JPH0346729A - 電界放出型冷陰極の製造方法 - Google Patents
電界放出型冷陰極の製造方法Info
- Publication number
- JPH0346729A JPH0346729A JP1181140A JP18114089A JPH0346729A JP H0346729 A JPH0346729 A JP H0346729A JP 1181140 A JP1181140 A JP 1181140A JP 18114089 A JP18114089 A JP 18114089A JP H0346729 A JPH0346729 A JP H0346729A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cold cathode
- film
- field emission
- emission type
- carbon film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はプレーナ型冷陰極を用いた電界放出型冷陰極お
よびその製造方法に関する。
よびその製造方法に関する。
従来の技術
従来から薄膜を用いた電界放出型冷陰極は数多く報告さ
れている。その中で叡 第４図（特開昭６３−２７４０
４７ｇ公報の第５図参照）に示すようなプレーナ型冷陰
極１よ １００Ｖ程度の低電圧で電子放出がおこること
が知られていも 絶縁基板１の表面に冷陰極２とゲート
電極３をお互いに対向させて構成されている。ゲート電
極３に対向する冷陰極２の端面には多数の凸状部４が設
けられている。冷陰極２には高融点金属Ｗ、Ｍ ｏ。
れている。その中で叡 第４図（特開昭６３−２７４０
４７ｇ公報の第５図参照）に示すようなプレーナ型冷陰
極１よ １００Ｖ程度の低電圧で電子放出がおこること
が知られていも 絶縁基板１の表面に冷陰極２とゲート
電極３をお互いに対向させて構成されている。ゲート電
極３に対向する冷陰極２の端面には多数の凸状部４が設
けられている。冷陰極２には高融点金属Ｗ、Ｍ ｏ。
Ｔａ、Ｚｒ、Ｓｉなど、およびこれらの合金の他ｊＱ
ｗｃ、 Ｓ ｒ Ｃ２Ｚ ｒ Ｃなどの炭化物が一
般に使用されている。冷陰極２とゲート電極３の間に約
１００Ｖの電圧を印加すると、冷陰極の先端部には約１
０’ Ｖ／ｃｍの高電界が加わり、電子放出が起こる。
ｗｃ、 Ｓ ｒ Ｃ２Ｚ ｒ Ｃなどの炭化物が一
般に使用されている。冷陰極２とゲート電極３の間に約
１００Ｖの電圧を印加すると、冷陰極の先端部には約１
０’ Ｖ／ｃｍの高電界が加わり、電子放出が起こる。
発明が解決しようとする課題
この構成の電界放出型冷陰極は比較的低電圧で動作する
ことかぺ 最返 特に注目を浴びるようになってき島
しかし 陰極材料に余尺 炭化物を使用するこの種の電
界放出型冷陰極（友 一般にスペックルノイズと呼ばれ
る放出電流の変動があり、不安定な電子源とされていて
実用化に至っていなしも その主な原因は電子放出が０
．１μｍ２以下の極めて微少な電極表面から起こってい
て、使用中に電極表面の形状が変化したり、表面の仕事
関数が変化し 電子放出部分が転々と変化するためであ
ると考えられている。
ことかぺ 最返 特に注目を浴びるようになってき島
しかし 陰極材料に余尺 炭化物を使用するこの種の電
界放出型冷陰極（友 一般にスペックルノイズと呼ばれ
る放出電流の変動があり、不安定な電子源とされていて
実用化に至っていなしも その主な原因は電子放出が０
．１μｍ２以下の極めて微少な電極表面から起こってい
て、使用中に電極表面の形状が変化したり、表面の仕事
関数が変化し 電子放出部分が転々と変化するためであ
ると考えられている。
本発明（上 こうした放出電流の変動が極めて小さい電
界放出型冷陰極 また 放出電流変動の極めて小さい電
界放出型冷陰極を安価に製造する方法を提供することを
目的とする。
界放出型冷陰極 また 放出電流変動の極めて小さい電
界放出型冷陰極を安価に製造する方法を提供することを
目的とする。
課題を解決するための手段
本発明（上 冷陰極表面を低抵抗導電膜と炭素膜を積層
して構成する。冷陰極を構成する炭素膜はＣＶＤｍ
あるいは不揮発性の高分子膜を冷陰極表面に積層し 加
熱焼成して形成する。
して構成する。冷陰極を構成する炭素膜はＣＶＤｍ
あるいは不揮発性の高分子膜を冷陰極表面に積層し 加
熱焼成して形成する。
作用
冷陰極表面に厚さ０．ＯＩ〜０．２μ代比抵抗１〜１０
テΩ−ｃｍの炭素膜を積層した場合、冷陰極表面の限ら
れた微小部分に電子放出が集中しようとすると、炭素膜
の内部抵抗によって表面電位が低下し いわゆる負帰還
作用が働くた八 冷陰極表面の広い領域から電子放出が
起こるようになる。従って、冷陰極表面の特定の部分の
形状変化が起こり難く、安定した電子放出が得られる。
テΩ−ｃｍの炭素膜を積層した場合、冷陰極表面の限ら
れた微小部分に電子放出が集中しようとすると、炭素膜
の内部抵抗によって表面電位が低下し いわゆる負帰還
作用が働くた八 冷陰極表面の広い領域から電子放出が
起こるようになる。従って、冷陰極表面の特定の部分の
形状変化が起こり難く、安定した電子放出が得られる。
また 炭素膜法０２、Ｈ２Ｏを主成分とする真空容器内
の残留ガスと化学反応してＬＣＯ。
の残留ガスと化学反応してＬＣＯ。
ＣＯ２、炭化水素などの気体となって離散するたべ常に
清浄な炭素面が保持され 冷陰極表面の仕事関数の変化
が起こり難１＋〜 従って、ｔｏ−’〜１０−’Ｔ。
清浄な炭素面が保持され 冷陰極表面の仕事関数の変化
が起こり難１＋〜 従って、ｔｏ−’〜１０−’Ｔ。
ｒｒの真空度であっても安定した電子放出が得られる特
徴があム この様な冷陰極は低抵抗導電膜と炭素膜を積層して構成
することができる。電極表面に形成する炭素膜はＣＶＤ
法によるアモルファス炭素風 グラファイトＡ ダイヤ
モンド風 あるいは有機高分子膜を所定の厚さに塗布し
非酸化性雰囲気中で焼成して炭素膜を形成する方法
ホトリソケラフィ技術によって冷陰極を形成し ホトレ
ジストを残したまま非酸化性雰囲気中で焼成して電極表
面にのみ炭素膜を残す方法などによって形成することが
できる（以下これらの炭素膜をグラファイト様膜と呼ぶ
）。
徴があム この様な冷陰極は低抵抗導電膜と炭素膜を積層して構成
することができる。電極表面に形成する炭素膜はＣＶＤ
法によるアモルファス炭素風 グラファイトＡ ダイヤ
モンド風 あるいは有機高分子膜を所定の厚さに塗布し
非酸化性雰囲気中で焼成して炭素膜を形成する方法
ホトリソケラフィ技術によって冷陰極を形成し ホトレ
ジストを残したまま非酸化性雰囲気中で焼成して電極表
面にのみ炭素膜を残す方法などによって形成することが
できる（以下これらの炭素膜をグラファイト様膜と呼ぶ
）。
実施例
以下に 本発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
実施例１
第１図に本発明の実施例１の電極構成の要部断面図を示
も 絶縁基板５の表面に冷陰極６とゲート電極７を対向
させて構成されていム 冷陰極６は金属電極８と、その
表面に被覆した炭素膜９で構成されている。冷陰極６と
ゲート電極７の対向する部分の基板面にはエツチング技
術によって凹部１０が形成されていも 次ζミ このプレーナ型冷陰極の製造方法について説明
する。絶縁基板例えばガラス基板５の表面にスバタリン
グ法によって厚さ０．２μｍのＷ Ｓ ｉ ２膜８を形
成し 更く その表面に減圧ＣＶＤ法によってグラファ
イト様膜９を厚さ０．１Ａ１ｍ形成し九ドライエツチン
グ技術によって冷陰極６とゲート電極７を同時に形成す
も 冷陰極とゲート電極の間隔は１〜４μｍであも 次
ＧＱ この基板５をバッファエッチ溶液（ＨＦＩ容と
ＮＨａＦ６容の混合液）に浸漬してガラス板表面を深さ
約１μｍエツチングすると、冷陰極先端部下部に凹部１
ｏが形成され 庇状の冷陰極先端部を有する冷陰極を形
成することができる。グラファイト様膜９は形成条件に
よって異なる力交 比抵抗が１からＩＱｊ１Ω−ｃｍの
広範囲のグラファイト膜またはアモルファス炭素膜を形
成することができａ 本実施例では比抵抗約１０”Ω−
Ｃｍのグラファイト様膜を形成し九 ゲート電極７の表
面にもグラファイト様膜９が形成される力丈 冷陰極の
動作玉 特に障害となることはなｕ〜 ＣＶＤ法によって形成した炭素膜の比抵抗は形成条イ生
例えＬｆ、、 ＣＨａ、 Ｃｐ Ｈ２，Ｃｅ Ｈ
ａ ナト使用する原料ガス 放電条件あるいはガラス基
板の温度などによって異なム 一般く 基板温度が低い
場合（４００℃以下）は水素原子を含む高抵抗膜のアモ
ルファス炭素膜が形成され 基板温度を高める（４００
〜８００℃）に従ってグラファイトの微結晶を含む低抵
抗の炭素膜となり、さらに高温（８０Ｑｔ：以上）にす
るとダイヤモンド結晶を含む高抵抗の炭素膜となること
がしられていも この様にして形成した冷陰極を真空度１０−＠Ｔｏｒｒ
以上の真空中で動作させると、冷陰極とゲート電極間に
８０Ｖの電圧を印加した啄 約０，１μＡ／Ｔｉｐの電
子放出が起こり、極めて安定に動作させる事ができ九
炭素膜９の厚さは 特に限定されるものではない力丈
できるだけ低電圧で動作させるには１００ＯＡ以下、例
えば５００Ａ程度の厚さが望ましく′ＩＱ 炭素膜は真空容器中に含まれる酸点 水魚 炭化水素な
どの残留ガスがイオン化されて表面に付着しても金属電
極と異なり、Ｃ○、ＣＯ２、あるいは炭化水素となって
離散するた八 炭素電極表面は常に清浄な面が保持され
安定な電子放出が得られる。また 炭素電極は金属電
極に比べて３〜ＩＯ桁も高い比抵抗を持たせることがで
きるたへ電子放出が微小部分に集中しようとすると負帰
還作用が働き、電極表面の電位が下がへ そのた八重極
表面のより広い部分から電子が放出され 突沸的な電極
先端部の破壊が起こらず安定に動作する。
も 絶縁基板５の表面に冷陰極６とゲート電極７を対向
させて構成されていム 冷陰極６は金属電極８と、その
表面に被覆した炭素膜９で構成されている。冷陰極６と
ゲート電極７の対向する部分の基板面にはエツチング技
術によって凹部１０が形成されていも 次ζミ このプレーナ型冷陰極の製造方法について説明
する。絶縁基板例えばガラス基板５の表面にスバタリン
グ法によって厚さ０．２μｍのＷ Ｓ ｉ ２膜８を形
成し 更く その表面に減圧ＣＶＤ法によってグラファ
イト様膜９を厚さ０．１Ａ１ｍ形成し九ドライエツチン
グ技術によって冷陰極６とゲート電極７を同時に形成す
も 冷陰極とゲート電極の間隔は１〜４μｍであも 次
ＧＱ この基板５をバッファエッチ溶液（ＨＦＩ容と
ＮＨａＦ６容の混合液）に浸漬してガラス板表面を深さ
約１μｍエツチングすると、冷陰極先端部下部に凹部１
ｏが形成され 庇状の冷陰極先端部を有する冷陰極を形
成することができる。グラファイト様膜９は形成条件に
よって異なる力交 比抵抗が１からＩＱｊ１Ω−ｃｍの
広範囲のグラファイト膜またはアモルファス炭素膜を形
成することができａ 本実施例では比抵抗約１０”Ω−
Ｃｍのグラファイト様膜を形成し九 ゲート電極７の表
面にもグラファイト様膜９が形成される力丈 冷陰極の
動作玉 特に障害となることはなｕ〜 ＣＶＤ法によって形成した炭素膜の比抵抗は形成条イ生
例えＬｆ、、 ＣＨａ、 Ｃｐ Ｈ２，Ｃｅ Ｈ
ａ ナト使用する原料ガス 放電条件あるいはガラス基
板の温度などによって異なム 一般く 基板温度が低い
場合（４００℃以下）は水素原子を含む高抵抗膜のアモ
ルファス炭素膜が形成され 基板温度を高める（４００
〜８００℃）に従ってグラファイトの微結晶を含む低抵
抗の炭素膜となり、さらに高温（８０Ｑｔ：以上）にす
るとダイヤモンド結晶を含む高抵抗の炭素膜となること
がしられていも この様にして形成した冷陰極を真空度１０−＠Ｔｏｒｒ
以上の真空中で動作させると、冷陰極とゲート電極間に
８０Ｖの電圧を印加した啄 約０，１μＡ／Ｔｉｐの電
子放出が起こり、極めて安定に動作させる事ができ九
炭素膜９の厚さは 特に限定されるものではない力丈
できるだけ低電圧で動作させるには１００ＯＡ以下、例
えば５００Ａ程度の厚さが望ましく′ＩＱ 炭素膜は真空容器中に含まれる酸点 水魚 炭化水素な
どの残留ガスがイオン化されて表面に付着しても金属電
極と異なり、Ｃ○、ＣＯ２、あるいは炭化水素となって
離散するた八 炭素電極表面は常に清浄な面が保持され
安定な電子放出が得られる。また 炭素電極は金属電
極に比べて３〜ＩＯ桁も高い比抵抗を持たせることがで
きるたへ電子放出が微小部分に集中しようとすると負帰
還作用が働き、電極表面の電位が下がへ そのた八重極
表面のより広い部分から電子が放出され 突沸的な電極
先端部の破壊が起こらず安定に動作する。
本実施例では金属膜表面に炭素膜を積層したものについ
て述べた爪 金属膜と炭素膜を逆にしたものについても
同様な結果が得られ九 実施例２ 第２図？−本発明の他の実施例の要部断面図を示す。本
実施例は第１実施例に示す電界放出型冷陰極を第１実施
例と同様な方法で製造Ｌ 更く冷陰極先端部下部の金属
膜をエツチングし 炭素膜の庇１１を形成したものであ
も この電界放出型冷陰極を真空中て 実施例１と同様な動
作をさせると更に安定に動作した実施例３ 第１図に示す電界放出型冷陰極の他の製造方法について
、第３図に基すいて説明すも 絶縁基板、例えば ガラス基板５の表面にスバタリング
法などによって厚さ０．２μｍのタングステン膜８を形
成し、その表面にポリアクリルニトリル（以下ＰＡＮと
呼ぶ）の膜を厚さ０．３μｍ塗布しく第３図（ａ））
、ホトリソ技術によって冷陰極６とゲート電極７を同時
に形成する（第３図（ｂ））。
て述べた爪 金属膜と炭素膜を逆にしたものについても
同様な結果が得られ九 実施例２ 第２図？−本発明の他の実施例の要部断面図を示す。本
実施例は第１実施例に示す電界放出型冷陰極を第１実施
例と同様な方法で製造Ｌ 更く冷陰極先端部下部の金属
膜をエツチングし 炭素膜の庇１１を形成したものであ
も この電界放出型冷陰極を真空中て 実施例１と同様な動
作をさせると更に安定に動作した実施例３ 第１図に示す電界放出型冷陰極の他の製造方法について
、第３図に基すいて説明すも 絶縁基板、例えば ガラス基板５の表面にスバタリング
法などによって厚さ０．２μｍのタングステン膜８を形
成し、その表面にポリアクリルニトリル（以下ＰＡＮと
呼ぶ）の膜を厚さ０．３μｍ塗布しく第３図（ａ））
、ホトリソ技術によって冷陰極６とゲート電極７を同時
に形成する（第３図（ｂ））。
次へ この電極基板を窒素ガス雲囲気中で６００ｔに加
熱して比抵抗が約１０”Ω−Ｃｍの炭素膜１２゛を形成
する（第３図（Ｃ））。更く バッファエッチ溶液に浸
漬してガラス基板表面をエツチングして庇部１４を形成
する（第３図（ｄ））。
熱して比抵抗が約１０”Ω−Ｃｍの炭素膜１２゛を形成
する（第３図（Ｃ））。更く バッファエッチ溶液に浸
漬してガラス基板表面をエツチングして庇部１４を形成
する（第３図（ｄ））。
ＰＡＮの薄膜形成はＰＡＮをジメチルフオルマアミド（
ＤＭＦ）の溶液に解して金属層８の表面に塗布して形成
し九 ＰＡＮは焼成温度によって膜の抵抗値を大きく変
えることができも 例えｔ′Ｌ４００℃で焼成すると比
抵抗的１０６Ω−ｃｍの炭素膜ができ、８００℃で焼成
すれば約１０Ω−ＣＩｌｌの炭素膜かえられる。本実施
例ではＰＡＮについて述べた力丈 焼成することによっ
て比較的低抵抗になる有機高分子であれば 例えばアク
リル系樹脂 イミド系樹脂など、特に限定することなく
使用することができる。また グラファイトの微結晶粉
太 低抵抗の炭素微粉末を有機高分子に混合したものを
使用することもできる。
ＤＭＦ）の溶液に解して金属層８の表面に塗布して形成
し九 ＰＡＮは焼成温度によって膜の抵抗値を大きく変
えることができも 例えｔ′Ｌ４００℃で焼成すると比
抵抗的１０６Ω−ｃｍの炭素膜ができ、８００℃で焼成
すれば約１０Ω−ＣＩｌｌの炭素膜かえられる。本実施
例ではＰＡＮについて述べた力丈 焼成することによっ
て比較的低抵抗になる有機高分子であれば 例えばアク
リル系樹脂 イミド系樹脂など、特に限定することなく
使用することができる。また グラファイトの微結晶粉
太 低抵抗の炭素微粉末を有機高分子に混合したものを
使用することもできる。
実施例４
第１図に示す電界放出型冷陰極の他の製造方法について
説明する。絶縁基板、例え（ｆ、ガラス基板５の表面に
スバタリング法によって厚さ０．２μｍのタングステン
膜８を形成し ホトレジスト膜を約１５００Ａ塗布し
通常のホトリソ技術によって冷陰極６とゲート電極７を
同時に形成する。冷陰極とゲート電極の間隔は１〜４μ
ｍであ・る。次に 冷陰極６とゲート電極７の表面のホ
トレジスト膜を除去しないで残したまま真空中または不
活性ガス（非酸化性）雰囲気中において６００℃に加熱
すると、レジスト膜が炭素膜になも 更へ この電極基
板をバッファエッチ溶液に浸漬してガラス基板表面を深
さ約１μｍエツチングすると、実施例１と同様に第１図
に示す構造の電界放出型冷陰極を製造することができる
。
説明する。絶縁基板、例え（ｆ、ガラス基板５の表面に
スバタリング法によって厚さ０．２μｍのタングステン
膜８を形成し ホトレジスト膜を約１５００Ａ塗布し
通常のホトリソ技術によって冷陰極６とゲート電極７を
同時に形成する。冷陰極とゲート電極の間隔は１〜４μ
ｍであ・る。次に 冷陰極６とゲート電極７の表面のホ
トレジスト膜を除去しないで残したまま真空中または不
活性ガス（非酸化性）雰囲気中において６００℃に加熱
すると、レジスト膜が炭素膜になも 更へ この電極基
板をバッファエッチ溶液に浸漬してガラス基板表面を深
さ約１μｍエツチングすると、実施例１と同様に第１図
に示す構造の電界放出型冷陰極を製造することができる
。
レジスト膜を焼成して形成した炭素膜は一般に比抵抗が
１０６Ω−Ｃｍ以上である力丈 より低い焼成温度で低
抵抗の炭素膜を得るには実施例３と同様は焼成すること
によって閉環構造を作るＰＡＮなど、またはアクリル系
樹脂 イミド系の樹脂あるいはグラファイト様の微粉末
などを所定量混合したホトレジスト材料を使用すること
が望まし１、％な抵 炭素膜表面から電子放出が起こる
本発明による電界放出型冷陰極においてζよ 低抵抗導
電膜は従来から使用されてきたＷ、Ｍｏ、Ｔａなどの高
融点今風ＷＳ ｉ、 Ｍｏ Ｓ ｉなどの合板 ある
いはＷＣ，ＴａＣなどの炭化物のように高融点金属に限
定する必要はない。
１０６Ω−Ｃｍ以上である力丈 より低い焼成温度で低
抵抗の炭素膜を得るには実施例３と同様は焼成すること
によって閉環構造を作るＰＡＮなど、またはアクリル系
樹脂 イミド系の樹脂あるいはグラファイト様の微粉末
などを所定量混合したホトレジスト材料を使用すること
が望まし１、％な抵 炭素膜表面から電子放出が起こる
本発明による電界放出型冷陰極においてζよ 低抵抗導
電膜は従来から使用されてきたＷ、Ｍｏ、Ｔａなどの高
融点今風ＷＳ ｉ、 Ｍｏ Ｓ ｉなどの合板 ある
いはＷＣ，ＴａＣなどの炭化物のように高融点金属に限
定する必要はない。
発明の詳細
な説明したように 本発明による電界放出型冷陰極ｃヨ
冷陰極先端部に電流が集中することによる突沸的な
冷陰極表面の破壊 あるいは形状、変（１，仕事関数の
変化によって起こる放出電流変動が極めて小さい電界放
出型冷陰極であも また本発明による製造方法に依れぼ
電解放出型冷陰極を安価に製造することができる。
冷陰極先端部に電流が集中することによる突沸的な
冷陰極表面の破壊 あるいは形状、変（１，仕事関数の
変化によって起こる放出電流変動が極めて小さい電界放
出型冷陰極であも また本発明による製造方法に依れぼ
電解放出型冷陰極を安価に製造することができる。
第１図は本発明にかかる電界放出型冷陰極の一実施例の
要部断面医 第２図は同冷陰極の他の実施例の要部断面
は 第３図は同冷陰極の製造方法を示す工程は 第４図
は従来の電界放出型冷陰極の斜視図であも １、５・・・絶縁基板 ２、６・・・冷陰極３、７・・
・ゲート電極 ４、１１、１４・・冷陰極庇眠 ８ 素ｗＬ １０・・ Ｎｇ、１２’ ・ 風
要部断面医 第２図は同冷陰極の他の実施例の要部断面
は 第３図は同冷陰極の製造方法を示す工程は 第４図
は従来の電界放出型冷陰極の斜視図であも １、５・・・絶縁基板 ２、６・・・冷陰極３、７・・
・ゲート電極 ４、１１、１４・・冷陰極庇眠 ８ 素ｗＬ １０・・ Ｎｇ、１２’ ・ 風
Claims (11)
- （１）冷陰極が低抵抗導電膜と炭素膜を積層して構成さ
れていることを特徴とする電界放出型冷陰極。 - （２）炭素膜がグラファイト様微結晶を含む膜であるこ
とを特徴とする請求項１記載の電界放出型冷陰極。 - （３）炭素膜の厚さが０．２μｍ以下であることを特徴
とする請求項１又は２記載の電界放出型冷陰極。 - （４）冷陰極端部の前記炭素膜が前記導電膜より突出し
ていることを特徴とする請求項１、２又は３記載の電界
放出型冷陰極。 - （５）絶縁基板表面に低抵抗膜とグラファイト様薄膜を
積層し、ホトリソグラフィ技術によって冷陰極とゲート
電極を同時に形成することによって、請求項１、２、３
又は４記載の電界放出型冷陰極を製造することを特徴と
する電界放出型冷陰極の製造方法。 - （６）絶縁基板表面に低抵抗導電膜と有機高分子膜を積
層し、ホトリソグラフィ技術によって電極形成後、加熱
焼成して炭素膜を形成することによって、請求項１、２
、３又は４記載の電界放出型冷陰極を製造することを特
徴とする電界放出型冷陰極の製造方法。 - （７）有機高分子膜が焼成することによってグラファイ
ト様膜となる高分子を含有するものであることを特徴と
する請求項６記載の電界放出型冷陰極の製造方法。 - （８）有機高分子膜が低抵抗の炭素微粉末を含有するも
のであることを特徴とする請求項６又は７記載の電界放
出型冷陰極の製造方法。 - （９）ホトリソグラフィ技術を用いて冷陰極を形成し、
レジスト膜を残したまま加熱焼成して電極表面に炭素膜
を形成することを特徴とする請求項１、２、３又は４記
載の電界放出型冷陰極。 - （１０）ホトレジスト材料が焼成することによってグラ
ファイト様膜となる高分子を含有するホトレジストであ
る請求項９に記載の電界放出型冷陰極を製造することを
特徴とする電界放出型冷陰極の製造方法。 - （１１）ホトレジスト材料が低抵抗の炭素微粉末を含有
するホトレジストである請求項９に記載の電界放出型冷
陰極を製造することを特徴とする電界放出型冷陰極の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18114089A JP2923980B2 (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 電界放出型冷陰極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18114089A JP2923980B2 (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 電界放出型冷陰極の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0346729A true JPH0346729A (ja) | 1991-02-28 |
| JP2923980B2 JP2923980B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=16095589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18114089A Expired - Fee Related JP2923980B2 (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 電界放出型冷陰極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2923980B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08510858A (ja) * | 1993-06-02 | 1996-11-12 | マイクロイレクトラニクス、アンド、カムピュータ、テクナラジ、コーパレイシャン | 非晶質ダイヤモンド・フイルムの平坦な電界放出陰極 |
| JP2000090811A (ja) * | 1998-09-16 | 2000-03-31 | Agency Of Ind Science & Technol | 冷電子放出素子とその製造方法 |
| US6380665B1 (en) | 1998-12-08 | 2002-04-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting device, electron source using the electron-emitting devices, and image-forming apparatus using the electron source |
| US6608437B1 (en) | 1994-08-29 | 2003-08-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting device, electron source and image-forming apparatus as well as method of manufacturing the same |
| KR100477727B1 (ko) * | 1997-08-29 | 2005-06-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출 표시소자와 그 제조 방법 |
| KR100477722B1 (ko) * | 1997-08-19 | 2005-10-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 표면 발광형 전계 방출 표시소자 |
| US6992428B2 (en) | 2001-12-25 | 2006-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron emitting device, electron source and image display device and methods of manufacturing these devices |
| US7095040B2 (en) | 2000-01-13 | 2006-08-22 | Pioneer Corporation | Electron-emitting device and method of manufacturing the same and display apparatus using the same |
| US7391150B2 (en) | 2004-03-10 | 2008-06-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting device, electron source, image display device and information display and reproduction apparatus using image display device, and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001266737A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-09-28 | Toshiba Corp | 電子源装置、その製造方法、および電子源装置を備えた平面表示装置 |
| JP3880595B2 (ja) * | 2000-09-01 | 2007-02-14 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子の製造方法、画像表示装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-07-12 JP JP18114089A patent/JP2923980B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08510858A (ja) * | 1993-06-02 | 1996-11-12 | マイクロイレクトラニクス、アンド、カムピュータ、テクナラジ、コーパレイシャン | 非晶質ダイヤモンド・フイルムの平坦な電界放出陰極 |
| US7758762B2 (en) | 1994-08-29 | 2010-07-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing an electron-emitting device with first and second carbon films |
| US7234985B2 (en) | 1994-08-29 | 2007-06-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing an electric emitting device with first and second carbon films |
| US6608437B1 (en) | 1994-08-29 | 2003-08-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting device, electron source and image-forming apparatus as well as method of manufacturing the same |
| US7057336B2 (en) | 1994-08-29 | 2006-06-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting device, electron source and image-forming apparatus as well as method of manufacturing the same |
| KR100477722B1 (ko) * | 1997-08-19 | 2005-10-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 표면 발광형 전계 방출 표시소자 |
| KR100477727B1 (ko) * | 1997-08-29 | 2005-06-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출 표시소자와 그 제조 방법 |
| JP2000090811A (ja) * | 1998-09-16 | 2000-03-31 | Agency Of Ind Science & Technol | 冷電子放出素子とその製造方法 |
| US6888296B2 (en) | 1998-12-08 | 2005-05-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting device, electron source using the electron-emitting devices, and image-forming apparatus using the electron source |
| US6380665B1 (en) | 1998-12-08 | 2002-04-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting device, electron source using the electron-emitting devices, and image-forming apparatus using the electron source |
| US7291962B2 (en) | 1998-12-08 | 2007-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting device, electron source using the electron-emitting devices, and image-forming apparatus using the electron source |
| US7095040B2 (en) | 2000-01-13 | 2006-08-22 | Pioneer Corporation | Electron-emitting device and method of manufacturing the same and display apparatus using the same |
| US6992428B2 (en) | 2001-12-25 | 2006-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron emitting device, electron source and image display device and methods of manufacturing these devices |
| US7391150B2 (en) | 2004-03-10 | 2008-06-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting device, electron source, image display device and information display and reproduction apparatus using image display device, and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2923980B2 (ja) | 1999-07-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5023110A (en) | Process for producing electron emission device | |
| KR100491305B1 (ko) | 전계방사형 전자원 | |
| US5559342A (en) | Electron emitting device having a polycrystalline silicon resistor coated with a silicide and an oxide of a work function reducing material | |
| US5382867A (en) | Field-emission type electronic device | |
| EP0299461B1 (en) | Electron-emitting device | |
| US5394006A (en) | Narrow gate opening manufacturing of gated fluid emitters | |
| DE69521386T2 (de) | Herstellung eines Elektronenemitters mittels eines Abdruckverfahrens | |
| EP0483814B1 (en) | Field emission type emitter and method of manufacturing thereof | |
| US5969473A (en) | Two-part field emission structure | |
| JPH0346729A (ja) | 電界放出型冷陰極の製造方法 | |
| JPH0687392B2 (ja) | 電子放出素子の製造方法 | |
| JPH01298623A (ja) | Ｍｉｍ形電子放出素子 | |
| JP2950689B2 (ja) | 電界放出型電子源 | |
| JPH02270247A (ja) | 冷陰極電界放出装置の製造方法 | |
| KR100449071B1 (ko) | 전계 방출 소자용 캐소드 | |
| JPH0748346B2 (ja) | 電界放出冷陰極素子 | |
| JPH07114104B2 (ja) | 電子放出素子及びその製造方法 | |
| JPH0547296A (ja) | 電界放出型電子源及びその製造方法 | |
| US5891321A (en) | Electrochemical sharpening of field emission tips | |
| JP2727193B2 (ja) | 電子放出素子の製造方法 | |
| EP0989576A1 (en) | Element and method for discharging electron | |
| JP2003100201A (ja) | 電界放射型電子源およびその製造方法 | |
| JPH0797473B2 (ja) | 電子放出素子 | |
| JPH02276129A (ja) | プレーナ型冷陰極およびその製造法 | |
| JP2003187688A (ja) | 電界放射型電子源およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |