JPH0348200A - シンクロトロン放射光利用装置及びその方法 - Google Patents
シンクロトロン放射光利用装置及びその方法Info
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- JPH0348200A JPH0348200A JP2051691A JP5169190A JPH0348200A JP H0348200 A JPH0348200 A JP H0348200A JP 2051691 A JP2051691 A JP 2051691A JP 5169190 A JP5169190 A JP 5169190A JP H0348200 A JPH0348200 A JP H0348200A
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
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- G—PHYSICS
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
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- G—PHYSICS
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
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- G—PHYSICS
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシンクロトロン放射光利用装置、及びシンクロ
トロン放射光利用方法に係り、例えば半導体素子の微細
加工用光源としてシンクロトロン放射光を利用装置、及
びシンクロトロン放射光利用法に関する。
トロン放射光利用方法に係り、例えば半導体素子の微細
加工用光源としてシンクロトロン放射光を利用装置、及
びシンクロトロン放射光利用法に関する。
シンクロトロン放射光発生装Ｗ（電子蓄積リング）のビ
ームダクト内を周回する高エネルギー電子（荷電粒子）
から放出されるシンクロトロン放射光には、波長が１０
人程度で指向性がよく、大強度の軟Ｘ線が含まれるので
、例えば次世代の超ＬＳＩ製造用リソグラフィ光源とし
て注目されており、このための小型シンクロトロン放射
光発生装置の検討が進められている。この種装置に関し
ては、例えば特開昭６３−１７５４００号公報、特開昭
６３−２０２９００号公報等に開示がある。
ームダクト内を周回する高エネルギー電子（荷電粒子）
から放出されるシンクロトロン放射光には、波長が１０
人程度で指向性がよく、大強度の軟Ｘ線が含まれるので
、例えば次世代の超ＬＳＩ製造用リソグラフィ光源とし
て注目されており、このための小型シンクロトロン放射
光発生装置の検討が進められている。この種装置に関し
ては、例えば特開昭６３−１７５４００号公報、特開昭
６３−２０２９００号公報等に開示がある。
又、シンクロトロン放射光を利用したＸ線露光装置が、
特開昭６２−２９１０２７号公報に記載されている。こ
の装置は、軌道面内に放射されるシンクロトロン放射光
を、振動する反射鏡を用いて軌道面外に反射、スキャン
させ所定の目的を達成していた。
特開昭６２−２９１０２７号公報に記載されている。こ
の装置は、軌道面内に放射されるシンクロトロン放射光
を、振動する反射鏡を用いて軌道面外に反射、スキャン
させ所定の目的を達成していた。
一方、自公転する加工装置の公知例としては、特開昭６
２−５５４８号公報に示されるイオンビーム加工装置が
ある。これは、イオンビーム加工装置において、イオン
ビームはウェファに対してウェファの大きさにしぼられ
た均一さに欠けるビームであり、この公知例ではウェフ
ァ全体に対して加工が均一になるように自転は公転周期
とは関係なく単純にぐるぐる回しその目的を達している
。
２−５５４８号公報に示されるイオンビーム加工装置が
ある。これは、イオンビーム加工装置において、イオン
ビームはウェファに対してウェファの大きさにしぼられ
た均一さに欠けるビームであり、この公知例ではウェフ
ァ全体に対して加工が均一になるように自転は公転周期
とは関係なく単純にぐるぐる回しその目的を達している
。
上記特開昭６２−２９１０２７号公報に記載の従来技術
では、軟Ｘ線を反射して拡大するのに５ｍ程度の距離を
必要とし、装置が大型化すると共に、放射光を反射鏡と
反射させるため放射光が減衰してしまい露光量が減少し
てしまう等積々の問題があった。又、特開昭６２−５５
４８号公報では、イオンビームであるためにウェファを
単純に回転させればよいが、シンクロトロン放射光は、
非常に小さく絞られた光であり、ウェファ上を精密に走
査して均一に露光させることが必要である。
では、軟Ｘ線を反射して拡大するのに５ｍ程度の距離を
必要とし、装置が大型化すると共に、放射光を反射鏡と
反射させるため放射光が減衰してしまい露光量が減少し
てしまう等積々の問題があった。又、特開昭６２−５５
４８号公報では、イオンビームであるためにウェファを
単純に回転させればよいが、シンクロトロン放射光は、
非常に小さく絞られた光であり、ウェファ上を精密に走
査して均一に露光させることが必要である。
本発明は上述の点に鑑みなされたもので、その目的とす
るところは、シンクロトロン放射光を利用したものにお
いて、対象物に均一に露光させることができる、放射光
の減衰を起こすことなく大面積を走査することができ、
対象物に均等に放射光を当てることができるシンクロト
ロン放射光利用装置を提供するにある。
るところは、シンクロトロン放射光を利用したものにお
いて、対象物に均一に露光させることができる、放射光
の減衰を起こすことなく大面積を走査することができ、
対象物に均等に放射光を当てることができるシンクロト
ロン放射光利用装置を提供するにある。
（課題を解決するための手段〕
上記目的は、シンクロトロン放射光を当てるべきターゲ
ットとなる対象物を、軸に垂直に取り付けられた平板上
に軸を中心とした円を描くように取り付け、平板を回転
させながら対象物にシンクロトロン放射光を当てること
により実現できる。
ットとなる対象物を、軸に垂直に取り付けられた平板上
に軸を中心とした円を描くように取り付け、平板を回転
させながら対象物にシンクロトロン放射光を当てること
により実現できる。
すなわち、本発明のシンクロトロン放射光発生利用装置
は、シンクロトロン放射光発生装置と、該シンクロトロ
ン放射光発生装置からの放射光を一定方向に取り出す手
段と、回転中心からほぼ等距離に載置され、該シンクロ
トロン放射光を当てるべきターゲットとなる複数個の対
象物を支持する複数の支持体と、該支持体を回転可能に
支持する支持基板と、該支持体のそれぞれを一定の方向
に回転する第１の回転手段と、該第１の回転手段に対し
制御信号を与える第１の制御手段と、該基板を該支持基
板面内で該対象物とは反対の方向に回転させる第２の回
転手段と、該第２の回転手段に制御信号を与える第２の
制御手段とを備えたシンクロトロン放射光利用装置であ
る。
は、シンクロトロン放射光発生装置と、該シンクロトロ
ン放射光発生装置からの放射光を一定方向に取り出す手
段と、回転中心からほぼ等距離に載置され、該シンクロ
トロン放射光を当てるべきターゲットとなる複数個の対
象物を支持する複数の支持体と、該支持体を回転可能に
支持する支持基板と、該支持体のそれぞれを一定の方向
に回転する第１の回転手段と、該第１の回転手段に対し
制御信号を与える第１の制御手段と、該基板を該支持基
板面内で該対象物とは反対の方向に回転させる第２の回
転手段と、該第２の回転手段に制御信号を与える第２の
制御手段とを備えたシンクロトロン放射光利用装置であ
る。
シンクロトロン放射光を照射すべきターゲットとなる対
象物（たとえば、シリコン、ガリウム・砒素など）を支
持する複数の支持体を、軸に垂直に取り付けられた支持
基板上に、軸を中心とした円を描くように取り付け、支
持基板及び支持体を回転させながら対象物にシンクロト
ロン放射光を照射させた場合の対象物上の放射光照射強
度分布について説明する。上記支持基板が、角速度ωで
回転する場合、支持基板の中心から距離ｒの点の回転速
度は、ｒωで表される。対象物におけるシンクロトロン
放射光のスポットは線上であるから。
象物（たとえば、シリコン、ガリウム・砒素など）を支
持する複数の支持体を、軸に垂直に取り付けられた支持
基板上に、軸を中心とした円を描くように取り付け、支
持基板及び支持体を回転させながら対象物にシンクロト
ロン放射光を照射させた場合の対象物上の放射光照射強
度分布について説明する。上記支持基板が、角速度ωで
回転する場合、支持基板の中心から距離ｒの点の回転速
度は、ｒωで表される。対象物におけるシンクロトロン
放射光のスポットは線上であるから。
回転に伴って対象物上をスウイープする。しかし、上で
述べたように対象物の回転速度は回転軸からの距離に比
例して大きくなるので、対象物上のある点に照射する単
位面積、単位時間当たりの照射量は、上記距離に反比例
して小さくなる。すなわち、上記構成の露光装置では、
対象物の内周部で密、外周部で疎となり、照射むらが発
生する。
述べたように対象物の回転速度は回転軸からの距離に比
例して大きくなるので、対象物上のある点に照射する単
位面積、単位時間当たりの照射量は、上記距離に反比例
して小さくなる。すなわち、上記構成の露光装置では、
対象物の内周部で密、外周部で疎となり、照射むらが発
生する。
本発明では、上記複数の対象物が、それぞれ独立に前記
支持体上で角速度ωで反対方向に回転できる機構を具備
している。これにより、合成した角速度は、ゼロとなる
ので、静止した観測者（例えば、露光装置の操作者）か
ら、対象物の表面を見ると、このシンクロトロン放射光
のスポットは、実質的に対象物上を平行運動することに
なり、上記の回転速度の違いによる照射むらの問題を回
避することができる。
支持体上で角速度ωで反対方向に回転できる機構を具備
している。これにより、合成した角速度は、ゼロとなる
ので、静止した観測者（例えば、露光装置の操作者）か
ら、対象物の表面を見ると、このシンクロトロン放射光
のスポットは、実質的に対象物上を平行運動することに
なり、上記の回転速度の違いによる照射むらの問題を回
避することができる。
上記、シンクロトロン放射光利用装置、特に対象物は減
圧下に保持することが好ましい。
圧下に保持することが好ましい。
以上により、複数個の対象物を効率良く、短時間に露光
でき、しかも、均一な微細加工が可能になるので、半導
体の生産性を大幅に向上できる。
でき、しかも、均一な微細加工が可能になるので、半導
体の生産性を大幅に向上できる。
本発明の利用分野としては、光吸収を使った微量元素の
分析、Ｘ線領域の吸収端付近のスペクトル微細構造の測
定による非結晶物質の原子配置の決定、回折スポット像
によよる格子欠陥のａｍ。
分析、Ｘ線領域の吸収端付近のスペクトル微細構造の測
定による非結晶物質の原子配置の決定、回折スポット像
によよる格子欠陥のａｍ。
ＳＯＲ光の平行性を利用した小角散乱法による巨大分子
構造解析、異常散乱法による合金中の構成原子間の距離
測定等に応用できる。
構造解析、異常散乱法による合金中の構成原子間の距離
測定等に応用できる。
本発明のシンクロトロン放射光利用装置の一実施例を第
１図に示す。第１図において、シンクロトロン放射光発
生装置（図示せず）の電子蓄積リング８の中を高速で回
る電子ビーム２から放射光４が、その軌道の接線方向に
放射される。ビームダクト５は放射光４を導くダクトで
あり、その端部は閉じられて内部の真空に保つようにな
っている。放射光４は端部に設けられた窓（例えばＢｅ
等の金属で作られている）を透過してくる。放射光４を
当てるべき対象物９を取り付ける基板１３は支持基板１
１に対して基板１３の中心の周りに回転自在に取り付け
られており、軸１２の周りに回転している。
１図に示す。第１図において、シンクロトロン放射光発
生装置（図示せず）の電子蓄積リング８の中を高速で回
る電子ビーム２から放射光４が、その軌道の接線方向に
放射される。ビームダクト５は放射光４を導くダクトで
あり、その端部は閉じられて内部の真空に保つようにな
っている。放射光４は端部に設けられた窓（例えばＢｅ
等の金属で作られている）を透過してくる。放射光４を
当てるべき対象物９を取り付ける基板１３は支持基板１
１に対して基板１３の中心の周りに回転自在に取り付け
られており、軸１２の周りに回転している。
以上に述べたような構成のとき、回転軸１０がその軸１
２の周りに回転することで電子軌道面と直角方向に対象
物９を軌道面と全く直交したまま移動できる。したがっ
て１回転軸１０の回転速度を適切に選ぶことで対象物９
に適した光の量を対象物９の全面に当てることが出来る
。特に、広い面積にマスクのパターンを正確に焼きつけ
転写する必要性の高い半導体のりソグラフイに適する。
２の周りに回転することで電子軌道面と直角方向に対象
物９を軌道面と全く直交したまま移動できる。したがっ
て１回転軸１０の回転速度を適切に選ぶことで対象物９
に適した光の量を対象物９の全面に当てることが出来る
。特に、広い面積にマスクのパターンを正確に焼きつけ
転写する必要性の高い半導体のりソグラフイに適する。
軸１２は回転角検出装置２５を備えており、その検出信
号は制御電源装置２６へ送られる。基板１３は軸１４に
取り付けられる。軸１４も回転角検出装置２７を備えて
おり、その検出信号は制御電源装置２６へ送られる。軸
１２および軸１４にはそれぞれ回転駆動装置２８．２９
があり、該回転駆動装置は制御電源装置２６から送られ
る制御された電力によりそれぞれに必要な角速度で軸１
２．１４を回転させる。例えば回転駆動装置２８．２９
をステップモータとし制御電源装置２６から送られる電
力をパルスとすることが考えられる。軸１２と１４の角
速度を逆向きで同じ速さにする。このようにすると基板
１３は水平面に対しては回転せず平行移動をするのみで
ある。
号は制御電源装置２６へ送られる。基板１３は軸１４に
取り付けられる。軸１４も回転角検出装置２７を備えて
おり、その検出信号は制御電源装置２６へ送られる。軸
１２および軸１４にはそれぞれ回転駆動装置２８．２９
があり、該回転駆動装置は制御電源装置２６から送られ
る制御された電力によりそれぞれに必要な角速度で軸１
２．１４を回転させる。例えば回転駆動装置２８．２９
をステップモータとし制御電源装置２６から送られる電
力をパルスとすることが考えられる。軸１２と１４の角
速度を逆向きで同じ速さにする。このようにすると基板
１３は水平面に対しては回転せず平行移動をするのみで
ある。
方シンクロトロン放射光は水平面に対して一定の角度（
一般には基礎に平行）で走査する。したがって、基板１
３に固定された対象物９はシンクロトロン放射光によっ
て均一に露光されることになる。
一般には基礎に平行）で走査する。したがって、基板１
３に固定された対象物９はシンクロトロン放射光によっ
て均一に露光されることになる。
次に第２図に放射光４を当てるべき対象物をその中心軸
に関して回転可能にする基板を取り付けた構成を示す。
に関して回転可能にする基板を取り付けた構成を示す。
第２図では、対象物９を取り付ける基板１３があり、基
板１３は支持基板１１に対して基板１３の中心の周りに
回転自在に取り付けられている。
板１３は支持基板１１に対して基板１３の中心の周りに
回転自在に取り付けられている。
軸１２の周りに回転していることから、軸１２に近い部
分と遠い部分の間の周方向速度の違いから軸１２に近い
ところでは遠いところに比べて露光量が多くなる。例え
ば半導体のリングラフィではウェファの直径が１０■程
度であるから、軸１２から基板１３の中心までの距離を
２５ａｎとするとウェファ９上での速度偏差は最大３３
％になるが１、：れは欣の計算による。
分と遠い部分の間の周方向速度の違いから軸１２に近い
ところでは遠いところに比べて露光量が多くなる。例え
ば半導体のリングラフィではウェファの直径が１０■程
度であるから、軸１２から基板１３の中心までの距離を
２５ａｎとするとウェファ９上での速度偏差は最大３３
％になるが１、：れは欣の計算による。
ウェファ上の回転による速さは、その位置の軸１２から
の距離に比例するから最も軸１２から遠いところと近い
ところの回転による速度偏差は１−（２５−１０／２）
／（２５＋１０／２）＝０．３３となる。しかし、第２
図に示す構成のときに、軸１２の周りに回転した角度と
同じだけ軸１４の周りに反対に回転すると、対象物９の
上に仮想的に描かれたｆｉ１５と電子の描く軌道面の成
す角度は常に同じであり、回転による速さは一定である
から露光量は対象物９の上で場所、及び時間によらず常
に一定になる。
の距離に比例するから最も軸１２から遠いところと近い
ところの回転による速度偏差は１−（２５−１０／２）
／（２５＋１０／２）＝０．３３となる。しかし、第２
図に示す構成のときに、軸１２の周りに回転した角度と
同じだけ軸１４の周りに反対に回転すると、対象物９の
上に仮想的に描かれたｆｉ１５と電子の描く軌道面の成
す角度は常に同じであり、回転による速さは一定である
から露光量は対象物９の上で場所、及び時間によらず常
に一定になる。
又、放射光は非常に小さく絞られた光でありウェファ上
を精密に走査して均一に露光させることが必要であるた
め、公転でウェファを送る一方で、内径部と外径部の公
転による接線速度の違いが露光むらを生じないように、
公転の角速度と同じ角速度で公転とは逆向きに自転する
ようにしている。
を精密に走査して均一に露光させることが必要であるた
め、公転でウェファを送る一方で、内径部と外径部の公
転による接線速度の違いが露光むらを生じないように、
公転の角速度と同じ角速度で公転とは逆向きに自転する
ようにしている。
第３図に本発明の第２の実施例を示す。
第３図に示す実施例では、円錐台１９が回転軸１７に同
心に取り付けられ、更に回転軸１０と支持基板１１から
成る対象物取付治具１８が、円錐台１９の側面に対し直
角に取り付けＩ−）れ、軸１２の周りに回転自在に取り
付けられている。このような構成のとき、円錐台１９と
回転軸１７は、対象物取付治具１８を所定の位置に送る
のに用い、所定の位置で軸１２の周りに回転させて露光
作業を行なう。このとき、露光作業の位置にない対象物
取付治具１８の位置では対象物９の取り替え作業が可能
である。さらに放射光４に対し回転軸１７と円錐台１９
の頂角の分だけ傾いているので、ビームダクト５と回転
軸１７が平行である必要がなくなり、露光装置のレイア
ウト自由度を増すことが出来て装置設計−ヒ好ましい。
心に取り付けられ、更に回転軸１０と支持基板１１から
成る対象物取付治具１８が、円錐台１９の側面に対し直
角に取り付けＩ−）れ、軸１２の周りに回転自在に取り
付けられている。このような構成のとき、円錐台１９と
回転軸１７は、対象物取付治具１８を所定の位置に送る
のに用い、所定の位置で軸１２の周りに回転させて露光
作業を行なう。このとき、露光作業の位置にない対象物
取付治具１８の位置では対象物９の取り替え作業が可能
である。さらに放射光４に対し回転軸１７と円錐台１９
の頂角の分だけ傾いているので、ビームダクト５と回転
軸１７が平行である必要がなくなり、露光装置のレイア
ウト自由度を増すことが出来て装置設計−ヒ好ましい。
第４図は、回転軸の支持構成を示す一部断面図である。
該図の如く、支持基板１１を支持する回転軸１０が二つ
の軸受２２，２３で支えられ、また、基板１３を支持す
る回転軸１７が軸受２０゜２１で支えられ５各々それら
の軸受−ヒで回転される。軸受２０，２１，２２．２３
が等しく１．２．５μｎ１の隙間を持っとき、軸受２０
と２１．また軸受２２と２３の間の距離が１０１以上で
あれば、軸受間の長さと軸受の隙間の比は１７８０００
となる。これは以下のことを意味している。文献（応用
物理第５３巻筒１号、１９８４年、１７〜２５ページ）
において線幅０．５μｍのリソグラフでマスク・ウェフ
ァ間の間隔が２０μｍのとき寸法誤差を０．０１μｍ以
下にしている。軸受間の長さと軸受の隙間の比が］−／
８０ ’ＯＯであるとき、左右の二つの軸受の隙間に
よって生じる傾きは最大１／４０００＝２．５ ｘ １
０’＝ ラジアンである。この角度がマスク・ウェファ
間の間隔２０μｍとつくる誤差は２０μｍＸ２，５Ｘ１
０−６＝０．００５μｍ である。軸受２０，２１．２
２゜２３の隙間がすべて重畳したときでも０．００５Ｘ
２＝０．０１μｍである。軸受間の長さと軸受の隙間の
比が１／８０００以下になるようにするには、軸受とし
て例えばアンギュラボールベアリングを用い、軸受間の
長さをｌｏａｎＪｇ上にすれば実現できる。この場合ア
ンギュラボールベアリングの隙間を１２．５μｍ以下と
すればよく、本放射光利用装置において１回転軸は毎秒
１回転に満たないごく低速で回転されるものと予想され
るから、アンギュラボールベアリングの隙間を１２．５
μｍ以下とすることは容易である。また、何らかの理由
で隙間を１２．５μｍ以下に出来なくとも、軸受間の長
さを１０１以上にとればよく、二九も容易なことである
。軸受の隙間によって可能な変位は傾きのほかに平行移
動があるが、これは装置の回転速度がごく低速であるこ
とを考えると生じがたいことである。例え生じたとして
も５ｍ先の点光源から発する光が対象物の１２．５μｍ
＝１２．５ Ｘ １０−Ｂｍ 平行移動により作る角度
は１２．５ｘ１０−６１５＝２，５ｘｌＯ−’ラジアン
であり問題にならない。
の軸受２２，２３で支えられ、また、基板１３を支持す
る回転軸１７が軸受２０゜２１で支えられ５各々それら
の軸受−ヒで回転される。軸受２０，２１，２２．２３
が等しく１．２．５μｎ１の隙間を持っとき、軸受２０
と２１．また軸受２２と２３の間の距離が１０１以上で
あれば、軸受間の長さと軸受の隙間の比は１７８０００
となる。これは以下のことを意味している。文献（応用
物理第５３巻筒１号、１９８４年、１７〜２５ページ）
において線幅０．５μｍのリソグラフでマスク・ウェフ
ァ間の間隔が２０μｍのとき寸法誤差を０．０１μｍ以
下にしている。軸受間の長さと軸受の隙間の比が］−／
８０ ’ＯＯであるとき、左右の二つの軸受の隙間に
よって生じる傾きは最大１／４０００＝２．５ ｘ １
０’＝ ラジアンである。この角度がマスク・ウェファ
間の間隔２０μｍとつくる誤差は２０μｍＸ２，５Ｘ１
０−６＝０．００５μｍ である。軸受２０，２１．２
２゜２３の隙間がすべて重畳したときでも０．００５Ｘ
２＝０．０１μｍである。軸受間の長さと軸受の隙間の
比が１／８０００以下になるようにするには、軸受とし
て例えばアンギュラボールベアリングを用い、軸受間の
長さをｌｏａｎＪｇ上にすれば実現できる。この場合ア
ンギュラボールベアリングの隙間を１２．５μｍ以下と
すればよく、本放射光利用装置において１回転軸は毎秒
１回転に満たないごく低速で回転されるものと予想され
るから、アンギュラボールベアリングの隙間を１２．５
μｍ以下とすることは容易である。また、何らかの理由
で隙間を１２．５μｍ以下に出来なくとも、軸受間の長
さを１０１以上にとればよく、二九も容易なことである
。軸受の隙間によって可能な変位は傾きのほかに平行移
動があるが、これは装置の回転速度がごく低速であるこ
とを考えると生じがたいことである。例え生じたとして
も５ｍ先の点光源から発する光が対象物の１２．５μｍ
＝１２．５ Ｘ １０−Ｂｍ 平行移動により作る角度
は１２．５ｘ１０−６１５＝２，５ｘｌＯ−’ラジアン
であり問題にならない。
第５図に本発明の第３の実施例を示す。
第５図に示す実施例では、大きな支持基板１６が回転軸
１７に同心に取り付けられ、更に回転軸１０と支持基板
１１から成る対象物取付治具１８が、支持基板１６に対
し軸１２の周りに回転自在に取り付けられている。この
ような構成のとき、支持基板１６と回転軸１７は、対象
物取付治具１８を所定の位置に送るのに用い、所定の位
置で軸１２の周りに回転させて露光作業を行なう。この
とき、露光作業の位置にない対象物取付治具１８の位置
では対象物９の取り替え作業が可能であり、露光作業を
中断することなく全体の作業を進めることができる。
１７に同心に取り付けられ、更に回転軸１０と支持基板
１１から成る対象物取付治具１８が、支持基板１６に対
し軸１２の周りに回転自在に取り付けられている。この
ような構成のとき、支持基板１６と回転軸１７は、対象
物取付治具１８を所定の位置に送るのに用い、所定の位
置で軸１２の周りに回転させて露光作業を行なう。この
とき、露光作業の位置にない対象物取付治具１８の位置
では対象物９の取り替え作業が可能であり、露光作業を
中断することなく全体の作業を進めることができる。
以−Ｆ〕説明したように、本発明によれば、複数個の対
象物を効率良く、短時間に露光でき、しかも、均一な微
細加工が可能になるので、半導体の生産性を大幅に向上
できる。
象物を効率良く、短時間に露光でき、しかも、均一な微
細加工が可能になるので、半導体の生産性を大幅に向上
できる。
第１図は本発明のシンクロトロン放射光利用装置の全体
図、第２図は放射光を当てるべき対象物をその中心軸に
関して回転可能にする基板を取り付けた構成を示す図、
第３図は本発明の実施例であり１回転軸と放射光が平行
とならない場合の構造図、第４図は軸受の隙間があると
きの装置の傾きを検討した図、第５図は本発明の実施例
であり、回転軸とそれに同心に取り付けられた大きな円
板上に回転軸と円板からなる対象物取付治具を取り付け
る構成を示す図である。 ２・・・電子ビーム、４・・・放射光、５・・・ビーム
ダクト、８・・・電子蓄積リング、９・・・対象物、１
０・・・回転軸。 １１・・・支持基板、１２・・・軸、】３・・・基板、
１４・・軸、１５・・・線、１６・・・支持基板、１７
・・・回転軸、１８・・対象物取付軸、１９・・・円錐
台、２０，２１゜２２．２３・・・軸受、２４・・・ベ
ース。 第２図 ３ 図 歯 図
図、第２図は放射光を当てるべき対象物をその中心軸に
関して回転可能にする基板を取り付けた構成を示す図、
第３図は本発明の実施例であり１回転軸と放射光が平行
とならない場合の構造図、第４図は軸受の隙間があると
きの装置の傾きを検討した図、第５図は本発明の実施例
であり、回転軸とそれに同心に取り付けられた大きな円
板上に回転軸と円板からなる対象物取付治具を取り付け
る構成を示す図である。 ２・・・電子ビーム、４・・・放射光、５・・・ビーム
ダクト、８・・・電子蓄積リング、９・・・対象物、１
０・・・回転軸。 １１・・・支持基板、１２・・・軸、】３・・・基板、
１４・・軸、１５・・・線、１６・・・支持基板、１７
・・・回転軸、１８・・対象物取付軸、１９・・・円錐
台、２０，２１゜２２．２３・・・軸受、２４・・・ベ
ース。 第２図 ３ 図 歯 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、シンクロトロン放射光発生装置と、 該シンクロトロン放射光発生装置からの放射光を一定方
向に取り出す手段と、 回転中心からほぼ等距離に載置され、該シンクロトロン
放射光を当てるべきターゲットとなる複数個の対象物を
支持する複数の支持体と、該支持体を回転可能に支持す
る支持基板と、該支持体のそれぞれを一定の方向に回転
する第１の回転手段と、 該第１の回転手段に対し制御信号を与える第１の制御手
段と、 該基板を該支持基板面内で該対象物とは反対の方向に回
転させる第２の回転手段と、 該第２の回転手段に制御信号を与える第２の制御手段と
を備えることを特徴とするシンクロトロン放射光利用装
置。 ２、シンクロトロン放射光発生装置と、 該シンクロトロン放射光発生装置からの放射光を一定方
向に取り出す手段と、 回転中心からほぼ等距離に載置され、該シンクロトロン
放射光を当てるべきターゲットとなる複数個の対象物を
支持する複数の支持体と、該対象物のそれぞれを該支持
体面内で一定の方向に回転する第１の回転手段と、 該第１の回転手段に対し制御信号を与える第１の制御手
段と、 該基板を該支持基板面内で該対象物とは反対の方向に回
転させる第２の回転手段と、 該第２の回転手段に制御信号を与える第２の制御手段と
をそなえることを特徴とするシンクロトロン放射光利用
装置。 ３、請求項１において、更に該支持体の回転を検出する
回転角検出装置と、 該回転角検出装置からの検出信号に基づいて該第１の制
御手段に制御信号を与える手段と、該支持基板の回転を
検出する回転角検出装置と、 該回転角検出装置からの検出信号に基づいて該第２の制
御手段に制御信号を与える手段と、を備え、該支持基板
の回転の角速度と該支持体に対する相対回転の角速度を
それぞれ逆向きで同じ速さに制御する制御電源装置を含
むことを特徴とするシンクロトロン放射光利用装置。 ４、請求項１または２において、該支持基板は回転軸に
垂直に取付けられた円錐台であつて、該支持体は円錐台
の側面に支持され、かつその側面に直角の軸を中心とし
て回転できるように支持されていることを特徴とするシ
ンクロトロン放射光利用装置。 ５、前記回転軸と同軸に取付けられた前記円錐台の頂角
が０〜９０度であることを特徴とする請求項８記載のシ
ンクロトロン放射光利用装置。 ６、前記支持基板及び基体は回転自在なそれぞれの回転
軸を、それぞれ２つの軸受で支えられ、該２つの軸受間
の長さと軸受と軸との隙間の比が１／８０００以下であ
ることを特徴とする請求項５記載のシンクロトロン放射
光利用装置。 ７、荷電粒子ビームが周回するに必要な真空室を形成す
る偏向部荷電粒子ビームダクトの外周側に、荷電粒子ビ
ームが磁場によつて曲げられる際に放出されるシンクロ
トロン放射光を外部に取出すための少なくとも１個の放
射光導出ダクトを備え、該放射光導出ダクトの出口近傍
に、前記放射光を当てるべきターゲットとなる対象物を
配置し、該対象物は、平板上にほぼ円形に取付けられる
と共に、前記平板を対象物の支持体とは反対方向に回転
させながら前記放射光が当てられることを特徴とするシ
ンクロトロン放射光利用装置。 ８、荷電粒子ビームが周回するに必要な真空室を形成す
る偏向部荷電粒子ビームダクトの外周側に設置され、荷
電粒子ビームが磁場によつて曲げられる際に放出される
シンクロトロン放射光を外部に取出すための少なくとも
１個の放射光導出ダクトの出口近傍に回転軸と、該回転
軸に垂直に取付けられた平板と、該平板上に回転軸を中
心として円を描くように設けられた複数個の対象物とを
備えた装置を設け、前記平板を前記対象物とは反対方向
に回転させながら前記放射光導出ダクトからのシンクロ
トロン放射光を前記対象物に直接当てることを特徴とす
るシンクロトロン放射光利用装置。 ９、シンクロトロン放射光発生装置からの放射光を一定
方向に取り出し、 該支持体を回転可能に支持する支持基板上に、回転中心
からほぼ等距離に載置され、ターゲットとなる複数個の
対象物を複数の支持体上に支持し、 該支持体のそれぞれを一定の方向に回転するとともに該
基板を該支持基板面内で該対象物とは反対の方向に回転
させ、 該対象物に対する放射光のスポットの軌跡が直線となる
ように該支持基板の回転手段と支持体の回転手段とを制
御することを特徴とするシンクロトロン放射光利用方法
。 １０、請求項９において、前記支持体を回転させながら
前記シンクロトロン放射光を当てている際に、他の前記
支持体上の対象物を交換することを特徴とするシンクロ
トロン放射光利用方法。 １１、回転中心からほぼ等距離に載置され、該シンクロ
トロン放射光を当てるべきターゲットとなる複数個の対
象物を支持する複数の支持体と、該支持体を回転可能に
支持する支持基板と、該支持体のそれぞれを一定の方向
に回転する第１の回転手段と、 該第１の回転手段に対し制御信号を与える第１の制御手
段と、 該基板を該支持基板面内で該対象物とは反対の方向に回
転させる第２の回転手段と、 該第２の回転手段に制御信号を与える第２の制御手段と
を備えることを特徴とする被処理体保持装置。 １２、回転中心からほぼ等距離に載置され、該シンクロ
トロン放射光を当てるべきターゲットとなる複数個の対
象物を支持する複数の支持体と、該対象物のそれぞれを
該支持体面内で一定の方向に回転する第１の回転手段と
、 該第１の回転手段に対し制御信号を与える第１の制御手
段と、 該基板を該支持基板面内で該対象物とは反対の方向に回
転させる第２の回転手段と、 該第２の回転手段に制御信号を与える第２の制御手段と
をそなえることを特徴とする被処理体保持装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2051691A JPH0348200A (ja) | 1989-03-20 | 1990-03-05 | シンクロトロン放射光利用装置及びその方法 |
| EP90105112A EP0388834B1 (en) | 1989-03-20 | 1990-03-19 | Synchrotron radiation utilizing apparatus and method for utilizing synchrotron radiation |
| DE69020392T DE69020392T2 (de) | 1989-03-20 | 1990-03-19 | Verfahren und Vorrichtung zur Benutzung von Synchrotronstrahlung. |
| US07/495,098 US5107524A (en) | 1989-03-20 | 1990-03-19 | Synchrotron radiation utilizing apparatus and method for utilizing synchrotron radiation |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-66221 | 1989-03-20 | ||
| JP6622189 | 1989-03-20 | ||
| JP2051691A JPH0348200A (ja) | 1989-03-20 | 1990-03-05 | シンクロトロン放射光利用装置及びその方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0348200A true JPH0348200A (ja) | 1991-03-01 |
Family
ID=26392253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2051691A Pending JPH0348200A (ja) | 1989-03-20 | 1990-03-05 | シンクロトロン放射光利用装置及びその方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5107524A (ja) |
| EP (1) | EP0388834B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0348200A (ja) |
| DE (1) | DE69020392T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023070232A (ja) * | 2021-11-09 | 2023-05-19 | 株式会社クォンタムフラワーズ＆フーズ | 中性子線被照射装置 |
| US11980148B2 (en) | 2021-07-29 | 2024-05-14 | Quantum Flowers & Foods Co., Ltd. | Neutron ray irradiation target apparatus, mutation induction method, and irradiation target manufacturing method |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101801542A (zh) * | 2007-06-05 | 2010-08-11 | 沉积科学公司 | 用于低成本高速率沉积工具的方法和装置 |
| WO2011100577A2 (en) * | 2010-02-12 | 2011-08-18 | Procure Treatment Centers, Inc. | Robotic mobile anesthesia system |
| CN112366021B (zh) * | 2020-11-09 | 2022-09-23 | 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 | 一种实现反应堆辐照参数均匀化的设备及方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2358652C3 (de) * | 1973-11-24 | 1979-07-19 | Karl-Heinz 6233 Kelkheim Tetzlaff | Bestrahlungsvorrichtung zur gleichmäßigen Bestrahlung von Bestrahlungsgut mittels elektromagnetischer Strahlung von mehr als 5 keV Energie |
| US4028547A (en) * | 1975-06-30 | 1977-06-07 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | X-ray photolithography |
| JPS625548A (ja) * | 1985-07-01 | 1987-01-12 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム加工装置 |
| JP2582552B2 (ja) * | 1986-05-29 | 1997-02-19 | 三菱電機株式会社 | イオン注入装置 |
-
1990
- 1990-03-05 JP JP2051691A patent/JPH0348200A/ja active Pending
- 1990-03-19 DE DE69020392T patent/DE69020392T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-19 US US07/495,098 patent/US5107524A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-19 EP EP90105112A patent/EP0388834B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11980148B2 (en) | 2021-07-29 | 2024-05-14 | Quantum Flowers & Foods Co., Ltd. | Neutron ray irradiation target apparatus, mutation induction method, and irradiation target manufacturing method |
| JP2023070232A (ja) * | 2021-11-09 | 2023-05-19 | 株式会社クォンタムフラワーズ＆フーズ | 中性子線被照射装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0388834A2 (en) | 1990-09-26 |
| DE69020392T2 (de) | 1995-12-21 |
| DE69020392D1 (de) | 1995-08-03 |
| EP0388834B1 (en) | 1995-06-28 |
| US5107524A (en) | 1992-04-21 |
| EP0388834A3 (en) | 1991-07-31 |
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