性ノボラック型フェノー
ル樹脂を得た。

調製例４ 次の組成により、シリコン変性したポリビニルフェノー
ル樹脂を調製した。

（２０） ピリジン　　　　　　　　　　　　　　　　７．９ｇメ
チルイソブチルケトン　　　　　　　　　　２０〇−ポ
リビニルフェノールをメチルイソブチルケトンに溶解し
、シリコン化合物とピリジンを順次滴下した。その後、
６０℃で３時間反応させた。ピリジン塩酸塩を濾別した
後、水で５回洗いさらに反応液をエバポレータで蒸発さ
せ、１，４ジオキサンで凍結乾燥させ、シリコン変性ポ
リビニルフェノール樹脂を得た。

調製例５ 次の組成により、側鎖にビニル基を有するラダー型シリ
コーン樹脂を合成した。

ピリジン 水 メチルイソブチルケトン ０ｇ ０ｇ ５Ｏ− （２１） メチルイソブチルケトンとピリジンの入っている溶液を
一３０℃に冷却し、ビニルトリクロロシランと水を順次
、所定量滴下した。その後、１２０℃で９時間還流させ
た。水で５回洗い、シリル化剤（トリメチルクロロシラ
ン）を７５ｇ１ピリジン１００ｇを加え、６０℃で２時
間反応させた。水洗後メタノールで樹脂を沈澱回収した
。

実施例１ 調製例１で得たシリコン変性　　　　　６．０ｇノボラ
ック型フェノール樹脂 メチルイソブチルケトン　　　　　　　　２０−１印の
厚さでＡＡの配線パターンが形成しである８１基板上に
、上記組成のレジスト溶液を膜厚が１．５−になるよう
にスピンコードした。８０℃で２０分プリベークした後
、Ｘ線透過膜としてＳｉＮがまた吸収体としてＰｄのパ
ターンが形成しであるＸ線用マスクを用いて、さらにＸ
線露光機として回転ターゲット式Ｘ線発生機５Ｘ−ＮＲ
４型（理学電機製）を用いて、コンタクト露光した。次
に、アルカリ現像液ＭＰ−３１２（シラプレー社製）で
３分間現像し、水でリンスした。得られたレジストバク
（２２） −ンはマスクの最小線幅である０、５１−まで形状良く
解像していた。この時の露光量は３〇ｍＪ／ｃｎｆであ
った。

実施例２ 調製例２で得たシリコン変性　　　　　６．０ｇポリビ
ニルフェノール樹脂 メチルイソブチルケトン　　　　　　　　２０一実施例
１と同様にスピンコードして、プリベークを行った。次
に、電子線描画装置εＬＳ−３３００（エリオニクス社
製）により、電子線露光を行った。次に、アルカリ現像
液Ｍｌ−３１２（シラプレー社製）で３分間現像し、水
でリンスした。得られたレジストパターンは０．４ハま
で解像していた。この時の露光量は１２μＣ／Ｃｌ１１
であった。

実施例３ 次の組成でレジスト溶液を調製した。

調製例３で得たシリコン藩性　　　　　　５．０ｇノボ
ラック型フェノール　脂 調製例５で得たラダー型シリコーン樹脂　１．０ｇメチ
ルイソブチルケトン　　　　　　　　　４０ｍ１２１力
の厚さでＡｆの配線パターンが形成してあ（２３） るＳ１基板上に、平坦化層としてフォトレジストのＭＰ
−１３００（シラプレー社製）が２０卯の厚さで塗布さ
れかつ２００℃でベーキングされた基板を用いて、この
基板上に上記組成のレジスト溶液を０．３μの膜厚にな
るようにスピンコードした。８０℃で２０分間ベーキン
グを行った後、超高圧Ｘｅ−Ｈｇランプ（ウシオ電機Ｕ
ＭＸ−５００ＭＡ型）を用いて、かつフォトマスクを用
いて、遠紫外線露光を行いレジストパターンの潜像を形
成した。次にメチルイソブチルケトンで現像を行い、イ
ソプロピルアルコールでリンスした。この基板をドライ
エツチング装置（日型アネルバ製ＤＢＭ−４５１型）に
入れ、酸素プラズマにより平坦化層のエツチングを行い
パターン化した。ＳＥＭ観察によればフォトマスクの最
小線幅である０、５Ｊ＝−までスペース部の残渣が無く
解像していることがわかった。なおこの時の露光量は５
０ｍＪ／ｃｎｆであり高感度であった。

実施例４ 次の組成でレジスト溶液を調製した。

（２４） メチルイソブチルケトン　　　　　　　　　４〇−以下
は実施例３と全く同様にして行った。この場合の結果も
実施例３と同様であり、フォトマスクの最小線幅である
０、５Ｊａまでスペース部の残渣が無く解像しているこ
とがわかった。この時の露光量は３０ｍＪ／ｃｕｔであ
った。

〔発明の効果〕

本発明によれば、高段差を有する基板上においテモ、ハ
ーフミクロンのレジストパターンを形成することができ
るので、１６　Ｍｂｉｔ−ＤＲＡＭ以降の超ＬＳＩの製
造に本発明を適用することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）は、本発明のレジス
ト組成物を適用できる２層構造レジストプロセスの一例
を順を追って示した断面図である。 図中、１は基板、２は配線、３は下層レジスト、（２５
） モして４は上層レジストである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、フェノール系樹脂の少くとも一部の水酸基が次式に
   より表わされるシリコン化合物： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） または ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （上式において、 Ｘはハロゲン原子を表わし、 Ｒ＿１はメチレン基またはアルキレン基を表わし、Ｒ＿
   ２、Ｒ＿３およびＲ＿４は互いに同一もしくは異なって
   いてもよく、アルキル基、アルケニル基またはフェニル
   基を表わし、そしてＲ＿２、Ｒ＿３及びＲ＿４のうちの
   少くとも１つはそれに付加した少くとも１個のビニル基
   またはクロロメチル基を有し、ｎは０または１以上の整
   数であり、そして ｍは正の整数である）で置換されたシリコン変性フェノ
   ール系樹脂からなることを特徴とするレジスト組成物。 ２、遠紫外線域に感度を有するに十分な量の、２、２−
   ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノンおよび／また
   は過酸化物からなる群から選ばれた感光剤をさらに有す
   る、請求項１に記載のレジスト組成物。