JPH0687392B2 - 電子放出素子の製造方法 - Google Patents
電子放出素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH0687392B2 JPH0687392B2 JP63210445A JP21044588A JPH0687392B2 JP H0687392 B2 JPH0687392 B2 JP H0687392B2 JP 63210445 A JP63210445 A JP 63210445A JP 21044588 A JP21044588 A JP 21044588A JP H0687392 B2 JPH0687392 B2 JP H0687392B2
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- Japan
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- electron
- fine particles
- emitting device
- electrodes
- film
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は電子放出素子に関し、更に詳しくは表面伝導形
電子放出素子の製造方法に関する。
電子放出素子の製造方法に関する。
［開示の概要］ 本明細書及び図面は、表面伝導形電子放出素子の製造方
法において、一対の電極間に微粒子を含む薄膜導電体を
設け、通電加熱を施し電子放出部を形成することによ
り、島構造のバラツキや素子劣化等を改善する技術を開
示するものである。
法において、一対の電極間に微粒子を含む薄膜導電体を
設け、通電加熱を施し電子放出部を形成することによ
り、島構造のバラツキや素子劣化等を改善する技術を開
示するものである。
［従来の技術］ 従来、簡単な構造で電子の放出が得られる素子として、
例えば、エム アイ エリンソン（M.I.Elinson）等に
よって発表された冷陰極素子が知られている。［ラジオ
エンジニアリング エレクトロン フィジィツス（Ra
dio Eng. Electron. Phys.）第10巻、1290〜1296頁、19
65年］ これは、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に平
行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現像を利
用するもので、一般には表面伝導形電子放出素子と呼ば
れている。
例えば、エム アイ エリンソン（M.I.Elinson）等に
よって発表された冷陰極素子が知られている。［ラジオ
エンジニアリング エレクトロン フィジィツス（Ra
dio Eng. Electron. Phys.）第10巻、1290〜1296頁、19
65年］ これは、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に平
行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現像を利
用するもので、一般には表面伝導形電子放出素子と呼ば
れている。
この表面伝導形電子放出素子としては、前記エリンソン
等により開発されたSnO2（Sb）薄膜を用いたもの、Au薄
膜によるもの［ジー・ディトマー“スイン ソリド フ
ィルムス”（G.Dittmer:“Thin Solid Films"）,9巻,31
7頁，（1972年）］、ITO薄膜によるもの［エム ハート
ウエル アンド シージーフォンスタッド“アイイーイ
ーイートランス”イーディーコンファレン（M.Hartwell
and C.G.Fonstad: “IEEE Trans.ED Conf."）519頁，
（1975）］、カーボン薄膜によるもの［荒木久他：“真
空",第26巻，第１号,22頁，（1983）］などが報告され
ている。
等により開発されたSnO2（Sb）薄膜を用いたもの、Au薄
膜によるもの［ジー・ディトマー“スイン ソリド フ
ィルムス”（G.Dittmer:“Thin Solid Films"）,9巻,31
7頁，（1972年）］、ITO薄膜によるもの［エム ハート
ウエル アンド シージーフォンスタッド“アイイーイ
ーイートランス”イーディーコンファレン（M.Hartwell
and C.G.Fonstad: “IEEE Trans.ED Conf."）519頁，
（1975）］、カーボン薄膜によるもの［荒木久他：“真
空",第26巻，第１号,22頁，（1983）］などが報告され
ている。
これらの表面伝導形電子放出素子の典型的な素子構成を
第５図に示す。同図において、１および２は電気的接続
を得るための電極、３は電子放出材料で形成される薄
膜、４は基板、５は電子放出部を示す。
第５図に示す。同図において、１および２は電気的接続
を得るための電極、３は電子放出材料で形成される薄
膜、４は基板、５は電子放出部を示す。
従来、これらの表面伝導形電子放出素子においては、電
子放出を行う前にあらかじめフォーミングと呼ばれる通
電加熱処理によって電子放出部を形成する。即ち、前記
電極１と電極２の間に電圧を印加する事により、薄膜３
に通電し、これにより発生するジュール熱で薄膜３を局
所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗
な状態にした電子放出部５を形成することにより電子放
出機能を得ている。
子放出を行う前にあらかじめフォーミングと呼ばれる通
電加熱処理によって電子放出部を形成する。即ち、前記
電極１と電極２の間に電圧を印加する事により、薄膜３
に通電し、これにより発生するジュール熱で薄膜３を局
所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗
な状態にした電子放出部５を形成することにより電子放
出機能を得ている。
なお、電気的に高抵抗状態とは、薄膜３の一部に0.5μ
ｍ〜５μｍの亀裂を有し、且つ亀裂内が所謂島構造を有
する不連続状態膜をいう。島構造とは一般に数十Åから
数μｍ径の微粒子が基板４にあり、各微粒子は空間的に
不連続で電気的に連続な膜をいう。
ｍ〜５μｍの亀裂を有し、且つ亀裂内が所謂島構造を有
する不連続状態膜をいう。島構造とは一般に数十Åから
数μｍ径の微粒子が基板４にあり、各微粒子は空間的に
不連続で電気的に連続な膜をいう。
従来、表面伝導形電子放出素子は上述高抵抗不連続膜に
電極1,2により電圧を印加し、素子表面に電流を流すこ
とにより、上述微粒子より電子放出せしめるものであ
る。
電極1,2により電圧を印加し、素子表面に電流を流すこ
とにより、上述微粒子より電子放出せしめるものであ
る。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記の様な従来の通電加熱によるフォー
ミング処理によって製造された電子放出素子には、次の
ような問題点があった。
ミング処理によって製造された電子放出素子には、次の
ような問題点があった。
１）電子放出部となる島構造の設計が不可能なため、素
子の改良が難しく、素子間のバラツキも生じやすい。
子の改良が難しく、素子間のバラツキも生じやすい。
２）島構造の寿命が短かく且つ安定性が悪く、また外界
の電磁波ノイズにより素子破壊も生じやすい。
の電磁波ノイズにより素子破壊も生じやすい。
３）フォーミング工程の際に生じるジュール熱が大きい
ため、基板が破壊しやすくマルチ化が難しい。
ため、基板が破壊しやすくマルチ化が難しい。
４）島の材料が金、銀、SnO2、ITO等に限定され仕事関
数の小さい材料が使えないため、大電流を得ることがで
きない。
数の小さい材料が使えないため、大電流を得ることがで
きない。
以上のような問題点があるため、表面伝導形電子放出素
子は、素子構造が簡単であるという利点があるにもかか
わらず、産業上積極的に応用されるには至ってはいなか
った。
子は、素子構造が簡単であるという利点があるにもかか
わらず、産業上積極的に応用されるには至ってはいなか
った。
本発明は、上記の様な従来例の欠点を除去した新規な電
子放出素子の製造方法を提供することを目的とする。
子放出素子の製造方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明は対向する電極間に微粒子を含む薄膜導電体を設
け、この薄膜導電体に通電加熱（フォーミング）を施
し、上述島構造を有する不連続状態膜を形成して電子放
出部とすることにより、上記目的を達成するものであ
る。
け、この薄膜導電体に通電加熱（フォーミング）を施
し、上述島構造を有する不連続状態膜を形成して電子放
出部とすることにより、上記目的を達成するものであ
る。
本発明における島構造の微粒子は薄膜導電体内に含まれ
る微粒子と同一であり、この微粒子が電子放出部とな
る。また、この微粒子はガスディポジション法や分散塗
布法等により電極間に分散される。
る微粒子と同一であり、この微粒子が電子放出部とな
る。また、この微粒子はガスディポジション法や分散塗
布法等により電極間に分散される。
［作用］ 微粒子を含む薄膜導電体は、通電加熱により熱分解さ
れ、電極間には微粒子が形成されることになる。この方
法によれば、フォーミング時の熱量を少なくすることが
できるため、膜割れや基板割れを防止することができ
る。また、島材の選択が可能となり、且つ島構造の形成
が安定するため、制御性もより向上させることができ
る。
れ、電極間には微粒子が形成されることになる。この方
法によれば、フォーミング時の熱量を少なくすることが
できるため、膜割れや基板割れを防止することができ
る。また、島材の選択が可能となり、且つ島構造の形成
が安定するため、制御性もより向上させることができ
る。
［実施例］ 実施例１ 第１図は本発明における電子放出素子の構成図であっ
て、通電加熱前の状態を示したものである。
て、通電加熱前の状態を示したものである。
図中、６は、ガラスもしくは石英等の基板、９は微粒子
を含む薄膜導電体膜、７および８は前記薄膜導電体膜９
に電流を流すための電極である。
を含む薄膜導電体膜、７および８は前記薄膜導電体膜９
に電流を流すための電極である。
次に、本実施例における電子放出素子の製造方法を説明
する。
する。
石英の基板６表面の脱脂及び洗浄を行う。
基板６の表面に、通常よく用いられる真空成膜プロ
セスとフォトリソプロセスによりNiの電極7,8を形成す
る。電極材としては、一般的な導電性材料、Au,Pt,Ag等
の金属の他、SnO2,ITO等の酸化物導電性材料でも使用で
きる。電極7,8の厚みは数100Åから数μｍ程度が適当で
あるが、この数値に限るものではない。また電極間隔Ｌ
の寸法は電極対向間隔が数μｍから数100μｍが適当で
あり、本実施例においては５μｍとした。一方、間隔幅
Ｗは数μｍから数mm程度が適当であり、本実施例におい
ては500μｍとした。ただし、このＬおよびＷの寸法
は、いずれも上記数値に限るものではない。
セスとフォトリソプロセスによりNiの電極7,8を形成す
る。電極材としては、一般的な導電性材料、Au,Pt,Ag等
の金属の他、SnO2,ITO等の酸化物導電性材料でも使用で
きる。電極7,8の厚みは数100Åから数μｍ程度が適当で
あるが、この数値に限るものではない。また電極間隔Ｌ
の寸法は電極対向間隔が数μｍから数100μｍが適当で
あり、本実施例においては５μｍとした。一方、間隔幅
Ｗは数μｍから数mm程度が適当であり、本実施例におい
ては500μｍとした。ただし、このＬおよびＷの寸法
は、いずれも上記数値に限るものではない。
次に前記で得た電極ギャップ部へ微粒子を塗布し
薄膜導電体９を形成する。塗布には微粒子の分散液を用
いる。酢酸ブチルやアルコール等から成る有機溶剤に、
微粒子及び微粒子の分散を促進する添加剤を加え、撹拌
等により微粒子の分散液を調整する。この微粒子分散液
を資料表面にディッピングやスピンコート等の方法によ
り塗布し、溶媒等が蒸発する温度、例えば250℃で10分
程度仮焼成を行う。これにより微粒子が電極間隔Ｌ中の
絶縁基板６の表面に配置される。もちろん微粒子は試料
全面に配置されるが、電子放出に際し電極間隔Ｌ部以外
の微粒子は実質的に電圧が印加されないため、何ら支障
をきたさない。また、微粒子の配置密度は塗布条件、及
び微粒子分散液の調整により変化し、これに合わせて電
極間隔Ｌに流れる電流量も変化する。
薄膜導電体９を形成する。塗布には微粒子の分散液を用
いる。酢酸ブチルやアルコール等から成る有機溶剤に、
微粒子及び微粒子の分散を促進する添加剤を加え、撹拌
等により微粒子の分散液を調整する。この微粒子分散液
を資料表面にディッピングやスピンコート等の方法によ
り塗布し、溶媒等が蒸発する温度、例えば250℃で10分
程度仮焼成を行う。これにより微粒子が電極間隔Ｌ中の
絶縁基板６の表面に配置される。もちろん微粒子は試料
全面に配置されるが、電子放出に際し電極間隔Ｌ部以外
の微粒子は実質的に電圧が印加されないため、何ら支障
をきたさない。また、微粒子の配置密度は塗布条件、及
び微粒子分散液の調整により変化し、これに合わせて電
極間隔Ｌに流れる電流量も変化する。
本実施例における微粒子材料としては、粒径1000Å以下
のSnO2微粒子を用いたが、これ以外の材料を用いること
もできる。具体的には、LaB6，CeB6，YB4，GdB4などの
硼化物、TiC,ZrC,HfC,TaC,SiC,Wcなどの炭化物、TiN,Zr
N,HfNなどの窒化物、Nb,Mo,Rh,Hf,Ta,W,Re,Ir,Pt,Ti,A
u,Ag,Cu,Cr,Al.Co,Ni,Fe,Pb,Pd,Cs,Baなどの金属、In2O
3，SuO2，Sb2O3などの金属酸化物、Si,Geなどの半導
体、カーボン、AgMgなどを一例として挙げることができ
る。なお本発明は上記材料に限定されるものではない。
のSnO2微粒子を用いたが、これ以外の材料を用いること
もできる。具体的には、LaB6，CeB6，YB4，GdB4などの
硼化物、TiC,ZrC,HfC,TaC,SiC,Wcなどの炭化物、TiN,Zr
N,HfNなどの窒化物、Nb,Mo,Rh,Hf,Ta,W,Re,Ir,Pt,Ti,A
u,Ag,Cu,Cr,Al.Co,Ni,Fe,Pb,Pd,Cs,Baなどの金属、In2O
3，SuO2，Sb2O3などの金属酸化物、Si,Geなどの半導
体、カーボン、AgMgなどを一例として挙げることができ
る。なお本発明は上記材料に限定されるものではない。
本実施例における分散液としては、微粒子（SnO2,1.0
g）、有機溶媒（MEK（メチルエチルケトン）：シクロヘ
キサン＝3:1,800cc）の各材料をガラスビーズと共にペ
イントシェーカーで24時間攪拌し、分散液とした。
g）、有機溶媒（MEK（メチルエチルケトン）：シクロヘ
キサン＝3:1,800cc）の各材料をガラスビーズと共にペ
イントシェーカーで24時間攪拌し、分散液とした。
本実施例における、薄膜導電体膜９は、上記分散液を一
般に良く用いられるディピング法やスピナー法等の分散
塗布法により形成した。この時シート抵抗が数10KΩ以
下の抵抗値になるように形成した。
般に良く用いられるディピング法やスピナー法等の分散
塗布法により形成した。この時シート抵抗が数10KΩ以
下の抵抗値になるように形成した。
次に、真空度１×10-5Torrの環境において電極7,8
に電圧を印加し、薄膜導電体膜９に通電する。電圧を上
昇させると、薄膜導電体膜９に流れる電流が増加し、電
極7,8間の薄膜導電体膜９がジュール熱により破壊する
（フォーミング工程）。このようなフォーミング工程後
の素子の概略を第２図に示す。第２図において、10はフ
ォーミング工程により形成されたSnO2微粒子を島とする
不連続膜である。以上の工程により作製された素子を10
-5Torr以上の真空下に置き、先に述べたように電極7,8
間に電圧を印加し、素子上面に設けられた引き出し電極
（図示せず）で電子を引き出したところ、安定した電子
放出が確認された。
に電圧を印加し、薄膜導電体膜９に通電する。電圧を上
昇させると、薄膜導電体膜９に流れる電流が増加し、電
極7,8間の薄膜導電体膜９がジュール熱により破壊する
（フォーミング工程）。このようなフォーミング工程後
の素子の概略を第２図に示す。第２図において、10はフ
ォーミング工程により形成されたSnO2微粒子を島とする
不連続膜である。以上の工程により作製された素子を10
-5Torr以上の真空下に置き、先に述べたように電極7,8
間に電圧を印加し、素子上面に設けられた引き出し電極
（図示せず）で電子を引き出したところ、安定した電子
放出が確認された。
従来のフォーミングによる素子の作成においては、全く
電子放出を示さないものや、数10％も特性がばらつく例
が多かったが、この方法によって作成した素子では、素
子間のばらつきが非常に小さく24Vの電圧印加で平均放
出電流1.2μＡ（±10％）が安定に得られた。しかも、
この特性を10時間以上も維持し、寿命の点でも向上して
いることがわかった。また微粒子径や塗布条件を変化さ
せると、それぞれの条件に応じて放出電流の異なる素子
が再現良く作製できた。
電子放出を示さないものや、数10％も特性がばらつく例
が多かったが、この方法によって作成した素子では、素
子間のばらつきが非常に小さく24Vの電圧印加で平均放
出電流1.2μＡ（±10％）が安定に得られた。しかも、
この特性を10時間以上も維持し、寿命の点でも向上して
いることがわかった。また微粒子径や塗布条件を変化さ
せると、それぞれの条件に応じて放出電流の異なる素子
が再現良く作製できた。
また、フォーミング工程の際に発生するジュール熱も従
来と比べ数分の一程度であり、基板や電極に破損のない
素子が作製できた。
来と比べ数分の一程度であり、基板や電極に破損のない
素子が作製できた。
実施例２ 第３図は、本発明の第２の実施例における電子放出素子
の構成図であって、通電加熱前の状態を示したものであ
る。図中、11は本実施例における微粒子を含む薄膜導電
体膜である。他の構成は前記実施例１と同様であり、基
板６上に電極7,8を形成する。このとき、電極間隔Ｌは
５μｍ、電極幅Ｗは10mmとした。
の構成図であって、通電加熱前の状態を示したものであ
る。図中、11は本実施例における微粒子を含む薄膜導電
体膜である。他の構成は前記実施例１と同様であり、基
板６上に電極7,8を形成する。このとき、電極間隔Ｌは
５μｍ、電極幅Ｗは10mmとした。
次に、超微粒子の製膜法として広く知られているガスデ
ポジション法（「粉体と工業」Vol.19,No.5,1987）によ
り、0.1μｍ以下の銀微粒子で薄膜導電体膜11をを形成
する。ガスディポジション法は、粒径が0.1μｍ以下の
きわめて小さな粒子による製膜が可能であり、材料とし
ては、銀以外に金、銅、ニッケルなどの様々な金属材料
により製膜できる。薄膜導電体膜11の幅Ｗは2mmに形成
した。
ポジション法（「粉体と工業」Vol.19,No.5,1987）によ
り、0.1μｍ以下の銀微粒子で薄膜導電体膜11をを形成
する。ガスディポジション法は、粒径が0.1μｍ以下の
きわめて小さな粒子による製膜が可能であり、材料とし
ては、銀以外に金、銅、ニッケルなどの様々な金属材料
により製膜できる。薄膜導電体膜11の幅Ｗは2mmに形成
した。
次に、実施例１と同様にフォーミング工程後、第４図に
示すように電子放出素子を形成した。第４図において、
12はフォーミング工程により形成された銀微粒子を島と
する不連続膜である。
示すように電子放出素子を形成した。第４図において、
12はフォーミング工程により形成された銀微粒子を島と
する不連続膜である。
上述した電子放出素子において、実施例１と同様に特性
を評価したところ、同様な結果が得られた。
を評価したところ、同様な結果が得られた。
また、実施例１の分散塗布法による電子放出素子はその
製造時に有機溶剤が介在しているが、本実施例における
電子放出素子は、微粒子のみで素子が製造できる。一般
に、素子に残存する有機溶剤は、素子を駆動したときの
次のような問題を引き起こすものと考えられている。
製造時に有機溶剤が介在しているが、本実施例における
電子放出素子は、微粒子のみで素子が製造できる。一般
に、素子に残存する有機溶剤は、素子を駆動したときの
次のような問題を引き起こすものと考えられている。
有機溶剤が分解し、ハイドロカーボン等の炭化物質
が表面上に析出し、特性を劣化させる。
が表面上に析出し、特性を劣化させる。
有機溶剤が分解イオン化し、このイオンが電子放出
部に衝突することにより、電子放出特性を劣化させる。
部に衝突することにより、電子放出特性を劣化させる。
本実施例のガスディポジション法によって形成された素
子は、分解塗布法によってつくられた素子に比べてこの
ような欠点がなく、良好な特性が得られた。
子は、分解塗布法によってつくられた素子に比べてこの
ような欠点がなく、良好な特性が得られた。
実施例３ 前記実施例１で説明した素子において、微粒子材料とし
てSnO2とAuを混合した微粒子分散液を用いた。混合割合
はモル比でAu:SnO2＝2:1とした。他の構成及び作製手順
は実施例１と同様である。
てSnO2とAuを混合した微粒子分散液を用いた。混合割合
はモル比でAu:SnO2＝2:1とした。他の構成及び作製手順
は実施例１と同様である。
本実施例では、SnO2が電子放出に係る微粒子となり、Au
が電極間の導電を得るための微粒子となる。
が電極間の導電を得るための微粒子となる。
本素子は、フォーミング前の素子抵抗が低く、フォーミ
ング時の素子電圧を低くすることができるため、フォー
ミングによる素子劣化を最小限に抑えることができる。
また、本実施例の素子は、下記表１に示すように実施例
１の素子に比べ、同じ放出電流を得る場合の素子電圧を
低くすることができた。
ング時の素子電圧を低くすることができるため、フォー
ミングによる素子劣化を最小限に抑えることができる。
また、本実施例の素子は、下記表１に示すように実施例
１の素子に比べ、同じ放出電流を得る場合の素子電圧を
低くすることができた。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、対向する電極間
に微粒子を含む薄膜導電体を設け、この薄膜導電体に通
電加熱（フォーミング）を施し、前記微粒子による不連
続膜を形成することにより、次のような効果が得られ
る。
に微粒子を含む薄膜導電体を設け、この薄膜導電体に通
電加熱（フォーミング）を施し、前記微粒子による不連
続膜を形成することにより、次のような効果が得られ
る。
１）島構造の設計が可能となり、素子間のバラツキも従
来に比べ非常に少なくすることができる。
来に比べ非常に少なくすることができる。
２）島構造の寿命を向上させ、且つ安定した放出電流が
得られる。
得られる。
３）膜割れや、基板割れを生じにくい。
４）不連続膜の島の材料の選択が可能となる。
第１図及び第２図は第１の実施例を示す図、第３図及び
第４図は第２の実施例を示す図、第５図は素子の典型的
な構成図である。 1,2,7,8……電極 ３……薄膜、4,6……基板 9,11……薄膜導電体膜、10,12……不連続膜
第４図は第２の実施例を示す図、第５図は素子の典型的
な構成図である。 1,2,7,8……電極 ３……薄膜、4,6……基板 9,11……薄膜導電体膜、10,12……不連続膜
Claims (5)
- 【請求項１】一対の電極間に微粒子を含む薄膜導電体膜
を設け、該薄膜導電体に通電加熱を施すことにより、電
子放出部を形成する電子放出素子の製造方法。 - 【請求項２】薄膜導電体が導電性微粒子を含む膜である
第１項記載の電子放出素子の製造方法。 - 【請求項３】微粒子をガスディポジション法によって電
極間に分散させた第１項記載の電子放出素子の製造方
法。 - 【請求項４】微粒子を塗布によって電極間に分散させた
第１項記載の電子放出素子の製造方法。 - 【請求項５】薄膜導電体がすくなくとも電子放出に係る
微粒子と、前記一対の電極間に電流を流す微粒子との混
合微粒子からなる第１項記載の電子放出素子の製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63210445A JPH0687392B2 (ja) | 1988-05-02 | 1988-08-26 | 電子放出素子の製造方法 |
| US07/345,173 US5023110A (en) | 1988-05-02 | 1989-05-01 | Process for producing electron emission device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10757088 | 1988-05-02 | ||
| JP63-107570 | 1988-05-02 | ||
| JP63210445A JPH0687392B2 (ja) | 1988-05-02 | 1988-08-26 | 電子放出素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0256822A JPH0256822A (ja) | 1990-02-26 |
| JPH0687392B2 true JPH0687392B2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=26447592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63210445A Expired - Lifetime JPH0687392B2 (ja) | 1988-05-02 | 1988-08-26 | 電子放出素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0687392B2 (ja) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5470265A (en) * | 1993-01-28 | 1995-11-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Multi-electron source, image-forming device using multi-electron source, and methods for preparing them |
| US6313815B1 (en) | 1991-06-06 | 2001-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron source and production thereof and image-forming apparatus and production thereof |
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