JPH0348202A - パターン作製法 - Google Patents
パターン作製法Info
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- JPH0348202A JPH0348202A JP13228789A JP13228789A JPH0348202A JP H0348202 A JPH0348202 A JP H0348202A JP 13228789 A JP13228789 A JP 13228789A JP 13228789 A JP13228789 A JP 13228789A JP H0348202 A JPH0348202 A JP H0348202A
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- JP
- Japan
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- thin film
- methacrylate
- structural unit
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は大きな屈折率差を有する感光性樹脂組成物のレ
リーフパターンの作製法に関する。
リーフパターンの作製法に関する。
[従来の技術]
従来、感光性樹脂の露光部では架橋反応や分子の崩壊反
応が生起し、その露光部が難溶化または易溶化すること
から、溶剤を用いて該露光部または非露光部の感光性樹
脂を除去する方法[従来法(2)]によりレリーフパタ
ーンを作製していた。
応が生起し、その露光部が難溶化または易溶化すること
から、溶剤を用いて該露光部または非露光部の感光性樹
脂を除去する方法[従来法(2)]によりレリーフパタ
ーンを作製していた。
また、樹脂に該樹脂より高い屈折率を有する比較的揮発
性の光反応性物質をドーブしてなる感光性樹脂組或物よ
りs lliを形或し、ついで該薄膜に紫外線を照射し
、露光部のドープ物質をロッキングし、非露光部のドー
ブ物質を蒸発除去することにより、露光部と非露光部と
に屈折率差を有するパターンを形成する方注、いわゆる
フォトロッキング法C従来法(2)1が知られている[
アブラ゜イド・フイジクス・レターズ(Applied
PhysicsLetters) 、第26巻、第6
号、第303 〜306頁( 1975年)参照]。こ
の方法によれば、露光部では非露光部に比べて膜厚が約
lθ%増加することが報告されている。
性の光反応性物質をドーブしてなる感光性樹脂組或物よ
りs lliを形或し、ついで該薄膜に紫外線を照射し
、露光部のドープ物質をロッキングし、非露光部のドー
ブ物質を蒸発除去することにより、露光部と非露光部と
に屈折率差を有するパターンを形成する方注、いわゆる
フォトロッキング法C従来法(2)1が知られている[
アブラ゜イド・フイジクス・レターズ(Applied
PhysicsLetters) 、第26巻、第6
号、第303 〜306頁( 1975年)参照]。こ
の方法によれば、露光部では非露光部に比べて膜厚が約
lθ%増加することが報告されている。
さら1こ、エステルのアルコール残基に光反応性の二重
結合を有するアクリル酸またはメタクリル酸エステル系
重合体または共重合体と芳香族ケトンまたは芳香族アル
デヒドとからなる感光性樹脂組戊物より薄膜を形威し、
ついで該薄膜に紫外線を照射し、ついで未反応の該芳香
族ケトンまたは芳香族アルデヒドを除去することにより
露光部と非露光部との間に児折率差と凹凸差とを併せも
つパターンの作製方法[従来法(3)コが知られている
(特開昭62−95525号公報および特開昭62−9
5526号公報参照)。
結合を有するアクリル酸またはメタクリル酸エステル系
重合体または共重合体と芳香族ケトンまたは芳香族アル
デヒドとからなる感光性樹脂組戊物より薄膜を形威し、
ついで該薄膜に紫外線を照射し、ついで未反応の該芳香
族ケトンまたは芳香族アルデヒドを除去することにより
露光部と非露光部との間に児折率差と凹凸差とを併せも
つパターンの作製方法[従来法(3)コが知られている
(特開昭62−95525号公報および特開昭62−9
5526号公報参照)。
〔発明が解決しよう辷する課題ヨ
従来法(1)により作製した感光性附脂のレリーフパタ
ーンにおいては露光部と非露光部との凪折率差はほとん
どないか極めて小さい。従来法(2)により作製したパ
ターンは露光部と非露光部との屈折率差および凹凸部分
の厚み変化が十分ではない。
ーンにおいては露光部と非露光部との凪折率差はほとん
どないか極めて小さい。従来法(2)により作製したパ
ターンは露光部と非露光部との屈折率差および凹凸部分
の厚み変化が十分ではない。
従来法(3)によれば感光性樹脂組成物における露光部
が非露光郎よりも高い尼折率を有し、かつ厚みが大きい
鮮明なパターンが作製できるが、得られたパターンの耐
有礪溶剤性および耐熱性か必ずしも十分ではない。
が非露光郎よりも高い尼折率を有し、かつ厚みが大きい
鮮明なパターンが作製できるが、得られたパターンの耐
有礪溶剤性および耐熱性か必ずしも十分ではない。
本発明の目的は感光性樹指の露光部が非露光部よりも屈
折率が高く、かつ厚みが大きい表面レリーフ構造を有し
、耐有機溶剤性および耐熱性に侵れrこ形状安定性の高
いパターンの作製方法を提供することにある。
折率が高く、かつ厚みが大きい表面レリーフ構造を有し
、耐有機溶剤性および耐熱性に侵れrこ形状安定性の高
いパターンの作製方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明によれば、上記の目的は、下記の(イ)、(G)
、(ハ)および(二)の工徨からムリ、必要1こ応じて
該(ハ)工程と(二)工程との間1こ下3己の(′本)
工程を設けてべることを特徴とするパターン作製法を提
洪することにより達成される。
、(ハ)および(二)の工徨からムリ、必要1こ応じて
該(ハ)工程と(二)工程との間1こ下3己の(′本)
工程を設けてべることを特徴とするパターン作製法を提
洪することにより達成される。
(イ)下記一般式で示される構造単位(1)X1
( [ ’) +CH.− Cl−coo− y’
〔式中、x1は水素原子またはアルキル基を表し、Y1
はシクロアルケニル基または下記一般式で示される基を
表す。ここでZlは21a5の炭化水素基を表し、Rl
、R!およびR3はそれぞれ水素原子、アルキル基また
はアルケニル基を表す。コを2〜lOOモル%、および
下記一般式で示される構造単に(II) {1 Y2 [式中、X″:よ水素京子また{よアルキル基を表し、
Y″はフエニル基、アルコキンカルボニル基またはカル
バモイル基会表し、構這坦位(II)における水素原子
はフッ素原子によって置換されていてもよい。コ をO〜98モル%有する重合体(λ)と、置換基を有し
ていてもよい芳香族アルデヒドおよび芳香族ケトンから
なる群より選ばれる化合物(B)とからなる感光性尉脂
組成鞠の薄膜を形成する工程。
はシクロアルケニル基または下記一般式で示される基を
表す。ここでZlは21a5の炭化水素基を表し、Rl
、R!およびR3はそれぞれ水素原子、アルキル基また
はアルケニル基を表す。コを2〜lOOモル%、および
下記一般式で示される構造単に(II) {1 Y2 [式中、X″:よ水素京子また{よアルキル基を表し、
Y″はフエニル基、アルコキンカルボニル基またはカル
バモイル基会表し、構這坦位(II)における水素原子
はフッ素原子によって置換されていてもよい。コ をO〜98モル%有する重合体(λ)と、置換基を有し
ていてもよい芳香族アルデヒドおよび芳香族ケトンから
なる群より選ばれる化合物(B)とからなる感光性尉脂
組成鞠の薄膜を形成する工程。
(口)庫膜に所望のパターンに応じて部分的に紫外線を
照射する工程。
照射する工程。
(ハ)薄膜から未反応の化合物(B)を除去する工程。
(二)薄膜を熱処理する工程。
(ネ)薄膜の全面に紫外線を照射する工程。
本発明に用いられる感光性樹指組成物を構成する重合体
(A)は構造単位(T)を5〜100モル%含む場合か
好ましい。重合体(A)はさらに下記一般式で示される
III造単α(III) [式中、x5は水素原子またはアルキル基を表し、z7
は2価の炭化水素基を表し、R4、RSおよびR@はそ
れぞれ水素原子またはアルキル基を表す。]を1〜98
モル%、好ましくは5〜98モル%含んでいてもよい。
(A)は構造単位(T)を5〜100モル%含む場合か
好ましい。重合体(A)はさらに下記一般式で示される
III造単α(III) [式中、x5は水素原子またはアルキル基を表し、z7
は2価の炭化水素基を表し、R4、RSおよびR@はそ
れぞれ水素原子またはアルキル基を表す。]を1〜98
モル%、好ましくは5〜98モル%含んでいてもよい。
上記の構造単位(T)におけるXIおよび構造単位(I
I[)におけるx3がそれぞれ表すアルキル基としては
、メチル基、エチル基、プロビル基、イソプロピル基、
ブチル基などの炭素数が4以下の低級アルキル基が好ま
しい。また構造単位(1)におけるR1、R1およびR
3ならびに構造単位(1)におけるR′″、Rl1およ
びR@がそれぞれ表すアルキル基は分岐または任意の置
換基を有していてもよく、メチル基、エチル基、プロビ
ル基、イソブロビル基、ブチル基、アミル基ユヘキシル
基、ヘブチル基、オクチル基などの炭素数が8以下の低
級アルキル基が好ましい。上記のRI R!およびR3
がそれぞれ表すアルケニル基は2−ブテニル基、3−メ
チル−2−ブテニル基、3−ペンテニル基、4−メチル
−3−ペンテニル基が好ましい。構造単位(1)におけ
るz1および構造単泣(III)におけるz8がそれぞ
れ表す2価の炭化水素基としては炭素数が2〜8の分岐
を有してもよいアルキレン基が好ましい。構造単位(1
)におけるYlの好適例として、アリル基・2−プテニ
ル基、3−ブテニル基、2−メチル−2−プロペニル基
=2−へプテニル基、3−へプテニル基、4−へプテニ
ル基、2−メチル−2−ブテニル基、3−メチル−2−
ブテニル基、2−エチル−2ープロペニル基、2−メチ
ル−3−ブテニル基、l.2−ジメチル−2−プロペニ
ル基=2−ヘキセニル基、3−へキセニル基、4−へキ
セニル基、5−へキセニル基、1.1−ジメチル−2−
ブテニル基、1.2−ジメチル−2−ブテニル基、1.
3−ジメチル−2−ブテニル基、2.3−ジメチル−2
−ブテニル基、3ーメチル−2−へブテニル基、2−メ
チル−2−へブテニル基;2−メチル−2−シクロヘキ
セニル基、3−メチル−2−シクロヘキセニル基、ゲラ
ニル基、イソゲラニル基、ネリル基、ラバンジュリル基
、6−メチルゲラニル基、l−メチルゲラニル基、6一
エチルゲラニル基、ペリリル基、ファルネソル基、ゲラ
ニルゲラニル基、β−シクロゲラニルゲライル基などを
挙げることができる。
I[)におけるx3がそれぞれ表すアルキル基としては
、メチル基、エチル基、プロビル基、イソプロピル基、
ブチル基などの炭素数が4以下の低級アルキル基が好ま
しい。また構造単位(1)におけるR1、R1およびR
3ならびに構造単位(1)におけるR′″、Rl1およ
びR@がそれぞれ表すアルキル基は分岐または任意の置
換基を有していてもよく、メチル基、エチル基、プロビ
ル基、イソブロビル基、ブチル基、アミル基ユヘキシル
基、ヘブチル基、オクチル基などの炭素数が8以下の低
級アルキル基が好ましい。上記のRI R!およびR3
がそれぞれ表すアルケニル基は2−ブテニル基、3−メ
チル−2−ブテニル基、3−ペンテニル基、4−メチル
−3−ペンテニル基が好ましい。構造単位(1)におけ
るz1および構造単泣(III)におけるz8がそれぞ
れ表す2価の炭化水素基としては炭素数が2〜8の分岐
を有してもよいアルキレン基が好ましい。構造単位(1
)におけるYlの好適例として、アリル基・2−プテニ
ル基、3−ブテニル基、2−メチル−2−プロペニル基
=2−へプテニル基、3−へプテニル基、4−へプテニ
ル基、2−メチル−2−ブテニル基、3−メチル−2−
ブテニル基、2−エチル−2ープロペニル基、2−メチ
ル−3−ブテニル基、l.2−ジメチル−2−プロペニ
ル基=2−ヘキセニル基、3−へキセニル基、4−へキ
セニル基、5−へキセニル基、1.1−ジメチル−2−
ブテニル基、1.2−ジメチル−2−ブテニル基、1.
3−ジメチル−2−ブテニル基、2.3−ジメチル−2
−ブテニル基、3ーメチル−2−へブテニル基、2−メ
チル−2−へブテニル基;2−メチル−2−シクロヘキ
セニル基、3−メチル−2−シクロヘキセニル基、ゲラ
ニル基、イソゲラニル基、ネリル基、ラバンジュリル基
、6−メチルゲラニル基、l−メチルゲラニル基、6一
エチルゲラニル基、ペリリル基、ファルネソル基、ゲラ
ニルゲラニル基、β−シクロゲラニルゲライル基などを
挙げることができる。
また構造単位(I[[)における基
しては、2.3−エポキゞ、・プロビル基、2.3−エ
ボキシブチル基、:J . 4−1,ポキシブチル基、
2.3−エボキシ−2−メチルプロビル基、2−メチル
−2.3ーエボキシブチル基、3−メチル−2.3−エ
ボキシブチル基、2.3−エボキシヘプチル基、5.6
−エボキシへブチル基、3−メチル−2.3−エボキシ
ブチル基、4−メチル−2.3−エボキシへブチル基、
4一メチル’−5.6−エボキシヘプチル基などが挙げ
られる。
ボキシブチル基、:J . 4−1,ポキシブチル基、
2.3−エボキシ−2−メチルプロビル基、2−メチル
−2.3ーエボキシブチル基、3−メチル−2.3−エ
ボキシブチル基、2.3−エボキシヘプチル基、5.6
−エボキシへブチル基、3−メチル−2.3−エボキシ
ブチル基、4−メチル−2.3−エボキシへブチル基、
4一メチル’−5.6−エボキシヘプチル基などが挙げ
られる。
重合体(^)はα位がアルキル基によって置換されてい
てもよいアクリル酸またはそのエステルの単独重合また
は構造単位(II)を形成するコモノマーとの共重合に
より重合体を得、ついで該重合体と基Y1を有するアル
コール、さらに必要に応じ基Y3を有するアルコールと
を反応させるか、または構造単位(1)を形成するアク
リル酸誘導体の単独重合または該アクリル酸誘導体と上
記コモノマーさらに必要に応じ構造単位(tI[)を形
威するアクリル酸誘導体との共重合により製造すること
ができる。
てもよいアクリル酸またはそのエステルの単独重合また
は構造単位(II)を形成するコモノマーとの共重合に
より重合体を得、ついで該重合体と基Y1を有するアル
コール、さらに必要に応じ基Y3を有するアルコールと
を反応させるか、または構造単位(1)を形成するアク
リル酸誘導体の単独重合または該アクリル酸誘導体と上
記コモノマーさらに必要に応じ構造単位(tI[)を形
威するアクリル酸誘導体との共重合により製造すること
ができる。
構造単位(1)を形成するアクリル酸誘導体としては、
アリルメタクリレート、アリルアクリレート、2(また
は3)一ブテニルメタクリレート、2(または3)一ブ
テニルアクリレート、2−メチル−2−プロベニルメタ
クリレート、2−メチル−2−プロペニルアクリレート
、2(または3または4)へプテニルメタクリレート、
2(または3または4)一へブテニルアクリレート、2
−メチル−2(または3)一ブテニルメタクリレート、
2−メチル−2(または3)一ブテニルアクリレート、
2ーエチル−2−プロベニルメタクリレート、2−エチ
ル−2−プロペニルアクリレート、1.2−ジメチル2
−プロペニルメタクリレート、1.2−ジメチル2−プ
ロペニルアクリレート、2(または3または4または5
)一へキセニルメタクリレート、2(または3または4
または5)一へキセニルアクリレート、1.1(または
1.2または1.3または2.3)ジメチル−2−ブテ
ニルメタクリレート、l,l(または1.2または1.
3または2.3)一ジメチル−2−ブテニルアクリレー
ト、2(または3)一メチル−2一へプテニルメタクリ
レート、2(または3)一メチル−2−ヘブテニルアク
リレートなどのアルコール残基が鎖状になっているアク
リル酸誘導体;2(または3)一メチル−2−シクロヘ
キセニルメタクリレート、2(または3)一メチル−2
−シクロヘキセニルアクリレートなどのアルコール残基
が環状になっているアクリル酸誘導体;ゲラニルメタク
リレート、ゲラニルアクリレート、ネリルメタクリレー
ト、ネリルアクリレート、イソゲラニルメタクリレート
、イソゲラニルアクリレート、ラバンジュリルメタクリ
レート、ラバンジュリルアクリレート、6−メチルゲラ
ニルメタクリレート、6−メチルゲラニルアクリレート
、l−メチルゲラニルメタクリレート、l−メチルゲラ
ニルアクリレート、6−エチルゲラニルメタクリレート
、6−エチルゲラニルアクリレート、ベリリルメタクリ
レート、ペリリルアクリレート等の非共役二重結合を2
個有する鎖状または環状テルペン系アルコールとアクリ
ル酸またはメタクリル酸とのエステル:ファルネソルメ
タクリレート、ファルネソルアクリレート、ゲラニルゲ
ラニルメタクリレート、ゲラニルゲラニルアクリレート
、β−シクロゲラニルゲラニルメタクリレート、β−シ
クロ結合を3g以上有する鎖状または環状テルペン系ア
ルコールとアクリル酸またはメタクリル酸とのエステル
が挙げられる。これらの中で、アリルメタクリレート、
2−メチル−2−プロペニルメタクリレート、2−プテ
ニルメタクリレート、2−メチル−2−ブテニルメタク
リレート、2−へキセニルメタクリレート、3−へキセ
ニルメタクリレート、ゲラニルメタクリレートが、原料
となろアル5ールの入手のし易さ、エステル合威のし易
さの点か与好ましい。
アリルメタクリレート、アリルアクリレート、2(また
は3)一ブテニルメタクリレート、2(または3)一ブ
テニルアクリレート、2−メチル−2−プロベニルメタ
クリレート、2−メチル−2−プロペニルアクリレート
、2(または3または4)へプテニルメタクリレート、
2(または3または4)一へブテニルアクリレート、2
−メチル−2(または3)一ブテニルメタクリレート、
2−メチル−2(または3)一ブテニルアクリレート、
2ーエチル−2−プロベニルメタクリレート、2−エチ
ル−2−プロペニルアクリレート、1.2−ジメチル2
−プロペニルメタクリレート、1.2−ジメチル2−プ
ロペニルアクリレート、2(または3または4または5
)一へキセニルメタクリレート、2(または3または4
または5)一へキセニルアクリレート、1.1(または
1.2または1.3または2.3)ジメチル−2−ブテ
ニルメタクリレート、l,l(または1.2または1.
3または2.3)一ジメチル−2−ブテニルアクリレー
ト、2(または3)一メチル−2一へプテニルメタクリ
レート、2(または3)一メチル−2−ヘブテニルアク
リレートなどのアルコール残基が鎖状になっているアク
リル酸誘導体;2(または3)一メチル−2−シクロヘ
キセニルメタクリレート、2(または3)一メチル−2
−シクロヘキセニルアクリレートなどのアルコール残基
が環状になっているアクリル酸誘導体;ゲラニルメタク
リレート、ゲラニルアクリレート、ネリルメタクリレー
ト、ネリルアクリレート、イソゲラニルメタクリレート
、イソゲラニルアクリレート、ラバンジュリルメタクリ
レート、ラバンジュリルアクリレート、6−メチルゲラ
ニルメタクリレート、6−メチルゲラニルアクリレート
、l−メチルゲラニルメタクリレート、l−メチルゲラ
ニルアクリレート、6−エチルゲラニルメタクリレート
、6−エチルゲラニルアクリレート、ベリリルメタクリ
レート、ペリリルアクリレート等の非共役二重結合を2
個有する鎖状または環状テルペン系アルコールとアクリ
ル酸またはメタクリル酸とのエステル:ファルネソルメ
タクリレート、ファルネソルアクリレート、ゲラニルゲ
ラニルメタクリレート、ゲラニルゲラニルアクリレート
、β−シクロゲラニルゲラニルメタクリレート、β−シ
クロ結合を3g以上有する鎖状または環状テルペン系ア
ルコールとアクリル酸またはメタクリル酸とのエステル
が挙げられる。これらの中で、アリルメタクリレート、
2−メチル−2−プロペニルメタクリレート、2−プテ
ニルメタクリレート、2−メチル−2−ブテニルメタク
リレート、2−へキセニルメタクリレート、3−へキセ
ニルメタクリレート、ゲラニルメタクリレートが、原料
となろアル5ールの入手のし易さ、エステル合威のし易
さの点か与好ましい。
また構造単位(III)を形威するアクリル酸誘導体と
しては、2.3−エボキンプロビルメタクリレート、2
.3−エボキシプ口ピルアクリレート、2.3−エポキ
シブチルメタクリレート、2.3−エボキシプチルアク
リレート、3.4−エボキシブチルメタクリレート、3
.4−エポキンブチルアクリレート、2−メチル−2.
3−エボキシブロビルメタクリレート、2−メチル−2
.3−エポキシプロビルアクリレー}、2.3−エポキ
シへプチルメタクリレート、5.6−エボキシへプチル
メタクリレート、2.3−エポキシへプチルアクリレー
ト、5.6−エボキシへプチルアクリレート、2(また
は3)一メチルー2.3−エボキシブチルメタクリレー
ト、2(または3)一メチル−2.3−エボキシブチル
アクリレート、4−メチル−2,3−エボキシへプチル
メタクリレート、4−メチル−5.6−エボキシへプチ
ルメタクリレート、4−メチル−2.3−エポキシへプ
チルアクリレート、4−メチル−5.6−エポキシへプ
チルアクリレートが挙げられる。これらの中で、2.3
エボキシプロビルメタクリレート、2.3−エポキシプ
チルメタクリレート、3.4−エボキシブチルメタクリ
レートがエステルの合成のし易さの点から好ましい。
しては、2.3−エボキンプロビルメタクリレート、2
.3−エボキシプ口ピルアクリレート、2.3−エポキ
シブチルメタクリレート、2.3−エボキシプチルアク
リレート、3.4−エボキシブチルメタクリレート、3
.4−エポキンブチルアクリレート、2−メチル−2.
3−エボキシブロビルメタクリレート、2−メチル−2
.3−エポキシプロビルアクリレー}、2.3−エポキ
シへプチルメタクリレート、5.6−エボキシへプチル
メタクリレート、2.3−エポキシへプチルアクリレー
ト、5.6−エボキシへプチルアクリレート、2(また
は3)一メチルー2.3−エボキシブチルメタクリレー
ト、2(または3)一メチル−2.3−エボキシブチル
アクリレート、4−メチル−2,3−エボキシへプチル
メタクリレート、4−メチル−5.6−エボキシへプチ
ルメタクリレート、4−メチル−2.3−エポキシへプ
チルアクリレート、4−メチル−5.6−エポキシへプ
チルアクリレートが挙げられる。これらの中で、2.3
エボキシプロビルメタクリレート、2.3−エポキシプ
チルメタクリレート、3.4−エボキシブチルメタクリ
レートがエステルの合成のし易さの点から好ましい。
構造単位(If)を形成するコモノマーとしてはメタク
リル酸:メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メ
タクリル酸プロビル、メタクリル酸ブチル、メタクリル
酸ペンチル、メタクリル酸ヘキシル、メタクリル酸アミ
ル、メタクリル酸シクロヘキシルなどのメタクリル酸ア
ルキルエステル:アクリル酸:アクリル酸メチル、アク
リル酸エチリル酸アミル、アクリル酸シクロヘキシルな
どのアクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸アミド
、アクリル酸アミド、スチレン、α−メチルスチレンは
どの置換スチレンなどが挙げられる。構造単位(n)に
おける水素原子はフッ素原子によって置換されていても
よい。
リル酸:メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メ
タクリル酸プロビル、メタクリル酸ブチル、メタクリル
酸ペンチル、メタクリル酸ヘキシル、メタクリル酸アミ
ル、メタクリル酸シクロヘキシルなどのメタクリル酸ア
ルキルエステル:アクリル酸:アクリル酸メチル、アク
リル酸エチリル酸アミル、アクリル酸シクロヘキシルな
どのアクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸アミド
、アクリル酸アミド、スチレン、α−メチルスチレンは
どの置換スチレンなどが挙げられる。構造単位(n)に
おける水素原子はフッ素原子によって置換されていても
よい。
重合体(A)はゲルパーミエーションクロマトグラフイ
に上り求めた敗平均分子量が1,000〜1,000,
000の梶囲にあるものである。重合体(A)の敗平均
分子量は100.000〜8110.000の範囲にあ
ることが好ましい。
に上り求めた敗平均分子量が1,000〜1,000,
000の梶囲にあるものである。重合体(A)の敗平均
分子量は100.000〜8110.000の範囲にあ
ることが好ましい。
化合物(B)としては例えば置換基を有してもよいベン
ズアルデヒド、ペンゾフェノンまたはその誘導体が挙げ
られ、具体的には下記の一般式(ff)、一般式(V)
または一般式(VI)で示される。
ズアルデヒド、ペンゾフェノンまたはその誘導体が挙げ
られ、具体的には下記の一般式(ff)、一般式(V)
または一般式(VI)で示される。
1− X’“
X@
c式中、x′、XS, X@、X7、XI, XI、X
IO Xllおよびxtsはそれぞれ水素原子、炭素
数7以下のアルキル基もくしはアルコキシ基、またはハ
ロゲン原子を表し、x目、Xl4 XIS, ,Xt
● XI?およびxllはそれぞれ水素原子またはハロ
ゲン原子を表す。nはO% lまたは2である。] 好ましい化合物(B)としてはペンゾフェノン:3(ま
たは4〉−メチルベンゾフエノン、3(または4)一メ
トキシベンゾフエ7ノ、3,3゜(または4.4゜)一
ジメチルベンゾフエノン、3,3゜(または4. 4’
)一ジメトキシベンゾフエノン、2.3(または2,
4)一クロルベンゾフエノン、3,4.5−}リメトキ
シベンゾフエノンなどの置換ペンゾフエノン、3−ペン
ゾイルベンゾフエノン:3(また!i4)−メチノレベ
ンゾイノレ−3゜(または4゜)一メチノレベンゾフエ
ノン、3(または4)一メト牛シベンゾイル−3゜(マ
たは4゛)一メトキシベンゾフェノン、3,3゜−ジベ
ンゾイルベンゾフエノン、t.a.s−トリベンゾイル
ベンゾフエノンなどのメタ置換型のべ冫ゾフエノン、べ
冫ズアルデヒド;3(または4)一メチルベンズアルデ
ヒド、3(または4)一メト牛シベンズアルデヒド、3
.4−ジメチルベンズアルデヒド、3.4−ジメトキシ
ベンズアルデヒドなどの置換ベンズアルデヒドを挙げる
ことができる。これらの中でべ冫ズアルデヒド、ペンゾ
フエノン、3−べ冫ゾノルベンゾフエノン、3.3゜ー
ジベンゾイルベンゾフエ/ンおよCl’ 1, 3.
5 − }リベンゾイルベンゼンが合或のし易さから好
ましく、また特に3−ペンゾイノレベンゾフエノンおよ
び1.3.5−}リベンゾイルベンゼンが、光反応性が
良好であり、露光部と非露光部との凹凸差および屈折率
差を大きくすることが可能であり作製されたパターンの
耐溶剤性および耐熱性が高い点で特に好ましい。
IO Xllおよびxtsはそれぞれ水素原子、炭素
数7以下のアルキル基もくしはアルコキシ基、またはハ
ロゲン原子を表し、x目、Xl4 XIS, ,Xt
● XI?およびxllはそれぞれ水素原子またはハロ
ゲン原子を表す。nはO% lまたは2である。] 好ましい化合物(B)としてはペンゾフェノン:3(ま
たは4〉−メチルベンゾフエノン、3(または4)一メ
トキシベンゾフエ7ノ、3,3゜(または4.4゜)一
ジメチルベンゾフエノン、3,3゜(または4. 4’
)一ジメトキシベンゾフエノン、2.3(または2,
4)一クロルベンゾフエノン、3,4.5−}リメトキ
シベンゾフエノンなどの置換ペンゾフエノン、3−ペン
ゾイルベンゾフエノン:3(また!i4)−メチノレベ
ンゾイノレ−3゜(または4゜)一メチノレベンゾフエ
ノン、3(または4)一メト牛シベンゾイル−3゜(マ
たは4゛)一メトキシベンゾフェノン、3,3゜−ジベ
ンゾイルベンゾフエノン、t.a.s−トリベンゾイル
ベンゾフエノンなどのメタ置換型のべ冫ゾフエノン、べ
冫ズアルデヒド;3(または4)一メチルベンズアルデ
ヒド、3(または4)一メト牛シベンズアルデヒド、3
.4−ジメチルベンズアルデヒド、3.4−ジメトキシ
ベンズアルデヒドなどの置換ベンズアルデヒドを挙げる
ことができる。これらの中でべ冫ズアルデヒド、ペンゾ
フエノン、3−べ冫ゾノルベンゾフエノン、3.3゜ー
ジベンゾイルベンゾフエ/ンおよCl’ 1, 3.
5 − }リベンゾイルベンゼンが合或のし易さから好
ましく、また特に3−ペンゾイノレベンゾフエノンおよ
び1.3.5−}リベンゾイルベンゼンが、光反応性が
良好であり、露光部と非露光部との凹凸差および屈折率
差を大きくすることが可能であり作製されたパターンの
耐溶剤性および耐熱性が高い点で特に好ましい。
重合体(A)と化合物(B)との組或割合は1G=1〜
l:lO(重量比)の範囲が好ましい。重合体(A)が
有する構造単位(1)と化合物(B)との割合はlo:
1〜L:20(モル比)の範囲であり、好ましくは5:
l−1:10(モル比〉の範囲である。
l:lO(重量比)の範囲が好ましい。重合体(A)が
有する構造単位(1)と化合物(B)との割合はlo:
1〜L:20(モル比)の範囲であり、好ましくは5:
l−1:10(モル比〉の範囲である。
上記(イ)工程では重合体(A)と化合物(B)とを溶
解する溶媒に両者を溶解し、キャスティング法、バーコ
ート法、ス・ピンコート法などによって漏膜を形成する
。必要に応じて、薄膜を減圧処理または加熱処理するこ
とにより該薄膜から溶剤を除去する。薄膜の形或法は所
望の薄膜の厚さの程度または形態によって選択される。
解する溶媒に両者を溶解し、キャスティング法、バーコ
ート法、ス・ピンコート法などによって漏膜を形成する
。必要に応じて、薄膜を減圧処理または加熱処理するこ
とにより該薄膜から溶剤を除去する。薄膜の形或法は所
望の薄膜の厚さの程度または形態によって選択される。
一般に厚さが大きい場合には、キャスティング法、小さ
い場合にはパーコート法またはスビンコート法が採用さ
れる。
い場合にはパーコート法またはスビンコート法が採用さ
れる。
(イ)工程に続く(a)工程では、漏膜に所望のパター
ンに応じて部分的に波長が200〜450■の紫外線を
照射する。光源には高圧水銀ランプ、!l,ガスレーザ
、He−Cdレーザなどが用いられる。所望のパターン
を形成する方法としてフォトマスクを用いるマスク露光
法、二光束干渉露光法、レーザピーム直接描画法などが
採用される。
ンに応じて部分的に波長が200〜450■の紫外線を
照射する。光源には高圧水銀ランプ、!l,ガスレーザ
、He−Cdレーザなどが用いられる。所望のパターン
を形成する方法としてフォトマスクを用いるマスク露光
法、二光束干渉露光法、レーザピーム直接描画法などが
採用される。
(0工程に続く(ハ)工程における未反応の化合物(B
)の除去は、通富減圧下または常圧下で熱処理すること
により行う。熱処理のa度としては50〜l00℃の範
囲であるのが好ましい。これによって所望の屈折率差と
凹凸差を有するパターンを得る。
)の除去は、通富減圧下または常圧下で熱処理すること
により行う。熱処理のa度としては50〜l00℃の範
囲であるのが好ましい。これによって所望の屈折率差と
凹凸差を有するパターンを得る。
所望のパターンが形成された惑光性樹脂組或物の薄膜に
上記(ハ)工程の熱処理温度よりも高温の熱処理を施す
(二)工程を設けると、上記パターンの耐有機溶剤性お
よび耐熱性が向上する。(二)工程の熱処理は105〜
2 3 0 ’Cの範囲の温度でl5分間〜40時間行
うことが好適な結果を与え、る。150〜200゜Cの
範囲の温度で1〜5時間熱処理するか、110〜140
゜Cの範囲の晶度で10〜25時間熱処理することがよ
り好適である。
上記(ハ)工程の熱処理温度よりも高温の熱処理を施す
(二)工程を設けると、上記パターンの耐有機溶剤性お
よび耐熱性が向上する。(二)工程の熱処理は105〜
2 3 0 ’Cの範囲の温度でl5分間〜40時間行
うことが好適な結果を与え、る。150〜200゜Cの
範囲の温度で1〜5時間熱処理するか、110〜140
゜Cの範囲の晶度で10〜25時間熱処理することがよ
り好適である。
上記(ハ)工程と(二)工陛との間に、a膜の全面に紫
外線を照射する(0工程を設けろと耐有機溶剤性および
耐熟性はさらに向上する。紫外線の強度としては10
〜40+W/ c1、波長としては200 〜450n
III S紫外線鳳射の時間としては30秒間〜5分
間が好ましい。
外線を照射する(0工程を設けろと耐有機溶剤性および
耐熟性はさらに向上する。紫外線の強度としては10
〜40+W/ c1、波長としては200 〜450n
III S紫外線鳳射の時間としては30秒間〜5分
間が好ましい。
本発明によれば、例えば光導波路、回折格子、グレーテ
イングレンズ、フレネルレンズ、ホログラムレンズなど
のパターンを作製することができろ。それらのパターン
は光学的透明性、耐有機溶剤性および耐熱性に極めてす
ぐれている。
イングレンズ、フレネルレンズ、ホログラムレンズなど
のパターンを作製することができろ。それらのパターン
は光学的透明性、耐有機溶剤性および耐熱性に極めてす
ぐれている。
[実施例]
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
実施到l
試験管に2−ブテニルメタクリレート26g1メチルメ
タクリレート56g1 アゾビスイソブチロニトリル9
0mgおよびジオキサン300gをN,R換して仕込み
、封管して55〜60℃のウォーターバス中で24時間
加熱し重合した。その後、lQのメタノール中ヘ反応液
をあ{十、生成した1合体(^)を沈澱させ、乾燥させ
ると50g得られた。この重合体(A)の組成比をN
M Rで測定すると、2−ブテニルメタクリレート:メ
チルメタクリレート=I:3(モル比)の共重合体であ
ることが確認された。またこのポ1マーの分子量はゲル
パーミエーションクロマトグラフイ法て測定すると数平
均分子量か220.000であった。上32重合体(\
)1郎と、3−ペンゾイルベンゾフエノン0.8部とか
らなる感光性樹脂組成物をトルエンに溶解し、ガラス基
板上にスピンコート法によって薄@(厚さl.5Ltm
)を形蚊した。
タクリレート56g1 アゾビスイソブチロニトリル9
0mgおよびジオキサン300gをN,R換して仕込み
、封管して55〜60℃のウォーターバス中で24時間
加熱し重合した。その後、lQのメタノール中ヘ反応液
をあ{十、生成した1合体(^)を沈澱させ、乾燥させ
ると50g得られた。この重合体(A)の組成比をN
M Rで測定すると、2−ブテニルメタクリレート:メ
チルメタクリレート=I:3(モル比)の共重合体であ
ることが確認された。またこのポ1マーの分子量はゲル
パーミエーションクロマトグラフイ法て測定すると数平
均分子量か220.000であった。上32重合体(\
)1郎と、3−ペンゾイルベンゾフエノン0.8部とか
らなる感光性樹脂組成物をトルエンに溶解し、ガラス基
板上にスピンコート法によって薄@(厚さl.5Ltm
)を形蚊した。
この薄膜を60゜Cで30分間熱処理の後、20am周
期のラインアンドスペースを有するフォトマスクを通し
て350nm、25IIIW/ca+”の紫外線を5分
間照射した。
期のラインアンドスペースを有するフォトマスクを通し
て350nm、25IIIW/ca+”の紫外線を5分
間照射した。
紫外線照射後フォトマスクをはずし、真空乾燥機中で9
89C, 0.2mlnHgの条件でl7時間熱処理し
、非露光部の化合物(B)を除去して屈折率差と凹凸差
とを有する回折格子のパターンを作製した。さ与にこの
回折格子のパターンに120℃(常圧)で24時間の(
二)工程の熱処理を施した。この回折格子の回折効率は
7gOnI++の光に対して12%であった。
89C, 0.2mlnHgの条件でl7時間熱処理し
、非露光部の化合物(B)を除去して屈折率差と凹凸差
とを有する回折格子のパターンを作製した。さ与にこの
回折格子のパターンに120℃(常圧)で24時間の(
二)工程の熱処理を施した。この回折格子の回折効率は
7gOnI++の光に対して12%であった。
(二)工程の熱処理を施した回折格子をメチルメタクリ
レートの飽和蒸気中に70℃で100時間放置したが、
回折効率は変化しCかった。これより、回折格子の形状
および屈折率が変化しないことを判定した。また、この
回折格子を180°C(f圧)で2時間加熟したか回折
効率は変化しなかっfコ。
レートの飽和蒸気中に70℃で100時間放置したが、
回折効率は変化しCかった。これより、回折格子の形状
および屈折率が変化しないことを判定した。また、この
回折格子を180°C(f圧)で2時間加熟したか回折
効率は変化しなかっfコ。
実施例2
実施例lと同じ組成の感光性樹脂組成物を用いて、実8
@例1と同様の方法で回折格子のパターンを作製した。
@例1と同様の方法で回折格子のパターンを作製した。
この回折格子のパターンに1 8 0 ’C(常圧)で
2時間の(二)工程の熱処理を施しf二。
2時間の(二)工程の熱処理を施しf二。
上記の熱処理した回折格子会用いて、実施列lと同様に
して耐有機溶剤性および耐熱性の試験を行ったが、回折
格子の回折効率は変化しなかった。
して耐有機溶剤性および耐熱性の試験を行ったが、回折
格子の回折効率は変化しなかった。
実施例3〜8
実施例1におけると同様の方法で、第1表に示す重合体
(A)および化合物(B)からなる感光性樹脂組成物を
作り、回折格子のパターンを作製した。
(A)および化合物(B)からなる感光性樹脂組成物を
作り、回折格子のパターンを作製した。
その後、30sl/am”の紫外線を2分間照射し、さ
らに120℃(常圧)で24時間の(=)工程の熱処理
を施した。各実施例において作製した回折洛子を用いて
実施例1と同様にして耐有機溶剤性および耐熱性の試験
を行ったところ、回折効率はいずれも変化しなかった。
らに120℃(常圧)で24時間の(=)工程の熱処理
を施した。各実施例において作製した回折洛子を用いて
実施例1と同様にして耐有機溶剤性および耐熱性の試験
を行ったところ、回折効率はいずれも変化しなかった。
また(二)工程の熱処理条件を180℃(常圧)、2時
間に変えた回折格子においても、耐有機溶剤性および耐
熱性は高かった。
間に変えた回折格子においても、耐有機溶剤性および耐
熱性は高かった。
以下余白
実施例9
試験管に2−ブテニルメタ
ク
リレー
}26g,
2,3
−エポキシプロビルメタクリレート26g1メチルメタ
クリレート38g1アゾビスイソブチロニトリル90m
g,およびジオキサン300gをh置換して仕込み、封
管して55℃〜60℃のウォーターバス中で24時間加
熱し重合した。実施例1と同様にして、この重合体の組
成比をNMRで測定すると、2−ブテニルメタクリレー
ト=2.3−エボキシプロビルメタクリレート:メチル
メタクリレート=1:1:2(モル比)の共重合体であ
ることが確認された。分子量はゲルパーミエーションク
ロマトグラフイー法で測定すると数平均分子量が220
,000であった。上記重合.体(A)1部と、3−ペ
ンゾイルベンゾフエノン0.8部とからなる感光性樹脂
組戊物をトルエンに溶解し、実施例lと同じくスピンコ
ート法によって薄II(厚さ1.5μm)を形威した。
クリレート38g1アゾビスイソブチロニトリル90m
g,およびジオキサン300gをh置換して仕込み、封
管して55℃〜60℃のウォーターバス中で24時間加
熱し重合した。実施例1と同様にして、この重合体の組
成比をNMRで測定すると、2−ブテニルメタクリレー
ト=2.3−エボキシプロビルメタクリレート:メチル
メタクリレート=1:1:2(モル比)の共重合体であ
ることが確認された。分子量はゲルパーミエーションク
ロマトグラフイー法で測定すると数平均分子量が220
,000であった。上記重合.体(A)1部と、3−ペ
ンゾイルベンゾフエノン0.8部とからなる感光性樹脂
組戊物をトルエンに溶解し、実施例lと同じくスピンコ
ート法によって薄II(厚さ1.5μm)を形威した。
この薄嘆を60℃で30分間熱処理の後、上記フォトマ
スクを通して25aW/c−の紫外線を5分間照射した
。紫外線照射後フォトマスクをはずし、真空乾燥機中で
98℃、0.2snHgの条件で17時間熱処理し、回
折洛子のパターンを作製した。さらにこの回折格子に1
40’C(常圧)で20時間の(二)工手呈の熱処理を
施した。(二)工程の熱処理した回折格子を用いて、実
施例1と同じ条件で耐有機溶剤性および耐熱性の試験を
行ったところ、回折格子の回折効率は変化しなかった。
スクを通して25aW/c−の紫外線を5分間照射した
。紫外線照射後フォトマスクをはずし、真空乾燥機中で
98℃、0.2snHgの条件で17時間熱処理し、回
折洛子のパターンを作製した。さらにこの回折格子に1
40’C(常圧)で20時間の(二)工手呈の熱処理を
施した。(二)工程の熱処理した回折格子を用いて、実
施例1と同じ条件で耐有機溶剤性および耐熱性の試験を
行ったところ、回折格子の回折効率は変化しなかった。
また(二)工程の熱処理条件を180℃(常圧)、2時
間に変えた回折格子においても、耐有機溶剤性および耐
熱性は高かった。
間に変えた回折格子においても、耐有機溶剤性および耐
熱性は高かった。
実施t@It o − t 7
実施vAI 2におけると同様の方法で、第1表に示す
重合体(A)および化合物(B)か占なる感光性樹脂組
成物を作り、回折格子のパターンを作製した。
重合体(A)および化合物(B)か占なる感光性樹脂組
成物を作り、回折格子のパターンを作製した。
その後、3hT/am”の紫外線を2分間照射し、さら
に120゜C(常圧)で24時間の(=)工程の熱処理
f−施した。各実施例において作製した回折格子を用い
て実施例1と同じ条件で、耐有機溶剤性および耐熱性の
試験を行ったところ、回折効率はいずれも変化しなかっ
た。
に120゜C(常圧)で24時間の(=)工程の熱処理
f−施した。各実施例において作製した回折格子を用い
て実施例1と同じ条件で、耐有機溶剤性および耐熱性の
試験を行ったところ、回折効率はいずれも変化しなかっ
た。
また、(二)工程の熱処理条件を180℃(常圧)2時
間に変えた回折格子のパターンにおいても、耐有機溶剤
性および耐熱性は高かった。
間に変えた回折格子のパターンにおいても、耐有機溶剤
性および耐熱性は高かった。
実施例l8
試験管にゲラニルメタクリレート39g, 2.3−エ
ボキシブロビルメタクリレート26g1メチルメタクリ
レート38g,アゾビスイソブチロニトリル90mgお
よびジオキサン300gをNt置換して仕込み、封管し
て55〜60℃のウォーターバス中で24時間加熱し重
合した。その後、112のメタノール中へ反応液をあけ
、生成した重合体(A)を沈澱させ、乾燥させろと45
g得られた。この重合体( A ’)の組成比をNMR
で測定すると、ゲラニルメタクリレート:2.3−エボ
キシプ口ピルメタクリレート:メチルメタクリレート=
1:l:2(モル比)の共重合体であることが確認され
た。またこのボリマーの分子量はゲルパーミエーション
クロマトグラフイー法で測定すると敗平均分子量が19
0,000であった。上記重合体(A) 1部と、1,
3.5−トリベンゾイルベンゼン0.8部とからなる感
光性樹脂組成物をトルエンに溶解し、ガラス基板上にス
ビンコート法によってill[(厚さ1.5μm)を形
成した。この薄膜を60℃で30分間加熱処理の後、2
0um周期のラインアンドスペースを有するフォトマス
クを通して25111/C−の紫外線を5分間照゜射し
た。照射後フォトマスクをはずし、真空乾燥機中で98
℃、0.2maHgの条件で17時間熱処理し、未反応
の化合物(B)を除去して、屈折率差と凹凸差とを有す
る回折格子のパターンを作製した。この回折格子に18
0℃(常圧)で2時間の(=)工程の熱処理を施した。
ボキシブロビルメタクリレート26g1メチルメタクリ
レート38g,アゾビスイソブチロニトリル90mgお
よびジオキサン300gをNt置換して仕込み、封管し
て55〜60℃のウォーターバス中で24時間加熱し重
合した。その後、112のメタノール中へ反応液をあけ
、生成した重合体(A)を沈澱させ、乾燥させろと45
g得られた。この重合体( A ’)の組成比をNMR
で測定すると、ゲラニルメタクリレート:2.3−エボ
キシプ口ピルメタクリレート:メチルメタクリレート=
1:l:2(モル比)の共重合体であることが確認され
た。またこのボリマーの分子量はゲルパーミエーション
クロマトグラフイー法で測定すると敗平均分子量が19
0,000であった。上記重合体(A) 1部と、1,
3.5−トリベンゾイルベンゼン0.8部とからなる感
光性樹脂組成物をトルエンに溶解し、ガラス基板上にス
ビンコート法によってill[(厚さ1.5μm)を形
成した。この薄膜を60℃で30分間加熱処理の後、2
0um周期のラインアンドスペースを有するフォトマス
クを通して25111/C−の紫外線を5分間照゜射し
た。照射後フォトマスクをはずし、真空乾燥機中で98
℃、0.2maHgの条件で17時間熱処理し、未反応
の化合物(B)を除去して、屈折率差と凹凸差とを有す
る回折格子のパターンを作製した。この回折格子に18
0℃(常圧)で2時間の(=)工程の熱処理を施した。
(二)工程の熱処理した回折格子を用いて、実施例1と
同じ条件で耐有機溶剤性および耐熱性の試験を行ったと
ころ、回折格子の回折効率は変化したかった。また、(
=)工程の熱処理条件を120℃(常圧)、24時間に
変えた回折格子を用いて同様に耐有機溶剤性および耐熱
性の試験を行ったところ、回折格子の回折効率は変化し
なかった。
同じ条件で耐有機溶剤性および耐熱性の試験を行ったと
ころ、回折格子の回折効率は変化したかった。また、(
=)工程の熱処理条件を120℃(常圧)、24時間に
変えた回折格子を用いて同様に耐有機溶剤性および耐熱
性の試験を行ったところ、回折格子の回折効率は変化し
なかった。
実施例l9〜26、比較例A−C
実施例lまたは実施例2と同じ組成の感光性樹脂組戒物
を用いて同様の方法で回折格子のパターンを作製した。
を用いて同様の方法で回折格子のパターンを作製した。
そして第3表に示す条件で、(二)工程の熱処理または
(二)工程の熱処理および(ネ)工程の紫外線照射を行
った。その後、この回折格子を種々の温度のメチルメタ
クリレート飽和蒸気中にlOO時間放置した。いずれの
実施例についても回折効率は変化しなかった。上記実施
例の回折格子を180℃(常圧)で2時間加熱したが回
折効率は変化しなかった。
(二)工程の熱処理および(ネ)工程の紫外線照射を行
った。その後、この回折格子を種々の温度のメチルメタ
クリレート飽和蒸気中にlOO時間放置した。いずれの
実施例についても回折効率は変化しなかった。上記実施
例の回折格子を180℃(常圧)で2時間加熱したが回
折効率は変化しなかった。
さらに本発明のパターン作製法の比較例A−Cとして、
実施例lまたは実施例2と同じ組戊の感光性lM脂組成
物を用いて同様の方法で回折賂子のパターンを作製し、
上記(二)工程の熱処理を施さない場合を第3表に示し
た。この回折格子を50℃または70℃のメチルメタク
リレート飽和蒸気中に放置したところ、lO時間後には
格子のパターンが膨潤して変形し、回折効率が変化した
。また180℃(常圧)で2時間加熱すると回折効率が
変化した。
実施例lまたは実施例2と同じ組戊の感光性lM脂組成
物を用いて同様の方法で回折賂子のパターンを作製し、
上記(二)工程の熱処理を施さない場合を第3表に示し
た。この回折格子を50℃または70℃のメチルメタク
リレート飽和蒸気中に放置したところ、lO時間後には
格子のパターンが膨潤して変形し、回折効率が変化した
。また180℃(常圧)で2時間加熱すると回折効率が
変化した。
なお、第l表ないし第3表における部とは重量部を示す
。
。
[発明の効果〕
本発明によれば、感光性樹指の露光部が非露光部よりも
屈折率が高く、かつ厚みが大きい表面レリーフ構造を有
し、耐有機溶剤性および耐熱性に優れたパターンが作製
できろ。
屈折率が高く、かつ厚みが大きい表面レリーフ構造を有
し、耐有機溶剤性および耐熱性に優れたパターンが作製
できろ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (イ)下記一般式で示される構造単位( I )( I )▲
数式、化学式、表等があります▼ [式中、X^1は水素原子またはアルキル基を表し、Y
^1はシクロアルケニル基または下記一般式▲数式、化
学式、表等があります▼ で示される基を表す。ここでZ^1は2価の炭化水素基
を表し、R^1、R^2およびR^3はそれぞれ水素原
子、アルキル基またはアルケニル基を表す。] を2〜100モル%、および下記一般式で示される構造
単位(II) (II)▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、X^2は水素原子またはアルキル基を表し、Y
^2はフェニル基、アルコキシカルボニル基またはカル
バモイル基を表し、構造単位(II)における水素原子は
フッ素原子によつて置換されていてもよい。] を0〜98モル%有する重合体(A)と、置換基を有し
ていてもよい芳香族アルデヒドおよび芳香族ケトンから
なる群より選ばれる化合物(B)とからなる感光性樹脂
組成物の薄膜を形成する工程、 (ロ)薄膜に所望のパターンに応じて部分的に紫外線を
照射する工程、 (ハ)薄膜から未反応の化合物(B)を除去する工程、
および (ニ)薄膜を熱処理する工程、 からなり、必要に応じて上記(ハ)工程と(ニ)工程と
の間に、 (ホ)薄膜の全面に紫外線を照射する工程、を設けてな
ることを特徴とするパターン作製法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-57583 | 1989-03-08 | ||
| JP5758389 | 1989-03-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0348202A true JPH0348202A (ja) | 1991-03-01 |
| JP2925164B2 JP2925164B2 (ja) | 1999-07-28 |
Family
ID=13059874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13228789A Expired - Fee Related JP2925164B2 (ja) | 1989-03-08 | 1989-05-24 | パターン作製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2925164B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110857267A (zh) * | 2018-08-22 | 2020-03-03 | 昱镭光电科技股份有限公司 | 芳香酮化合物及其有机发光器件 |
-
1989
- 1989-05-24 JP JP13228789A patent/JP2925164B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110857267A (zh) * | 2018-08-22 | 2020-03-03 | 昱镭光电科技股份有限公司 | 芳香酮化合物及其有机发光器件 |
| CN110857267B (zh) * | 2018-08-22 | 2022-12-09 | 昱镭光电科技股份有限公司 | 芳香酮化合物及其有机发光器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2925164B2 (ja) | 1999-07-28 |
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