JPH0348464A - 赤外線検知器の製造方法 - Google Patents
赤外線検知器の製造方法Info
- Publication number
- JPH0348464A JPH0348464A JP1182424A JP18242489A JPH0348464A JP H0348464 A JPH0348464 A JP H0348464A JP 1182424 A JP1182424 A JP 1182424A JP 18242489 A JP18242489 A JP 18242489A JP H0348464 A JPH0348464 A JP H0348464A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- infrared
- substrate
- grown
- infrared rays
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
概要
化合物半導体結晶を用いてなる赤外線検知器の製造方法
に関し、 製造の容易化を目的とし、 赤外線検知素子を構威する化合物半導体結晶を、基板上
に形成してなる赤外線検知器の製造方法において、前記
基板の一面側に一様に赤外線を吸収する物質の結晶を成
長せしめ、該基板上に形成された赤外線を吸収する物質
の結晶の一部を除去して、前記赤外線検知素子を形戊す
る部分とし、前記基板の一面側にさらに、化合物半導体
結晶を戊長せしめた後に、前記赤外線を吸収する物質の
結晶上に形成された化合物半導体結晶を除去するように
して構或する。
に関し、 製造の容易化を目的とし、 赤外線検知素子を構威する化合物半導体結晶を、基板上
に形成してなる赤外線検知器の製造方法において、前記
基板の一面側に一様に赤外線を吸収する物質の結晶を成
長せしめ、該基板上に形成された赤外線を吸収する物質
の結晶の一部を除去して、前記赤外線検知素子を形戊す
る部分とし、前記基板の一面側にさらに、化合物半導体
結晶を戊長せしめた後に、前記赤外線を吸収する物質の
結晶上に形成された化合物半導体結晶を除去するように
して構或する。
産業上の利用分野
本発明は、化合物半導体結晶を用いてなる赤外線検知器
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
赤外線検知器は目標物体に接触することなく物体の存在
、形状、温度、組戒などを知ることができるため、人工
衛星による気象観測、防犯、防災、地質・資ＪＪｉ調査
、赤外線サーモグラフイによる医療用等の多くの分野で
用いられている。このような分野に用いられる赤外線検
知器においては、その検知感度を高めるために、検知対
象物から検知素子に入射する赤外線の視野角をできるだ
け狭めて、検知対象物以外の背景からくる余分な輻射線
を排除することが望ましい。このため、一般に各検知素
子の前面に視野角を制限する視野決定用の赤外線透過窓
を備えたアパーチャプレート（以下、単にアパーチャと
いう）を配置して、検知すべき赤外線を、上記透過窓を
通して検知素子に入射させる構成が採られている。しか
し、赤外線検知器の多素子化等に伴い、アバーチャの各
赤外線透過窓と各検知素子との位置合わせが難しく、ま
た、アバーチャの大型化によりその固定も難しい等、ア
パーチャを用いた構或の欠点が顕在化してきており、こ
のようなアパーチャを用いないでも入射赤外線の視野角
を調整しうる赤外線検知器の提供が要望されている。
、形状、温度、組戒などを知ることができるため、人工
衛星による気象観測、防犯、防災、地質・資ＪＪｉ調査
、赤外線サーモグラフイによる医療用等の多くの分野で
用いられている。このような分野に用いられる赤外線検
知器においては、その検知感度を高めるために、検知対
象物から検知素子に入射する赤外線の視野角をできるだ
け狭めて、検知対象物以外の背景からくる余分な輻射線
を排除することが望ましい。このため、一般に各検知素
子の前面に視野角を制限する視野決定用の赤外線透過窓
を備えたアパーチャプレート（以下、単にアパーチャと
いう）を配置して、検知すべき赤外線を、上記透過窓を
通して検知素子に入射させる構成が採られている。しか
し、赤外線検知器の多素子化等に伴い、アバーチャの各
赤外線透過窓と各検知素子との位置合わせが難しく、ま
た、アバーチャの大型化によりその固定も難しい等、ア
パーチャを用いた構或の欠点が顕在化してきており、こ
のようなアパーチャを用いないでも入射赤外線の視野角
を調整しうる赤外線検知器の提供が要望されている。
従来の技術
第３図にアバーチャを備えてなる従来の赤外線検知器の
構成を示す。６はサファイヤ等からなる基板であり、こ
の基板６上には複数の検知素子７が配列されている。８
は検知素子７の配列方向両側部に形戊されたインジウム
（Ｉｎ）等からなるアパーチャ取り付け台としての金属
バンブである。
構成を示す。６はサファイヤ等からなる基板であり、こ
の基板６上には複数の検知素子７が配列されている。８
は検知素子７の配列方向両側部に形戊されたインジウム
（Ｉｎ）等からなるアパーチャ取り付け台としての金属
バンブである。
９は検知素子７のピッチと同一のピッチで赤外線透過窓
９ａが形戊されたアパーチャであり、アパーチャ９は各
赤外線透過窓９ａが検知素子７に対応した位置となるよ
うに位置調整されて、例えば接着剤を用いて金属バンプ
８に固着されている。
９ａが形戊されたアパーチャであり、アパーチャ９は各
赤外線透過窓９ａが検知素子７に対応した位置となるよ
うに位置調整されて、例えば接着剤を用いて金属バンプ
８に固着されている。
アバーチャ９は、例えば硫化亜鉛（ＺｎＳ）等の赤外線
を透過する基板の赤外線入射側に無反射膜を形成し、こ
の基板の赤外線出射側に同じく無反射膜を形成し、基板
と該無反射膜との間に赤外線を透過しないクロム（Ｃｒ
）等からなる金属膜を介在させ、該無反射膜の外表面に
同じく赤外線を透過しないアルミニウム（Ａ Ａ ）等
からなる金属膜を形成し、これらの金属膜の所定箇所を
除去しておくことによって赤外線透過窓９ａを形戊して
構或されている。赤外線伝搬方向の上流側に相当する金
属膜の除去部分の面積を赤外線伝搬方向下流側に相当す
る金属膜の除去部分の面積よりも若干大きくしておくこ
とによって、当該面積比に応じた視野角を設定すること
ができ、この視野角外からくる背景光等が検知素子７に
入射するのを防止するものである。
を透過する基板の赤外線入射側に無反射膜を形成し、こ
の基板の赤外線出射側に同じく無反射膜を形成し、基板
と該無反射膜との間に赤外線を透過しないクロム（Ｃｒ
）等からなる金属膜を介在させ、該無反射膜の外表面に
同じく赤外線を透過しないアルミニウム（Ａ Ａ ）等
からなる金属膜を形成し、これらの金属膜の所定箇所を
除去しておくことによって赤外線透過窓９ａを形戊して
構或されている。赤外線伝搬方向の上流側に相当する金
属膜の除去部分の面積を赤外線伝搬方向下流側に相当す
る金属膜の除去部分の面積よりも若干大きくしておくこ
とによって、当該面積比に応じた視野角を設定すること
ができ、この視野角外からくる背景光等が検知素子７に
入射するのを防止するものである。
発明が解決しようとする課題
このように従来は基板上に配列された検知素子に対応し
た位置に赤外線透過窓を有するアパーチャを設けること
により、入射赤外線の視野角を制限するようにしている
。しかし、赤外線検知器の多素子化に伴い、このアパー
チャの各赤外線透過窓と各検知素子との位置合わせが難
しく、また、アパーチャ自体も大型化するのでその固定
が難しい等、製造のための工数が多いという問題があっ
た。
た位置に赤外線透過窓を有するアパーチャを設けること
により、入射赤外線の視野角を制限するようにしている
。しかし、赤外線検知器の多素子化に伴い、このアパー
チャの各赤外線透過窓と各検知素子との位置合わせが難
しく、また、アパーチャ自体も大型化するのでその固定
が難しい等、製造のための工数が多いという問題があっ
た。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、赤
外線検知器の製造の容易化を目的としている。
外線検知器の製造の容易化を目的としている。
課題を解決するための手段
サファイヤ等からなる基板の一面側に一様に３１ （シ
リコン）等の赤外線を吸収する物質の結晶を成長せしめ
、該基板上に形成された赤外線を吸収する物質の結晶の
一部を除去して、赤外線検知素子を形成する部分とする
。そして、基板の一面側にさらに、Ｈ ｇ ｌ−Ｘ
Ｃ ｄ Ｘ Ｔ ｅ （テルル化カドミウム水銀）等の
化合物半導体結晶を成長せしめた後に、前記赤外線を吸
収する物質の結晶上に成長した化合物半導体結晶を除去
する。このような工程によって、赤外線検知器を製造す
ることにより、上述した技術的課題は解決される。
リコン）等の赤外線を吸収する物質の結晶を成長せしめ
、該基板上に形成された赤外線を吸収する物質の結晶の
一部を除去して、赤外線検知素子を形成する部分とする
。そして、基板の一面側にさらに、Ｈ ｇ ｌ−Ｘ
Ｃ ｄ Ｘ Ｔ ｅ （テルル化カドミウム水銀）等の
化合物半導体結晶を成長せしめた後に、前記赤外線を吸
収する物質の結晶上に成長した化合物半導体結晶を除去
する。このような工程によって、赤外線検知器を製造す
ることにより、上述した技術的課題は解決される。
作 用
本発明方法を用いて赤外線検知器を製造すると、検知素
子を構成する化合物半導体結晶は、赤外線を吸収する物
質の結晶の谷間の部分に形成されることになり、赤外線
を吸収する物質の結晶の層厚を調整することにより、赤
外線検知素子（化合物半導体結晶の部分）への入射赤外
線の視野角を調整することができるようになる。
子を構成する化合物半導体結晶は、赤外線を吸収する物
質の結晶の谷間の部分に形成されることになり、赤外線
を吸収する物質の結晶の層厚を調整することにより、赤
外線検知素子（化合物半導体結晶の部分）への入射赤外
線の視野角を調整することができるようになる。
従って、赤外線を吸収する物質の結晶層が従来用いてい
たアパーチャと同様の作用をなすものであるから、アバ
ーチャが不必要となり、アパーチャを用いていたことに
よる不都合が解消でき、その製造を容易化することがで
きる。
たアパーチャと同様の作用をなすものであるから、アバ
ーチャが不必要となり、アパーチャを用いていたことに
よる不都合が解消でき、その製造を容易化することがで
きる。
実 施 例
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第ｌ図（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明一実施例の製造工程を
示す図である。まず、サファイヤ基板１のーの面に一様
にＳｉ結晶２ （層厚は例えば５０〜６０μｍ）を気相
あるいは液相エビタキシャル法により成長せしめる（Ａ
）。このＳｉ結晶２の表面２ａにレジストを塗布し、マ
スク・露光等してエッチングし、赤外線検知素子となる
部分３のＳｉ結晶２を除去する（Ｂ）。サファイヤ基板
１のＳｉ結晶２を形成した面と同じ側に、Ｈｇｌ−．Ｃ
ｄ．Ｔｅ結晶４を、気相あるいは液相エピタキシャル法
により成長せしめる（Ｃ）。そして、Ｓｌ結晶２上に成
長したＨｇ ＋−ｘ Ｃ ｄ）Ｉ Ｔ ｅ結晶４を研磨
により除去する（Ｄ）。尚、第２図にここまでの工程を
経た状態の斜視図が示されている。
示す図である。まず、サファイヤ基板１のーの面に一様
にＳｉ結晶２ （層厚は例えば５０〜６０μｍ）を気相
あるいは液相エビタキシャル法により成長せしめる（Ａ
）。このＳｉ結晶２の表面２ａにレジストを塗布し、マ
スク・露光等してエッチングし、赤外線検知素子となる
部分３のＳｉ結晶２を除去する（Ｂ）。サファイヤ基板
１のＳｉ結晶２を形成した面と同じ側に、Ｈｇｌ−．Ｃ
ｄ．Ｔｅ結晶４を、気相あるいは液相エピタキシャル法
により成長せしめる（Ｃ）。そして、Ｓｌ結晶２上に成
長したＨｇ ＋−ｘ Ｃ ｄ）Ｉ Ｔ ｅ結晶４を研磨
により除去する（Ｄ）。尚、第２図にここまでの工程を
経た状態の斜視図が示されている。
その後、図示はしていないが所定の位置に電極等を形戊
することにより赤外線検知器が製造される。
することにより赤外線検知器が製造される。
本実施例によれば、Ｓ１結晶２の谷間に赤外線検知素子
を構戒するＨｇ，−ＸＣｄＸＴｅ結晶４が形成されるこ
とになり、Ｓｉ結晶２により赤外線検知素子（ Ｈ ｇ
＋−．Ｃ ｄ ｘ Ｔ ｅ結晶の部分）ヘノ入射赤外
線の視野角を制限することができる。そして、第１図（
Ｄ）における研磨の際にＳｉ結晶２上のＨｇｌ−Ｘ Ｃ
ｄｌｌ Ｔｅ結晶４を除去した後、さらにＳｌ゛結晶２
の一部を研磨・除去してその高さを調整することにより
、視野角を調整することが可能である。
を構戒するＨｇ，−ＸＣｄＸＴｅ結晶４が形成されるこ
とになり、Ｓｉ結晶２により赤外線検知素子（ Ｈ ｇ
＋−．Ｃ ｄ ｘ Ｔ ｅ結晶の部分）ヘノ入射赤外
線の視野角を制限することができる。そして、第１図（
Ｄ）における研磨の際にＳｉ結晶２上のＨｇｌ−Ｘ Ｃ
ｄｌｌ Ｔｅ結晶４を除去した後、さらにＳｌ゛結晶２
の一部を研磨・除去してその高さを調整することにより
、視野角を調整することが可能である。
このように、Ｓｉ結晶２によって入射赤外線の視野角を
調整することができるから、従来用いられていたような
アパーチャを設ける必要が無く、アパーチャの位置調整
等の作業を省略できるから、その製造の工数を減少する
ことができる。
調整することができるから、従来用いられていたような
アパーチャを設ける必要が無く、アパーチャの位置調整
等の作業を省略できるから、その製造の工数を減少する
ことができる。
発明の効果
本発明方法を用いて赤外線検知器を製造することにより
、従来用いられていたようなアパーチャを設ける必要が
無くなり、製造が容易化されるという効果を奏する。
、従来用いられていたようなアパーチャを設ける必要が
無くなり、製造が容易化されるという効果を奏する。
第ｌ図（Ａ）〜（Ｄ）は本発明一実施例の製造工程を示
す図、 第２図は本発明一実施例を示す斜視図、第３図は従来技
術の説明図である。 ■・・・サファイヤ基板、 ２・・・Ｓｉ結晶、 ４・・・Ｈｇ＋−ｘ ｃｄ，Ｉ Ｔｅ結晶。
す図、 第２図は本発明一実施例を示す斜視図、第３図は従来技
術の説明図である。 ■・・・サファイヤ基板、 ２・・・Ｓｉ結晶、 ４・・・Ｈｇ＋−ｘ ｃｄ，Ｉ Ｔｅ結晶。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 赤外線検知素子を構成する化合物半導体結晶（４）を、
基板（１）上に形成してなる赤外線検知器の製造方法に
おいて、 前記基板（１）の一面側に一様に赤外線を吸収する物質
の結晶（２）を成長せしめ、 該基板上に形成された赤外線を吸収する物質の結晶（２
）の一部を除去して、前記赤外線検知素子を形成する部
分とし、 前記基板（１）の一面側にさらに、化合物半導体結晶（
４）を成長せしめた後に、 前記赤外線を吸収する物質の結晶（２）上に形成された
化合物半導体結晶（４）を除去するようにしたことを特
徴とする赤外線検知器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1182424A JPH0348464A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 赤外線検知器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1182424A JPH0348464A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 赤外線検知器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0348464A true JPH0348464A (ja) | 1991-03-01 |
Family
ID=16118038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1182424A Pending JPH0348464A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 赤外線検知器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0348464A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015172537A (ja) * | 2014-03-12 | 2015-10-01 | Ｓｅｍｉｔｅｃ株式会社 | 赤外線温度センサ、赤外線温度センサを用いた装置及び赤外線温度センサの製造方法 |
-
1989
- 1989-07-17 JP JP1182424A patent/JPH0348464A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015172537A (ja) * | 2014-03-12 | 2015-10-01 | Ｓｅｍｉｔｅｃ株式会社 | 赤外線温度センサ、赤外線温度センサを用いた装置及び赤外線温度センサの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1118878A1 (en) | Scintillator panel, radiation image sensor, and method for producing the same | |
| EP2916118B1 (en) | Infrared sensor module | |
| EP0191682A1 (fr) | Dispositif matriciel de détection d'un rayonnement lumineux à écrans froids individuels intégrés dans un substrat et son procédé de fabrication | |
| EP0189710B1 (fr) | Dispositif photosensible de grand format, et procédé d'utilisation | |
| JPS5810620A (ja) | 電磁放射検出装置 | |
| US20080099869A1 (en) | Two-Dimensional Image Detecting Apparatus and Method for Manufacturing the Same | |
| EP2162924B1 (en) | Semiconductor device structure and method of manufacture thereof | |
| JPH0593780A (ja) | 放射線検出素子 | |
| JPH0348464A (ja) | 赤外線検知器の製造方法 | |
| US20160141318A1 (en) | Method and system for assembly of radiological imaging sensor | |
| JPH0458567B2 (ja) | ||
| CN119836023A (zh) | 一种红外偏振探测器结构及制备方法 | |
| JPH0321078A (ja) | 赤外線検知素子 | |
| JPH02309219A (ja) | 赤外線検知装置 | |
| JP2961881B2 (ja) | Ｘ線回折法による膜厚測定方法 | |
| JPH0525183B2 (ja) | ||
| JPH0961536A (ja) | 半導体放射線検出装置及びその製造方法 | |
| JPS63170960A (ja) | 赤外線検知素子の製造方法 | |
| JPH0348465A (ja) | 赤外線検知器の製造方法 | |
| JPH05142038A (ja) | 赤外線検知器及びコールドシールドの製造方法 | |
| JPH0510816A (ja) | 赤外線検知素子の製造方法 | |
| JPS59182561A (ja) | 半導体イメ−ジセンサ | |
| JP2893967B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH077830B2 (ja) | 放射線検出用固体撮像素子 | |
| JPH05243591A (ja) | 裏面入射型赤外線検知素子及びその製造方法 |