JPH0348423A - 終点判定方法および装置 - Google Patents
終点判定方法および装置Info
- Publication number
- JPH0348423A JPH0348423A JP18263289A JP18263289A JPH0348423A JP H0348423 A JPH0348423 A JP H0348423A JP 18263289 A JP18263289 A JP 18263289A JP 18263289 A JP18263289 A JP 18263289A JP H0348423 A JPH0348423 A JP H0348423A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- end point
- data
- difference
- input
- point determination
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分針〕
本発明は終点判定方法および装置に係り、特にプロセス
を変えて行なうドライエッチング処理に好適な終点判定
方法および装置に関するものである。
を変えて行なうドライエッチング処理に好適な終点判定
方法および装置に関するものである。
従来のドライエッチングの終点判定は、例えば、特間昭
５８−２１５３０号公報に記載のように、プラズマによ
るドライエッチングによって半導体基板をエッチングす
るときに、装置に光学フィルタ，光電変極器，ＡＤ変換
ａ．メモリ回路などを投け、エッチング関始前の特定波
長光強度とエッチング途中の光強度とを比較することに
より、エッチング終了時点を正確に得るようになってい
た。
５８−２１５３０号公報に記載のように、プラズマによ
るドライエッチングによって半導体基板をエッチングす
るときに、装置に光学フィルタ，光電変極器，ＡＤ変換
ａ．メモリ回路などを投け、エッチング関始前の特定波
長光強度とエッチング途中の光強度とを比較することに
より、エッチング終了時点を正確に得るようになってい
た。
上記従来技術は、エッチング中にプロセス条件を変更し
たときのプラズマ発光強度が変化する点について配慮さ
れておらず、エッチングの終点判定ができなくなるとい
う問題があった。
たときのプラズマ発光強度が変化する点について配慮さ
れておらず、エッチングの終点判定ができなくなるとい
う問題があった。
本発明の目的は、エッチング中にプロセス条件を変更す
るものにおいてもエッチングの終点判定を行える終点判
定方法および装置を提供することにある。
るものにおいてもエッチングの終点判定を行える終点判
定方法および装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、処理室内でのプラズマの発
光のうち特定波長の発光を入力する手段と、該入力した
発光の量を電気信号に変換する手段と、２種類以上のプ
ロセスのうち特定のプロセス条件により処理されるとき
の電気信号だけを入力する手段と、該入力された電気信
号を連続的なデータに変換する手段と、級連続的に変換
したデータを用いて終点判定を行なう手段とを具備する
装置とし、２種類以上のプロセスを断続的に用いてエッ
チング処理するときの特定のプロセス条件により処理さ
れるときのデータ信号だけを入力し、核断続的●こ入力
するデータを連続的なデータに変換して、該連続的に変
換したデータを用いて終点判定するようにしたものであ
る。
光のうち特定波長の発光を入力する手段と、該入力した
発光の量を電気信号に変換する手段と、２種類以上のプ
ロセスのうち特定のプロセス条件により処理されるとき
の電気信号だけを入力する手段と、該入力された電気信
号を連続的なデータに変換する手段と、級連続的に変換
したデータを用いて終点判定を行なう手段とを具備する
装置とし、２種類以上のプロセスを断続的に用いてエッ
チング処理するときの特定のプロセス条件により処理さ
れるときのデータ信号だけを入力し、核断続的●こ入力
するデータを連続的なデータに変換して、該連続的に変
換したデータを用いて終点判定するようにしたものであ
る。
２種類以上のプロセスを断続的に用いてエッチング処理
するときの深点初定において、ｌＭ！類または２種類の
特定のプロセス条件により処理されるときのデータだけ
を入力し、該断続的に入力されるデータを連続的なデー
タに変換して、該データの変化または２種類のデータの
差の変化により終点判定を行なうようにしているので、
エプチング中にプロセス条件を変更するものにおいても
、エッチングの終点判定を行なうことができる。
するときの深点初定において、ｌＭ！類または２種類の
特定のプロセス条件により処理されるときのデータだけ
を入力し、該断続的に入力されるデータを連続的なデー
タに変換して、該データの変化または２種類のデータの
差の変化により終点判定を行なうようにしているので、
エプチング中にプロセス条件を変更するものにおいても
、エッチングの終点判定を行なうことができる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
第１図はドライエッチング装置の構或を示す。
処理室である真空容器ｌに試料台２があり、試料台２上
に試料３が載置されている。真空容器ｌはイ変コンダク
タンスバルブ４を介し、真空排気装１５にて真空に排気
される。また、プロセスガス供給装１ｉ６が真空容器ｌ
に接続され、プロセスガスを真空容器１に供給する。試
料台２にはプラズマ励起用高周波電源７が接続され、試
料台２に高周波電力を供給する。真空容器ｌにはプラズ
マ発光をモニタする採光窓８を設け、特定の波先の光を
通すフィルター９と光電子増信管ｌＯが接続されている
。
に試料３が載置されている。真空容器ｌはイ変コンダク
タンスバルブ４を介し、真空排気装１５にて真空に排気
される。また、プロセスガス供給装１ｉ６が真空容器ｌ
に接続され、プロセスガスを真空容器１に供給する。試
料台２にはプラズマ励起用高周波電源７が接続され、試
料台２に高周波電力を供給する。真空容器ｌにはプラズ
マ発光をモニタする採光窓８を設け、特定の波先の光を
通すフィルター９と光電子増信管ｌＯが接続されている
。
制御装［ １００は、真空容器ｌ内の圧力を制御する圧
力制御信４９２００を可変コンダクタンスバルブ４へ出
力し、プロセスガスの選択．ｔＲ量設定を行なうガス制
御信号２０２をプロセスガス供給＊［６へ出力し、プラ
ズマ励起電力の出力を制御するＲＦ出力制御信号２０１
を高周波電源７へ出力し、終点判定要求償号２０３と、
プロセス条件に対応して割付けられたプラズマ状態番号
２０４を終点判定装１ｉ １０１へ出力する。光電子増
信管ｌＯで得られたプラズマ発光強度に比例した信号は
増幅器■で増幅され、プラズマ発光信号２０５として終
点判定ｇｔｆｊ１１０１へ出力される。終点判定装！！
１０１は、制御装置１００から終点判定要求償号２０
３を受けると、プラズマ発光信号２０５を入力して終点
籾定を行なう。
力制御信４９２００を可変コンダクタンスバルブ４へ出
力し、プロセスガスの選択．ｔＲ量設定を行なうガス制
御信号２０２をプロセスガス供給＊［６へ出力し、プラ
ズマ励起電力の出力を制御するＲＦ出力制御信号２０１
を高周波電源７へ出力し、終点判定要求償号２０３と、
プロセス条件に対応して割付けられたプラズマ状態番号
２０４を終点判定装１ｉ １０１へ出力する。光電子増
信管ｌＯで得られたプラズマ発光強度に比例した信号は
増幅器■で増幅され、プラズマ発光信号２０５として終
点判定ｇｔｆｊ１１０１へ出力される。終点判定装！！
１０１は、制御装置１００から終点判定要求償号２０
３を受けると、プラズマ発光信号２０５を入力して終点
籾定を行なう。
終点を検出すると終点検出信号２０６を制御装置１００
へ出力し、エッチングを終了する。
へ出力し、エッチングを終了する。
第１図に示す＊ｉにおいて、第２図に示すような、真空
容器ｌにエッチングガスを１．秒間、デボジシ嘗ンガス
をｔ２秒間交互に導入し、デボジシ瞥ンガス供給停止ｔ
３秒前からエッチングガス供給停止までのｔｌ＋ｔｓ秒
間プラズマ励起電力を供給してプラズマ放電を行なうプ
ロセスを１サイクルとして、このサイクノＬ；を繰返し
行ｆ．うブロセス条件を制御装１１０１に設定する。ｌ
サイクルを細分化すると、ｔ３期間はデポジシ嘗ン期間
Ａ，１１期間はエッチング期間Ｂ＊ ｔ２−ｔ３期間は
プラズマ放電停止期間Ｃの三つに分けられる。また、第
２図に本実施例におけるプラズマ発光強度の一例を示す
。
容器ｌにエッチングガスを１．秒間、デボジシ嘗ンガス
をｔ２秒間交互に導入し、デボジシ瞥ンガス供給停止ｔ
３秒前からエッチングガス供給停止までのｔｌ＋ｔｓ秒
間プラズマ励起電力を供給してプラズマ放電を行なうプ
ロセスを１サイクルとして、このサイクノＬ；を繰返し
行ｆ．うブロセス条件を制御装１１０１に設定する。ｌ
サイクルを細分化すると、ｔ３期間はデポジシ嘗ン期間
Ａ，１１期間はエッチング期間Ｂ＊ ｔ２−ｔ３期間は
プラズマ放電停止期間Ｃの三つに分けられる。また、第
２図に本実施例におけるプラズマ発光強度の一例を示す
。
次に、試料３の処理を行なうときに、終点判定のデータ
としてテ゛ボジシ，ン期間Ａと工Ｖチング期間Ｂとのプ
ラズマ発光強度を用いた場合について以下説明する。
としてテ゛ボジシ，ン期間Ａと工Ｖチング期間Ｂとのプ
ラズマ発光強度を用いた場合について以下説明する。
処理の開始後、制御装置ｌ００は圧力制御信号２００，
ガス制御信号２０２，ＲＦ出力制御信号２０１を第２図
のプロセスシーケンスに従い変ｆヒさせながら処置を行
なう。制御装！ ｔｏｏはデポジシ曽ン期間人のプロセ
ス条件を設定すると同時に、終点制定要求信号２０３を
セットし、プラズマ状態信号２０４にデータ＠Ａ”を出
力する。デポジシ璽ン期間人が終了すると終点判定要求
償号２０３をリセプトする。
ガス制御信号２０２，ＲＦ出力制御信号２０１を第２図
のプロセスシーケンスに従い変ｆヒさせながら処置を行
なう。制御装！ ｔｏｏはデポジシ曽ン期間人のプロセ
ス条件を設定すると同時に、終点制定要求信号２０３を
セットし、プラズマ状態信号２０４にデータ＠Ａ”を出
力する。デポジシ璽ン期間人が終了すると終点判定要求
償号２０３をリセプトする。
次にエッチング期閲Ｂにプロセス条件を設定すると同時
に、終点判定要求償号２０３をセットし、プラズマ状態
信号２０４にデータ＠Ｂ”を出力する。
に、終点判定要求償号２０３をセットし、プラズマ状態
信号２０４にデータ＠Ｂ”を出力する。
エッチング期間Ｂが終了すると終点判定要求信号２０３
をリセットする。次にプラズマ放電停止期間Ｃにプロセ
ス条件を設定すると同時にプラズマ状態信号２０４にデ
ータ″Ｃ”を設定する。以下、終点検出信号２０６を受
け取るまで同様な制御を繰返す。
をリセットする。次にプラズマ放電停止期間Ｃにプロセ
ス条件を設定すると同時にプラズマ状態信号２０４にデ
ータ″Ｃ”を設定する。以下、終点検出信号２０６を受
け取るまで同様な制御を繰返す。
次に、終点判定方法の一実施例を説明する。
終点判定装ｉｔ ｌｏｔは終点判定要求信号２０３を検
出するとプラズマ状態信４９ ２０４を調べ１人”なら
？以後のプラズマ発光信号２０５を状態人に関する入力
値と見なし、“Ｂ”ならば以後のプラズマ発光信号２０
５を状態Ｂに関する入力値と見なし終点判定の処理を行
う。この処理を紙点判定要求償号２０３がリセットされ
るまでｍＲする。
出するとプラズマ状態信４９ ２０４を調べ１人”なら
？以後のプラズマ発光信号２０５を状態人に関する入力
値と見なし、“Ｂ”ならば以後のプラズマ発光信号２０
５を状態Ｂに関する入力値と見なし終点判定の処理を行
う。この処理を紙点判定要求償号２０３がリセットされ
るまでｍＲする。
終点判定要求信号２０３がセットされるとプラズマ発光
信号２０５をあらかじめ定められたサンプリング間隔で
サンプリングし、終点判定要求信号２０３がリセブトす
るまでサンプリングを継続する。終点判定要求信号がリ
セブトされると、終点判定信号２０６がセットされてか
らリセヅトされるまでのサンプリング位の平均を求める
。このときのプラズマ状態信号２０４が＠Ａ＃でｎ回目
のデボジシ酋ン期間ならばこの平均値をＡ。とじ、″″
Ｂ”でｎ回目のエッチング期間ならばこの平均値をＢｎ
として記憶する。
信号２０５をあらかじめ定められたサンプリング間隔で
サンプリングし、終点判定要求信号２０３がリセブトす
るまでサンプリングを継続する。終点判定要求信号がリ
セブトされると、終点判定信号２０６がセットされてか
らリセヅトされるまでのサンプリング位の平均を求める
。このときのプラズマ状態信号２０４が＠Ａ＃でｎ回目
のデボジシ酋ン期間ならばこの平均値をＡ。とじ、″″
Ｂ”でｎ回目のエッチング期間ならばこの平均値をＢｎ
として記憶する。
次にｓ ＡｌｌとＢｎの値が求まるとＢｎ−Ａｎ の
差分８■を求める。Ｓｎの値があらかじめ設定された値
より小さくなったとき、終点と見なし、終点検出信号２
０６を出力する。ｌサイクルの時間が処理終了までの時
間に比べ短い場合は、前記ｓｎ の値の１次差分、ま
たは、２次差分を求め、これらの値の変化を終点判定に
用いることも可能である。
差分８■を求める。Ｓｎの値があらかじめ設定された値
より小さくなったとき、終点と見なし、終点検出信号２
０６を出力する。ｌサイクルの時間が処理終了までの時
間に比べ短い場合は、前記ｓｎ の値の１次差分、ま
たは、２次差分を求め、これらの値の変化を終点判定に
用いることも可能である。
なお、終点と判断する基準としては値の変化の仕方によ
り、差分Ｓｎの値，差分ａｎの１？：Ｋ差分または差分
Ｓ。の２次差分の値があらかじめ設定した値より大さく
なったこと、また小さくなったことを検出したり、差分
Ｓｎの１次差分または２次差分の値が最大儲または最小
値となったこと、または所定のしきい値をプラス方向ま
たはマイナス方向にさえぎったことを検出するようにし
ても良い。
り、差分Ｓｎの値，差分ａｎの１？：Ｋ差分または差分
Ｓ。の２次差分の値があらかじめ設定した値より大さく
なったこと、また小さくなったことを検出したり、差分
Ｓｎの１次差分または２次差分の値が最大儲または最小
値となったこと、または所定のしきい値をプラス方向ま
たはマイナス方向にさえぎったことを検出するようにし
ても良い。
次に、終点判定の他の実施例としてエッチング期間Ｂの
み終点判定を行なう方法について第３図にて説明する。
み終点判定を行なう方法について第３図にて説明する。
制御装１ｊ １００からの終点判定要求信＠２０３はエ
ヅチング期間Ｂのみセットされる。終点判定装置１０１
は終点判定要求信号２０３を検出すると、プラズマが安
定するまでのあらかじめ定められた一定時間ｔｗを持っ
た後、所定のサンプリング間隔でプラズマ発光信号２０
５をサンプリングする。二のと！Ｉｎ回目のプラズマ状
ｆｌＢのｍ回目のサンプリング値をＢｎｍとする。これ
を終点判定要求償号２０３がリセット−するまで継続し
、最終的にｍ回サンプリングするとＢｎ １ ”” Ｂ
ｍｎまでのサンプリング値データを得る。１回目の終点
判定要求償号２０３のときに限りＢｊｌ””Ｂｌｍのサ
ンプリングデータな終点判定用データｂｌｌ〜ｂｌｍと
する。これは、第１回目のときは試料２の処理とともに
採光するプラズマ発光の採光量の低下を気にする必要が
ないからである。２回目以降ｎ回目の終点判定要求信号
２０３を検出すると１回目と同様に一定時間ｔＷ待って
プラズマ発先信号２０５を１回サンプリングし、この値
をＢｎ．とする。このときｎ−１回目の終点判定用デー
タの最終値ｂ（。−１）ｍの値と前記Ｂｒｌｌとの差（
ｂ（ｎ−ｏｍ Ｂｎｔ ）を計算し、Ｉ）（ｎ−１
）ｍとＢｎ．との値が同じになるようＢｎ．に前記差を
加える。
ヅチング期間Ｂのみセットされる。終点判定装置１０１
は終点判定要求信号２０３を検出すると、プラズマが安
定するまでのあらかじめ定められた一定時間ｔｗを持っ
た後、所定のサンプリング間隔でプラズマ発光信号２０
５をサンプリングする。二のと！Ｉｎ回目のプラズマ状
ｆｌＢのｍ回目のサンプリング値をＢｎｍとする。これ
を終点判定要求償号２０３がリセット−するまで継続し
、最終的にｍ回サンプリングするとＢｎ １ ”” Ｂ
ｍｎまでのサンプリング値データを得る。１回目の終点
判定要求償号２０３のときに限りＢｊｌ””Ｂｌｍのサ
ンプリングデータな終点判定用データｂｌｌ〜ｂｌｍと
する。これは、第１回目のときは試料２の処理とともに
採光するプラズマ発光の採光量の低下を気にする必要が
ないからである。２回目以降ｎ回目の終点判定要求信号
２０３を検出すると１回目と同様に一定時間ｔＷ待って
プラズマ発先信号２０５を１回サンプリングし、この値
をＢｎ．とする。このときｎ−１回目の終点判定用デー
タの最終値ｂ（。−１）ｍの値と前記Ｂｒｌｌとの差（
ｂ（ｎ−ｏｍ Ｂｎｔ ）を計算し、Ｉ）（ｎ−１
）ｍとＢｎ．との値が同じになるようＢｎ．に前記差を
加える。
この差をオフセット値とする。次以降のサンプリング値
Ｂｎｍには前記オフセット値を加え、終点判定用データ
としてｂｎｍ＝Ｂｎｍ＋（ｔ）（ｎ−Ｄ Ｂｎ１）を
求め、このｂｎｍの値を終点判定用データとじて用いる
。以後、終点判定要求信号２０３がセットされるごとに
前記オフセット値を更新して終点判定用データに連続性
を持たせ、終点判定を行なう。
Ｂｎｍには前記オフセット値を加え、終点判定用データ
としてｂｎｍ＝Ｂｎｍ＋（ｔ）（ｎ−Ｄ Ｂｎ１）を
求め、このｂｎｍの値を終点判定用データとじて用いる
。以後、終点判定要求信号２０３がセットされるごとに
前記オフセット値を更新して終点判定用データに連続性
を持たせ、終点判定を行なう。
終点判定データの１次差分で行なうときは前記方法と同
様な方法で１次差分値が同じになるように、また、終点
判定を終点判定データの２次差分で行ｋうときは、同様
に２次差分値が同じになるようにオフセット値を設定す
る。以後は、前記実施例と同様の終点判定基準により終
点判定が行なわれる。
様な方法で１次差分値が同じになるように、また、終点
判定を終点判定データの２次差分で行ｋうときは、同様
に２次差分値が同じになるようにオフセット値を設定す
る。以後は、前記実施例と同様の終点判定基準により終
点判定が行なわれる。
他の終点判定装置の一実施例として、２種類のプラズマ
状態信号２０５によりフィルタ９の透過波長を切り換え
てもよい。
状態信号２０５によりフィルタ９の透過波長を切り換え
てもよい。
本実施例では制御装Ｉｔ １００と終点判定装置１０１
を個別に設けているが、これらを一つの制御装置にまと
め、前記終点Ｉ１定要求償号２０３，プラズマ状態信号
２０４，終点検出信号２０６を記憶装置上のデータとし
て管理，処理するようにしても良い。
を個別に設けているが、これらを一つの制御装置にまと
め、前記終点Ｉ１定要求償号２０３，プラズマ状態信号
２０４，終点検出信号２０６を記憶装置上のデータとし
て管理，処理するようにしても良い。
以上、これら実施例を間単にまとめると、以下になる。
任意の２種類以下のプロセス条件によるエッチング中に
おいて、一方のプロセス条件時のプラズマ発光強度と、
他方のプロセス条件時のプラズマ発光強度との差，Ｉ？
：Ｋ差分，２次差分値を比較することにより終点判定を
行なう。このとき、一方のプロセス条件（ａ）としては
プラズマ発光強度が大きく変化し、他方のプロセス条件
（ｂ）としてはプラズマの発光強度があまり変ｆヒしな
いか、もしくは、プロセス条件（ｊ）でのプラズマ発光
強度の変化とは逆方向に変化するプロセス条件を選択す
る。また、プロセス条件（ｂ）はプラズマ停止期間とし
てもよい。プロセス条件だけでプラズマ発光量の変ｆヒ
を期待できない場合は、プロセス条件（ａ）とプロセス
条件（ｂ）で異なる波長のプラズマ発光＊ｉを検出する
ことでもよい。
おいて、一方のプロセス条件時のプラズマ発光強度と、
他方のプロセス条件時のプラズマ発光強度との差，Ｉ？
：Ｋ差分，２次差分値を比較することにより終点判定を
行なう。このとき、一方のプロセス条件（ａ）としては
プラズマ発光強度が大きく変化し、他方のプロセス条件
（ｂ）としてはプラズマの発光強度があまり変ｆヒしな
いか、もしくは、プロセス条件（ｊ）でのプラズマ発光
強度の変化とは逆方向に変化するプロセス条件を選択す
る。また、プロセス条件（ｂ）はプラズマ停止期間とし
てもよい。プロセス条件だけでプラズマ発光量の変ｆヒ
を期待できない場合は、プロセス条件（ａ）とプロセス
条件（ｂ）で異なる波長のプラズマ発光＊ｉを検出する
ことでもよい。
１種類のプロセス条件だけを用いて終点判定するときは
、前記指定された１種類のプロセス条件でエッチングし
ている期間のプラズマ発光強度のみを検出し、前回まで
の同一プロセス条件でのプラズマ発光ｔｉ１度との連続
性を有するように前記検出値にオフセット値を加えて終
点判定用データとし、何回かに分けて検出・計算された
データを連続したデータと見なして終点判定を行なう。
、前記指定された１種類のプロセス条件でエッチングし
ている期間のプラズマ発光強度のみを検出し、前回まで
の同一プロセス条件でのプラズマ発光ｔｉ１度との連続
性を有するように前記検出値にオフセット値を加えて終
点判定用データとし、何回かに分けて検出・計算された
データを連続したデータと見なして終点判定を行なう。
以上、本実施例によればエッチング中にプロセス条件を
変更したときにも終点判定が可能となり、ＴＭ（タイム
モジュレーシ口ン）エブチンク等ノサブミクロン加工で
のエッチング精度，再現性を向上することができる。
変更したときにも終点判定が可能となり、ＴＭ（タイム
モジュレーシ口ン）エブチンク等ノサブミクロン加工で
のエッチング精度，再現性を向上することができる。
本発明によれば、エッチング中にプロセス条件を変更す
るものにおいても、エッチングの終点判定を行なうこと
ができるという効果がある。
るものにおいても、エッチングの終点判定を行なうこと
ができるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の終点判定装置を示す構成図
、第２図は第ｌ図の装置の処理条件の一例を示すタイミ
ングチャート図、第３図は第１図の装置における終点判
定量データの一例を示すタイミングチャート図である。 １・・・・・・真空容器、９・・・・・・フィルター、
１０・・・・・・光電子増信管、１００・・・・・・制
御装ｄ％ １０１・・・・・・終点判定装置、 ２０３ ・・・・・・終点判定要求信号、 ２０４ プ ラズマ状態信号、 ２０５ プラズマ発光信号、２０６ 曾 ｌ 図 ｚｅｔｓ−−−一外、東検出４Ｓテ
、第２図は第ｌ図の装置の処理条件の一例を示すタイミ
ングチャート図、第３図は第１図の装置における終点判
定量データの一例を示すタイミングチャート図である。 １・・・・・・真空容器、９・・・・・・フィルター、
１０・・・・・・光電子増信管、１００・・・・・・制
御装ｄ％ １０１・・・・・・終点判定装置、 ２０３ ・・・・・・終点判定要求信号、 ２０４ プ ラズマ状態信号、 ２０５ プラズマ発光信号、２０６ 曾 ｌ 図 ｚｅｔｓ−−−一外、東検出４Ｓテ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、２種類以上のプロセスを断続的に用いてエッチング
処理するときの終点判定方法において、特定のプロセス
条件により処理されるときのデータ信号だけを入力し、
該断続的に入力するデータを連続的なデータに変換して
、該連続的に変換したデータを用いて終点判定を行なう
ことを特徴とする特許判定方法。 ２、前記特定のプロセス条件として、２種類を設定し、
該２種類の処理状態における発光強度の差の大きさ、発
光強度の差の表化量または発光強度の差の変化率のいず
れかにより終点判定を行なう特許請求の範囲第１項記載
の終点判定方法。 ３、前記連続的なデータへの変換として、前記断続的に
入力したデータの平均値、入力時点から所定時間後の入
力データ値または入力停止時点から所定時間前の入力デ
ータ値のいずれかを用いる特許請求の範囲第１項記載の
終点判定方法。 ４、前記連続的なデータへの変換として、前回のデータ
の最終値と今回のデータの最初値とを合わせるように、
今回の入力データ値にオフセットを加える特許請求の範
囲第１項記載の終点判定方法。 ５、前記連続的なデータへの変換として、２種類の特定
のプロセスによる処理状態における発光強度の差の大き
さ、発光強度の差の変化量または発光強度の差の変化率
のいずれかが連続するようにオフセットを加える特許請
求の範囲第１項記載の終点判定方法。 ６、処理室内でのプラズマの発光のうち特定波長の発光
を入力する手段と、該入力した発光の量を電気信号に変
換する手段と、２種類以上のプロセスのうち特定のプロ
セス条件により処理されるときの前記電気信号だけを入
力する手段と、該入力された電気信号を連続的なデータ
に変換する手段と、該連続的に変換したデータを用いて
終点判定を行なう手段とを具備してなる終点判定装置。 ７、前記電気信号を連続的なデータに変換する手段は、
前回のデータの最終値と今回のデータの最初値とを合わ
せるように、今回の入力データ値にオフセットを加えて
なる特許請求の範囲第６項記載の終点判定装置。 ８、前記電気信号を連続的なデータに変換する手段は、
断続的に入力される前記特定のプロセス条件の電気信号
の平均値、入力時点から所定時間後の入力値または入力
停止時点から所定時間前の入力値のいずれかを求める特
許請求の範囲第６項記載の終点判定装置。 ９、前記電気信号を連続的なデータに変更する手段は、
２種類の特定のプロセスによる処理状態における発光強
度の差の大きさ、発光強度の差の変化量または発光強度
の差の変化率のいずれかが連続するようにオフセットを
加えてなる特許請求の範囲第６項記載の終点判定装置。 １０、前記終点判定を行なラ手段は、２種類の特定のプ
ロセスによる処理状態における発光強度の差の大きさ、
発光強度の差の変化量または発光強度の差の変化率のい
ずれかにより行なう特許請求の範囲第６項記載の終点判
定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1182632A JP2611001B2 (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 終点判定方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1182632A JP2611001B2 (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 終点判定方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0348423A true JPH0348423A (ja) | 1991-03-01 |
| JP2611001B2 JP2611001B2 (ja) | 1997-05-21 |
Family
ID=16121686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1182632A Expired - Lifetime JP2611001B2 (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 終点判定方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2611001B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008521241A (ja) * | 2004-11-18 | 2008-06-19 | セミシスコ・カンパニー・リミテッド | ボッシュプロセスに用いる乾式エッチング装置、乾式エッチング終了点検出装置及びその電気素子の形成方法 |
| JP2012079878A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Shibaura Mechatronics Corp | エンドポイントモニタ及びプラズマ処理方法 |
| JP2017027995A (ja) * | 2015-07-16 | 2017-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング終点検出方法及びプラズマ処理装置の制御装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050923A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Hitachi Ltd | プラズマ表面処理方法 |
| JPS61220332A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-09-30 | Hitachi Ltd | エッチング終点判定方法 |
| JPS62165920A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-22 | Hitachi Ltd | エツチング終点判定装置 |
| JPS63254732A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-21 | Hitachi Ltd | エッチング終点判定方法 |
-
1989
- 1989-07-17 JP JP1182632A patent/JP2611001B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050923A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Hitachi Ltd | プラズマ表面処理方法 |
| JPS61220332A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-09-30 | Hitachi Ltd | エッチング終点判定方法 |
| JPS62165920A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-22 | Hitachi Ltd | エツチング終点判定装置 |
| JPS63254732A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-21 | Hitachi Ltd | エッチング終点判定方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008521241A (ja) * | 2004-11-18 | 2008-06-19 | セミシスコ・カンパニー・リミテッド | ボッシュプロセスに用いる乾式エッチング装置、乾式エッチング終了点検出装置及びその電気素子の形成方法 |
| JP2012079878A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Shibaura Mechatronics Corp | エンドポイントモニタ及びプラズマ処理方法 |
| JP2017027995A (ja) * | 2015-07-16 | 2017-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング終点検出方法及びプラズマ処理装置の制御装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2611001B2 (ja) | 1997-05-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5118378A (en) | Apparatus for detecting an end point of etching | |
| US4936967A (en) | Method of detecting an end point of plasma treatment | |
| JPWO1999040617A1 (ja) | 半導体プラズマ処理における終点検出方法 | |
| TWI482960B (zh) | Plasma processing device and plasma processing method | |
| US11664196B2 (en) | Detecting method and plasma processing apparatus | |
| JPH0348423A (ja) | 終点判定方法および装置 | |
| US4263089A (en) | Plasma development process controller | |
| JPH0773105B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS63254732A (ja) | エッチング終点判定方法 | |
| JPS63244847A (ja) | ドライエッチング終点検出方法 | |
| JPS6393115A (ja) | 終点判定方法 | |
| JPH0455329B2 (ja) | ||
| JP2564312B2 (ja) | エッチング終点判定方法および装置 | |
| JPH0468772B2 (ja) | ||
| JPH01235336A (ja) | エッチング終点判定装置 | |
| JP3181388B2 (ja) | 観測信号の変動周期算出方法及びそれを用いたプラズマ装置 | |
| JP2619403B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理終点判定方法 | |
| JPS63289934A (ja) | エッチング終点判定方法 | |
| JP2701548B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| SU924660A1 (ru) | Устройство дл управлени технологическим процессом | |
| JPH0314229A (ja) | 終点検出装置 | |
| JPS6098631A (ja) | 終点検出装置 | |
| JPS62174919A (ja) | プラズマ処理のプロセス制御方法 | |
| JP2003179035A (ja) | プラズマ応用機器におけるエンドポイント検出方法 | |
| JPS63107026A (ja) | プラズマエツチング装置 |